「Memory cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD AND STRUCTURE FOR NONDESTRUCTIVELY READING MEMORY CELL OF MRAM MEMORY例文帳に追加

ＭＲＡＭメモリーのメモリーセルの非破壊読み取りのための方法および構造 - 特許庁

This memory includes a memory cell array, a controller, and a programming section.例文帳に追加

本発明のメモリ装置は、メモリセルアレイ、制御部、及びプログラミング部を備える。 - 特許庁

MEMORY CELL ARRAY, NON-VOLATILE STORAGE UNIT, AND NON- VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

メモリセルアレイ、不揮発性記憶ユニットおよび不揮発性半導体記憶装置 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY CELL, NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF DRIVING THE SAME例文帳に追加

不揮発性メモリセル、不揮発性半導体記憶装置及びその駆動方法 - 特許庁

To provide a memory device which has a small occupied area of a memory cell or a memory device which has a small occupied area of the memory cell and an extremely long data retention period.例文帳に追加

メモリセルの占有面積が小さいメモリ装置、また、メモリセルの占有面積が小さく、データ保持期間の極めて長いメモリ装置を提供する。 - 特許庁

A redundant memory circuit stores a defective address indicating a defective memory cell column.例文帳に追加

冗長記憶回路は、不良メモリセル列を示す不良アドレスを記憶する。 - 特許庁

To achieve high integration of memory cells and capacitance increase in the memory cell capacitor.例文帳に追加

メモリセルの高集積化およびメモリセルのキャパシタの容量増大を図る。 - 特許庁

The memory cell unit is constituted by connecting a plurality of the memory cells in series.例文帳に追加

メモリセルユニットは、メモリセルが複数個直列に接続されて構成される。 - 特許庁

The replacement section 2, 3 decides a redundant memory cell out of the redundant memory cells 12 for replacing a memory cell to be replaced out of memory cells 11.例文帳に追加

置換部（２、３）は、メモリセル（１１）のうちの置換対象メモリセルを置換する置換先冗長メモリセルを、冗長メモリセル（１１）のうちから定める。 - 特許庁

RESISTIVE MEMORY CELL, METHOD OF FORMING THE SAME, AND RESISTIVE MEMORY ARRANGEMENT USING THE METHOD例文帳に追加

抵抗メモリセル、その形成方法及びこれを利用した抵抗メモリ配列 - 特許庁

UNIT CELL OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE WITH THE SAME例文帳に追加

不揮発性メモリ装置の単位セル及びこれを備えた不揮発性メモリ装置 - 特許庁

To provide a reading method of memory cell data which applies low voltages to memory cells adjacent to a memory cell from which data may be read, and a nonvolatile memory device.例文帳に追加

読み出し対象メモリセルに隣接するメモリセルに低い電圧を印加するメモリセルデータの読み出し方法及び不揮発性メモリ装置を提供する。 - 特許庁

PROGRAMMING METHOD IN MEMORY CELL UTILIZING THREE LATCHES, AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

３個のラッチを利用するメモリセル・プログラミング方法及び半導体メモリ装置 - 特許庁

To eliminate a semiconductor memory having a memory cell which may be deteriorated in future.例文帳に追加

将来劣化するメモリセルを有する半導体メモリをテストで取り除く。 - 特許庁

FET-TYPE FERROELECTRIC MEMORY CELL AND FET-TYPE FERROELECTRIC MEMORY例文帳に追加

ＦＥＴ型強誘電体メモリセルおよびＦＥＴ型強誘電体メモリ - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT HAVING 3-TRANSISTOR MEMORY CELL, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

３−トランジスタメモリセルを有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

METHOD AND CIRCUIT FOR READING TWO BIT TYPE MEMORY CELL, AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

２ビット型メモリセルの読み出し方法及び回路と半導体記憶装置 - 特許庁

UNIT CELL OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE HAVING THE SAME例文帳に追加

