「MOSFETs」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目)

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例文 (362件)

MOSFETsを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 362件

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例文

A drain terminal 34d of an N type MOSFET 34 whose drain terminal and gate terminal are connected to an input terminal 30 via a resistor 32, a drain terminal 35d of an N type MOSFET 35 is connected to an output terminal 31 via a resistor 33, and source terminals of both the N type MOSFETs 34, 35 are connected to ground.例文帳に追加

入力端子３０に抵抗器３２を介して、ドレイン端とゲート端とが接続されたＮ型ＭＯＳＦＥＴ３４のドレイン端３４ｄに接続し、出力端子３１に抵抗器３３を介してＮ型ＭＯＳＦＥＴ３５のドレイン端３５ｄに接続し、双方のＮ型ＭＯＳＦＥＴ３４，３５のソース端を接地する。 - 特許庁

The current monitor circuit 20 includes a first p-type MOSFET 21 supplying the photocurrent Ipd to the first current path 23a and a second p-type MOSFET 22 supplying the monitor current Imon to the second current path 23b, wherein a bias condition of the first and second MOSFETs 21, 22 is set equal to each other.例文帳に追加

電流モニタ回路２０は、第１の電流経路２３ａに光電流Ｉｐｄを供給する第１のｐ型ＭＯＳＦＥＴ２１と、第２の電流経路２３ｂにモニタ電流Ｉｍｏｎを供給する第２のｐ型ＭＯＳＦＥＴ２２とを有しており、第１及び第２のｐ型ＭＯＳＦＥＴ２１，２２のバイアス条件は互いに等しく設定されている。 - 特許庁

When an output voltage of a photo diode array 13 is equal to or less than a designed value, e.g. 20 V, a voltage drop in the resistor R2 becomes approximately equal to a forward direction voltage of the diode D1, so that the output voltage of the photo diode array 13 is applied to the gates of the output MOSFETs 16a and 16b as it is.例文帳に追加

フォトダイオードアレイ１３の出力電圧が設計値の例えば２０Ｖ以下であれば、抵抗Ｒ２における電圧降下がダイオードＤ１の順方向電圧に略等しくなり、出力用ＭＯＳＦＥＴ１６ａ、１６ｂのゲートには、フォトダイオードアレイ１３の出力電圧がそのまま印加される。 - 特許庁

A general peripheral circuit such as a sense amplifier using inner voltage having an absolute value smaller than external supply voltage as a main operating power supply is constituted of a (p) channel and (n) channel MOSFETs having a p+ gate and an n+ gate having the same conductivity type as the diffusion layer of the general peripheral circuit respectively and having comparatively thin oxide films.例文帳に追加

また、外部電源電圧より絶対値の小さな内部電圧を主たる動作電源とするセンスアンプ等の一般周辺回路を、その拡散層と同じ導電型のｐ^+ ゲート及びｎ^+ ゲートをそれぞれ有し、かつ比較的薄い酸化膜を有するＰチャネル及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴにより構成する。 - 特許庁

例文

In addition, when the gate potential of the MOSFETs 6 and 7 is not fixed at a source potential and unstable condition occurs while the voltage is applied between them, the voltage can be kept within a range of voltage of VF due to PN junction by one piece of the four-terminal thyristor 11.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ６、７がオフした状態において、出力端子８ａ、８ｂ間に電圧が印加されているとき、ＭＯＳＦＥＴ６、７のゲート電位がソース電位に対して固定されず不安定な状態となるのを、４端子サイリスタ１１の１個分のＰＮ接合によるＶＦの電圧の範囲に抑えることができる。 - 特許庁

例文

In a configuration having an LC filter circuit 8 inserted between a common connection point A of N channel MOSFETs 3, 4 and a load 6, a synchronous rectification control circuit 13 periodically stops a synchronous rectification operation for a constant time, and in the stop duration the N channel MOSFET 3 provides a fixed duty pulse drive.例文帳に追加

ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３及び４の共通接続点Ａと負荷６との間にＬＣフィルタ回路８が挿入される構成において、同期整流制御回路１３は、一定周期毎に一定時間だけ同期整流動作を停止して、その停止期間の間にＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３により固定デューティでパルス駆動を行う。 - 特許庁

