「N- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A light-emitting device includes: an n-type layer; a p-type layer; an active-region sandwiched between the n-type layer and the p-type layer; and a substrate having a first surface for receiving the active-region sandwiched between the n-type layer and the p-type layer.例文帳に追加

発光素子は、N型層と、P型層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層を受け入れる第1面を有する基板と、を含む。 - 特許庁

EQUIPMENT IN WHICH N-TYPE SEMICONDUCTOR IS INCORPORATED例文帳に追加

ｎ−型半導体を有する装置 - 特許庁

An N-type source region 10 and an N-type drain region 11 are arranged opposite to each other in the second direction.例文帳に追加

N形ソ−ス領域１０とN形ドレイン領域１１とは第２の方向において互いに対向配置されている。 - 特許庁

it is a type of n-methyl-d-asparatate (nmda) receptor antagonist. 例文帳に追加

n-メチル-d-アスパラギン酸（nmda）受容体拮抗薬の一種である。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

The p-type oxide semiconductor consists of oxide of group X(=II, III, IV, V) and metal-nitrogen bond composed of at least one among group Y(≤X) nitrides, for instance, Li-N, Be-N, Mg-N, Al-N, Ga-N is introduced into the p-type oxide semiconductor.例文帳に追加

X ( =II 、III 、IV 、V ) 族酸化物からなるｐ型酸化物半導体であって、前記ｐ型酸化物半導体中にY ( ≦X ）族窒化物のなかの少なくとも1 つ、例えばLi-N、Be-N、Mg-N、Al-N、Ga-N Aなど、からなる金属−窒素結合を導入する。 - 特許庁

An N-type buffer layer 6 is provided between the N^--type drift layer 1 and the P-type anode layer 2.例文帳に追加

Ｎ^−型ドリフト層１とＰ型アノード層２の間にＮ型バッファ層６が設けられている。 - 特許庁

SYNTHESIZING METHOD OF LOW RESISTANCE n-TYPE DIAMOND例文帳に追加

低抵抗ｎ型ダイヤモンドの合成法 - 特許庁

The N-type source region 16 is made smaller than the N-type drain region 18.例文帳に追加

Ｎ型ソース領域１６を、Ｎ型ドレイン領域１８に比して小さくする。 - 特許庁

n-TYPE THERMOELECTRIC ELEMENT COMPOSITION FOR HIGH TEMPERATURE例文帳に追加

高温用ｎ型熱電素子組成物 - 特許庁

N-TYPE THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL, N-TYPE THERMOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND THERMOELECTRIC MODULE例文帳に追加

ｎ型熱電変換材料、ｎ型熱電変換素子、及び熱電変換モジュール - 特許庁

The substrate 2 consists of n-type GaAs.例文帳に追加

基板２は、ｎ型ＧａＡｓからなる。 - 特許庁

An n-type ZnMgO layer is formed on the surface of the n-type ZnO layer (c).例文帳に追加

（ｃ）ｎ型ＺｎＯ層表面上に、ｎ型ＺｎＭｇＯ層を形成する。 - 特許庁

The soft recovery diode includes an n^+ type semiconductor substrate 12, an n^- type base layer 13 formed on the n^+ type semiconductor substrate 12, an n^- type base layer 14 formed on the n^- type base layer 13, and an n^+ type anode layer 15 formed on the n^- type base layer 14.例文帳に追加

ｎ^＋型半導体基板１２と、上記ｎ^＋型半導体基板１２上に形成されたｎ^−型ベース層１３と、上記ｎ^−型ベース層１３上に形成されたｎ^−型ベース層１４と、上記ｎ^−型ベース層１４上に形成されたｐ^＋型アノード層１５とを備える。 - 特許庁

N-type dopant is used for doping.例文帳に追加

ドーピングには、ｎ型ドーパントを使用する。 - 特許庁

N-PHASE PERMANENT MAGNET TYPE STEPPING MOTOR例文帳に追加

ｎ相永久磁石形ステッピングモータ - 特許庁

N-TYPE INORGANIC SEMICONDUCTOR, N-TYPE INORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ｎ型無機半導体、ｎ型無機半導体薄膜及びその製造方法 - 特許庁

An n+ type cathode layer 32, p- type first base layer 22, n- type base layer 18, n+ type buffer layer 16, and p+ type anode layer 14 constitute an IGBT.例文帳に追加