不揮発性メモリ素子の単位セル及びこれを備えた不揮発性メモリ素子 - 特許庁

RESISTIVE NONVOLATILE MEMORY CELL, AND RESISTIVE NONVOLATILE MEMORY DEVICE例文帳に追加

抵抗変化型不揮発性メモリセルおよび抵抗変化型不揮発性記憶装置 - 特許庁

The memory cell array 2 is provided with a plurality of memory cells arrayed in a matrix.例文帳に追加

メモリセルアレイ２は、行列状に配列された複数のメモリセルを有する。 - 特許庁

A portion of the cell arrays forms a memory cell array MA that has the cells as memory cells MC, and another portion of the cell arrays forms a reference cell array RA that has the cells as reference cells RC.例文帳に追加

一部のセルアレイは、セルをメモリセルＭＣとするメモリセルアレイＭＡ、他の一部のセルアレイがセルを参照セルＲＣとする参照セルアレイＲＡとなる。 - 特許庁

This packet buffer device comprises a plurality of cell buffers and is provided with a means for performing header conversion on a cell buffer memory and reading a new cell in a cell unit from the buffer memory.例文帳に追加

複数セルバッファ構成とし、セルバッファメモリ上でヘッダ変換を行ないバッファメモリより新たなセル単位で読み出す手段を設けて構成する。 - 特許庁

The present invention includes a memory cell region Cell including a plurality of transistors and a core region Core arranged adjacent to the memory cell region Cell.例文帳に追加

本発明は、複数のトランジスタを含むメモリセル領域Ｃｅｌｌとメモリセル領域Ｃｅｌｌに隣接して配置されたコア領域Ｃｏｒｅとを備える。 - 特許庁

To prevent a rapid decrease in capacity of a memory cell caused by a defective cell.例文帳に追加

不良セルに起因するメモリセルの急激な容量低下を防止する。 - 特許庁

To realize a stable readout action in a memory cell of gain cell structure.例文帳に追加

ゲインセル構造のメモリセルにおいて、安定した読出し動作を実現する。 - 特許庁

The reference cell RC makes the reference by which data of the memory cell MC is decided.例文帳に追加

レファレンスセルＲＣは、メモリセルＭＣのデータを判断する基準を作る。 - 特許庁

A memory cell MC and a reference cell RC are constituted of MTJ elements.例文帳に追加

メモリセルＭＣ及びレファレンスセルＲＣは、ＭＴＪ素子から構成される。 - 特許庁

When writing data to a selected memory cell, the control circuit performs correction writing associated with data writing in accordance with written data in a reference memory cell that is adjacent to the selected memory cell, in which case the data is written to the reference memory cell after data is written to the selected memory cell.例文帳に追加

制御回路は、選択メモリセルへのデータ書き込みに際し、選択メモリセルに隣接し選択メモリセルへのデータ書き込みの後にデータが書き込まれる参照メモリセルの書き込みデータに応じてデータ書き込みに付随する補正書き込みを実行する。 - 特許庁

To provide a memory cell capable of writing to a selected memory cell while maintaining high noise margins for other memory cells on the same row or same column as the selected memory cell.例文帳に追加

選択されたメモリセルと同一の行又は列にある他のメモリセルについては高い雑音余裕を確保しつつ、選択されたメモリセルに書き込むことができるメモリセルを提供することにある。 - 特許庁

A memory array 1 has a memory cell having double gate structure, plural word lines to which a control gate of the memory cell is connected, and plural bit lines to which a drain of the memory cell is connected.例文帳に追加

メモリアレイ１は、２重ゲート構造を有するメモリセルと、メモリセルのコントロールゲートが接続された複数のワード線と、メモリセルのドレインが接続された複数のビット線とを持つ。 - 特許庁

A block selecting circuit makes the first memory cell block to substitute for the defective memory cell block when defect occurs in one or more memory block out of the second memory cell block.例文帳に追加

ブロック選択回路は前記第２メモリセルブロックのうち一つまたはそれより多いメモリセルブロックに欠陥が生じる時に、前記欠陥メモリセルブロックを前記第１メモリセルブロックに代替する。 - 特許庁

To use a memory cell having a small number of elements as an SRAM (Static Random Access Memory) by preventing a case where the data are written or read to or from a memory cell and the memory cell is refreshed at the same time.例文帳に追加

