「Fermi」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

On the basis of a vacuum level, the Fermi level in the vicinity of the conductor is greater than the Fermi level in the vicinity of the chromophore layer and the Fermi level of the conductor 121 is greater than the Fermi level in the vicinity of the conductor of the titanium oxide layer.例文帳に追加

導電体１２１のフェルミ準位は、真空準位を基準として、酸化チタン層の導電体近傍領域のフェルミ準位よりも大きい。 - 特許庁

That enrico fermi perhaps did not consider.例文帳に追加

フェルミがおそらく検討しなかった可能性です - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

Increasing the cathode temperature leads to a broadening of the Fermi distribution at the Fermi level. 例文帳に追加

陰極温度を増加させる(高くする)ことは、フェルミ準位でのフェルミ分布の広がることにつながる。 - 科学技術論文動詞集

METHOD AND PROGRAM FOR DESIGNING BROADBAND FERMI ANTENNA例文帳に追加

広帯域フェルミアンテナの設計方法及び設計プログラム - 特許庁

Yoshioka, in 1957, attempted to estimate the Fourier coefficients of the phenomenological imaginary potential by using the Fermi-Thomas model. 例文帳に追加

1957年、吉岡は、Fermi-Thomasモデルを使って、現象論的虚数ポテンシャルのフーリエ係数を評価することを試みた。 - 科学技術論文動詞集

Depending on position of the Fermi surface, the sign of the Hall coefficient varies.例文帳に追加

フェルミ面の位置によってホール係数の符合が変わる。 - 特許庁

Many years ago, the physicist enrico fermi asked that, given the fact例文帳に追加

ずっと以前に物理学者の エンリコ・フェルミは問いました - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

Plasmons promote excitations of electrons near the Fermi energy. 例文帳に追加

プラズモンはフェルミ・エネルギー近傍の電子の励起を助長する。 - 科学技術論文動詞集

The gate electrode 7 is made of P-type Poly-SiC whose Fermi level is closer to a Fermi level of the body region 3 than a Fermi level of Si.例文帳に追加

そして、ゲート電極７の材料に、Ｓｉのフェルミ準位よりもボディ領域３のフェルミ準位に近いフェルミ準位を有するＰ型Ｐｏｌｙ−ＳｉＣが採用されている。 - 特許庁

METHOD FOR CALCULATING FERMI LEVEL DEPENDENCE OF IMPACT IONIZATION PROBABILITY例文帳に追加

インパクトイオン化確率のフェルミ準位依存性の計算方法 - 特許庁

The linear quasi-Fermi potential setting means 52 sets a linearly changing quasi- Fermi potential of carriers in the generated lattices.例文帳に追加

線形擬フェルミポテンシャル設定手段５２は、生成された格子の内部のそれぞれに、線形に変化するキャリアの擬フェルミポテンシャルを設定する。 - 特許庁

METHOD OF REDUCING FERMI LEVEL PINNING IN NON-SILICON CHANNEL MOS DEVICE例文帳に追加

非シリコンチャネルＭＯＳデバイス中のフェルミレベルピンニングの低減方法 - 特許庁

a unit of length used in nuclear physics, called fermi 例文帳に追加

原子核物理学で用いるフェルミと呼ばれる長さのメートル法単位 - EDR日英対訳辞書

any particle that obeys Fermi-Dirac statistics and is subject to the Pauli exclusion principle 例文帳に追加

フェルミーディラック統計に従い、排他原理を受ける粒子のいずれか - 日本語WordNet

Transverse conductivity is settled from the gauge field and the integral of a Fermi distribution function.例文帳に追加

ゲージ場とフェルミ分布関数の積分から横伝導度が定まる。 - 特許庁

CONTOURED-TUB FERMI-THRESHOLD FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING SAME例文帳に追加

輪郭形成タブ・フェルミスレショルド電界効果型トランジスタとその製造方法 - 特許庁

To restrain Fermi level pinning effect and to fine a transistor.例文帳に追加

フェルミ・レベル・ピンニング効果を抑制するとともに、トランジスタの微細化を図ること。 - 特許庁

On the basis of the vacuum level, (I) the Fermi level in the vicinity of the bonded face of the titanium dioxide layer 212 is greater than the Fermi level in the vicinity of the surface of the titanium dioxide layer 212, and (II) the Fermi level of the conductor 211 is greater than the Fermi level in the vicinity of the bonded face of the titanium dioxide layer 212.例文帳に追加

真空準位を基準として、（Ｉ）酸化チタン層２１２の接合面近傍領域のフェルミ準位が、酸化チタン層２１２の表面近傍領域のフェルミ準位よりも大きく、かつ、（II）導電体２１１のフェルミ準位が、酸化チタン層２１２の接合面近傍領域のフェルミ準位よりも大きい。 - 特許庁

Consequently, a conduction band of GaAs is raised to be above a Fermi level.例文帳に追加

