「N- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

An n-type drain region 7 and an n-type source region 8 are provided in the n-type drift region 3 and the p-type body region 4 respectively, so as to sandwich a portion of the gate electrode 6.例文帳に追加

このゲート電極６の一部を挟んでｎ型ドリフト領域３内及びｐ型ボディ領域４内にそれぞれ、ｎ型ドレイン領域７及びｎ型ソース領域８が設けられる。 - 特許庁

An MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) of the semiconductor device includes an n-type drift layer 2 formed on an n-type substrate 1 of silicon carbide, and a p-type body layer 3 selectively formed on the n-type drift layer 2.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴは、炭化珪素のｎ型基板１上に形成されたｎ型ドリフト層２と、ｎ型ドリフト層２の上部に選択的に形成されたｐ型ボディ層３とを有する。 - 特許庁

N-TYPE THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

Ｎ型熱電変換材料およびその製造方法 - 特許庁

A deep n+-type second drain layer 3 is formed on a region under an n+-type first drain layer 11 so that N--type drain layers 2A, 2B are not formed under the n+-type first drain layer 11.例文帳に追加

Ｎ＋型の第１ドレイン層１１の下にはＮ−型ドレイン層２Ａ，２Ｂが形成されないようにし、かつＮ＋型の第１ドレイン層１１の下の領域に深いＮ＋型の第２ドレイン層３を形成した。 - 特許庁

NOVEL LIQUID CRYSTALLINE N-TYPE ORGANIC CONDUCTOR MATERIAL例文帳に追加

新規な液晶性ｎ型有機導電体材料 - 特許庁

AGENT FOR SPECIFICALLY INCREASING ELECTRIC CURRENT IN N- TYPE Ca2+ CHANNEL例文帳に追加

Ｎ型Ｃａ２＋チャネル電流特異的増強剤 - 特許庁

METALLIC MATERIAL HAVING n-TYPE THERMOELECTRIC CONVERSION PERFORMANCE例文帳に追加

ｎ型熱電変換性能を有する金属材料 - 特許庁

On the semiconductor substrate 11 between the n^+-type semiconductor region 14A and the n^+-type semiconductor region 14C, an n^--type semiconductor region 14B is formed whose electric resistance is higher than that of the n^+-type semiconductor region.例文帳に追加

ｎ+型半導体領域１４Ａとｎ+型半導体領域１４Ｃとの間の半導体基板１１には、ｎ+型半導体領域より電気抵抗が高いｎ-型半導体領域１４Ｂが形成されている。 - 特許庁

The distance from the primary surface to the bottom of an n-type impurity region NR of an I/O n-type transistor is longer than that from the primary surface to the bottom of the n-type impurity region NR of a core n-type transistor.例文帳に追加

主表面からＩ／Ｏｎ型トランジスタのｎ型不純物領域ＮＲの最下部までの距離は、主表面からコアｎ型トランジスタのｎ型不純物領域ＮＲの最下部までの距離より長い。 - 特許庁

COMPLEX OXIDE HAVING n-TYPE THERMOELECTRIC CONVERSION CHARACTERISTICS例文帳に追加

ｎ型熱電変換特性を有する複合酸化物 - 特許庁

N-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAMINATION STRUCTURE例文帳に追加

ｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体 - 特許庁

ELECTRONIC ELEMENT CONTAINING N-TYPE ORGANIC SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ｎ型有機半導体単結晶を含む電子素子 - 特許庁

You can make both p and ntype semiconductors例文帳に追加

p-とn-typeの半導体を両方つくることができるので - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

The semiconductor device comprises a p-type well PWL1 disposing an n-type MIS Qn_1 surrounded by an n-type well NWL5, and a p-type MIS Qp1 provided on the same semiconductor substrate adjacent to the n-type well NWL5 electrically isolated from an n-type well NWL1 disposed with the p-type MIS Qp_1.例文帳に追加

半導体基板１Ｓにおいて、ｎＭＩＳＱｎ１が配置されたｐ型ウエルＰＷＬ１をｎ型ウエルＮＷＬ５で取り囲み、これに隣接するように同一の半導体基板１Ｓに設けられたｐＭＩＳＱｐ１が配置されたｎ型ウエルＮＷＬ１から電気的に分離した。 - 特許庁

A first N-type conductive region 2 and a second N-type conductive region 3 are formed on a P-type semiconductor substrate 1; and first P-type conductive regions 4, 5 and 6 inside the first N-type conductive region 2 and second P-type conductive regions 7, 8 and 9 inside the second N-type conductive region 3 are formed in point symmetry.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１に第１Ｎ型導電領域２、第２Ｎ型導電領域３を形成し、第１N型導電領域２内に第１Ｐ型導電領域４，５，６、前記第２Ｎ型導電領域３内に第２Ｐ型導電領域７，８，９を点対称に形成する。 - 特許庁