ｎ^+型カソード層３２、ｐ^-型第１ベース層２２、ｎ^-型ベース層１８、ｎ^+型バッファ層１６、ｐ^+型アノード層１４によりＩＧＢＴが構成されている。 - 特許庁

An n+ type floating emitter layer 24, p- type first base layer 22, n- type baser layer 18, n+ type buffer layer 16, and p+ type anode layer 14 constitute the thyristor.例文帳に追加

ｎ^+型フローティングエミッタ層２４、ｐ^-型第１ベース層２２、ｎ^-型ベース層１８、ｎ^+型バッファ層１６、ｐ^+型アノード層１４によりサイリスタが構成されている。 - 特許庁

DEEP N-TYPE DIFFUSION FOR TRENCH TYPE IGBT例文帳に追加

トレンチタイプのＩＧＢＴのための深度Ｎタイプの拡散 - 特許庁

The transistor is an enhancement type n-channel type transistor.例文帳に追加

トランジスタはエンハンスメント型のｎチャネル型のトランジスタである。 - 特許庁

A thyristor type VCSEL 2 having an N-P-N-P structure has a structure in which a tyristor having the N-P-N-P structure is held by N-type and P-type Bragg reflectors (DBR) 26, 28.例文帳に追加

ｎｐｎｐ構造のサイリスタ型ＶＣＳＥＬ２０は、ｎｐｎｐ構造のサイリスタをｎ型およびｐ型のブラッグ反射器（ＤＢＲ）２６，２８で挟んだ構造のものである。 - 特許庁

A high-concentration (n) type buffer layer 12, an (n) type intermediate layer 13, a low-concentration (n) type base layer 14, a (p) type well layer 15, and a high-concentration (n) type emitter layer 16, are sequentially formed on a (p) type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１１上に、高濃度ｎ型バッファ層１２、ｎ型中間層１３、低濃度ｎ型ベース層１４、ｐ型ウェル層１５、高濃度ｎ型エミッタ層１６を順次形成する。 - 特許庁

At the time of forming an n--type drift area 1c and a p-type base region 2 and an n+-type source region 3, an n--type well layer 11 and a p-type base region 12 and an n+-type region 13 are also formed at the time same.例文帳に追加

ｎ^-型ドリフト領域１ｃ、ｐ型ベース領域２、及びｎ^+型ソース領域３の形成時に、ｎ^-型ウェル層１１、ｐ型ベース領域１２、及びｎ^+型領域１３も同時に形成する。 - 特許庁

An n-type buffer layer, an n-type clad layer, an active layer 38, a p-type clad layer and a p-type cap layer are sequentially laminated on an n-type substrate, and an (n) electrodes 44 is provided on a lower surface of the substrate.例文帳に追加

ｎ型基板上に、ｎ型バッファ層、ｎ型クラッド層、活性層３８、ｐ型クラッド層、及びｐ型キャップ層を順次積層し、基板の下面にｎ電極４４を設ける。 - 特許庁

In a typical example, n-type sidewalls 210 and the n-type silicon embedded layer 204 are combined to form an n-type silicon well, and the p-type silicon well 206 is formed in the n-type silicon well.例文帳に追加

典型例では、ｎ型サイドウォール２１０とｎ型埋め込み層２０４を組み合わせてシリコンのｎ型ウェルが形成され、ｐ型ウェル２０６がｎ型ウェル内に形成される。 - 特許庁

As the n type impurity, proton is employed.例文帳に追加

ｎ型不純物はプロトンを採用する。 - 特許庁

CIRCUIT WITH N-TYPE NEGATIVE RESISTIVE ELEMENT例文帳に追加

Ｎ型負性抵抗素子を有する回路 - 特許庁

The n-type clad layer includes a first n-type clad layer made of AlGaInP and a second n-type clad layer made of AlInP, and the film thickness of the second n-type clad layer is 40-200 nm.例文帳に追加

ｎ型クラッド層は、AlGaInPからなる第１のｎ型クラッド層とAlInPからなる第２のｎ型クラッド層とを含み、第２のｎ型クラッド層の層厚は４０〜２００ｎｍである。 - 特許庁

III-N TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｎ系化合物半導体装置 - 特許庁

The n-type metal electrode layer 107 is in contact with the n-type ZnO contact layer 102, and the n-type oxide electrode layer 108 is in contact with the n-type metal electrode layer 107.例文帳に追加

