「N- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

N type regions 61-66 are formed in the same column on a P type substrate 60.例文帳に追加

Ｐ型基板６０上にＮ型領域６１〜６６が同一行に形成されている。 - 特許庁

The charge generated in the P-type diffusion region 38 is absorbed in the N-type region 60.例文帳に追加

Ｐ型拡散領域３８で発生した電荷がＮ型領域６０に吸い込まれる。 - 特許庁

A group III nitride light emitting layer is disposed between an n-type region and a p-type region.例文帳に追加

ＩＩＩ族発光層は、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置される。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 12 is formed on the surface of the n-type low-concentration layer 11.例文帳に追加

Ｎ型低濃度層１１の表面にはＰ型拡散層１２が形成されている。 - 特許庁

A deep N-type well 310 is provided in a P-type substrate 100 under the second part.例文帳に追加

ディープＮ型ウェル３１０は、第二部分の下、Ｐ型基板１００の中で設けられる。 - 特許庁

A p-type channel layer 103 is formed on the upper of the n-type semiconductor layer 102.例文帳に追加

Ｎ型半導体層１０２の上面にＰ型チャネル層１０３が形成されている。 - 特許庁

The light-emitting layer is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

発光層は、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられる。 - 特許庁

Thereafter, a p-type semiconductor layer 2003 is formed on the n-type semiconductor layer 2004.例文帳に追加

次いで、ｎ型半導体層２００４上にｐ型半導体層２００３を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n-type MIS transistor and a p-type MIS transistor.例文帳に追加

半導体装置は、ｎ型ＭＩＳトランジスタ及びｐ型ＭＩＳトランジスタとを備えている。 - 特許庁

A semiconductor device includes the n-type MIS transistor and the p-type MIS transistor.例文帳に追加

半導体装置は、ｎ型ＭＩＳトランジスタとｐ型ＭＩＳトランジスタとを備えている。 - 特許庁

On a P-type semiconductor substrate 1, a multi-layered N-type epitaxial layer 3 etc., is formed.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上に多層からなるＮ型エピタキシャル層３等を形成する。 - 特許庁

An n-type epitaxial layer 2 is formed on the surface of a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１の表面にＮ型のエピタキシャル層２が形成されている。 - 特許庁

An n-type epitaxial layer 8 is formed on a p-type single crystal silicon substrate 6.例文帳に追加

Ｐ型の単結晶シリコン基板６上にＮ型のエピタキシャル層８が形成されている。 - 特許庁

An n^--type semiconductor layer 2 is formed on a p^--type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｐ^-型の半導体基板１上にはｎ^-型の半導体層２が形成されている。 - 特許庁

The first principal surface 20a includes an n-type surface 20an and a p-type surface 20ap.例文帳に追加

第１の主面２０ａは、ｎ型表面２０ａｎ及びｐ型表面２０ａｐを含む。 - 特許庁

An N^+ type source layer 26 is formed in the inner region of the P type well 23.例文帳に追加

Ｐ型ウエル２３の内方の領域にはＮ^+型ソース層２６が形成されている。 - 特許庁

An n^+-type region 24 is formed at the surface-layer section of the p^--type region 23.例文帳に追加

また、Ｐ^−型領域２３の表層部には、Ｎ^＋型領域２４が形成されている。 - 特許庁

In the manufacturing method of a semiconductor laser, there are formed by an MOCVD method successively on an n-type substrate 101 an n-type buffer layer 102, an n-type clad layer 103, an active layer 104, a first p-type clad layer 105, a p-type etching stop layer 106, and a second p-type clad layer 107.例文帳に追加

ｎ型基板１０１上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型バッファ層１０２、ｎ型クラッド層１０３、活性層１０４、ｐ型第１クラッド層１０５、ｐ型エッチングストップ層１０６、およびｐ型第２クラッド層１０７を、順次形成する。 - 特許庁

The n-type layer 3 comprises, for example, a p-type dopant, such as Mg as well as an n-type dopant like Si, while the p-type layer 5 comprises, for example, an n-type dopant such as Si as well as p-type dopant such as Mg.例文帳に追加

このｎ形層３が、たとえばＳｉのようなｎ形ドーパントだけでなく、たとえばＭｇのようなｐ形ドーパントを含有しており、また、ｐ形層５も、たとえばＭｇのようなｐ形ドーパントだけでなく、たとえばＳｉのようなｎ形ドーパントを含有している。 - 特許庁

This element has a configuration in which a p-type electrode 8 is formed on the p-type layer 7 and an n-type electrode 9 is formed on the surface of a second n-type layer 4 exposed by removing a part of a multilayer structure from the p-type layer 7 to the second n-type layer 4.例文帳に追加

ｐ型層７の上にはｐ型電極８が形成され、ｐ型層７から第２のｎ型層４までの多層構造の一部が除去されて露出された第２のｎ型層４の表面にｎ型電極９が形成された構成となっている。 - 特許庁

A semiconductor laser device 50 is equipped with a laminated structure composed of an N-type buffer layer 52, an N-type clad layer 53, an active layer 54, a P-type clad layer 55, a P-type intermediate layer 56, and a P-type cap layer 57 which are successively and epitaxially grown on an N-type substrate 51.例文帳に追加

本半導体レーザ素子５０は、ｎ型基板５１上に、順次、エピタキシャル成長させた、ｎ型バッファ層５２、ｎ型クラッド層５３、活性層５４、ｐ型クラッド層５５、ｐ型中間層５６、及びｐ型ｓキャップ層５７の積層構造を備える。 - 特許庁

The light control layer 22 compensates a difference between the reflection index of an n-type clad layer consisting of the first n-type clad layer 21 and the second n-type clad layer 23 and the reflection index of a p-type clad layer consisting of a first p-type clad layer 25 and a second p-type clad layer 26.例文帳に追加

