「N- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

n-TYPE DIAMOND ELECTRON EMISSIVE ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

ｎ型ダイヤモンド電子放出素子及び電子デバイス - 特許庁

An embedded n-type impurity region is provided in the vicinity of a boundary of a channel layer and an n^--type semiconductor layer.例文帳に追加

チャネル層とｎ−型半導体層の境界付近に埋め込みｎ型不純物領域を設ける。 - 特許庁

The n-type InP distortion relaxing layer 14 is formed of the same material as that of the n-type InP substrate 10.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ歪緩和層１４は、ｎ型ＩｎＰ基板１０と同じ材料で構成されている。 - 特許庁

An n-type low-concentration layer 11 is formed on a principal surface 10a of an n-type high-concentration layer 10.例文帳に追加

Ｎ型高濃度層１０の主面１０ａ上には、Ｎ型低濃度層１１が形成されている。 - 特許庁

The n-type InGaAs layer 34 has a smaller bandgap than that of the n-type InP substrate 32.例文帳に追加

このｎ型ＩｎＧａＡｓ層３４は、ｎ型ＩｎＰ基板３２のバンドギャップよりも小さいバンドギャップを持つ。 - 特許庁

The n-type high concentration diffusion layer 10 has an impurity concentration higher than that of the n-type low concentration diffusion layer 9.例文帳に追加

ｎ型高濃度拡散層１０は、ｎ型低濃度拡散層９よりも不純物濃度が高い。 - 特許庁

The n-type source region 120 and an n-type emitter region 210 are isolated structurally.例文帳に追加

ｎ型ソース領域１２０とｎ型エミッタ領域２１０とは、構造的に分離して形成されている。 - 特許庁

After that, on the distortion inhibition layer 13, an n-type cladding layer 15 made of n-type Al_0.07Ga_0.9.3N is grown.例文帳に追加

続いて、歪抑制層１３の上に、ｎ型Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎからなるｎ型クラッド層１５を成長する。 - 特許庁

The p layer 3 consists of p-type poly-Si:H, the n layer 5 consists of n-type poly-Si:H.例文帳に追加

ｐ層３は、ｐ型ｐｏｌｙ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層５は、ｎ型ｐｏｌｙ−Ｓｉ：Ｈからなる。 - 特許庁

The impurity concentration of the n^- type buffer layer is made lower than the impurity concentration of the n type buffer layer 3.例文帳に追加

ｎ^−型バッファー層の不純物濃度はｎ型バッファー層３の不純物濃度よりも低くする。 - 特許庁

A diffused layer 2 in a memory cell is an n-type semiconductor memory, and the memory cell has an n-type region 4.例文帳に追加

メモリセルの拡散層２がｎ型である半導体メモリであって、ｎ型領域４を有している。 - 特許庁

Thereby, the n-type low concentration base layer 14 and the n-type extremely low concentration base layer 15 are formed.例文帳に追加

これにより、ｎ型低濃度ベース層１４およびｎ型極低濃度ベース層１５が形成される。 - 特許庁

By increasing an (n) type impurity concentration in an n+ type drift region 21, an ON resistance is lowered.例文帳に追加

ｎ^+型ドリフト領域２１中のｎ型不純物濃度を高くすることにより、ＯＮ抵抗を下げている。 - 特許庁

A first N type conductive region 2 and a second N type conductive region 3 are formed on a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板１００に第１Ｎ型導電領域２、第２Ｎ型導電領域３を形成する。 - 特許庁

Therefore, the resistance R1 of the N-type region 14a gets smaller than the resistance R2 of the N-type region 14b.例文帳に追加

よって、ｎ型領域１４ａの抵抗Ｒ_1はｎ型領域１４ｂの抵抗Ｒ_2より小さくなる。 - 特許庁

The tin is an n-type dopant, thus forming an n-type semiconductor region 50 in the semiconductor multilayered film.例文帳に追加

錫はｎ型ドーパントであるので、半導体多層膜中にｎ型半導体領域５０が形成される。 - 特許庁

Ion implantation 108 of n-type impurities is performed, and an n-type extension region 109 is formed.例文帳に追加

そして、ｎ型不純物のイオン注入１０８を行い、ｎ型エクステンション領域１０９を形成する。 - 特許庁

The second N-type semiconductor layer 32 has lower impurity concentration than the first N-type semiconductor layer 30.例文帳に追加

第２の半導体層32の不純物濃度は、第１の半導体層30の不純物濃度よりも低い。 - 特許庁

N TYPE DIFFUSION LAYER FORMATION COMPOSITION, MANUFACTURING METHOD OF N TYPE DIFFUSION LAYER, AND MANUFACTURING METHOD OF SOLAR CELL例文帳に追加

ｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法 - 特許庁

This clampping circuit 3 has a first N-type transistor N1 and a second N-type transistor N2.例文帳に追加

このクランプ回路３は、第１のＮ型トランジスタＮ１、および第２のＮ型トランジスタＮ２を有している。 - 特許庁

An n-type embedding layer 101 and an n-type epitaxial layer 102 are formed on the semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板１００上にＮ型埋め込み層１０１及びＮ型エピタキシャル層１０２を形成する。 - 特許庁

A lightly doped N- type semiconductor layer 3 is formed on a heavily doped N+ type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

高濃度のＮ＋型の半導体基板２上に、低濃度のＮ−形の半導体層３を形成する。 - 特許庁

To provide high speed logical bus type n-to-n communication and with ease.例文帳に追加

論理的にはバス型のｎ対ｎ通信を高速にしかも簡単に実現する。 - 特許庁

To provide an all light type serial-to-parallel converting circuit in which the degradation of S/N ratios is low.例文帳に追加

S/N劣化の小さい全光型シリアル−パラレル変換回路を提供する。 - 特許庁

As a result, an N-/N+ type laminated substrate is manufactured with a high yield.例文帳に追加

その結果、Ｎ^−／Ｎ^＋型の張り合わせ基板を高歩留まりで作製できる。 - 特許庁

An N-type silicon-gerumanium mixed crystal layer 5 is formed on an N-type silicon substrate 4, and an N-type silicon layer 6 is formed thereon, and furthermore, a P-type silicon diffused layer 7 is formed in the N-type silicon layer 6.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板４の上にＮ型シリコン−ゲルマニウム混晶層５が形成され、Ｎ型シリコン−ゲルマニウム混晶層５の上にＮ型シリコン層６が形成され、さらに、Ｎ型シリコン層６内にＰ型シリコン拡散層７が形成される。 - 特許庁

On the n-type SiC 11, there are sequentially laminated an n-type nitride semiconductor layer 12, an n-type AlGaN layer 13, an InGaN layer 14, a p-type AlGaN layer 15, and a p-type GaN layer 16.例文帳に追加

このｎ型ＳｉＣ１１上に、ｎ型窒化物半導体層１２、ｎ型ＡｌＧａＮ層１３、ＩｎＧａＮ層１４、ｐ型ＡｌＧａＮ層１５とｐ型ＧａＮ層１６を順次積層する。 - 特許庁

Each cell is formed of an n-type GaN layer 21 having uneven surface of mound type inclination having an inclination angle corresponding to each band gap, an n-type InAlGaN layer 22 and a p-type InAlGaN layer 23 formed on an n-type GaN buffer layer 21.例文帳に追加

各セルは、各バンドギャップに対応する傾斜角の山型傾斜の凹凸面を有するｎ型GaN層２１、ｎ型GaNバッファ層２１上に形成されたｎ型InAlGaN層２２及びｐ型InAlGaN層２３よりなる。 - 特許庁

The N type collector layer 10 is composed of an N type collector layer 5 to be relatively hardly depleted, which is partially formed on the N+ type collector contact layer 6, and an N type collector layer 4 to be relatively easily depleted, which is formed entirely on the N type collector layer 5.例文帳に追加

Ｎ型コレクタ層１０は、Ｎ＋型コレクタコンタクト層６上に部分的に形成された比較的に空乏化しにくいＮ型コレクタ層５と、Ｎ型コレクタ層５上に全面的に形成された比較的に空乏化しやすいＮ型コレクタ層４とからなる。 - 特許庁

The method comprises forming an n^--type layer for forming a channel layer 6 in trenches 5, forming an n^+-type layer containing an n^--type impurity at a high concentration on the n^--type layer, and thermo-oxidating the n^+-type layer to form an oxide film 8 forming a gate oxide film.例文帳に追加

トレンチ５内にチャネル層６を構成するためのＮ−型層を形成したのち、このＮ−型層の上にＮ型不純物を高度度で含むＮ＋型層を成膜し、このＮ＋型層を熱酸化することでゲート酸化膜を構成する酸化膜８を形成する。 - 特許庁

An N-type CCD channel region 3 is provided in the P-type well region 2 and divided in a vertical direction by P+-type channel blocking regions 12.例文帳に追加

p型ウェル領域2に、n型CCDチャネル領域3が設けられ、p^+型チャネル阻止領域12で垂直方向に分割されている。 - 特許庁

An n-type barrier layer 12 having a depth of 10 μm or more is provided between an n-type base layer 10 and a p-type base layer 22.例文帳に追加