その結果、ＧａＡｓの伝導帯が持ち上げられ、フェルミ準位より高くなる。 - 特許庁

Thus, the gate depletion due to Fermi pinning can be effectively suppressed.例文帳に追加

このため、フェルミピニングによるゲート空乏化を効果的に抑制することができる。 - 特許庁

The open-circuit voltage in light irradiation to the solar cell 10 differs from a level difference between the quasi Fermi level of electrons and the quasi Fermi level of holes in the crystal Si layer 50.例文帳に追加

太陽電池１０への光照射時の開放電圧は、結晶Ｓｉ層５０内における電子の擬フェルミ準位とホールの擬フェルミ準位との準位差と異なる。 - 特許庁

To provide a semiconductor element for reducing influence of Fermi level of a substrate.例文帳に追加

基板のフェルミ準位の影響を低減することができる半導体素子を提供する。 - 特許庁

A difference in fermi level therefore becomes large to approximately 3.4 eV and the electromotive force can be made large.例文帳に追加

したがって、フェルミ準位の差が約３．４ｅＶと大きくなり、起電力を大きくできる。 - 特許庁

The second crystal 15B is formed of at least one of island-shaped metal material, insulating material having higher Fermi energy than the magnesium oxide, and semiconductor material having higher Fermi energy than the magnesium oxide.例文帳に追加

第２の結晶体１５Ｂは、島状金属材料、酸化マグネシウムより高いフェルミエネルギーを持つ絶縁材料、酸化マグネシウムより高いフェルミエネルギーを持つ半導体材料の少なくとも一つで構成する。 - 特許庁

An electromagnetic wave transfer unit is connected to a dielectric waveguide via a printed circuit board antenna, in particular, via a tapered slot antenna and a Fermi antenna.例文帳に追加

プリント基板アンテナ、特にテーパードスロットアンテナ、フェルミアンテナを介して誘電体導波路に接続する。 - 特許庁

The electron current contains a set of spin-dependent terms that guarantee, in accordance with the Fermi-Dirac statistics.例文帳に追加

電子カレントは、フェルミ・ディラック統計に従って保証する１セットのスピン依存の項を含んでいる。 - 特許庁

The Fermi level is higher than the evergy levels of the first and second valance bands, and the evergy level of the second valance band exists between the Fermi level of the metal layer 130 and the energy level of the first valance band.例文帳に追加

このフェルミエネルギレベルは第１および第２の価電子帯のエネルギレベルより高く、第２の価電子帯のエネルギレベルは金属層１３０のフェルミエネルギレベルと第１の価電子帯のエネルギレベルとの間に存在する。 - 特許庁

To provide an integrated semiconductor structure capable of adjusting the Fermi level of a P-MOS appropriately.例文帳に追加

本発明は、Ｐ−ＭＯＳのフェルミ準位が適切調整可能となる集積半導体構造を提供する。 - 特許庁

For high temperatures, electrons in the tail of the Fermi distribution acquire enough kinetic energy to overcome the work function. 例文帳に追加

高い温度では、フェルミ分布の裾野にある電子は仕事関数に打ち勝つ(を越える)のに十分な運動エネルギーを獲得する。 - 科学技術論文動詞集

The energy gap from the vacuum level to the Fermi level of the second oxide semiconductor is larger than that of the first oxide semiconductor.例文帳に追加

第２の酸化物半導体の真空準位からフェルミレベルまでのエネルギー差は第１の酸化物半導体のものよりも大きい。 - 特許庁

By having the structure, a tilt in the quasi Fermi levels inside the first guide layer 4 and the second guide layer 8 can be almost eliminated.例文帳に追加

上記構造とすることにより、第１ガイド層４、第２ガイド層８の層内の擬フェルミレベルの傾斜をほぼなくすことができる。 - 特許庁

A metal gate electrode 41, which is a metal film having the Fermi level equivalent to that of the channel region, is formed on the insulating gate 21.例文帳に追加

ゲート絶縁膜２１上に、チャネル領域と同等のフェルミレベルを有する金属膜からなる金属ゲート電極４１が形成されている。 - 特許庁

Thus, it is possible to suppress V_th shift due to a fixed charge or Fermi level pinning, and to achieve a semiconductor device showing satisfactory electric characteristics.例文帳に追加

これにより、固定電荷やフェルミ・レベル・ピニングに起因したＶ_thシフトを抑制でき、良好な電気的特性を示す半導体装置が実現可能になる。 - 特許庁

To form an ohm contact electrode by improving a Fermi energy level of an oddly shaped interface based on a tunnel effect of electrons and holes by an ion diffusion method.例文帳に追加

イオンの拡散方法で電子、正孔のトンネル効果により前記異形インターフェースのフェルミエネルギーレベルを改良してオーム接触電極を形成させる。 - 特許庁

The Fermi-threshold field effect transistor includes a contoured-tub region of the same conductivity type as the source, drain and channel regions.例文帳に追加

