「Disilane」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

NEW AMINO-DISILANE AND METHOD FOR FORMING SILICON CARBONITRIDE FILM例文帳に追加

新規なアミノジシランおよび炭窒化珪素膜の形成方法 - 特許庁

The reduction gas comprises a hydride compound such as diborane, silane or a disilane.例文帳に追加

該還元ガスはジボラン、シランまたはジシランなどのハイドライド化合物を含有している。 - 特許庁

After supplying the disilane gas, chlorine-based gas is supplied into the treatment chamber (step 104).例文帳に追加

ジシランガス供給後、処理室内に塩素系ガスを供給する（ステップ１０４）。 - 特許庁

METHOD OF FORMING HIGH QUALITY SILICON OXIDE FILM BY REMOTE PLASMA CVD FROM DISILANE PRECURSOR例文帳に追加

遠隔プラズマＣＶＤによりジシラン前駆体から高品質シリコン酸化膜を形成する方法 - 特許庁

To provide a novel amino-disilane suitable, for example, for forming a silicon carbonitride film by a heat CVD method.例文帳に追加

、例えば熱ＣＶＤ法での炭窒化珪素膜の形成に好適な新規なアミノジシランを提供する - 特許庁

To provide a method for easily and safely producing a disilane in high yield at a low cost.例文帳に追加

ジシランを安全、簡便かつ安価に、高収率で製造できる方法を提供することにある。 - 特許庁

The coating composition is composed mainly of specific composite oxide particles, a silane compound, a disilane compound and an epoxy compound.例文帳に追加

特定の複合酸化物微粒子、シラン化合物、ジシラン化合物、およびエポキシ化合物を主成分とするコーティング用組成物。 - 特許庁

The intermediate layer, which contains an epoxy compound, a polyfunctional silane compound and a disilane compound is formed on the base material.例文帳に追加

基材に、エポキシ化合物、多官能シラン化合物、ジシラン化合物を含有する中間層を形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing an allylsilane from a simple alkene and a disilane.例文帳に追加

本願発明は、単純アルケンとジシランからアリルシラン類を製造することができる方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method for producing an allylsilane in high regioselectivity includes reacting a 1-alkene being a simple alkene with a disilane in the presence of palladium trifluoroacetate catalyst in an oxygen atmosphere.例文帳に追加

本願発明は、単純アルケンである１−アルケンおよびジシランをトリフルオロ酢酸パラジウム触媒存在下、酸素雰囲気下で反応させることにより、高い位置選択性でアリルシラン類を製造する方法に関する。 - 特許庁

Since hexa-methyl disilane used as the silicon source is provided with a methyl group, the silicon nitride film formed by the reaction contains carbon and hydrogen.例文帳に追加

シリコンソースとして用いられるヘキサメチルジシランは、メチル基を備えているので、反応により形成されるシリコン窒化膜には炭素及び水素が含まれる。 - 特許庁

The coating compositions are aqueous-organic solvent mixtures containing a mixture of hydrolysis products and partial condensates of an epoxy functional silane, a disilane, and a carboxylic acid component.例文帳に追加

このコーティング組成物は、エポキシ官能シラン、ジシランおよびカルボン酸成分の加水分解生成物と部分縮合物との混合物を含む水性−有機溶剤混合物である。 - 特許庁

A hafnium silicate film is formed on a substrate by reacting a vapor of a hafnium organic compound with a monosilane gas or disilane gas under reduced-pressure and heating atmosphere in an reactive vessel.例文帳に追加

減圧雰囲気かつ加熱雰囲気下において反応容器内にてハフニウム有機化合物の蒸気とモノシランガスあるいはジシランガスとを反応させてハフニウムシリケート膜を基板上に成膜する。 - 特許庁

To provide a method for producing a chlorosilane which is obtained from a Mueller-Rochow synthetic process or a chlorosilane synthetic process and is reduced in the remaining amounts of a methyl-rich disilane, polysilane and siloxane.例文帳に追加

Ｍｕｅｌｌｅｒ−Ｒｏｃｈｏｗ合成工程またはクロロシラン合成工程から得られるメチルに富んだジシラン、ポリシランおよびシロキサン残留物の量が減少したクロロシランを製造する方法を提供する。 - 特許庁

