「MAGNETO- RESISTIVE」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for reading a magneto-resistive device having a soft reference layer.例文帳に追加

磁気的に軟らかい基準層を有する磁気抵抗素子のための読出し方法の提供。 - 特許庁

To provide a magneto-resistive device including a magnetically soft synthetic ferrimagnet reference layer.例文帳に追加

磁気的に軟らかい合成フェリ磁性体基準層を含む磁気抵抗素子の提供。 - 特許庁

MAGNETIC DISK DEVICE AND GROUNDING METHOD OF DOUBLE STRIPE MAGNETO-RESISTIVE HEAD APPLIED THERETO例文帳に追加

磁気ディスク装置及び同装置に適用される２重ストライプ磁気抵抗ヘッドの接地方法 - 特許庁

MAGNETO-RESISTIVE ELEMENT HAVING SMALL AND STABLE BIAS MAGNETIC FIELD REGARDLESS OF SIZE VARIATION OF ELEMENT例文帳に追加

素子のサイズ変化に関係なく小さく安定的なバイアス磁場を有する磁気抵抗素子 - 特許庁

An electrode layer 28 is connected to a magneto-resistive element 25, a lead film 35 is connected to this electrode layer 28, and the lead film 35 constitutes the magneto-resistive head consisting of Au film.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子２５に電極膜２８が接続され、この電極膜２８にリード膜３５が接続され、このリード膜３５がＡｕ膜から成る磁気抵抗効果型ヘッドを構成する。 - 特許庁

To prevent a magneto-resistive head from deteriorating in performance of reading magnetic information by decreasing electrostatic capacity due to side shield layers provided on both side wall surfaces of a magneto-resistive element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の両側壁面に設けるサイドシールド層に起因する静電容量を小さくして磁気抵抗効果ヘッドによる磁気情報の読み取り性能の低下を防ぐ。 - 特許庁

The magneto-resistive element having the overlaid structure in which electrode terminal films are disposed so as to partially overlap the both end parts of the magneto-resistive film for converting a magnetic signal to an electric signal by utilizing the change of magnetic resistance comprises the magneto-resistive film, the cap protecting film for protecting the magneto- resistive film and a conductive conductor protecting film for protecting the cap protective film.例文帳に追加

磁気抵抗変化を利用して磁気的信号を電気的信号に変える磁気抵抗効果膜の両端部に電極端子膜が一部重なるように配置されているオーバーレイド構造の磁気抵抗効果素子であって、前記磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜を保護するキャップ保護膜と、該キャップ保護膜を保護する導電性の導体保護膜とを含んでいる。 - 特許庁

In the magnetic head of a multichannel magneto-resistive effect type constructed in such a manner that a plurality of magneto-resistive reproducing magnetic head elements arrayed in parallel between opposing first and second magnetic shields also serving as electrodes 11 and 12, reproducing magnetic head elements by ferromagnetic tunnel magneto-resistive elements are arrayed in parallel with respect to at least the ferromagnetic tunnel magneto- resistive elements.例文帳に追加

相対向する第１および第２の磁気シールド兼電極１１および１２間に、磁気抵抗効果型の再生磁気ヘッド素子が複数個並置配列されてなるマルチチャンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッドであり、その少なくとも第１の磁気シールド兼電極に対して強磁性トンネル型磁気抵抗効果素子による再生磁気ヘッド素子を並置配列する。 - 特許庁

The thin-film layer detects outside magnetic field, thereby the reluctance of the magneto-resistive effect element is changed.例文帳に追加

薄膜層が外部磁場を検知することで，磁気抵抗効果素子の磁気抵抗が変化する。 - 特許庁

MAGNETO-RESISTIVE DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND THIN FILM MAGNETIC HEAD AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気抵抗効果装置およびその製造方法ならびに薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - 特許庁

SUBSTRATE INCLUDING MAGNETO-RESISTIVE ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND METHOD OF PROCESSING THE SAME例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を有する基板及びその製造方法、ならびに前記基板の加工方法 - 特許庁