P-type regions 2, 4 are provided on a first n-type region 1.例文帳に追加

ｐ型領域２、４は第１のｎ型領域１上に設けられている。 - 特許庁

The p-type layer 5 and the n-type layer 6 become an isolation layer of a pn structure.例文帳に追加

ｐ型層５とｎ型層６とがｐｎ構造の素子分離層となる。 - 特許庁

Each diode DI has an n+ type layer D3 and a p+ type layer D1.例文帳に追加

ダイオードＤＩは、ｎ＋型層Ｄ３とｐ＋型層Ｄ１とを有する。 - 特許庁

In a trench type MOS gate structure, an N-type source layer is formed self-alignedly.例文帳に追加

トレンチ型ＭＯＳゲート構造で、Ｎ型ソース層をセルフアラインで形成する。 - 特許庁

A p-type impurity layer 2 is formed in an n-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１内には、ｐ型不純物層２が形成される。 - 特許庁

A second n-type region 3 is provided on the p-type regions 2, 4 spaced apart from the first n-type region 1 by the p-type regions 2, 4.例文帳に追加

第２のｎ型領域３は、ｐ型領域２、４によって第１のｎ型領域１と隔てられ、ｐ型領域２、４上に設けられている。 - 特許庁

In the first region AA, a P-type MOS 22, an N-type MOS 32 and a P-type MOS 42 are formed, and in the second region BB, an N-type MOS 52 is formed.例文帳に追加

第１領域ＡＡにはＰ型ＭＯＳ２２、Ｎ型ＭＯＳ３２、Ｐ型ＭＯＳ４２が形成され、第２領域ＢＢにはＮ型ＭＯＳ５２が形成される。 - 特許庁

The P-type fiber and the N-type fiber in one pair of transmission lines are preferably colored differently than the P-type fiber and the N-type fiber in other pairs.例文帳に追加

伝送回線の或る対の中のＰ型ファイバとＮ型ファイバは他の対のＰ型ファイバとＮ型ファイバとは異なって着色されることが好ましい。 - 特許庁

A section 112, directly above a connecting section in a p-type upper clad layer 15, is composed of the same conductivity type (an n-type) as that of an n-type lower clad layer 12.例文帳に追加

ｐ型の上部クラッド層１５のうち、接続部分の真上の部分１１２は、ｎ型の下部クラッド層１２と同じ導電形（ｎ型）で構成している。 - 特許庁

Then, an N-type semiconductor region 7 and a P-type semiconductor region 8 are formed on the N-type flush region 5 and the P-type embedded regions 6.例文帳に追加

そして、Ｎ型埋め込み領域５およびＰ型埋め込み領域６上にＮ型半導体領域７とＰ型半導体領域８を形成する。 - 特許庁

In a charge pump circuit, a P-type transistor MP2 and an N-type transistor MN2, which are turned off at all the time, are provided in parallel with a P-type transistor MP1 and an N-type transistor MN1.例文帳に追加

Ｐ型トランジスタＭＰ１及びＮ型トランジスタＭＮ１と並列に常にオフにしたＰ型トランジスタＭＰ２及びＮ型トランジスタＭＮ２を設ける。 - 特許庁

The group-III nitride light-emitting device includes an n-type layer, a p-type layer, and an active region which can emit light between the p-type layer and the n-type layer.例文帳に追加

ｎ型層、ｐ型層、及び、ｐ型層とｎ型層との間で発光することができる活性領域を含むＩＩＩ族窒化物発光装置。 - 特許庁

Fine groove processing is carried out at a fine pitch for n-type and p-type thermo-semiconductors each, and an n-type groove block 21 and a p-type grooved block 22 are formed.例文帳に追加

ｎ型とｐ型の熱電半導体にそれぞれ細かいピッチで細い溝加工を施しｎ型溝入ブロック２１とｐ型溝入ブロック２２を形成する。 - 特許庁

The SOA 101 has an electrode separation structure and has a lot of p-type electrodes when using an n-type substrate and has a lot of n-type electrodes when using a p-type substrate.例文帳に追加

ＳＯＡ１０１は電極分離構造を有し、ｎ基板を用いた場合はｐ電極を複数、ｐ基板を用いた場合はｎ電極を複数有する。 - 特許庁

A semiconductor structure has an n-type region, a p-type region, and a group III-nitride light-emitting layer arranged between the n-type region and the p-type region.例文帳に追加

半導体構造体は、ｎ型領域、ｐ型領域、及びｎ型領域とｐ型領域の間に配置されるＩＩＩ族窒化物発光層を有する。 - 特許庁

An n-type ohmic electrode 20 is formed on the rear surface of the n-type SiC substrate 10 while forming a p-type ohmic electrode 21 on the front surface of the p-type GaN layer 16.例文帳に追加

さらに、ｎ型ＳｉＣ基板１０の裏面にｎ型オーミック電極２０、ｐ型ＧａＮ層１６の表面にｐ型オーミック電極２１を形成する。 - 特許庁

A semiconductor light emitting device comprises an n-type region, a p-type region, and a light emitting region arranged between the n-type region and the p-type region.例文帳に追加

