「N- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The epitaxial film 6 contains n type or p type dopants.例文帳に追加

また、エピタキシャル膜６はｎ型又はｐ型ドーパントを含有する。 - 特許庁

A p-type base layer is selectively formed on an n-type active layer, and an n-type source layer is positioned on the p-type base layer.例文帳に追加

ｎ型活性層上に選択的にｐ型ベース層が形成され、そのｐ型ベース層上にｎ型ソース層が位置する。 - 特許庁

Since the concentration of the n-type impurity of an n+-type drift region 18b is higher than that of the n-type impurity of n-type drift regions 18a, 12a, and 12b, the resistance of the n+-type drift region 18b is lower than that of the regions.例文帳に追加

ｎ^+型ドリフト領域１８ｂのｎ型不純物濃度は、ｎ型ドリフト領域１８ａ、１２ａ、１２ｂのｎ型不純物濃度より高いので、ｎ^+型ドリフト領域１８ｂの抵抗は、これらの領域の抵抗より低い。 - 特許庁

After an n-type semiconductor region 8A is formed by introducing an n-type impurity ion, an n-type semiconductor region 8B is formed by introducing an n-type impurity ion at a region that is adjacent to the n-type semiconductor region 8A.例文帳に追加

ｎ型の不純物イオンの導入によりｎ型半導体領域８Ａを形成した後、ｎ型半導体領域８Ａと隣接する領域にｎ型の不純物イオンの導入によりｎ型半導体領域８Ｂを形成する。 - 特許庁

In this hetero-junction bipolar transistor, an n+-type AlGaAs emitter layer 5, a p+-type GaAs base layer 6, an n-type GaAs collector layer 7, an n+-type GaAs collector cap layer 8, and a collector electrode 11 made of an alloy of AuGe and Ni sequentially formed on an n+-type GaAs substrate 1.例文帳に追加

本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタは、n^+型GaAs基板１上にｎ^+型AlGaAsエミッタ層５、ｐ^+型GaAsベース層６、ｎ型GaAsコレクタ層７、ｎ^^+型GaAsコレクタキャップ層８、AuGeとNiの合金から成るコレクタ電極１１を順次形成している。 - 特許庁

The GaP light emitting device 1 has a structure of laminating an n-type GaP buffer layer 11, an n-type GaP layer 12, an N dope n-type GaP layer 13, and a p-type GaP layer 14 on an n-type GaP mono-crystal substrate 10.例文帳に追加

ＧａＰ発光素子１は、ｎ型ＧａＰ単結晶基板１０上に、ｎ型ＧａＰバッファ層１１、ｎ型ＧａＰ層１２、Ｎドープｎ型ＧａＰ層１３、ｐ型ＧａＰ層１４が積層された構造を有する。 - 特許庁

On an n-type semiconductor substrate, an n-type clad layer, an active layer, and a p-type clad layer are sequentially laminated.例文帳に追加

ｎ型半導体基板上に、ｎ型クラッド層、活性層、及びｐ型クラッド層が順次積層されている。 - 特許庁

In an n-type semiconductor substrate 2, p-type regions 3a and 3b and n-type regions 4a and 4b are formed.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板２には、Ｐ型領域３ａ，３ｂおよび、Ｎ型領域４ａ，４ｂが設けられている。 - 特許庁

A first n-type conductive region 2 and a second n-type conductive region 3 are formed on a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１に第１Ｎ型導電領域２、第２Ｎ型導電領域３を形成する。 - 特許庁

Then, n type impurity and p type impurity are selectively injected into the upper face of the n^- type buffer layer.例文帳に追加

次に、ｎ^−型バッファー層の上面にｎ型不純物及びｐ型不純物を選択的に注入する。 - 特許庁

Thus, the n-type impurity region is formed, which is constituted by putting a high concentration n-type impurity region 211 into which the n-type first impurities and the n-type second impurities are introduced into a state adjacent to the lightly-doped n-type impurity region 212 into which only the n-type second impurities are introduced.例文帳に追加

これにより、ｎ型第１不純物とｎ型第２不純物とを導入した高濃度ｎ型不純物領域２１１と、ｎ型第２不純物のみを導入した低濃度ｎ型不純物領域２１２とが隣接してなるｎ型不純物領域を形成する。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor light emitting element includes a crack preventive layer 15 made of an n-type GaN having a lower dopant concentration than an n-type contact layer 4A between the n-type contact layer 4A made of the n-type GaN of the element obtained by laminating a group III nitride semiconductor and an n-type clad layer 5A made of an n type AlGaN.例文帳に追加

