「N- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD AND SYSTEM FOR SYSTEM SWITCHING OF N+M WAITING TYPE REDUNDANT SYSTEM例文帳に追加

Ｎ＋Ｍ待機式冗長システムの系切換え方法およびシステム - 特許庁

Thus, an n--type region 11 is formed also in the trench 9.例文帳に追加

これにより、トレンチ９内にもｎ^-型領域１１が形成される。 - 特許庁

An n-type impurity is implanted in the NMOS region (Figure 1 (A)).例文帳に追加

ＮＭＯＳ領域にＮ型不純物を注入する（図１（Ａ））。 - 特許庁

The N pieces of secret information are encrypted by lamp-type threshold encryption.例文帳に追加

Ｎ個の秘密情報をランプ型閾値暗号により暗号化する。 - 特許庁

The protecting film 8 prevents the n-type buffer layer 7 from generating the flaws.例文帳に追加

保護膜８によりｎ型バッファ層７に付くキズを防止する。 - 特許庁

The metal layer 202 is disposed in contact with the n-type semiconductor layer 201.例文帳に追加

金属層２０２はｎ型半導体層２０１に接している。 - 特許庁

The N-type epitaxial layer 11 is disposed in the emitter aperture 19.例文帳に追加

エミッタ開口部１９にはＮ型エピタキシャル層１１が設けられる。 - 特許庁

First, an active layer 3 is formed on an n-type InP substrate 1.例文帳に追加

まず、ｎ型ＩｎＰ基板１上に、活性層３を形成する。 - 特許庁

FORMATION METHOD FOR OHMIC ELECTRODE OF N-TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｎ型化合物半導体におけるオーム性電極の形成方法 - 特許庁

Then, a polysilicon film 9 containing N-type impurities is deposited thereon.例文帳に追加

次に、Ｎ型不純物を含有したポリシリコン膜９を堆積する。 - 特許庁

Two p-type load transistors are formed in the n well 14.例文帳に追加

ｎウェル１４には、二つのｐ型負荷トランジスタが形成されている。 - 特許庁

In this manufacturing method, the high-concentration n type impurity region is prepared under the channel layer.例文帳に追加

チャネル層下方に、高濃度のｎ型不純物層を設ける。 - 特許庁

N-TYPE CARBON NANOTUBE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｎ型炭素ナノチューブ電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

The wiring L1, L2 are connected to the N-type diffused layer 4.例文帳に追加

そのＮ型拡散層４に配線Ｌ１，Ｌ２が接続されている。 - 特許庁

A semiconductor device 101 has an N-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体装置１０１はＮ型の半導体基板１を備える。 - 特許庁

N-TYPE SCHOTTKY BARRIER TUNNEL TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING THE SAME例文帳に追加

ｎ型ショットキー障壁貫通トランジスタ素子及びその製造方法 - 特許庁

A microprocessor determines a type of the image from the N-bin luminance histogram.例文帳に追加

マイクロプロセッサは、Ｎビン輝度ヒストグラムからイメージのタイプを決定する。 - 特許庁

LECTIN BINDING TO N-BINDING TYPE ONE-THREE SIDE CHAIN SUGAR CHAIN例文帳に追加

Ｎ−結合型の１〜３本側鎖糖鎖に結合するレクチン - 特許庁

n-TYPE ELECTRODE FOR III NITRIDE-SYSTEM COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子用のｎ型電極 - 特許庁

However, at the point of time, the N type transistors 63, 64 are not turned on.例文帳に追加

しかし、この時点では、前記Ｎ型トランジスタ63、64はＯＮしない。 - 特許庁

An N-type source leadout region is formed on the extending region 122.例文帳に追加

延在領域１２２に、Ｎ型のソース引出領域が形成される。 - 特許庁

An n-type well region 12 is formed on the surface of a substrate 10.例文帳に追加

基板１０の表面にＮ型ウエル領域１２を形成する。 - 特許庁

The N-type well regions 21, 22 are formed mutually separated.例文帳に追加

Ｎ型ウエル領域２１，２２は互いに分離して形成されている。 - 特許庁

The n-type GaN layer 15 in a hexagonal pyramid shape is selectively grown on the n-type GaN layer 12 at the opening part of the growth mask.例文帳に追加

成長マスクの開口部におけるｎ型ＧａＮ層１２上に六角錐形状のｎ型ＧａＮ層１５を選択成長させる。 - 特許庁

A bypass capacitor C1 is formed by a P-N junction between an N-type well region 2e and a P-type substrate 2, on the side of an analog circuit block 20.例文帳に追加

アナログ回路ブロック２０側では、Ｎウェル領域２ｅとＰ基板２との間のＰＮ接合によりバイパスコンデンサＣ１を形成する。 - 特許庁

The drain region (20) has an n-type low-doped region (42), an n^+-region (44), and a p-type drain halo region (50).例文帳に追加

ドレイン領域（２０）は、ｎ型の低濃度ドープ領域４２と、ｎ^＋領域４４と、ｐ型ドレインｈａｌｏ領域（５０）とを有する。 - 特許庁

On the rear surface of an n-type β-Ga_2O_3 substrate 2, an n-type electrode 20 comprising at least a Ti layer is formed by a PLD method.例文帳に追加