Si-containing gas such as monosilane gas and disilane gas is introduced together with atmospheric gas, and Si decomposed by using an ionization-activation mechanism is ionized to increase Si content in the film, and to enhance the mechanical characteristic of the film.例文帳に追加

モノシランガスやジシランガス等のＳｉ含有ガスを雰囲気ガスと共に導入し、イオン化活性機構を用いて分解されたＳｉをイオン化し、被膜のＳｉ含有量を増加することができ、被膜の機械的特性が向上できる。 - 特許庁

The disilane can be produced by performing a reaction of hexachlorodisilane with ≥6 fold moles of a monohydrocarbylamine expressed by the formula: RNH_2 (wherein R is a 1-4C hydrocarbon group) in an organic solvent.例文帳に追加

このジシランは、有機溶媒中でヘキサクロロジシランをその６倍モル以上の量の式：ＲＮＨ_2 （ここで、Ｒは、Ｃ__1 〜Ｃ_4 炭化水素基）で示されるモノヒドロカルビルアミンと反応させることにより製造することができる。 - 特許庁

The subject hexakis(monohydrocarbylamino)disilane is expressed by the formula (I): [(R)HN]_3-Si-Si-[NH(R)]_3 (wherein, R's are each independently a 1-4C hydrocarbon group).例文帳に追加

式（Ｉ）： （（Ｒ）ＨＮ）_3 −Ｓｉ−Ｓｉ−（ＮＨ（Ｒ））_3 （Ｉ） （ここで、各Ｒは、それぞれ独立に、Ｃ_1 〜Ｃ_4 炭化水素基）で示されるヘキサキス（モノヒドロカルビルアミノ）ジシラン。 - 特許庁

The new amino-disilane is represented by the general formula: (CH_3)_3Si_2(NR^1R^2)_3 (wherein R^1 is hydrogen or a methyl group; and R^2 is a 1-6C alkyl group).例文帳に追加

一般式（ＣＨ_3）_3Ｓｉ_2（ＮＲ^1Ｒ^2）_3（ただし、式中のＲ^1は水素またはメチル基、Ｒ^2は炭素数１から６のアルキル基を示す）にて表されることを特徴とする新規なアミノジシラン。 - 特許庁

A silicon nitride film (HCD-silicon nitride film) 7 is formed on the inwall of a trench 5 formed on a substrate 1 as a ground insulating film by chemical vapor deposition, using a material gas containing hexachloro-disilane (HCD) Si_2Cl_6.例文帳に追加

基板１に形成されたトレンチ５の内壁に下地絶縁膜として、ヘキサクロロジシラン（ＨＣＤ）Ｓｉ_2 Ｃｌ_6 を含む原料ガスを用いた化学気相堆積法によりシリコン窒化膜（ＨＣＤ−シリコン窒化膜）７を形成する。 - 特許庁

Then silicide films 107 are formed only on the source-drain region 106 and gate electrode 104 by the selective growth MOCVD method using an organic metallic material and an Si material, such as the disilane etc (Fig. b).例文帳に追加

有機金属原料とジシラン等のＳｉ原料を用いた選択成長ＭＯＣＶＤ法により、ソース・ドレイン領域１０６上とゲート電極１０４上のみにシリサイド膜１０７を形成する〔（ｂ）〕。 - 特許庁

The coating compositions are aqueous-organic solvent mixtures containing a mixture of hydrolysis products and partial condensates of an epoxy functional silane, a disilane, and a carboxylic acid component.例文帳に追加

このコーティング組成物は、エポキシ官能シラン、ジシランおよびカルボン酸成分の加水分解生成物と部分縮合物との混合物を含む水性−有機溶剤混合物である。 - 特許庁

According to the plasma CVD method, a silicide gas (monosilane, disilane, trisilane, etc.) and fluorine are introduced in a film forming chamber as raw material gases, and a plasma is generated to directly form a semiconductor film containing a crystal structure on a substrate under process.例文帳に追加