３族窒化物半導体を積層してなる発光素子のｎ型ＧａＮからなるｎ型コンタクト層４Ａとｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層５Ａとの間に、ｎ型コンタクト層４Ａよりもドーパント濃度が低いｎ型ＧａＮからなるクラック防止層１５を設ける。 - 特許庁

An N+ diffused layer 22, which is to be a drain, is covered with an N-type well 52, while an N+ diffused layer 23 which is to be a source is covered with an N-type well 2.例文帳に追加

ドレインとなるＮ＋拡散層２２をＮ型ウェル５２で覆うとともに、ソースとなるＮ＋拡散層２３をＮ型ウェル２で覆う。 - 特許庁

The contact areas 210, 211 are an n+ type GaN layer which is formed by implanting an n type impurity into the semiconductor layer 203 through an ion implantation method.例文帳に追加

コンタクト領域２１０,２１１は、半導体層２０３にn型不純物をイオン注入法により注入して形成したn+型GaN層である。 - 特許庁

To provide layer structures used in n-channel and p-type channel transistors.例文帳に追加

nチャネルおよびp型チャネルトランジスタに用いられる層構造を提供する。 - 特許庁

The n-side electrode 14 is connected to the n-type surface 20an.例文帳に追加

ｎ側電極１４は、ｎ型表面２０ａｎに接続されている。 - 特許庁

The N gauge model train, MOBO Type 101 'Randen,' is sold by the Hasegawa Corporation. 例文帳に追加

ハセガワよりモボ101形「嵐電」のNゲージ鉄道模型が発売されている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A deep N well 12 of n-type silicon is formed beneath the P well.例文帳に追加

Ｐウェルの下に、ｎ型シリコンの深いＮ型ウェル１２を形成する。 - 特許庁

The n-side electrode contacts a part of the n-type semiconductor layer on the opposite side to the light-emitting layer of the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｎ側電極は、ｎ型半導体層の発光層とは反対側でｎ型半導体層の一部に接する。 - 特許庁

Next, a first N well 9 and second N wells 11 are formed on the N-type embedded region 5.例文帳に追加

次に、Ｎ型埋め込み領域５上に第１Ｎウェル９、第２Ｎウェル１１を形成する。 - 特許庁

An n-type buffer layer, an n-type first clad layer, an active layer, a p-type first second clad layer, a p-type etch stop layer, a p-type second second clad layer, and a p-type contact layer are laminated on an n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型半導体基板上にｎ型バッファ層，ｎ型第１クラッド層，活性層，ｐ型の第１の第２クラッド層，ｐ型エッチストップ層，ｐ型の第２の第２クラッド層，ｐ型コンタクト層が積層されている。 - 特許庁

An n-type buffer layer, an n-type first clad layer, an active layer, a p-type first second-clad layer, a p-type etch stop layer, a p-type second second-clad layer, and a p-type contact layer, are laminated on an n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型半導体基板上にｎ型バッファ層，ｎ型第１クラッド層，活性層，ｐ型の第１の第２クラッド層，ｐ型エッチストップ層，ｐ型の第２の第２クラッド層，ｐ型コンタクト層が積層されている。 - 特許庁

On a back surface of an n-type GaAs substrate 1, an n-type electrode Au-Ge layer and an n-type electrode Ni layer are sequentially deposited by a sputtering method.例文帳に追加

Ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面に、Ｎ型電極Ａｕ−Ｇｅ層とＮ型電極Ｎｉ層とをスパッタにより順次蒸着する。 - 特許庁

The first semiconductor layer 20 is equipped with an N-type contact layer 21, an N-type clad layer 22, and an N-type guide layer 23 successively laminated on a board 10 side.例文帳に追加

第１の半導体層２０は、基板１０の側から順に、ｎ型コンタクト層２１，ｎ型クラッド層２２，ｎ型ガイド層２３を有している。 - 特許庁

The n-type doping method for carbon nanotube is carried out by n-type-doping the carbon nanotubes using the n-type doping material for carbon nanotubes.例文帳に追加

また、本発明のカーボンナノチューブのｎ型ドーピング方法は、前記カーボンナノチューブ用ｎ型ドーピング物質を用いて、カーボンナノチューブにｎ型ドーピングする。 - 特許庁

N-TYPE DOPING MATERIAL FOR CARBON NANOTUBE AND N-TYPE DOPING METHOD OF CARBON NANOTUBE USING THE SAME例文帳に追加

カーボンナノチューブ用ｎ型ドーピング物質およびこれを用いたカーボンナノチューブのｎ型ドーピング方法 - 特許庁

An n-type drain region 130 is electrically connected to an n-type collector region 230.例文帳に追加