メモリセルのデータの書き込み又は読み出しとメモリセルのリフレッシュとが同時に行われることを防止することにより、素子数の少ないメモリセルをＳＲＡＭとして用いる。 - 特許庁

The first node of the first memory cell which is one of the memory cells and the first node of the memory cell adjoining the first memory cell in the first direction side along the second axis are connected to the same bit line.例文帳に追加

メモリセルの１つである第１メモリセルの第１ノードと、第１メモリセルと第２軸に沿った第１方向側で隣接するメモリセルの第１ノードとは、同じビット線と接続される。 - 特許庁

To invert a data stored in a memory cell while correctly reading the data stored in each memory cell, even when a memory cell array is composed of a plurality of memory cells.例文帳に追加

複数のメモリセルにてメモリセルアレイが構成される場合においても、個々のメモリセルに記憶されているデータの正確な読み出しを可能としつつ、メモリセルに記憶されているデータを反転する。 - 特許庁

This circuit has a memory cell array 1 having non-volatile memory cells MC and a reference cell array 2, and a data '1' state (a state of current-pull-in) is written in a memory cell MC of the reference cell array 2.例文帳に追加

不揮発性のメモリセルＭＣを持つメモリセルアレイ１と、参照セルアレイ２を有し、参照セルアレイ２のメモリセルＭＣには、データ“１”状態（電流引き込みがある状態）に書かれている。 - 特許庁

Each memory cell in the edge memory blocks has a data storage capacitor of which the capacitance is larger than that of the data storage capacitor of each memory cell in the central side memory blocks, and the data storage capacitor of each memory cell in the edge memory blocks has a surface region wider than that of the data storage capacitor of each memory cell in the central side memory blocks.例文帳に追加

エッジに位置したメモリブロック内のメモリセルは隣接した中央側メモリブロック内のメモリセル内のデータストレージキャパシタよりさらに大きな静電容量を有したデータストレージキャパシタを含み、該データストレージキャパシタは中央側メモリセル内のデータストレージキャパシタよりさらに広い表面領域を有する。 - 特許庁

CELL-EXTENDING AND SHORTENING DEVICE USING SHAPE MEMORY ALLOY例文帳に追加

形状記憶合金を用いた細胞伸縮装置 - 特許庁

MEMORY CELL, CONTROL METHOD AND MANUFACTURE OF THE SAME例文帳に追加

メモリセル並びにその制御方法及び製造方法 - 特許庁

MEMORY CELL WRITTEN USING CURRENT FROM ACCESS PART例文帳に追加

アクセス部からの電流を用いて書き込まれるメモリセル - 特許庁

To improve stress resistance of a memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイの耐ストレス性を向上できるようにする。 - 特許庁

To perform discrimination of access for a memory cell or a memory cell region in which write-in or read-out cannot be performed normally and replacement of this memory cell or memory cell region at a minimum cost and at maximum speed.例文帳に追加

正常に書き込みまたは読み出しできないメモリセルまたはメモリセル領域へのアクセスの識別と、このメモリセルまたはメモリセル領域の置換を最小のコストと最大の速度で処理できるようにすることである。 - 特許庁

MATRIX STRUCTURE OF MEMORY CELL AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

メモリセルのマトリックス構造体及びその製造方法 - 特許庁

A memory cell array 1 has multiple block redundancies.例文帳に追加

メモリセルアレイ１は、複数のブロックリダンダンシを有している。 - 特許庁

After the second write operation, the difference between the read reference current and the memory cell current for the memory cell can be expanded because threshold voltages for the memory cell is distributed to one side of the first or the second reference memory cell as a border.例文帳に追加

第２書き込み動作後、メモリセルの閾値電圧は、第１または第２リファレンスメモリセルを境界として一方側に分布するため、読み出しリファレンス電流とメモリセルのメモリセル電流との差を大きくできる。 - 特許庁

SRAM MEMORY CELL HAVING REDUCED SURFACE REGION例文帳に追加

縮小表面領域を有するＳＲＡＭメモリ・セル - 特許庁