「N- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

An n-type MOSFET is formed on an SOI substrate comprising a substrate 1, an insulation layer 2 and an n-type active layer 3.例文帳に追加

ｎ型ＭＯＳＦＥＴは、基板１、絶縁層２及びｎ^- 型活性層３からなるＳＯＩ基板上に形成される。 - 特許庁

A trench 14 is formed on an N-type semiconductor layer 12.例文帳に追加

Ｎ−型半導体層１２にトレンチ１４を形成する。 - 特許庁

Therefore, it is possible to reduce the generation of leakage currents between those n type diffusion layers 24 through the n type inversion region.例文帳に追加

したがって、ｎ型反転領域を介した複数ｎ型拡散層２４間での漏れ電流の発生を抑制できる。 - 特許庁

The memory n-type MIS transistor QM1 has a channel area smaller than that of the logic n-type MIS transistor QL1.例文帳に追加

また、メモリ用ｎ型ＭＩＳトランジスタＱＭ１は、ロジック用ｎ型ＭＩＳトランジスタＱＬ１よりもチャネル面積が小さい。 - 特許庁

By using the second film 205 as a mask, n-type second impurities are introduced at a lower concentration than the n-type first impurities.例文帳に追加

第２膜２０５をマスクに用いてｎ型第２不純物をｎ型第１不純物よりも低濃度に導入する。 - 特許庁

Further, the ion species of N type impurity is arsenic As.例文帳に追加

そして、そのＮ型不純物のイオン種を砒素Ａｓにする。 - 特許庁

A semiconductor layer 30 of a semiconductor device 1 includes an n-type drift region 33 and p-type body region 34.例文帳に追加

半導体装置１の半導体層３０は、n型のドリフト領域３３とp型のボディ領域３４を有している。 - 特許庁

The semiconductor laser further comprises an N-type InGaAsP layer 21.例文帳に追加

半導体レーザが、Ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層２１を備える。 - 特許庁

The N^- type drain buried layer 118 has an impurity concentration higher than that of the N^- type drain offset region 112.例文帳に追加

Ｎ^−型ドレイン埋め込み層１１８は、Ｎ^−型ドレインオフセット領域１１２よりも高い不純物濃度を有する。 - 特許庁

N-type impurities are injected to the polysilicon film 123, and the n-type source/ drain region of LDD structure is formed.例文帳に追加

次に、ポリシリコン膜１２３にｎ型不純物を注入し、ＬＤＤ構造のｎ型ソース／ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

A CMOS composed of first and second FETs 1, 2 has N-type and P-type latchup prevention regions 8, 12.例文帳に追加

第１及び第２のＦＥＴ１、２から成るＣＭＯＳは、N形及びP形ラッチアップ防止領域８、１２を有している。 - 特許庁

The n-type dopant is introduced so that the n-type semiconductor region 50 reaches an InGaAs semiconductor layer 34.例文帳に追加

ｎ型ドーパントは、ｎ型半導体領域５０がＩｎＧａＡｓ半導体層３４に到達するように導入される。 - 特許庁

The semiconductor substrate 1 is composed of n^+ type single crystal silicon.例文帳に追加

半導体基板１は、ｎ^＋型単結晶シリコンからなる。 - 特許庁

A second N-type semiconductor region comprising an epitaxial layer is formed on a first N^+-type semiconductor region 7.例文帳に追加

Ｎ^+形の第１の半導体領域７の上にエピタキシャル層から成るＮ形の第２の半導体領域を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a P-N junction between a p type semiconductor layer 11 and an n type semiconductor layer 12 forms a photodiode.例文帳に追加

ｐ型半導体層１１とｎ型半導体層１２とのＰＮ接合によってフォトダイオードが構成されている。 - 特許庁

An electron supply layer composed of N-type AlGaN or N-type AlN is formed on the electron transit layer.例文帳に追加

電子走行層の上に、Ｎ型のＡｌＧａＮまたはＮ型のＡｌＮからなる電子供給層が形成されている。 - 特許庁

To provide a tuning fork type oscillation gyro having a high S/N ratio.例文帳に追加

Ｓ／Ｎ比が高い音叉型振動ジャイロを提供する。 - 特許庁

In this semiconductor device, an N-type epitaxial layer 3 is formed on an N-type single crystal silicon substrate 2.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｎ型の単結晶シリコン基板２上にＮ型のエピタキシャル層３が形成されている。 - 特許庁

I don't have time to type them all out one by one!例文帳に追加

一通一通打ってたらn自分の時間なんかないっすよ! - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

In the N-type well, a PMOS region is formed.例文帳に追加

Ｎ型ウェル内には、ＰＭＯＳ領域が形成されている。 - 特許庁

Source/drain regions 17 separated by a channel region 12 include the n-type impurity regions (n^- regions) 171 of low concentration and the n-type impurity regions (n^+ regions) 172 of high concentration.例文帳に追加