A control circuit 17 in a signal processing 13 performs temperature protection control, which switches one having the lowest priority out of the power MOSFETs 8-12 in on state to off state when detected the temperature by the temperature sensor 15 exceeds a preset upper limit temperature, and provides a standby state, which suppresses re-execution of the temperature protecting control until expiration of the prescribed time.例文帳に追加

信号処理回路１３内の制御回路１７は、温度センサ１５による検知温度が予め設定された上限温度を越えたときに、オン状態にあるパワーＭＯＳＦＥＴ８〜１２のうち優先順位が最も低いものをオフ状態に切り換えるという温度保護制御を行うと共に、その後に所定時間が経過するまでの期間は上記温度保護制御の再実行を抑止した待機状態を呈する。 - 特許庁

A successive comparison type ADC (Analog Digital Converter) circuit has an analog switch composed of a parallel circuit of a p channel and an n channel MOSFETs, sampling capacitors which receive an input analog signal through the analog switch, and a booster circuit which forms a switch control signal of the n channel MOSFET corresponding to a control signal.例文帳に追加

逐次比較型ＡＤＣ回路は、ＰチャネルとＮチャネルＭＯＳＦＥＴの並列回路で構成されたアナログスイッチと、上記アナログスイッチを介して入力アナログ信号を取り込むサンプリング容量と、制御信号に対応して上記ＮチャネルＭＯＳＦＥＴのスイッチ制御信号を形成する昇圧回路とを有する。 - 特許庁

Among semiconductor devices, power MOSFETs 15 incorporated into a wafer 16 arranged on a wafer prober, electricity is turned on polysilicon heaters which the selected semiconductor device, the power MOSFET 15 have for heating, a burn-in test of the semiconductor device, the power MOSFET 15 is performed for the wafer.例文帳に追加

ウエハプローバ上に配置したウエハ１６に作り込んだ半導体デバイス、パワーＭＯＳＦＥＴ１５のうち、選択された半導体デバイス、パワーＭＯＳＦＥＴ１５が有すするポリシリコンヒータに通電して加熱し、ウエハ状態のまま当該半導体デバイス、パワーＭＯＳＦＥＴ１５の通電試験を行なう。 - 特許庁

例文

The input stage and output stage or the like of a data input-output circuit IO using the external supply voltage as the main operating power supply are configured of (p) channel and (n) channel MOSFETs having the p+ gate and the n+ gate having the same conductivity type as the diffusion layer of the data input-outp'ut circuit IO respectively and the comparatively thick oxide film.例文帳に追加

さらに、外部電源電圧を主たる動作電源とするデータ入出力回路ＩＯの入力段及び出力段等を、その拡散層と同じ導電型のｐ^+ ゲート及びｎ^+ ゲートをそれぞれ有し、かつ比較的厚い酸化膜を有するＰチャネル及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴにより構成する。 - 特許庁

例文

The third semiconductor chip includes: a drive circuit for driving respective power MOSFETs; and a control circuit which forms such a switching control signal that a DC voltage formed from an inductor and a capacitor configured to run an output current formed by the drive circuit becomes a desired output voltage and which transmits the switching control signal to the drive circuit.例文帳に追加

第３半導体チップは、各パワーＭＯＳＦＥＴを駆動する駆動回路と、それにより形成された出力電流が流れるようにされたインダクタとキャパシタで形成された直流電圧が所望電圧の出力電圧になるようなスイッチング制御信号を形成して駆動回路に伝える制御回路とを含む。 - 特許庁

例文

An AC voltage is inputted between a common connection point of the first and second MOSFETs 3, 4 and that of the first and second diodes 5, 6 via an inductor 7, thus outputting a voltage obtained by rectifying the AC voltage from the bridge circuit 17, and outputting the rectified voltage to a smoothing capacitor 3 via the third diode for smoothing by the smoothing capacitor 8.例文帳に追加

第１のＭＯＳＦＥＴ３と第２のＭＯＳＦＥＴ４の共通接続点と第１のダイオード５と第２のダイオード６の共通接続点との間にインダクタ７を介して交流電圧を入力することによって、この交流電圧を整流した電圧をブリッジ回路１７から出力させ、この整流した電圧を第３のダイオードを介して平滑キャパシタ３に出力し、平滑キャパシタ８で平滑するように構成されている。 - 特許庁