半導体発光装置は、ｎ型領域と、ｐ型領域と、該ｎ型領域およびｐ型領域の間に配置された発光領域とを含んでいる。 - 特許庁

When both the P-type transistor MP1 and the N-type transistor MN2 are turned off, an off-leak current escapes via the P-type transistor MP2 and the N-type transistor MN2.例文帳に追加

Ｐ型トランジスタＭＰ１とＮ型トランジスタＭＮ２が共にＯＦＦのときオフリーク電流はＰ型トランジスタＭＰ２及びＮ型トランジスタＭＮ２を介して逃げる。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 11 includes an n-type AlGaN clad layer 14 and the p-type semiconductor layer 12 includes a p-type AlGaN clad layer 18.例文帳に追加

ｎ型半導体層１１はｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１４を含み、ｐ型半導体層１２はｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８を含む。 - 特許庁

The group III nitride light emitting device includes an n type layer, the p type layer and the active region in which lights can be emitted between the p type layer and the n type layer.例文帳に追加

ｎ型層、ｐ型層、及び、ｐ型層とｎ型層との間で発光することができる活性領域を含むＩＩＩ族窒化物発光装置。 - 特許庁

p-type and n-type ohmic electrodes provided in a p-type BP series semiconductor layer and an n-type group III nitride semiconductor layer, respectively, are made of identical material.例文帳に追加

ｐ形ＢＰ系半導体層及びｎ形III族窒化物半導体層に設けるｐ形及びｎ形オーミック電極を同一の材料から構成する。 - 特許庁

A p-type semiconductor layer 4 is formed on the n+ type drain layer 3, and an n+ type source layer 5 is formed on the p-type semiconductor layer 4.例文帳に追加

このｎ＋型ドレイン層３の上には、ｐ型半導体層４が形成され、ｐ型半導体層４の上にはｎ＋型ソース層５が形成される。 - 特許庁

Meanwhile, any one of a p-type or an n-type is the first conductivity type and the other is the second conductivity type.例文帳に追加

ただし、ｐ型またはｎ型のいずれか一方が第１導電型で他方が第２導電型であるとする。 - 特許庁

A lower current route comprised of an N-type area 5, a P-type area 6 and an N-type area 7 is formed in the silicon substrate 2, and an upper current route comprised of an N-type area 8, a P-type part 9 and an N-type part 10 is formed in the silicon film 4.例文帳に追加

シリコン基板２には、Ｎ型領域５、Ｐ型領域６及びＮ型領域７からなる下側の電流経路を形成し、シリコン膜４には、Ｎ型部分８、Ｐ型部分９及びＮ型部分１０からなる上側の電流経路を形成する。 - 特許庁

An N+ type buried diffusion layer 103 and an N type epitaxial layer 102 are formed on a P type silicon substrate 101, and a P type diffusion layer 104 and an N+ type drain lead-out diffusion layer 106A in a surface region are formed in the N type epitaxial layer 102.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１０１上にＮ＋埋め込み拡散層１０３およびＮ型エピタキシャル層１０２が形成され、Ｎ型エピタキシャル層１０２内には表面領域内のＰ型拡散層１０４とＮ＋ドレイン引き出し拡散層１０６Ａが形成されている。 - 特許庁

A field effect transistor includes an N^+ type SiC substrate 2 and an N^- type drain region 1 which are first conductive type semiconductor substrates, and on a first main surface side of the N^+ type SiC substrate 2, a P-type well region 3, an N^+ type source region 5, and a gate electrode 7.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、第一導電型の半導体基体であるＮ^+型ＳｉＣ基板２及びＮ^-型ドレイン領域１と、Ｎ^+型ＳｉＣ基板２の第一主面側に、Ｐ型ウエル領域３とＮ^+型ソース領域５とゲート電極７とを有する。 - 特許庁

An n-side electrode 26 is connected to the lower surface of the n-type InP substrate 10.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０の下面にｎ側電極２６が接続されている。 - 特許庁

An n-embedding layer 24 contacts the bottom surface of the n-type impurity region 121.例文帳に追加

ｎ埋め込み層２４はｎ型不純物領域１２１の底面に接している。 - 特許庁

The primitive’s security depends on the difficulty of the n = p2q-type integer factoring problem. 例文帳に追加

プリミティブの安全性は n = p2q 型素因数分解問題の困難性に依存している。 - 経済産業省

According to one embodiment, an insulated gate type bipolar transistor of reverse conducting type comprises: a second base layer of type N; a buffer layer of type N; a first collector layer of type N; a second collector layer of type P; a third collector layer of type P; and a collector electrode.例文帳に追加

一つの実施形態によれば、逆通電型の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタは、Ｎ型の第二のベース層と、Ｎ型のバッファ層、Ｎ型の第一のコレクタ層、Ｐ型の第二のコレクタ層、Ｐ型の第三のコレクタ層、及びコレクタ電極が設けられる。 - 特許庁