チャネル領域１２を隔てたソース・ドレイン領域１７は、低濃度のＮ型不純物領域（Ｎ^−領域）１７１及び高濃度のＮ型不純物領域（Ｎ^＋領域）１７２を含む。 - 特許庁

The photonic crystal is constituted of an active part 180 disposed within the resonator, a P clad 150 made of a P-type semiconductor and an N clad 160 made of an N-type semiconductor.例文帳に追加

フォトニック結晶は、共振器の内部に配置された活性部１８０、Ｐ型半導体からなるＰクラッド１５０およびN型半導体からなるNクラッド１６０により構成されている。 - 特許庁

In a coding method, a (2N-1)st original block of m bits is encoded as an A type weighted block of n bits and a 2Nth original block of m bits is encoded as a B type weighted block of n bits.例文帳に追加

符号化方法において、mビットの(2N−1)番目オリジナルブロックがnビットのAタイプ加重ブロックに符号化され、mビットの2N番目オリジナルブロックがnビットのBタイプ加重ブロックに符号化される。 - 特許庁

The p-i-n diode has a diffusion prevention region on at least the end part of the intrinsic semiconductor layer side of the p-type semiconductor layer and the end part of the intrinsic semiconductor layer side of the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

p-i-nダイオードは、少なくともp型半導体層の真性半導体層側の端部及びn型半導体層の真性半導体層側の端部に拡散防止領域を有する。 - 特許庁

To provide a power supply capable of applying N-phase N-wire type power supply to the load, corresponding to N-phase (N+1) wire type power supply and dealing copes with different voltages.例文帳に追加

Ｎ相（Ｎ＋１）線式の電源に対応した負荷に対してＮ相Ｎ線式の電源を適用できるとともに、異電圧に対応できる電源供給装置を提供する。 - 特許庁

An N-type transistor constituting the switch signal generating circuit is formed at a first P-type well PW1, a P-type transistor constituting the switch signal generating circuit is formed at a first N-type well, and the first P-type well and the first N-type well are formed at a first deep N-type well DNW1, respectively.例文帳に追加

スイッチ信号生成回路を構成するＮ型トランジスタは第１のＰ型ウェルＰＷ１に、スイッチ信号生成回路を構成するＰ型トランジスタは第１のＮ型ウェルＮＷ１に、第１のＰ型ウェル及び第１のＮ型ウェルは第１のディープＮ型ウェルＤＮＷ１にそれぞれ形成される。 - 特許庁

The CMOSN-type substrate diode for temperature sensor (50) is provided with an n-type substrate (51), a p-type well layer (52) formed in the n-type substrate, an n-type high concentration layer (53) formed in the p-type layer and a p^+-diffusion layer (57) formed near a surface of the n-type high concentration layer.例文帳に追加

温度センサ用ＣＭＯＳＮ型基板ダイオード（５０）は、Ｎ型基板（５１）と、このＮ型基板内に形成されたＰｗｅｌｌ層（５２）と、このＰｗｅｌｌ層内に形成されたＮ型高濃度層（５３）と、このＮ型高濃度層の表面近傍に形成されたｐ^＋拡散層（５７）とを有する。 - 特許庁

On the surface layer of one main side of a P-type SiC substrate 10, a P^+-type SiC region 20, an N^+-type SiC source region 30, and both N-type SiC drain region 40 and N^+-type SiC drain region 50, located away from the P^+-type SiC region 20 and the N^+-type SiC source region 30, are formed.例文帳に追加

Ｐ型ＳｉＣ基板１０の一主面側の表層にＰ＋型ＳｉＣ領域２０と、Ｎ＋型ＳｉＣソース領域３０と、Ｐ＋型ＳｉＣ領域２０及びＮ＋型ＳｉＣソース領域３０から離隔してＮ型ＳｉＣドレイン領域４０とＮ＋型ＳｉＣドレイン領域５０がそれぞれ形成されている。 - 特許庁

HETERO INTEGRATION TYPE STRAINED SILICON N-TYPE MOSFET, P-TYPE MOSFET, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ヘテロ集積型歪みシリコンｎ型ＭＯＳＦＥＴ及びｐ型ＭＯＳＦＥＴ及びその製造方法 - 特許庁

An n^+-type source region 18 and a p^+-type region 19 are formed on the p-type base layer 11.例文帳に追加

ｐ型ベース層１１上にはｎ^+型ソース領域１８とｐ^+型領域１９とが形成されている。 - 特許庁

Thus, the channel length of the p-type channel type TFT is set smaller than that of the n-channel type TFT.例文帳に追加

そのために、ｐチャネル型ＴＦＴのチャネル長はｎチャネル型ＴＦＴのチャネル長より短くなる。 - 特許庁

The p-type organic layer forms an NP junction between the n-type organic layer and the p-type organic layer.例文帳に追加