光コントロール層２２によって、第１ｎ型クラッド層２１と第２ｎ型クラッド層２３からなるｎ型クラッド層の屈折率と、第１ｐ型クラッド層２５と第２ｐ型クラッド層２６からなるｐ型クラッド層の屈折率との差が補償される。 - 特許庁

A diffusion layer of memory cell and the selective gate transistor is n-type.例文帳に追加

メモリセル及び選択ゲートトランジスタの拡散層は、ｎ型である。 - 特許庁

The light-emitting layer is provided on the n-type layer.例文帳に追加

前記発光層は、前記ｎ形層の上に設けられている。 - 特許庁

Trenches 3 are formed on both the sides of the N+ type source layer 4.例文帳に追加

Ｎ＋型ソース層４の両側にトレンチ３を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING N-TYPE CONDUCTIVE LAYER IN ZINC OXIDE SURFACE LAYER例文帳に追加

酸化亜鉛表層にｎ型伝導層を形成する方法 - 特許庁

DIAGNOSTIC METHOD FOR PANCREATIC CANCER BY USE OF N-BONDING TYPE SACCHARIDE CHAIN例文帳に追加

Ｎ結合型糖鎖を利用した膵臓癌の診断方法 - 特許庁

The light-emitting layer 15 is formed on the n-type cladding layer 12.例文帳に追加

発光層１５は、ｐ型クラッド層１２上に形成される。 - 特許庁

N-TYPE CARBON SEMICONDUCTOR FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME例文帳に追加

ｎ型カーボン半導体膜およびそれを用いた半導体素子 - 特許庁

Consequently, the N type region of high electron concentration is etched.例文帳に追加

その結果、電子濃度が高いＮ型領域がエッチングされる。 - 特許庁

The electrode is connected to the n-type semiconductor region.例文帳に追加

前記電極は、前記ｎ形半導体領域に接続される。 - 特許庁

On the n-type cathode layer 1, a cathode electrode 4 is formed.例文帳に追加

ｎカソード層１上にはカソード電極４が形成される。 - 特許庁

PHASE SYNCHRONIZATION LOOP TYPE FREQUENCY SYNTHESIZER OF FRACTIONAL-N METHOD例文帳に追加

フラクショナル−Ｎ方式の位相同期ループ形周波数シンセサイザ - 特許庁

O-BOUND-TYPE N-ACETYLGLUCOSAMINE TRANSFERASE AND GENE ENCODING THE SAME例文帳に追加

Ｏ−結合型Ｎ−アセチルグルコサミン転移酵素及びその遺伝子 - 特許庁

A plurality of channels are formed on a single n+-type source region.例文帳に追加

単一のｎ+ソース領域に対し複数のチャネルを形成する。 - 特許庁

Impurity concentration of the n^--type impurity diffusing region 21 is lower than that of the n^+-type impurity diffusing layer 22.例文帳に追加

Ｎ^−型不純物拡散領域２１の不純物濃度はＮ^＋型不純物拡散層２２の不純物濃度よりも低い。 - 特許庁

This n-type diffusing layer 6 is formed by diffusing an n-type impurity to a part of the silicon film 5 having a partly projected cross-section.例文帳に追加

このｎ型拡散層６は断面凸状のシリコン膜５の一部にｎ型不純物を拡散させて形成したものである。 - 特許庁

Besides, N channel type transistors 8 and 9 are provided for relaxing the voltages with which the N channel type transistors 5-7 are applied.例文帳に追加

また、Ｎチャネル型トランジスタ５〜７に印加される電圧を緩和するためにＮチャネル型トランジスタ８、９が設けられている。 - 特許庁

A differential amplifier circuit 10 is provided with an N type transistor 16 and an N type transistor 18 and operated by an input voltage VIN1.例文帳に追加

差動増幅回路１０は、Ｎ型トランジスタ１６とＮ型トランジスタ１８とを含み、入力電圧Ｖ_IN1により動作する。 - 特許庁

A first film 203 is formed on a region where a lightly-doped n-type impurity region of an n-type impurity region is formed.例文帳に追加

ｎ型不純物領域の低濃度ｎ型不純物領域を形成する領域上に第１膜２０３を形成する。 - 特許庁

In predetermined regions of the N^- semiconductor layers 2, N-type impurity regions 5 and P-type impurity regions 4 are formed.例文帳に追加

Ｎ^-半導体層２の所定の領域では、Ｎ型不純物領域５とＰ型不純物領域４が形成されている。 - 特許庁

The n-type diffusion layer 6 is formed by dispersing n-type impurities in a part of the silicon film 5 whose cross section has protruded contour.例文帳に追加

このｎ型拡散層６は断面凸状のシリコン膜５の一部にｎ型不純物を拡散させて形成したものである。 - 特許庁

The junction interface between the n+ type buffer region 13 and the n- type base region 14 is formed to have unevenness.例文帳に追加

ｎ＋型バッファ領域１３とｎ−型ベース領域１４との接合界面は凹凸を有するように形成されている。 - 特許庁

Band gap wavelength of the n-type InP layer 12a is larger than wavelength λof incident light, and the n-type InP layer 12a does not absorb the incident light.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ層１２ａは、バンドギャップ波長が入射光の波長λより大きく、入射光を吸収しない。 - 特許庁

The N and P ground layer regions formed in the SOI layer are doped with N-type and P-type dopants to a high concentration level.例文帳に追加

ＳＯＩ層で形成されたＮおよびＰグラウンド層領域に高濃度レベルのＮ型およびＰ型ドーパントをドープする。 - 特許庁