「N- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

The light-emitting element includes an n-type silicon oxide film 2 and a p-type silicon nitride film 3.例文帳に追加

発光素子は、ｎ型シリコン酸化膜２と、ｐ型シリコン窒化膜３とを備える。 - 特許庁

In the nitride semiconductor laser array, n-type layers composed of a nitride semiconductor and containing n-type contact layers, active layers, and p-type layers containing p-type contact layer are successively formed.例文帳に追加

窒化物半導体からなる、ｎ型コンタクト層を含むｎ型層と、活性層と、ｐ型コンタクト層を含むｐ型層と、が順に含まれた窒化物半導体レーザアレイである。 - 特許庁

The IGBT selectively forms an n^+-type extended region (9) in a p^+-type collector region (1), and forms a p-type base region (3) and a diode together with an n-type base region (2).例文帳に追加

ＩＧＢＴは、Ｎ＋型延長領域(9)をＰ＋型コレクタ領域(1)内に選択的に形成して、Ｎ型ベース領域(2)と共にＰ型ベース領域(3)とダイオードを形成する。 - 特許庁

Further, the p^+-type diffusion layer 3p is in contact with the n^+-type diffusion layer 4n.例文帳に追加

また、ｐ^＋型拡散層３ｐがｎ^＋型拡散層４ｎと接触している。 - 特許庁

A p type base region 4 is provided on a surface of the n-type epitaxial layer 2, and an n+type source region 5 is provided on a surface of a p type base region 4.例文帳に追加

ｎ−型エピタキシャル層２の表面にはｐ型ベース領域４が設けられ、ｐ型ベース領域４の表面にはｎ＋型ソース領域５が設けられている。 - 特許庁

This silicon carbide semiconductor device is formed into a structure provided with a p^+ type layer 6 under an n^+ type source region 4.例文帳に追加

ｎ^+型ソース領域４の下方にｐ^+型層６を備えた構成とする。 - 特許庁

A plurality of p-type diffusion layers 3 are formed on the surface layer of an n^--type epitaxial layer 2.例文帳に追加

ｎ^-型エピ層２の表層部に複数のｐ型拡散層３を形成する。 - 特許庁

An n-type transparent conductive film 16, a mixed film 17 of a p-type organic semiconductor and an n-type organic semiconductor, and a p-type transparent conductive film 18, are stacked in this sequence.例文帳に追加

ｎ型透明導電膜１６、ｐ型有機半導体とｎ型有機半導体との混合膜１７及びｐ型透明導電膜１８がこの順に積層されている。 - 特許庁

In the p+-type well region 105, an n++-type source region 106 is formed.例文帳に追加

ｐ^+形ウェル領域１０５内にはｎ^++形ソース領域１０６が形成される。 - 特許庁

This device is made to have a structure in which an n type reversal part 35 is provided on a part of a surface layer of a p type frame part 30 and a p+ type electric circuit 36 is provided on the n type inversion part 35.例文帳に追加

ｐ型の枠部３０の表層の一部にｎ型の反転部３５を設け、ｎ型の反転部３５にｐ^+型の電路３６を設けた構造とする。 - 特許庁

This career is detected by a p-type region 12 and an n-type region 13.例文帳に追加

このキャリアは、ｐ型領域１２およびｎ型領域１３により検出される。 - 特許庁

An N-type diffusion layer 5 and a P-type diffusion layer 7 are formed in the N-type well 3 having a space between each other away from the P-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１とは間隔をもってＮ型ウエル３に互いに間隔をもってＮ型拡散層５及びＰ型拡散層７が形成されている。 - 特許庁

On an upper surface of an n^--type substrate 1, a p^--type base region 2 is formed.例文帳に追加

ｎ^−型基板１の上面に、ｐ^−型ベース領域２が形成されている。 - 特許庁

An n-type low concentration diffusion layer 9 is formed in facing to the p-type low concentration diffusion layer 7 and the p-type high concentration diffusion layer 8 through the n-type epitaxial layer 5.例文帳に追加

ｎ型低濃度拡散層９は、ｎ型エピタキシャル層５を介してｐ型低濃度拡散層７及びｐ型高濃度拡散層８と対向して形成される。 - 特許庁

A p^+-type collector region 11 is formed on a lower surface of the n^--type substrate 1.例文帳に追加

ｎ^−型基板１の下面にｐ^＋型コレクタ領域１１が形成されている。 - 特許庁

A part of the n-type layer is etched to expose the surface of the p-type layer.例文帳に追加

ｎ型層の一部は、ｐ型層の表面を露出させるためにエッチングされる。 - 特許庁

An n+-type layer 4 is formed to fill up the recessed part of the p-type layer 3.例文帳に追加

さらにｐ型層３の凹部内を埋め込むようにｎ^+型層４を成膜する。 - 特許庁

An n-type dopant or a p-type dopant is introduced into the resistance change layer 22.例文帳に追加