MAGNETO-RESISTIVE HEAD BASED ON SPIN VALVE EFFECT AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

スピンバルブ効果に基づく磁気抵抗効果型ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置 - 特許庁

The first magneto resistive element (10) has a first resistance state and a second resistance state.例文帳に追加

第１の磁気抵抗素子(10)は第１の抵抗値状態と第２の抵抗値状態を有する。 - 特許庁

The second magneto resistive element (20) has a third resistance state and a fourth resistance state.例文帳に追加

第２の磁気抵抗素子(20)は第３の抵抗値状態と第４の抵抗値状態とを有する。 - 特許庁

To provide a magneto-resistive effect element which does not use a layered structure of a pin layer, a spacer layer or a free layer.例文帳に追加

ピン層，スペーサ層，フリー層の積層構造を用いない磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

Each memory cell being a component of the MRAM includes: the magneto-resistive element R22; a fixed resistive element r22 whose resistance is fixed, and a FET: T22, the magneto-resistive element R22 and the fixed resistive element r22 are connected at their on-side terminals, and an output section S is provided to the connection part.例文帳に追加

ＭＲＡＭを構成する各メモリセルは、磁気抵抗効果素子Ｒ２２と抵抗値を固定した固定抵抗素子ｒ２２とＦＥＴ：Ｔ２２とを備え、磁気抵抗効果素子Ｒ２２と固定抵抗素子ｒ２２とをそれぞれの一方の端子で接続し、その接続部に出力部Ｓを設ける。 - 特許庁

To enable performing highly accurate and high speed read-out by preventing destruction of bias effect and tunnel barrier when voltage applied to a magneto resistive element is kept at a low level and a tunnel type magneto resistive element is used as a storage element.例文帳に追加

磁気抵抗素子に印加する電圧を低く保ち、トンネル型磁気抵抗素子を記憶素子に用いたときの、バイアス効果、トンネルバリアの破壊を防ぎ、高精度かつ高速な読み出しを可能にする。 - 特許庁

To provide a magneto-resistive element having a high sensitive overlaid structure without the increase of resistance between terminal electrodes due to the corrosion of a cap protecting film for protecting a magneto-resistive film.例文帳に追加

本発明は磁気抵抗効果膜を保護するキャップ保護膜の腐蝕により端子電極間の抵抗が増加することがなく高感度なオーバーレイド構造とした磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To improve the insulation performance between extraction an electrode layer and a shielding layer connected to a magneto-resistive element without increasing the thickness of the insulating layer between the magneto-resistive element and the shielding layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子とシールド層との間の絶縁層を厚くすることなく、磁気抵抗効果素子に接続される引き出し電極層とシールド層との間の絶縁性能を向上させる。 - 特許庁

This magnetic recording head is provided with an upper shield layer 31, a lower shield layer 32, a magneto-resistive effect film 10 disposed therebetween, and a pair of electrodes 31, 32 electrically joined to the magneto-resistive effect film 10.例文帳に追加

上部シールド層３１と，下部シールド層３２と，これらの間に配置された磁気抵抗効果膜１０と，磁気抵抗効果膜１０に電気的に接合された一対の電極３１，３２とを有する。 - 特許庁

To provide a spin-valve type magneto-resistive reproducing head, having a magneto-resistive film having a lead overlay structure, in which a substantial read width is almost equivalent to an optical read width.例文帳に追加

リードオーバーレイ構造を備え、実効読み取り幅が光学読み取り幅とほぼ同等である磁気抵抗効果膜を有するスピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The magneto-resistive device includes a free layer having an easily magnetizable axis that is non-parallel to the magnetization direction of a pinned layer.例文帳に追加

固定層の磁化方向と非平行な磁化容易軸を持つ自由層を備えた磁気抵抗素子。 - 特許庁

To provide a magneto resistive film which is useable in an environment where a temperature change is large, and which has a smaller temperature coefficient of a magneto resistive ratio (MR ratio), and exhibits greater magneto resistive effect with the MR ratio of 5% or more, and further which has a higher electric resistivity of 10^4 μΩcm or more.例文帳に追加

