N- typeの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9351件
The objective natural type N-acetyl-D-glucosamine is separated from the mixture of N-acetyl-D-glucosamine and N-acetylchitooligosaccharide resultant from acidic hydrolysis of chitin through a separation membrane.例文帳に追加
キチンを酸加水分解して得られるN−アセチル−D−グルコサミンとN−アセチルキトオリゴ糖の混合物から、分離膜を使用することにより天然型N−アセチル−D−グルコサミンを分離する。 - 特許庁
The n-type semiconductor region 12 is constituted of an n^- semiconductor region 12a, an n buffer region 12b, and an n^+ semiconductor region 12c.例文帳に追加
ｎ型半導体領域１２は、ｎ- 半導体領域１２ａ、ｎバッファ領域１２ｂ、ｎ^+ 半導体領域１２ｃから構成される。 - 特許庁
To provide a back junction type solar cell having fine p-type and n-type regions.例文帳に追加
微細なｐ型領域とｎ型領域とを有する裏面接合型の太陽電池を提供する。 - 特許庁
In this case, an n-type deep region may be interposed between a p-type partition region and a p-type well region.例文帳に追加
また、ｐ仕切り領域とｐウェル領域との間にｎ深部領域を挟んでも良い。 - 特許庁
An n-type clad layer 2, an n-type light containment layer 3, an undoped MQW layer 4, a cap layer 5, a p-type light containment layer 6, a p-type clad layer 7 and a p-type contact layer 8 are sequentially grown on an n-type GaN substrate 1, and LD structure is obtained.例文帳に追加
ｎ型ＧａＮ基板１上にｎ型クラッド層２、ｎ型光閉じ込め層３、アンドープMQW層４、キャップ層５、p型光閉じ込め層６、p型クラッド層７、p型コンタクト層８を順次成長させてLD構造を得た。 - 特許庁
On a sapphire substrate 1, an n-type GaN contact layer 2, an n-type AlInGaN/AlGaN super lattice layer 3, an active layer 4, a p-type AlGaN block layer 8, and a p-type GaN contact layer 5 are formed, and an n-type electrode 7 and a p-type electrode 6 are provided.例文帳に追加
サファイア基板１の上に、ｎ型ＧａＮコンタクト層２、ｎ型のＡｌＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ超格子層３、活性層４、ｐ型ＡｌＧａＮブロック層８、ｐ型ＧａＮコンタクト層５が積層され、ｎ電極７とｐ電極６が設けられている。 - 特許庁
The n-type semiconductor layer 11 includes an n-type GaN clad layer 14 and an n-type InGaN guide layer 15, and the p-type semiconductor layer 12 includes a p-type AlGaN electron block layer 16 and a p-type GaN guide contact layer 17.例文帳に追加
ｎ型半導体層１１はｎ型ＧａＮクラッド層１４およびｎ型ＩｎＧａＮガイド層１５を含み、ｐ型半導体層１２はｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１６およびｐ型ＧａＮガイド・コンタクト層１７を含む。 - 特許庁
In the GaN-based light emitting element, an n-type GaN layer 12, n-type SLS layer 14, light emitting layer 16, p-type SLS layer 17, p-type GaN layer 18, p-type electrode pad 20, n-type electrode pad 22, and transparent electrode 24 are successively formed on a substrate 10.例文帳に追加
基板１０上にｎ型ＧａＮ層１２、ｎ型ＳＬＳ層１４、発光層１６、ｐ型ＳＬＳ層１７、ｐ型ＧａＮ層１８、ｐ型電極パッド２０、ｎ型電極パッド２２、透明電極２４を形成する。 - 特許庁
N-type regions 12, 13 to which an n-type impurity with high concentration is introduced are formed onto an n-type well 10 separated by separation insulating films 11.例文帳に追加
分離用絶縁膜１１で隔てられたＮ型ウェル１０において、さらにＮ型の不純物が高濃度に導入されたＮ型領域１２，１３が形成されている。 - 特許庁
In the n-type DBR layer 12, a plurality of pairs of n-type InP layers 12a (second semiconductor layers) and n-type InGaAsP layers 12b (first semiconductor layers) are alternately laminated.例文帳に追加
ｎ型ＤＢＲ層１２は、ｎ型ＩｎＰ層１２ａ（第２半導体層）とｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層１２ｂ（第１半導体層）を交互に複数ペア積層したものである。 - 特許庁
A portion of the n-type contact layer 21 where the n-type electrode 5 is bonded is formed with a contact portion 21A onto which the n-type electrode 5 is ohmic-bonded.例文帳に追加