ｐ型有機物層は、ｎ型有機物層とｐ型有機物層との間でＮＰ接合を形成する。 - 特許庁

An IGBT region 20 has a p^+-type collector region 30a, an n^--type drift region 34a, a p-type body region 36a, and an n^+-type emitter region 46.例文帳に追加

ＩＧＢＴ領域２０は、ｐ^＋型のコレクタ領域３０ａと、ｎ^−型のドリフト領域３４ａと、ｐ型のボディ領域３６ａと、ｎ^＋型のエミッタ領域４６を有する。 - 特許庁

In one embodiment, in the p^+-type layer (4c) and the n^+-type layer (5a) forming the hetero-interface, the band gap for the p^+-type layer (4c) is larger than that for the n^+-type layer (5a).例文帳に追加

一実施形態では、ヘテロ界面をなすｐ^＋型層（４ｃ）とｎ^＋型層（５ａ）とにおいて、ｐ^＋型層（４ｃ）のバンドギャップがｎ^＋型層（５ａ）のバンドギャップよりも大きい。 - 特許庁

An identical chip has the n-type MIS transistor and the p-type MIS transistor.例文帳に追加

同一チップ内にＮ型ＭＩＳトランジスタ及びＰ型ＭＩＳトランジスタを有する。 - 特許庁

Further, an n-type GaN layer 26 is formed on the i-type AlGaN layer 24.例文帳に追加

さらに、ｉ型ＡｌＧａＮ層２４の上にｎ型ＧａＮ層２６を形成する。 - 特許庁

A gate electrode 9 of an n-channel type MISFET and a p- channel type MISFET is formed at an angle of 45° with respect to a p-type well 3 and an n-type well 4, respectively.例文帳に追加

ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴもしくはｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極９を、それぞれｐ型ウエル３およびｎ型ウエル４に対し斜め４５°に形成する。 - 特許庁

An n-type transparent conductive film 12, an n-type organic semiconductor film 13, a p-type organic semiconductor film 14, and a p-type transparent conductive film 15, are stacked in this sequence.例文帳に追加

ｎ型透明導電膜１２、ｎ型有機半導体膜１３、ｐ型有機半導体膜１４及びｐ型透明導電膜１５がこの順に積層されている。 - 特許庁

A side of the first P-type collector region 3b is also surrounded by the N-type region.例文帳に追加

第１のＰ型コレクタ領域３ｂの側面もＮ型領域に囲まれている。 - 特許庁

The junction of the P-type drain 7a to the adjacent N-type source 5b thereto is kept reverse biased at all times, to separate the P-type drain 7a and the N-type source 5b from each other.例文帳に追加

隣り合うＰ型ドレイン７ａ及びＮ型ソース５ｂの接合を常に逆バイアスを保つことにより、Ｐ型ドレイン７ａ及びＮ型ソース５ｂを分離する。 - 特許庁

In the element cutting step, a p-type thermoelement unit 17 and an n-type thermoelement unit 18 are cut from the p-type thermoelement block 15 and the n-type thermoelement block 16.例文帳に追加

素子切出し工程では、Ｐ型熱電素子ブロック15及びＮ型熱電素子ブロック16からＰ型熱電素子ユニット17及びＮ型熱電素子ユニット18が切り出される。 - 特許庁

The first active barrier structure ABR includes an n-type area connected to a p-type impurity area PSR and a p-type area with which the n-type area is made an ohmic connection.例文帳に追加

第１のアクティブバリア構造ＡＢＲは、ｐ型不純物領域ＰＳＲに接続されたｎ型領域と、ｎ型領域とオーミック接続されたｐ型領域とを含む。 - 特許庁

Since a gate electrode is composed of a P-type semiconductor layer and an N-type semiconductor layer, a depletion layer 13 occurs at the junction surface between the P-type semiconductor layer and the N-type semiconductor layer.例文帳に追加

ゲート電極はＰ型半導体層及びＮ型半導体層からなるので、Ｐ型半導体層とＮ型半導体層との接合面に、空乏層１３が生じる。 - 特許庁

An N-type transistor constituting the operational amplifier OP1 is formed at a first P-type well PWL1, and a P-type transistor is formed at a first N-type well NWL1.例文帳に追加

演算増幅器ＯＰ１を構成するＮ型トランジスタは第１のＰ型ウェルＰＷＬ１に形成され、Ｐ型トランジスタは第１のＮ型ウェルＮＷＬ１に形成される。 - 特許庁

A plurality of trenches 17 that penetrate the p-type base layer 3 and reach the midway of the n-type base layer 1 are formed within the p-type base layer 3 and n-type base layer 1.例文帳に追加

ｐ型ベース層３及びｎ型ベース層１内には、ｐ型ベース層３を貫通し、ｎ型ベース層１の途中まで達する深さの複数のトレンチ１７が形成される。 - 特許庁