「FSG」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Each of the low dielectric constant films is lower than FSG (Fluorinated-Silicate-Glass) in dielectric constant and the second low dielectric constant film LOWK2c is lower than the third low dielectric constant film LOWK3c in dielectric constant.例文帳に追加

上記各低誘電率膜はＦＳＧよりも誘電率が低く、第２の低誘電率膜ＬＯＷＫ２ｃは第３の低誘電率膜ＬＯＷＫ３ｃよりも誘電率が低い。 - 特許庁

To provide a deposition method for forming a silicon-containing insulating film that differs from conventional spin-on-glass(SOG) and fluorinated-silicon- oxide(FSG) films, and a semiconductor device.例文帳に追加

従来例に係るＳＯＧ（ｓｐｉｎ ｏｎ ｇｒａｓｓ）膜やＦＳＧ（ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｘｉｄｅ）膜とは異なる新規なシリコン含有絶縁膜を成膜する成膜方法、及び半導体装置を提供すること。 - 特許庁

A method for forming the wiring structure includes the steps of forming a recess 106 on an insulating film such as an FSG (fluorine-added silicon oxide) film 105 or the like, and then depositing a barrier film 108 and a Cu film 111 on the film 105 so as to bury the recess 106.例文帳に追加

ＦＳＧ膜１０５等の絶縁膜に凹部１０６を形成した後、ＦＳＧ膜１０５の上にバリア膜１０８及びＣｕ膜１１１を凹部１０６が埋まるように堆積する。 - 特許庁

The decoder is desirable to be used with a special set of a competitive and simplified base form that is a target/base form (representing original contents to be verified) by employing a finite state grammar(FSG).例文帳に追加

デコーダは、（検証すべき元のコンテンツを表す）ターゲット・ベースフォームを、有限状態文法（ＦＳＧ）を使用して簡単に構成することができる競合単純化ベースフォームの特別なセットと共に使用することが好ましい。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can avoid a short circuit between each electric wiring in an upper layer electric wiring, even when a part of top of a FSG film is exposed by dispersion of a manufacturing process.例文帳に追加

製造工程のばらつきによってＦＳＧ膜の上面の一部が露出した場合であっても、上層配線層における配線間のショートの発生を回避し得る半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using an interlayer insulating film containing a low permittivity material such as a fluorinated silicon glass(FSG) which does not bring about a problem in association with a transfer of a fluorine and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

フッ素の移動に伴う問題を生じないフッ素化シリコンガラス（ＦＳＧ）などの低誘電率材料を含む層間絶縁膜を用いた半導体デバイス、およびそれを製造する方法を提供すること。 - 特許庁

After the wafer 10 for the temperature measurement is charged in a plasma CVD device, an FSG film 30 sedimented on the protection film 12 and the protection film 12 are removed by buffer hydrofluoric acid to expose the second semiconductor layer 11b.例文帳に追加

温度測定用ウェハ１０をプラズマＣＶＤ装置に投入した後、保護膜１２上に堆積したＦＳＧ膜３０と保護膜１２とをバッファードフッ酸により除去して、第２の半導体層１１ｂを露出する。 - 特許庁

To provide a method with which a new silicon-containing insulating film, which is different from the SOG (spin-on-glass) film and FSG (fluorinated silicon oxide) film formed in the conventional example, can be formed and a semiconductor device.例文帳に追加

従来例に係るＳＯＧ（ｓｐｉｎ ｏｎ ｇlａｓｓ）膜やＦＳＧ（ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｘｉｄｅ）膜とは異なる新規なシリコン含有絶縁膜を成膜する成膜方法、及び半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of forming an element separation film of semiconductor elements which removes an FSG film produced at etching of a first oxide film by an etching process using oxygen to prevent fluorine from diffusing, thereby avoiding the characteristics deterioration of the elements.例文帳に追加

第１酸化膜のエッチング時に生成されるＦＳＧ膜を、酸素を利用したエッチング工程により除去することによって、フッ素の拡散を防止して、素子の特性劣化を防止できる半導体素子の素子分離膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

After a plurality of trenches 111 for wiring are formed in an FSG film 109 and an ARL film 110 formed on a substrate 100, a barrier metal film (tantalum nitride film 112) and conducting films for wiring (copper films 113 and 114) are deposited in sequence on the ARL film 110, in such a manner that each of the trenches 111 is completely filled.例文帳に追加

基板１００上に形成されたＦＳＧ膜１０９及びＡＲＬ膜１１０に複数の配線用溝１１１を形成した後、各配線用溝１１１が完全に埋まるようにＡＲＬ膜１１０上にバリアメタル膜（窒化タンタル膜１１２）及び配線用導電膜（銅膜１１３及び１１４）を順次堆積する。 - 特許庁

After a plurality of trenches 111 for wiring are formed in an FSG film 109 and an ARL film 110 formed on a substrate 100, a barrier metal film (tantalum nitride film 112) and conducting films for wiring (copper films 113 and 114) are deposited in sequence on the ARL film 110, in such a manner that each of the trenches 111 is completely filled.例文帳に追加

基板１００上に形成されたＦＳＧ膜１０９及びＡＲＬ膜１１０に複数の配線用溝１１１を形成した後、各配線用溝１１１が完全に埋まるようにＡＲＬ膜１１０の上にバリアメタル膜（窒化タンタル膜１１２）及び配線用導電膜（銅膜１１３及び１１４）を順次堆積する。 - 特許庁

On the lower layer wire 103 and the insulating film 102, a Si-rich SiO_2 film 104A, a SiO_2 (FSG) film 104B including fluorine, a plasma SiO_2 film 104C, and a plasma SiON film 104D are formed sequentially, and these four layer films make up a first interlayer insulating film 104.例文帳に追加

下層配線１０３及び絶縁膜１０２上には、ＳｉリッチＳｉＯ_2膜１０４Ａと、弗素を含んだＳｉＯ_2（ＦＳＧ）膜１０４Ｂと、プラズマＳｉＯ_2膜１０４Ｃと、プラズマＳｉＯＮ膜１０４Ｄとが順次形成されており、これらの４層膜により第１の層間絶縁膜１０４が構成されている。 - 特許庁