ｎ型コンタクト層２１においてｎ型電極５が接合される部分は、このｎ型電極５との間にオーミック接合を形成する接触部２１Ａをなしている。 - 特許庁
The ditch-like opening parts 4 are formed deeply up to the proximity of the boundary between the N+ type drain layer 7 and an N- type epitaxial layer 8, in the interior of the N+ type drain layer 7.例文帳に追加
堀状の開口部４はＮ＋型ドレイン層７の内部の、Ｎ＋型ドレイン層７とＮ−型エピ層８の境界近傍まで、深く形成されている。 - 特許庁
The n type diffusion layer formation composition is applied to a substrate and heat diffusion process is performed thereon to produce an n type diffusion layer and solar cells having the n type diffusion layer.例文帳に追加
このｎ型拡散層形成組成物を塗布し熱拡散処理を施すことで、ｎ型拡散層、及びｎ型拡散層を有する太陽電池セルが製造される。 - 特許庁
An n-type silicon layer 12 is formed on an n^+ type silicon wafer 11w, and a trench 13 extending unidirectionally from the upper face side of the n-type silicon layer 12 is formed.例文帳に追加
ｎ^＋型のシリコンウェーハ１１ｗ上にｎ型シリコン層１２を形成し、ｎ型シリコン層１２の上面側から一方向に延びるトレンチ１３を形成する。 - 特許庁
An n-type InP semiconductor board 201 is overlaid with a lightly doped n-type InGaAs light absorption layer 202 and a lightly doped n-type InP aperture layer 203 in this order.例文帳に追加
ｎ型ＩｎＰ半導体基板２０１上に低濃度ｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層２０２及び低濃度ｎ型ＩｎＰ窓層２０３が順次積層されている。 - 特許庁
An N type substrate 10 that becomes an N type layer 2 as a drift region is prepared (FIG.2(a)) and a trench 11 is formed on a surface side of the N type substrate 10 (FIG.2(b)).例文帳に追加
ドリフト領域としてのＮ型層２となるＮ型基板１０を用意し（図２（ａ））、Ｎ型基板１０の表面側にトレンチ１１を形成する（図２（ｂ））。 - 特許庁
Further, an n-type buffer layer 3 is selectively formed on the lower main surface of a silicon substrate 1, and an n-type cathode area 6 constituted of n-type semiconductor containing n-type impurity in a comparatively high concentration is selectively formed in the surface of the n-type buffer layer 3.例文帳に追加
また、シリコン基板１の下主面表面内には、ｎ型バッファ層３が選択的に形成され、ｎ型バッファ層３の表面内にはｎ型不純物を比較的高濃度に含んだｎ型半導体層で構成されたｎ型カソード領域６が選択的に形成されている。 - 特許庁
At the time of connecting an n-type polycrystalline silicon film(storage node electrode) 12 through an n-type polycrystalline silicon film 15 to an n-type source/drain diffusion layer 23 of an MOS transistor, a WSiN layer 14 is interposed between the n-type polycrystalline silicon film 15 and the n-type source/drain diffusion layer 23.例文帳に追加
ｎ型多結晶シリコン膜（ストレージノード電極）１２をｎ型多結晶シリコン膜１５を介してＭＯＳトランジスタのｎ型ソース／ドレイン拡散層２３に接続させる際に、ｎ型多結晶シリコン膜１５とｎ型ソース／ドレイン拡散層２３との間にＷＳｉＮ層１４を介在させる。 - 特許庁
A semiconductor substrate has n-type impurities selectively injected into an n-type well 13 for forming pMOS as channel doping (n-type impurity injection stage).例文帳に追加
半導体基板において、ｐＭＯＳを形成するためのｎ型ウェル１３へ、チャネルドーピングとして、ｎ型不純物を選択的に注入する（ｎ型不純物注入工程）。 - 特許庁
An n-type etching stop layer 2 is provided on an n-type semiconductor substrate 1, and an n-type stripe-like ridge layer 3 is formed partly in the stop layer 2.例文帳に追加
ｎ形の半導体基板１上にｎ形のエッチングストップ層２が設けられ、そのエッチングストップ層２上の一部にｎ形のストライプ状リッジ層３が形成されている。 - 特許庁
A diode 40 is structured by laminating in the order an n-type silicon carbide layer 14, an n-type silicon layer 16, and a p-type silicon layer 18 on an n+ silicon carbide substrate 12.例文帳に追加
ダイオード４０は、ｎ^+型シリコンカーバイド基板１２上に、ｎ型シリコンカーバイド層１４、ｎ型シリコン層１６、ｐ型シリコン層１８が順に積層された構造をしている。 - 特許庁