ｎ型ベース層１０とｐ型ベース層２２との間に、１０μｍ以上の深さを有するｎ型バリア層１２を挿設する。 - 特許庁

Between the n^--type substrate 1 and the p^--type base region 2, an n^+-type carrier accumulation layer 3a or 3b is selectively formed.例文帳に追加

ｎ^−型基板１とｐ^−型ベース領域２の間にｎ^＋型キャリア蓄積層３ａ，３ｂが選択的に形成されている。 - 特許庁

On the surface of an n-type SiC substrate 1, an n-type SiC epitaxial layer 2 and a p-type SiC epitaxial layer 3 are grown.例文帳に追加

ｎ型ＳｉＣ基板１の表面に、ｎ型ＳｉＣエピタキシャル層２およびｐ型ＳｉＣエピタキシャル層３を成長させる。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 3 is formed so that an n++-type drain region 104 and a p+-type well region 105 are disposed apart from each other.例文帳に追加

ｎ形半導体層３は、ｎ^++形ドレイン領域１０４とｐ^+形ウェル領域１０５とが離間して形成される。 - 特許庁

A semiconductor substrate is prepared which is such that an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer are stacked on an n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

Ｎ型の半導体基板上にＮ型の半導体層とＰ型の半導体層が積層した半導体基板を用意する。 - 特許庁

A p-type electrode 3 is formed on the p-type active layer 2a, and an n-electrode 4 is formed on the n-type active layer 2a.例文帳に追加

ｐ型活性層２ａ上にｐ電極３が形成され、ｎ型活性層２ａ上にｎ電極４が形成される。 - 特許庁

An N^+-type diffusion layer 8 is formed in the N^--type semiconductor layer 2 adjacent to the P^--type diffusion layer 5.例文帳に追加

Ｐ−型の拡散層５に隣接したＮ−型の半導体層２の表面にはＮ＋型の拡散層８が形成されている。 - 特許庁

Then, an n--type epitaxial film 22 and a p-type epitaxial film 23 and an n+-type epitaxial film 24 are laminated in the trenches 8 and 9.例文帳に追加

そして、トレンチ８、９内にｎ^-型エピタキシャル膜２２、ｐ型エピタキシャル膜２３、ｎ^+型エピタキシャル膜２４を積層形成する。 - 特許庁

An n+-type semiconductor region 15 of a second MISFET 14 is formed through ion-injecting n-type impurity into a p-type well 3.例文帳に追加

ｐ型ウエル３にｎ型不純物をイオン注入して第２ＭＩＳＦＥＴ１４のｎ^+型半導体領域１５を形成する。 - 特許庁

A heavily doped n type epitaxial layer 2 and a lightly doped n type epitaxial layer 3 are formed sequentially on a p type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１上に、高濃度ｎ型エピタキシャル層２および低濃度ｎ型エピタキシャル層３をこの順に形成した。 - 特許庁

The gate electrode 13a consists of N type sections 131 in both end parts and a P type section 132 of a specified distance between the N type sections 131.例文帳に追加

ゲート電極１３ａは両端部がＮ型部分１３１かつその間の所定距離がＰ型部分１３２となっている。 - 特許庁

Undope GaN of 3 mm having the principal surfaces of (11-20) surfaces are formed on a substrate, then, AlN of 1 nm, n-type Al_0.25Ga_0.75N of 25 nm and n-type GaN of 50 nm are formed thereon.例文帳に追加

基板上に(1 1 -2 0)面を主面とするアンドープのGaNが3mm、その上に、AlNが1nm、ｎ型Ａｌ_0.25Ｇａ_0.75Ｎが25nm、n型GaNが50nm形成されている。 - 特許庁

A reflection layer 25, a p-type first layer 24, an n-type second layer 23, a p-type third layer 22 and an n-type fourth layer 21 are successively formed on a p-type substrate 51.例文帳に追加

ｐ型基板５１上に、反射層２５、ｐ型の第１層２４、ｎ型の第２層２３、ｐ型の第３層２２、ｎ型の第４層２１が順次形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor device, an MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) includes an n-type drift layer 2 formed on an n-type substrate 1 of silicon carbide, and a p-type body layer 3 selectively formed on the n-type drift layer 2.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴは、炭化珪素のｎ型基板１上に形成されたｎ型ドリフト層２と、ｎ型ドリフト層２の上部に選択的に形成されたｐ型ボディ層３とを有する。 - 特許庁