ｎ型金属電極層１０７はｎ型ＺｎＯコンタクト層１０２に接し、ｎ型酸化物電極層１０８はｎ型金属電極層１０７に接している。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE USING n-TYPE DIAMOND例文帳に追加

ｎ型ダイヤモンドを用いた半導体デバイス - 特許庁

The n-type III-V group compound semiconductor layer 20 contains tellurium as an n-type dopant.例文帳に追加

ｎ型III−Ｖ族化合物半導体層２０は、ｎ型ドーパントとしてテルルを含む。 - 特許庁

An n-type InP layer 36 is provided on the n-type InGaAs layer 34.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＧａＡｓ層３４上にｎ型ＩｎＰ層３６が設けられている。 - 特許庁

N-TYPE AlN CRYSTAL, N-TYPE AlGaN SOLID SOLUTION, AND METHOD FOR PRODUCING THEM例文帳に追加

ｎ型ＡｌＮ結晶、ｎ型ＡｌＧａＮ固溶体及びそれらの製造方法 - 特許庁

An integrated circuit structure includes: an n-type fin field effect transistor (FinFET) and a p-type FinFET.例文帳に追加

集積回路構造は、n型フィン電界効果トランジスタ（fin field effect transistor、FinFET)とp型FinFETからなる。 - 特許庁

The N-type buffer layer 6 has a higher impurity concentration than the N^--type drift layer 1.例文帳に追加

Ｎ型バッファ層６は、Ｎ^−型ドリフト層１よりも高い不純物濃度を持つ。 - 特許庁

An N+ type source layer 3 is formed on a surface of the N type epitaxial layer 6.例文帳に追加

前記Ｎ型エピタキシャル層６の表面にＮ＋型ソース層３を形成する。 - 特許庁

An n-type ZnO layer is formed on the surface of an n-type ZnO buffer layer (b).例文帳に追加

（ｂ）ｎ型ＺｎＯバッファ層の表面上に、ｎ型ＺｎＯ層を形成する。 - 特許庁

An n-type epitaxial growth layer 2 is formed on an n^+-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｎ^+型シリコン基板１上にＮ型エピタキシャル成長層２が形成されている。 - 特許庁

The n-type semiconductor substrate held between the n+ cathode layer 2 and an n+ anode layer 3 becomes an n- drift layer 1.例文帳に追加

ｎ^+ カソード層２とｎ^+ アノード層３に挟まれたｎ型半導体基板がｎ^- ドリフト層１となる。 - 特許庁

An n+-type source layer 4 is formed on the surface of the p-type well layer 2, and an n+-type drain layer 6 is formed on the surface of the n-type drift layer 3.例文帳に追加

ｐ型ウエル層２の表面にｎ^+ 型ソース層４が形成され、ｎ型ドリフト層３の表面にｎ^+ 型ドレイン層６が形成される。 - 特許庁

An n-type buffer layer 2, an n^--type drift layer 3, and a p-type base layer 5 are laminated on an n^+-type 4H-SiC substrate 1 in this order.例文帳に追加

ｎ^+型４Ｈ−ＳｉＣ基板１の上に、ｎ型バッファー層２と、ｎ^-型ドリフト層３と、ｐ型ベース層５とが、この順に積層されている。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises an n^+-type source region 31, an n^+-type drain region 11, a p^--type body region 41 and an n^--type drift region 12.例文帳に追加

半導体装置１００は，Ｎ^+ ソース領域３１，Ｎ^+ ドレイン領域１１，Ｐ^- ボディ領域４１およびＮ^- ドリフト領域１２を備えている。 - 特許庁

The N^--type drift layer 2, the P^+-type layer 3, the N^+-type layer 5, and the N^--type channel layer 8 are formed in self- aligning manner by this manufacture.例文帳に追加

このような製法によれば、Ｎ^-型ドリフト層２、Ｐ^+型層３およびＮ^+型層５とＮ^-型チャネル層８とが自己整合的に形成される。 - 特許庁

An n-type semiconductor is epitaxially grown on an n-type low resistance substrate 1 and a trench is formed on the n-type semiconductor.例文帳に追加

ｎ型低抵抗基板１の上にｎ型半導体をエピタキシャル成長させ、そのｎ型半導体にトレンチを形成する。 - 特許庁