抵抗変化層２２は、ｎ型ドーパントまたはｐ型ドーパントが導入されている。 - 特許庁

The layers 3-6 have p^+ type regions 3a-6a and n type regions 3b-6b.例文帳に追加

層３〜６はｐ^+型領域３ａ〜６ａとｎ型領域３ｂ〜６ｂとを有する。 - 特許庁

The conductive film 22 includes an N-type electrode 221 and a P-type electrode 222.例文帳に追加

導電膜２２は、Ｎ型電極２２１及びＰ型電極２２２を備えている。 - 特許庁

An n-type region 11 is formed in a p-type silicon semiconductor substrate 10.例文帳に追加

Ｐ型のシリコン半導体基体１０にＮ型領域１１が形成されている。 - 特許庁

The GaAs chip 14 includes a p-type GaAs base layer 34 (p-type GaAs layer) and an n-type GaAs emitter layer 36 (n-type GaAs layer) formed thereon.例文帳に追加

ＧａＡｓチップ１４は、ｐ型ＧａＡｓベース層３４（ｐ型ＧａＡｓ層）と、その上に形成されたｎ型ＧａＡｓエミッタ層３６（ｎ型ＧａＡｓ層）を有する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a photodiode having a p-type semiconductor layer 11, an n-type semiconductor layer 12, and an n-type cathode region 15 in this sequence on a p-type semiconductor substrate 10.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１０上に、ｐ型半導体層１１、ｎ型半導体層１２およびｎ型カソード領域１５をこの順に有するフォトダイオードを備える。 - 特許庁

The photonic crystalline layer 13 is formed between the n-type cladding layer 12 and the p-type cladding layer 16 or in the n-type cladding layer 12 or the p-type cladding layer 16.例文帳に追加

フォトニック結晶層１３は、ｎ型クラッド層１２とｐ型クラッド層１６との間、ｎ型クラッド層１２中、またはｐ型クラッド層１６中のいずれかに形成される。 - 特許庁

The silicon nanowire has a structure of alternately layering p-type layers and n-type layers.例文帳に追加

シリコンナノワイヤーはｐ型層とｎ型層とが交互に積層された構造を有する。 - 特許庁

An n-type extended drain region 2 is formed in a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１中に、ｎ型の延長ドレイン領域２を形成する。 - 特許庁

The n- type signal accumulating region 2 is formed inside a p type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｎ^− 型信号蓄積領域２は、ｐ型半導体基板１内に形成される。 - 特許庁

The photosensor has a P type amorphous silicon region, and an N type amorphous silicon region.例文帳に追加

フォトセンサは、Ｐ型アモルファスシリコン領域とＮ型アモルファスシリコン領域とを有する。 - 特許庁

An n-type photodiode 21 is formed to a p-type semiconductor substrate 30.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板３０には、ｎ型のフォトダイオード２１が形成されている。 - 特許庁

An electrode is formed on the n-type ZnO layer and the p-type ZnO layer (g).例文帳に追加

（ｇ）ｎ型ＺｎＯ層及びｐ型ＺｎＯ層上に電極を形成する。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer is provided between the n-type semiconductor layer and the electrode.例文帳に追加

ｐ形半導体層は、ｎ形半導体層と電極との間に設けられる。 - 特許庁

The chip 10 is constituted by stacking an n-type clad layer 22, an active layer 24, a p-type clad layer 26, and a p-type contact layer 28 in this order on an n-type GaN substrate 20.例文帳に追加

チップ１０は、ｎ型クラッド層２２、活性層２４、ｐ型クラッド層２６、ｐ型コンタクト層２８がこの順にｎ型ＧａＮ基板２０に積層して構成される。 - 特許庁

METHOD FOR SYNTHESIZING LOW RESISTANCE N-TYPE AND LOW RESISTANCE P-TYPE SINGLE CRYSTAL AlN THIN FILMS例文帳に追加

低抵抗ｎ型および低抵抗ｐ型単結晶ＡｌＮ薄膜の合成法 - 特許庁

An N-carbamate type protected β-aminoalcohol or an N- carbamate type protected β-aminoepoxide is reacted with N-isobutyl-3- nitrobenzenesulfonamide in the presence of a base to obtain the N-carbamate type protected benzenesulfonamide derivative.例文帳に追加

Ｎ−カルバメート型保護β−アミノアルコール、又はＮ−カルバメート型保護β−アミノエポキシドを塩基存在下、Ｎ−イソブチル−３−ニトロベンゼンスルホンアミドと反応させＮ−カルバメート型保護ベンゼンスルホンアミド誘導体を得る。 - 特許庁

The n-type pillar region 15 and p-type pillar region 14 each comprises a plurality of n-type diffusion regions 15X and a plurality of p-type diffusion regions 14X formed successively along the depth of the n-type epitaxial layer 13.例文帳に追加

ｎ型ピラー領域１５及びｐ型ピラー領域１４は、ｎ型エピタキシャル層１３の深さ方向に並んで形成される複数のｎ型の拡散領域１５Ｘ及び複数のｐ型の拡散領域１４Ｘにより構成される。 - 特許庁