An n-type electrode layer is composed of a first n-type electrode layer 11 and a second n-type electrode layer 12, and a degree of the overhang is set so that the n-type region of the second n-type electrode layer 12 is located inside enough for a circumference of an avalanche multiplying layer 13.例文帳に追加
ｎ型電極層を、第１のｎ型電極層１１と第２のｎ型電極層１２とで構成することとし、第２のｎ型電極層１２のｎ型領域が、なだれ増倍層１３の外周に対して充分内側に位置するようにオーバーハングの程度を設定することとした。 - 特許庁
This P-N junction light emitting element is formed by sequentially forming an N-type GaN layer 12, an N-type GaN-based layer 14, and a P-type GaN-based layer 16 on a sapphire substrate 10.例文帳に追加
サファイア基板１０上に順次Ｎ型ＧａＮ層１２、Ｎ型ＧａＮ系層１４、Ｐ型ＧａＮ系層１６を形成し、ＰＮ接合型発光素子を形成する。 - 特許庁
The optical element 7 is an optical element on an n-type substrate.例文帳に追加
光素子７はｎ型基板上の光素子である。 - 特許庁
N-TYPE THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
ｎ型熱電変換材料およびその製造方法 - 特許庁
TOTAL NUMBER COUNTING PROCESSOR FOR 2×n TYPE CONTINGENCY TABLE例文帳に追加
２×ｎ型分割表の総数数え上げ処理装置 - 特許庁
N-TYPE THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL AND THERMOELECTRIC CONVERSION ELEMENT例文帳に追加
ｎ型熱電変換材料および熱電変換素子 - 特許庁
N-TYPE SILICON FOR FORMING INGOT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
インゴット成形用ｎ型シリコンとその製造方法 - 特許庁
The semiconductor substrate 11 is formed of an n-type semiconductor.例文帳に追加
半導体基板１１は、Ｎ型の半導体からなる。 - 特許庁
N-TYPE SEMICONDUCTOR MATERIAL FOR ORGANIC THIN FILM SOLAR CELL例文帳に追加
有機薄膜太陽電池用ｎ型半導体材料 - 特許庁
METHOD FOR MEASURING DIFFUSION LENGTH OF MINORITY CARRIES OF N-TYPE WAFER例文帳に追加
ｎタイプウェーハの少数キャリア拡散長測定法 - 特許庁
N-TYPE THERMOELECTRIC TRANSDUCTION MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
ｎ型熱電変換材料およびその製造方法 - 特許庁
N-TYPE THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
ｎ型熱電変換材料およびその製造方法 - 特許庁
The n-type semiconductor layer includes a nitride semiconductor.例文帳に追加
前記ｎ型半導体層は、窒化物半導体を含む。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING N-TYPE ALUMINUM-NITRIDE AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
ｎ型窒化アルミニウムの製造方法及び半導体素子 - 特許庁
The organic light-emitting layer prevents diffusion of the n-type dopant.例文帳に追加
有機発光層はｎ型ドーパントの拡散を防止する。 - 特許庁
METHOD FOR INJECTING DOPANT AND N-TYPE SILICON SINGLE CRYSTAL例文帳に追加
ドーパントの注入方法及びＮ型シリコン単結晶 - 特許庁
The transistor has n- and p-type embodiments.例文帳に追加
本トランジスタはｎ型及びｐ型実施形態を有する。 - 特許庁
The concentration of the n-type channel forming layer 23 is selected a little higher than the concentration of the n-type conductive region 16 of the PD 18.例文帳に追加
チャネル形成層２３は、ＰＤ１８のｎ型導電領域１６よりも若干高濃度とされている。 - 特許庁
A second trench 8 is formed to be in contact with the n^+-type source region 7, and reach the n^--type drift layer 3.例文帳に追加
第２トレンチ８は、ｎ^+型ソース領域７に接し、ｎ^-型ドリフト層３に達するように設けられている。 - 特許庁
On the surface of well 3, a p-type diffusion layer 6 as well as a source 4 and a drain 5 of the n-type diffusion layer are formed.例文帳に追加
ウエル3の表面には、p型の拡散層6と、n型の拡散層のソース4及びドレイン5とが形成されている。 - 特許庁
The voltage-dividing resistor is arranged so as to be surrounded by an N-type impurity region doped by N-type impurities.例文帳に追加
分圧抵抗は、Ｎ型の不純物がドーピングされたＮ型不純物領域に囲まれるように配置されている。 - 特許庁
In the base region, an N-type emitter/source region 206 is formed separately from the N-type region 202.例文帳に追加
ベース領域内にはＮ型領域２０２と離隔してＮ型のエミッタ／ソース領域２０６が形成されている。 - 特許庁
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