「Memory cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor memory device includes a plurality of memory cell arrays each having a plurality of memory cells which are arranged in a matrix state, and a plurality of cell plate lines each being shared by the plurality of memory cell arrays, each of the cell plate lines corresponding to each of rows of the memory cell and each of the cell plate lines being connected to the memory cells of a corresponding one of rows.例文帳に追加

半導体メモリ装置であって、それぞれが、マトリックス状に配置された複数のメモリセルを有する複数のメモリセルアレイと、それぞれが、前記複数のメモリセルアレイに共通して、前記複数のメモリセルの各行に対応し、対応する行のメモリセルに接続された複数のセルプレート線とを有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a resistive switching memory cell operable at low-power, and to provide the memory cell.例文帳に追加

低電力で動作可能な抵抗スイッチングメモリセルの製造方法およびそのメモリセルを提供する。 - 特許庁

To provide a self-referenced magnetic random access memory cell.例文帳に追加

自己参照磁気ランダムアクセスメモリセルを提供する。 - 特許庁

MINUTE CONTACT AREA IN SEMICONDUCTOR DEVICE, HIGH PERFORMANCE PHASE CHANGE MEMORY CELL AND METHOD OF MANUFACTURING THE MEMORY CELL例文帳に追加

半導体装置における微小コンタクト領域、高性能相変化メモリセル及びその製造方法 - 特許庁

ELECTRICALLY PROGRAMMABLE NONVOLATILE MEMORY CELL DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THIS NONVOLATILE MEMORY CELL DEVICE例文帳に追加

電気的にプログラム可能な不揮発性メモリセル装置及びこの不揮発性メモリセル装置を製造する方法 - 特許庁

The verification circuit measures a threshold voltage of the memory cell by verifying an erasure state of the memory cell.例文帳に追加

検証回路は、メモリセルの消去状態を検証することによってメモリセルの閾値電圧を計測する。 - 特許庁

A control part 7 erases memory cell MC data.例文帳に追加

制御部７は、メモリセルＭＣのデータを消去する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CELL LEAKAGE DETECTION METHOD THEREFOR例文帳に追加

半導体記憶装置とそのセルリーク検出方法 - 特許庁

MEMORY CELL PROGRAMMING METHOD FOR REDUCING COUPLING EFFECT例文帳に追加

カップリング効果を低下させるメモリセルプログラミング方法 - 特許庁

METHOD FOR PROGRAMING AND ERASING NONVOLATILE MEMORY CELL例文帳に追加

不揮発性メモリセルのプログラミング及び消去方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF FLASH MEMORY CELL HAVING TRIPLE WELL例文帳に追加

三重ウェルを有するフラッシュ・メモリ・セルの製造方法 - 特許庁

To reduce the resistance of a bit line of a memory cell array and reduce the area of forming the memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイのビット線の低抵抗化を図ると共に、メモリセルアレイの形成面積の縮小化を図る。 - 特許庁

PIPE REGISTER AND SEMICONDUCTOR MEMORY CELL PROVIDED WITH THE SAME例文帳に追加

パイプレジスタ及びそれを備えた半導体メモリ素子 - 特許庁

MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR MEMORY CELL PROVIDED WITH CAPACITOR例文帳に追加

キャパシタを有する半導体メモリセルの製造方法 - 特許庁

To accurately perform internal read of memory cell data by compensating defective threshold voltage of a nonvolatile memory cell.例文帳に追加

不揮発性メモリセルのしきい値電圧不良を補償して、正確にメモリセルデータの内部読出を行なう。 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY APPARATUS UTILIZING SERIAL DIODE CELL例文帳に追加

直列ダイオードセルを利用した不揮発性メモリ装置 - 特許庁

To read data by using a dummy memory cell in the same configuration and a shape as the normal memory cell.例文帳に追加

正規メモリセルと同様の構成および形状を有するダミーメモリセルを用いてデータ読出を実行する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory cell equipped with an FET (field effect transistor) type memory element small in the cell size thereof.例文帳に追加

セルサイズの小さなＦＥＴ型のメモリ素子を備えた半導体メモリセルを提供することにある。 - 特許庁

Each memory cell 10 of a memory cell array 20 is provided with a source line SL separated for each column unit.例文帳に追加

メモリセルアレイ２０の各メモリセル１０には列単位毎に互いに分離されたソース線SLが設けられている。 - 特許庁

The memory cell is connected to the word-line and a bit-line.例文帳に追加

メモリセルは、ワード線とビット線とに接続される。 - 特許庁

MAGNETIC STORAGE CELL AND MAGNETIC MEMORY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

磁気記憶セル及びこれを用いた磁気メモリデバイス - 特許庁

For programming a selected memory cell a first tunnel junction of the selected memory cell is skipped.例文帳に追加

選択されたメモリ・セルをプログラムするため、該選択されたメモリ・セルの第１のトンネル接合が飛ばされる。 - 特許庁

To protect a magnetic memory cell from the floating magnetic field which has the possibility of changing the logic state of the magnetic memory cell.例文帳に追加