The element part of semiconductor device 1 comprises an n+ type semiconductor substrate 11; an n- type drift layer 12; a p- type base layer 13; and an n+ type source layer 14 or a p+ type contact layer 15 selectively formed in turn.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体装置１の素子部は、ｎ＋型半導体基板１１、ｎ−型ドリフト層１２、ｐ−型ベース層１３、及び選択的形成のｎ＋型ソース層１４またはｐ＋型コンタクト層１５を順に有する。 - 特許庁

A p^+ type gate region 4 is directly formed on the surface of an n^- type channel layer 2 so that a part away from the n^- type channel layer 2 becomes wide compared to a part contacting the n^- type channel layer 2 out of the p^+ type gate region 4.例文帳に追加

ｎ^-型チャネル層２の表面に直接ｐ^+型ゲート領域４を形成し、ｐ^+型ゲート領域４のうちｎ^-型チャネル層２と接する部分と比較して、ｎ^-型チャネル層２から離れた部分が幅広となるようにする。 - 特許庁

An n-type high concentration diffusion layer 10 is formed facing to the p-type low-concentration diffusion layer 7, the p-type high concentration diffusion layer 8, and the semiconductor substrate 20 through the n-type epitaxial layer 5 and the n-type low concentration diffusion layer 9.例文帳に追加

ｎ型高濃度拡散層１０は、ｎ型エピタキシャル層５及びｎ型低濃度拡散層９を介して、ｐ型低濃度拡散層７、ｐ型高濃度拡散層８及び半導体基板２０と対向して形成される。 - 特許庁

In this manufacturing method, a selective N-type epitaxial layer 13 is grown on a P-type barrier layer, heat treatment is performed, the P-type barrier layer is inverted by impurity diffusion from the selective N-type epitaxial layer, and an N-type inverting layer 14 is formed.例文帳に追加

Ｐ型バリア層上にまず選択Ｎ型エピタキシャル層１３を成長し熱処理を加えて、選択Ｎ型エピタキシャル層からの不純物拡散によりＰ型バリア層を反転させＮ型反転層１４を形成する。 - 特許庁

An n-type well 6 and a p-type well 7 are formed in the silicon layer 4 of the SOI substrate 1 and pluralities of p^+-type diffusion regions 9 (anodes) and n^+-type diffusion regions 10 (base electrodes) are alternately arranged on the surface of the n-type well 6.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１のシリコン層４にＮウエル６及びＰウエル７を形成し、Ｎウエル６の表面に、夫々複数個のＰ^＋拡散領域９（アノード）及びＮ^＋拡散領域１０（ベース電極）を交互に配列する。 - 特許庁

The opening for the anode is masked, a p-type impurity element is added to the n-type impurity region, and a second n-type impurity region containing an n-type impurity element and the p-type impurity element is formed.例文帳に追加

アノード用開口部をマスクして、カソード用開口部を通して、ｎ型不純物領域にｐ型不純物元素を添加し、ｎ型不純物元素およびｐ型不純物元素を含む第２のｎ型不純物領域を形成する。 - 特許庁

The laser part 2 and the light deflection part 3 are configured by successively laminating an n-type clad layer, an n-type guide layer, a multiple quantum well layer, a p-type guide layer, a p-type clad layer and a p-type contact layer on an n-GaAs substrate.例文帳に追加

またレーザ部２及び光偏向部３は、ｎ−ＧａＡｓ基板上に、ｎ型クラッド層、ｎ型ガイド層、多重量子井戸層、ｐ型ガイド層、ｐ型クラッド層、ｐ型コンタクト層が順次積層されて構成されている。 - 特許庁

An n-type semiconductor distributed Bragg reflection mirror 3 is formed on an n-type GaAs substrate 2, and an n-type Ga_xIn_1-xP_yAs_1-y layer 11 having a thickness of λ/4 is laminated thereon.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板２上に、ｎ−半導体分布ブラッグ反射鏡３を形成し、その上にλ／４の厚さのｎ−Ｇａ_ｘＩｎ_１−ｘＰ_ｙＡｓ_１−ｙ層１１を積層した。 - 特許庁

The n^--type gate silicon area 110 and n^+-gate silicon area 111 are etched away to obtain the n-type gate silicon layer 105 and p-type gate silicon layer 107 which have been patterned.例文帳に追加

Ｎ^-型ゲートシリコン領域１１０及びＮ^+型ゲートシリコン領域１１１をエッチング除去し、パターニングされたＮ型ゲートシリコン層１０５及びＰ型ゲートシリコン層１０７を得る。 - 特許庁

When viewed from the upper face side of the N^- type silicon substrate 1, the P-type isolation region 2 is formed to surround N^- region 1a, which is a part of the N^- type silicon substrate 1.例文帳に追加

また、Ｎ^-型シリコン基板１の上面側から眺めた場合、Ｐ型分離領域２は、Ｎ^-型シリコン基板１の一部分であるＮ^-領域１ａを取り囲んで形成されている。 - 特許庁