ｎ型ドレイン領域１３０と、ｎ型コレクタ領域２３０とは、電気的に接続されている。 - 特許庁

METHOD FOR SYNTHESIZING n-TYPE SEMICONDUCTOR DIAMOND THIN FILM例文帳に追加

ｎ型半導体ダイヤモンド薄膜の合成法 - 特許庁

An n-type InGaAs layer 34 is provided on the first surface of the n-type InP substrate 32.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板３２の表面上にｎ型ＩｎＧａＡｓ層３４が設けられている。 - 特許庁

An n-type semiconductor 22 is formed on the surface of an n-type silicon substrate 21, and a mask oxide film is formed on the surface of the n-type semiconductor 22.例文帳に追加

ｎ型シリコン基板２１の表面にｎ型半導体２２を形成し、ｎ型半導体２２の表面にマスク酸化膜を形成する。 - 特許庁

On an N+ type collector contact layer 6, an N type collector layer 10 is partially formed.例文帳に追加

Ｎ＋型コレクタコンタクト層６上には、Ｎ型コレクタ層１０が部分的に形成されている。 - 特許庁

For example, an n-type epitaxial layer 12 is grown on the surface of an n-type Si substrate 11.例文帳に追加

たとえば、ｎ型Ｓｉ基板１１の表面に、ｎ型エピタキシャル層１２を成長させる。 - 特許庁

A depletion layer formed between the N--type layer 5 and the body region 9 extends to the N--type layer 5.例文帳に追加

Ｎ^-層５とＰボディ領域９との間に形成される空乏層はＮ^-層５側に延びる。 - 特許庁

Two n-type transfer transistors and two n-type drive transistors are formed in the p well 12.例文帳に追加

ｐウェル１２には、二つのｎ型転送トランジスタ、二つのｎ型駆動トランジスタが形成されている。 - 特許庁

An n-type drain region 130 and an n-type collector region 230 are connected electrically.例文帳に追加

ｎ型ドレイン領域１３０と、ｎ型コレクタ領域２３０とは、電気的に接続されている。 - 特許庁

As a result, the base electrode and the n-type emitter layer are formed away from the base electrode and the n-type emitter layer, and the base electrode and the n-type emitter layer do not come in contact with each other.例文帳に追加

その結果、ベース電極とｎ型エミッタ層とは離れて形成され、ベース電極とｎ型エミッタ層との接触は起こらない。 - 特許庁

Then, as you would normally type make, you would type make -jN(where N is an integer). 例文帳に追加

） そして、通常makeと入力するのと同様に、make-jN(Nは整数)と入力することになります。 - Gentoo Linux

On a surface of the n-type semiconductor substrate 13, a collector n^+ type region 16 and an emitter n^+ type region 17 are formed apart each other.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１３の表面部には、コレクタｎ^+ 型領域１６とエミッタｎ^+ 型領域１７が互いに離れて形成されている。 - 特許庁

An n-type silicon layer 12 is formed on an n^+ type silicon wafer 11w, and a plurality of trenches 13 are formed in the n-type silicon layer 12.例文帳に追加

ｎ^＋型のシリコンウェーハ１１ｗ上にｎ型シリコン層１２を形成し、ｎ型シリコン層１２に複数本のトレンチ１３を形成する。 - 特許庁

COMPOSITE OXIDE HAVING N-TYPE THERMOELECTRIC CHARACTERISTIC例文帳に追加

ｎ型熱電特性を有する複合酸化物 - 特許庁

A low-concentration N-type epitaxial layer 11 is stacked on a high-concentration N-type semiconductor substrate 10.例文帳に追加

高濃度Ｎ型半導体基板１０の上に、低濃度Ｎ型エピタキシャル層１１を積層する。 - 特許庁

Ge-DOPED N-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

Ｇｅドープｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体 - 特許庁

To obtain n-type aluminum-nitride through ion implantation.例文帳に追加

イオン注入によりｎ型窒化アルミニウムを得る。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer 102 is formed on the upper of an n^+-type semiconductor substrate 101.例文帳に追加

Ｎ^+ 型半導体基板１０１の上面にＮ型半導体層１０２が形成されている。 - 特許庁

A second n-type semiconductor region 22 is formed on one main surface of an n^+-type semiconductor substrate 52.例文帳に追加

Ｎ^＋半導体基板５２の一方の主面に、第２Ｎ型半導体領域２２を形成する。 - 特許庁