本発明は、プラズマＣＶＤ法により、成膜室に珪化物気体（モノシラン、ジシラン、トリシランなど）とフッ素（或いはフッ化ハロゲンガス）を原料ガスとして導入し、プラズマを発生させて結晶構造を含む半導体膜を被処理基板に直接成膜する。 - 特許庁

To provide a film formation method of a silicon carbide thin film which can obtain a silicon carbide thin film of high quality by using organic silane such as mono methylsilane (SiH_3CH_3) which is excellent in safety when compared to special high pressure gas such as monosilane (SiH_4) and disilane (Si_2H_6).例文帳に追加

モノシラン（ＳｉＨ_４）、ジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）等の特殊高圧ガスに比べて安全性に優れたモノメチルシラン（ＳｉＨ_３ＣＨ_３）等の有機シランを用いて、高品質の炭化珪素薄膜を得ることができる炭化珪素薄膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

A nucleation layer is then deposited on the substrate surface in the same processing chamber by alternately pulsing a tungsten-containing compound (130) and a reducing gas (150) selected from the group consisting of silane (SiH_4), disilane (Si_2H_6), dichlorosilane (SiCl_2H_2), derivatives thereof and combinations thereof.例文帳に追加

交互にタングステン含有化合物（１３０）と、シラン（ＳｉＨ_４）、ジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）、ジクロルシラン（ＳｉＣｌ_２Ｈ_２）、その誘導体、更に、これらの組合せから成る群から選択された還元性ガス（１５０）を律動的に送ることにより、その後、核形成層が同一の処理チャンバ内の基板表面上に堆積される。 - 特許庁

A transparent gas barrier packaging material is produced by using at least one compd. selected from silane and disilane as a reactive gas and forming a metal oxide-containing thin film on at least one surface of the polymeric film by a method selected from a plasma CVD method and an ion plating method.例文帳に追加

一方、その製造方法は、反応性ガスとしてシランおよびジシランから選ばれた少なくとも一種を使用し、プラズマＣＶＤ法およびイオンプレーティング法から選ばれた方法により、高分子フィルムの少なくとも一面に前記金属酸化物含有薄膜を形成することを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for manufacturing a highly reliable transistor having little display failure by making a semiconductor film so that the grain size of each crystal grain is substantially uniform and the average grain size of crystal grains is a proper size without increasing the number of steps when forming the semiconductor film on a substrate using a disilane gas while using a CVD apparatus.例文帳に追加

ＣＶＤ装置を用いてジシランガスで基板上に半導体膜を成膜する際、工程数を増やすことなく、各結晶粒のグレインサイズが略均一となるととともに、各結晶粒の平均グレインサイズが適切な大きさとなるよう半導体膜を形成することができることにより、表示不良の少ない信頼性の高いトランジスタを製造できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After an element separation area 2 is formed on a silicon board 1, a P well layer 3 is formed, after ion injection for threshold voltage Vth regulation is performed thereon, mixture gas or the like containing disilane is made a raw material, and epitaxial growth of the silicon layer 6 of low impurity concentration of impurity concentration 1E14 [}cm-3] less is selectively performed.例文帳に追加

シリコン基板１上に素子分離領域２を形成した後、Ｐウェル層３を形成し、これにしきい値電圧Ｖｔｈ調整用のイオン注入を行った後、ジシランを含む混合気体等を原料として、アクティブ領域のみに、選択的に不純物濃度１Ｅ１４〔ｃｍ^-3〕以下の低不純物濃度シリコン層６のエピタキシャル成長を行う。 - 特許庁

With the crystallization method, a first amorphous silicon film 6 is deposited on an oxide film 4, that is deposited for improving viscosity having a glass substrate 2 and for preventing contamination by approximately 10-300 Å, and then a silane (SiH4) or disilane (Si2H6) gas is allowed to flow to form a silicon crystal nucleus 8 on the first amorphous silicon film 6.例文帳に追加

結晶化方法は、ガラス基板２との粘着性向上及び汚染防止用として蒸着する酸化膜４上に第１非晶質シリコン膜６を約１０〜３００Å程度蒸着後シラン（ＳｉＨ４）或いはジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）ガスをフローしてシリコン結晶核８を第１非晶質シリコン膜６上に形成させる。 - 特許庁