本発明は，温度の変化が大きな環境で用いることが可能な，磁気抵抗比（ＭＲ比）の温度係数が小さく，且つＭＲ比の値が５％以上の大きな磁気抵抗効果を示し１０^４μΩｃｍ以上の高い電気比抵抗を有する磁気抵抗膜を提供することを目的とする． - 特許庁

MAGNETO-RESISTIVE EFFECT SENSOR, THIN FILM MAGNETIC HEAD FURNISHED WITH THIS SENSOR, AND MANUFACTURING METHOD OF THESE SENSOR AND HEAD例文帳に追加

磁気抵抗効果センサ、該センサを備えた薄膜磁気ヘッド、該センサの製造方法及び該ヘッドの製造方法 - 特許庁

Magneto-resistive effect layers 24-27 constituting a TMR element 2 are held between the magnetic shield layers 21 and 31.例文帳に追加

ＴＭＲ素子２を構成する磁気抵抗効果層２４〜２７は、磁気シールド層２１，３１間に挟まれる。 - 特許庁

MAGNETO-RESISTIVE ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD, AND THEIR MANUFACTURING METHODS例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気抵抗効果素子の製造方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 - 特許庁

This sensor comprises a magneto-resistive element 22, a transistor 23 for amplification, a resistive element 24, a circuit substrate 25, a magnet 34 impressing a bias magnetic field, and a non-magnetic protection case 28.例文帳に追加

磁気抵抗素子２２、増幅用トランジスタ２３、抵抗素子２４、回路基板２５、バイアス磁界を印加する磁石３４及び非磁性保護ケース２８からなる。 - 特許庁

To shift an operating point in a ΔR/R-B characteristic of a magneto-resistive laminated structure by an integrated magnetic layer for at least partially applying an internal magnetic field to the magneto-resistive laminated structure.例文帳に追加

磁気抵抗型積層構造体に対し少なくとも部分的に内部磁界を加える集積された磁性層によって、磁気抵抗型積層構造体のΔＲ／Ｒ−Ｂ特性における動作点をシフトさせる。 - 特許庁

The magneto-resistive film 5 is formed on the lower insulation layer 4, and magnetic bias layers 6 are formed so as to be brought into contact with both side surfaces of this magneto-resistive element film 5 in the direction parallel with the air bearing surface.例文帳に追加

そして、下部絶縁層４上において磁気抵抗効果膜５が形成し、この磁気抵抗効果膜５のエアベアリング面と平行な方向の両側面と接触するようにして磁気バイアス層６を形成する。 - 特許庁

A magneto-resistive(MR) element 1 is held by a pair of substrates 12a and 12b via a protective film 2.例文帳に追加

磁気抵抗効果（ＭＲ）素子１を保護膜２を介して一対の基板１２ａ，１２ｂによって挟持する。 - 特許庁

To provide a ferromagnetic tunnel junction type magnetic head which makes it possible to obtain a high MR(magneto-resistive) change rate with good reproducibility.例文帳に追加

高いＭＲ変化率を、再現性よく得ることができる強磁性トンネル接合型磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

To improve the reproduction efficiency of a recording signal having a short wavelength in a magneto-resistive thin-film magnetic head.例文帳に追加

磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドにおいて、短波長の記録信号の再生効率を向上させる。 - 特許庁

MAGNETO RESISTIVE EFFECT SENSOR, MANUFACTURE THEREOF AND POTENTIOMETER AND ENCODER USING THE SAME AND MANUFACTURE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子センサと、これを使用するポテンショメータ並びにエンコーダ、及び磁気抵抗効果素子センサの製造方法 - 特許庁

To exactly evaluate the output characteristic of a magneto- resistive(MR) head by suppressing the noise by the magnetization of a magnetic shield.例文帳に追加

磁気シールドの磁化によるノイズを抑制して、磁気抵抗効果ヘッドの出力特性を正確に評価する。 - 特許庁

To manufacture a magnetic head capable of obtaining a high output signal from a magneto-resistive element even in a narrow track.例文帳に追加