磁気メモリセルの論理状態を切り換える可能性がある漂遊磁界から磁気メモリセルを保護すること。 - 特許庁

A control part 7 reads the threshold level of a second memory cell adjacent to a first memory cell in the memory cell array, decides a correction value corresponding to the threshold level read from the second memory cell, the decided correction value is added to the read level of the first memory cell, and reads the threshold level of the first memory cell.例文帳に追加

制御部７は、メモリセルアレイ内の第１のメモリセルに隣接する第２のメモリセルの閾値レベルを読み出し、前記第２のメモリセルから読み出された閾値レベルに応じた補正値を決定し、前記決定した補正値を前記第１のメモリセルの読み出しレベルに加えて、前記第１のメモリセルの閾値レベルを読み出す。 - 特許庁

To provide an apparatus and a programming method for a non-volatile memory cell of a multi-bit magnetic random access memory cell.例文帳に追加

マルチビット磁気ランダムアクセスメモリセルの不揮発性メモリセルのための装置およびプログラム方法を提供する。 - 特許庁

MEMORY CIRCUIT FOR PREVENTING ELEVATION OF CELL ARRAY POWER SOURCE例文帳に追加

セルアレイ電源の上昇を防止したメモリ回路 - 特許庁

SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND ITS MEMORY CELL ACCESS METHOD例文帳に追加

半導体記憶装置及びそのメモリセルアクセス方法 - 特許庁

To significantly reduce the layout area of a memory cell array and to improve a work margin as the memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイのレイアウト面積を大幅に低減し、かつメモリセルアレイにおける加工マージンを向上させる。 - 特許庁

To highly accurately read data from a magnetic memory cell .例文帳に追加

高い精度で磁気メモリセルのデータを読み取ること。 - 特許庁

A peripheral circuit for driving a memory cell transistor in a memory cell array includes at least a first transistor.例文帳に追加

メモリセルアレイ中のメモリセルトランジスタを駆動するための周辺回路は、少なくとも第１のトランジスタを含む。 - 特許庁

A memory macro cell 1 is equipped with first and second memory cell arrays 10a and 10b and its peripheral circuits.例文帳に追加

メモリマクロセル１は、第１及び第２のメモリセルアレイ１０ａ及び１０ｂとその周辺回路とを備える。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory which is provided with a memory cell array 3 and a replacement data cell array 2 is used.例文帳に追加

メモリセルアレイ３と置換データ用セルアレイ２とを具備する不揮発性半導体記憶装置を用いる。 - 特許庁

DUAL COMPARISON CELL DETECTION SYSTEM FOR NON-VOLATILE MEMORY例文帳に追加

不揮発性メモリ用のデュアル比較セル検知方式 - 特許庁

A system and a method for performing reading operation from a memory cell (12) in a memory cell string are provided.例文帳に追加

メモリセルストリング内のメモリセル(12)からの読み出し動作を行うためのシステム及び方法を提供する。 - 特許庁

The bit wires for respective memory cell arrays are connected to the bit wire of the other memory cell array by a connecting wire.例文帳に追加

各メモリセルアレイのビット線は、接続配線により他のメモリセルアレイのビット線に接続されている。 - 特許庁

To provide a dual port memory cell capable of making the scalability of the memory cell follow the downscaling of processes.例文帳に追加

メモリセルのスケーラビリティをプロセスの微細化に追随させることのできるデュアルポートメモリセルを提供する。 - 特許庁

METHOD OF DRIVING SINGLE-LAYER POLYSILICON NONVOLATILE MEMORY CELL例文帳に追加

単層ポリシリコン不揮発性メモリーセルの駆動方法 - 特許庁

OPERATION METHOD OF SINGLE LAYER POLYSILICON NONVOLATILE MEMORY CELL例文帳に追加

単層ポリシリコン不揮発性メモリーセルの動作方法 - 特許庁

To increase a signal amount of a memory cell (DRAM memory cell or the like) constituting a semiconductor device (DRAM or the like).例文帳に追加

半導体装置（ＤＲＡＭ等）を構成するメモリセル（ＤＲＡＭメモリセル等）の信号量を増加させる。 - 特許庁

NON-VOLATILE RESISTANCE MEMORY CELL BASED ON METALLIC OXIDE NANOPARTICLE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME AND ARRANGEMENT OF MEMORY CELL例文帳に追加

金属酸化物ナノ粒子に基づく不揮発性抵抗メモリセル、その製造方法、およびそのメモリセル配置 - 特許庁

In a memory cell array 100A, a memory cell comprising a ferroelectrics capacitor 20 is arrayed in matrix.例文帳に追加

メモリセルアレイ１００Ａは、強誘電体キャパシタ２０からなるメモリセルがマトリクス状に配列されている。 - 特許庁

DUAL-PORT FUNCTIONALITY FOR SINGLE-PORT CELL MEMORY DEVICE例文帳に追加

単一ポートセルメモリ装置のための二重ポート機能 - 特許庁

To reduce the area of a ferroelectric memory cell.例文帳に追加

強誘電体メモリセルの面積の低減を図る。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which information can be read out from a memory cell at high speed.例文帳に追加

メモリセルからの情報の読出しが高速な半導体記憶装置。 - 特許庁

A plurality of memory cells are arranged in rows and columns in a memory cell array 1.例文帳に追加

メモリセルアレイ１には、複数のメモリセルが行及び列に配置されている。 - 特許庁