フェルミスレショルド電界効果型トランジスタは、ソース領域、ドレイン領域、そしてチャネル領域と同一の導電度型にある輪郭形成タブ領域を含む。 - 特許庁

One embodiment is a Schottky barrier diode (10) made from GaN based material whose Fermi level (or surface potential) is not pinned.例文帳に追加

本発明の一実施形態は、そのフェルミ準位（または表面ポテンシャル）がピン止めされないＧａＮ系材料から作成されたショットキー障壁ダイオード（１０）である。 - 特許庁

To provide a Fermi chopper rotation control device improving a rotary speed and the precision of the rotary speed, and reducing a current spike noise.例文帳に追加

回転速度の高速化および回転速度の高精度化を図ると共に、電流スパイクノイズを低減したフェルミチョッパー回転制御装置を提供する。 - 特許庁

In a region on the interface between the buffer layer 13 and the electron gas layer 14, the end of the conduction band is less than the Fermi energy, and an electron gas can be accumulated.例文帳に追加

バッファ層１３と電子ガス層１４との界面において伝導帯端がフェルミエネルギーを下回る領域には、電子ガス蓄積することができる。 - 特許庁

A simulation method for a semiconductor device has a step for determing a Fermi energy of the semiconductor device when assuming that it has no potential and the neutrality condition of its charge is satisfied, and ignoring any quantum many-body effect in it; and a step for using the Fermi energy to determine the ionization rates of its donor and acceptor when considering the quantum many-body effect in it.例文帳に追加

電位が無く、かつ電荷の中性条件が成立すると仮定し、量子多体効果を無視した場合のフェルミエネルギーを求めるステップと、前記フェルミエネルギーを用いて、量子多体効果を考慮したドナーおよびアクセプターのイオン化率を求めるステップと、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

Then, the quantization well pair is changed successively in band gap energy, and the first level of the first well layer 8 is the Fermi level or below of the light absorbing layer 4 in the state in which the electric field isn't applied, and the first level of the second well layer 10 is the Fermi level or above of the light absorbing layer 4.例文帳に追加

そして、量子井戸対は、そのバンドギャップエネルギーが漸次変化するとともに、電界の印加されない状態で、第１の井戸層８の第１準位が光吸収層４のフェルミ準位以下でありかつ第２の井戸層１０の第１準位が光吸収層４のフェルミ準位以上である。 - 特許庁

The insulating film 5d can emanate Fermi pinning and has high dielectric constant, because it is formed from a metallic compound containing at least one kind of Hf, Zr, Al, Ta and La.例文帳に追加

絶縁膜５ｄは、Ｈｆ，Ｚｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｌａのうちの少なくとも１種を含む金属化合物により形成されているため、フェルミピニングを生じることができ、誘電率が高い。 - 特許庁

In one embodiment, the majority carrier in the second semiconductor is electrons, and the second-impurity atoms lower the Fermi level of the second semiconductor which has the first-impurity atoms.例文帳に追加

一例として、当該第２半導体の多数キャリアは電子であり、第２不純物原子は、第１不純物原子を有する第２半導体のフェルミ準位を下降させる。 - 特許庁

When the conduction band or the valence band aligns with the Fermi energy of the source and drain, the tunneling current can pass between the source, island, and drain.例文帳に追加

伝導帯又は価電子帯がソース及びドレインのフェルミ準位と整合している時、トンネル効果電流がソース、アイランド及びドレインの間を通ることができる。 - 特許庁

The lamination structure of the bonding layer 130 is designed so that a difference in energy between the lower end of mini band formed by the bonding layer 130 and the Fermi level of the waveguide layer 140 may be smaller than that between the lower end of mini band formed by the active layer 120 and the Fermi level of the waveguide layer 140.例文帳に追加

前記接合層１３０によって形成されるミニバンドの下端と前記導波路層１４０のフェルミ準位とのエネルギー差が、前記活性層１２０によって形成されるミニバンドの下端と前記導波路層１４０のフェルミ準位とのエネルギー差に比べて小さくなるように、前記接合層１３０の積層構造は設計されている。 - 特許庁

The semiconductor device as an embodiment of the present invention has the planar type MOSFET which has a first gate electrode and a first gate insulating film making the first gate electrode not cause Fermi-level pinning, and the fin type MOSFET which has a second gate electrode and a second gate insulating film making the second gate electrode cause Fermi-level pinning.例文帳に追加

本発明の一態様に係る半導体装置は、第１のゲート電極と、前記第１のゲート電極にフェルミレベルピニングを発生させない第１のゲート絶縁膜と、を有するプレーナ型ＭＯＳＦＥＴと、第２のゲート電極と、前記第２のゲート電極にフェルミレベルピニングを発生させる第２のゲート絶縁膜と、を有するフィン型ＭＯＳＦＥＴと、を有する。 - 特許庁