狭トラックにおいても磁気抵抗効果素子から高出力信号を得ることができる磁気ヘッドを、製造する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING THIN-FILM PATTERN, METHOD FOR PRODUCING MAGNETO-RESISTIVE EFFECT ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN-FILM MAGNETIC HEAD例文帳に追加

薄膜パターンの形成方法、磁気抵抗効果素子の製造方法および薄膜磁気ヘッドの製造方法 - 特許庁

A magnetic head having a base body and a laminated part laminated on the base body and including a magneto-resistive element is manufactured.例文帳に追加

基体と、該基体上に積層され磁気抵抗効果素子を含む積層部とを有する磁気ヘッドを製造する。 - 特許庁

Since a distance between the laser beam emission port 35 and the magneto-resistive sensor 5 is shortened, assembling adjustment is facilitated.例文帳に追加

レーザ光出射口３５と磁気抵抗センサ５との距離が短くなるので、組立調整が容易となる。 - 特許庁

The magneto-resistive element is used so that magnetization of free magnetic layer is not saturated with leak magnetic flux from the magnet.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子は、磁石からの漏れ磁束で自由磁性層の磁化が飽和しないように使用する。 - 特許庁

BULK MAGNETO-RESISTIVE MATERIAL, PRODUCTION OF THIS MATERIAL, WUSTITE POWDER FOR THIS MATERIAL AND PRODUCTION OF WUSTITE BULK MATERIAL例文帳に追加

バルク磁気抵抗材料、同材料の製造方法、同材料用ウスタイト粉及びウスタイトバルク材の製造方法 - 特許庁

Thus, by setting the density of the magneto-resistive parts of the magneto-sensitive parts 20 at positions above gaps between neighboring magnets and positions around gaps between the neighboring magneto-resistive elements relatively higher than that of other regions, decrease in the sensitivity at gaps between neighboring magnets can be suppressed.例文帳に追加

そのため、隣接する磁石同士の間隙部上または隣接する磁気抵抗素子の間隙部付近に位置する感磁部２０の磁気抵抗部の密度をその他の領域に比べて相対的に高めることにより、磁石同士の間隙部での感度低下が抑制される。 - 特許庁

To eliminate positional deviation of a magnet and a magneto-resistive element and to provide highly accurate positioning in a sensor device such as a rotation detection magnetic sensor wherein a positional relationship of the magnet and the magneto-resistive element significantly affects characteristics.例文帳に追加

磁石と磁気抵抗素子の位置関係が特性に大きく影響を及ぼす回転検出磁気センサのようなセンサ装置において、磁石と磁気抵抗素子との位置ずれをなくし、かつ高精度な位置決めを提供するものである。 - 特許庁

To solve the problems such as the decline of the magneto-resistive conversion efficiency according to the decline of magnetic field induction efficiency caused by that the magnetic combination between a magneto-resistive effect element and a magnetic flux guide becomes insufficient, and the deterioration of reliability of the defective products occurring rate.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子と磁束ガイドとの磁気的結合が不十分となることによる磁場誘導効率の低下による磁気抵抗変換効率を低下、不良品の発生率信頼性の低下等の問題を解決する。 - 特許庁

By this arrangement, the reproduction efficiency is improved since the magneto-resistive layer is confronted direct with the magnetic recording medium, and also such a magneto-resistive layer is usable that the sense current is made to flow in the film thickness direction and a resistance change rate is large.例文帳に追加

これにより、磁気抵抗効果層が磁気記録媒体と直接対向するため再生効率が向上し、かつ、膜厚方向にセンス電流を流し抵抗変化率が大きい磁気抵抗効果層を用いることができる。 - 特許庁

To obviate the difficulty in the higher-scale integration of elements if current wires are arranged on one side or both sides of the elements with a magnetic memory using the megaro-magneto-resistive elements and tunnel magneto-resistive elements using perpendicularly magnetized films.例文帳に追加

垂直磁化膜を用いた巨大磁気抵抗効果素子およびトンネル磁気抵抗効果素子を用いた磁気メモリにおいて、該素子の片側あるいは両側に電流線を配置すると、素子の高集積化が困難である。 - 特許庁