ｎ型β−Ｇａ_２Ｏ_３基板２の下面に、ＰＬＤ法により少なくともＴｉ層からなるｎ型電極２０を形成する。 - 特許庁

To provide a composition for an n-type thermoelectric element acquiring an n-type thermoelectric element of which electric conductivity in a low temperature region is good.例文帳に追加

低温域における電気伝導性が良好なｎ型熱電素子を得ることができるｎ型熱電素子用組成物を提供する。 - 特許庁

An n^+ type semiconductor region 18 is formed in a part of the n^- type semiconductor layer 14 above the thick film dielectric layer 38.例文帳に追加

厚膜誘電体層３８の上方においてｎ^−型半導体層１４の一部にｎ^＋型半導体領域１８を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n-type impurity area 26 constituting a collector area, in a prescribed depth from a surface of an n-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｎ型の半導体基板１の表面から所定の深さに、コレクタ領域を構成するｎ型の不純物領域２６を備える。 - 特許庁

An n-type electrode 13, wherein Ti, Al, Ni and Au are sequentially laminated, is formed on the exposed part of the n-type contact layer 2.例文帳に追加

ｎ型コンタクト層２の露出部分にはＴｉ、Ａｌ、Ｎｉ及びＡｕが順次積層されたｎ型電極１３が形成されている。 - 特許庁

The n-type thermoelectric element layer is a thin film layer and turned to an n-type semiconductor by adding Se to Bi-Te.例文帳に追加

一方、ｎ型熱電素子層は薄膜層であり、Ｂｉ−ＴｅにＳｅを添加することによりｎ型半導体としたものである。 - 特許庁

The photonic crystal layer 7 is stacked on the n-type buffer layer 3 and the n-type guide layer 5, and is independent of the quantum cascade active layer 4.例文帳に追加

フォトニック結晶層７は、ｎ型バッファ層３およびｎ型ガイド層５と積層され、量子カスケード活性層４と独立している。 - 特許庁

In a laser element part 10A, a light control layer 22 is formed between a first n-type clad layer 21 and a second n-type clad layer 23.例文帳に追加

レーザ素子部１０Ａでは第１ｎ型クラッド層２１と第２ｎ型クラッド層２３との間に光コントロール層２２が形成されている。 - 特許庁

An n type ZnO-based compound semiconductor layer doped with n type impurity is grown on a substrate in the direction of positive c axis.例文帳に追加

基板上に、ｎ型不純物をドープしたｎ型ＺｎＯ系化合物半導体層を＋ｃ軸方向へ結晶成長させる。 - 特許庁

An N-type semiconductor 2 and a P-type semiconductor 3 are laminated on a substrate 1 made of a compound semiconductor to form a P-N junction 4.例文帳に追加

化合物半導体から成る基板１にＮ形半導体２、Ｐ形半導体３を積層してＰＮ接合部４を形成する。 - 特許庁

The readout gate 31, the gate insulation film 32, the n-type layer 22 and the n-type region 40 form a MOS transistor structure.例文帳に追加

読み出しゲート３１、ゲート絶縁膜３２、Ｎ型層２２およびＮ型領域４０によってＭＯＳトランジスタ構造が形成されている。 - 特許庁

The cathodes (N-type layers) 31 of the thyristors are connected to clock lines ϕ1, ϕ2 at every one element through the N-type DBR layer 26.例文帳に追加

また、サイリスタのカソード（ｎ型層）３１は、ｎ型ＤＢＲ層２６を介して、１素子おきにクロックラインφ１，φ２に接続されている。 - 特許庁

Next, the other main surface of the n-type semiconductor substrate 51 and a second n-type semiconductor region 22 are superposed, and fixed by the heat treatment.例文帳に追加

次に、Ｎ型半導体基板５１の他方の主面と、第２Ｎ型半導体領域２２とを重ね、熱処理によって固着させる。 - 特許庁

The semiconductor laminate 100 comprises an n-type contact layer 104 consisting of an n-type AlGaN contacted with the transparent electrode 102.例文帳に追加

半導体積層体１００は、透明電極１０２と接するｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型コンタクト層１０４を含んでいる。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 100, a first N-type conductive region 2 and second N-type conductive regions 11, 12, 13, 14, 15, and 16 are formed.例文帳に追加

半導体基板１００に第１Ｎ型導電領域２、第２Ｎ型導電領域１１，１２，１３，１４，１５，１６を形成する。 - 特許庁

Then an n^+-type semiconductor region 15 is formed in the substrate 11 by introducing an n-type impurity into the substrate 11 from the other main surface SB of the substrate 11.例文帳に追加

半導体１１の他方の主面ＳＢからＮ型不純物を導入し、Ｎ^＋型半導体領域１５を形成する。 - 特許庁

A level difference is generated even on a surface of an N-type epitaxial layer 4 owing to a silicon level difference formed during formation of an N+ type buried layer 2.例文帳に追加

Ｎ＋型埋め込み層２形成時に生じたシリコン段差に起因してＮ型エピタキシャル層４の表面にも段差が生じる。 - 特許庁

The hydrogenated block copolymer is preferably of (A-B)n-A type (wherein (n) is an integer of 1-10) or (A-B)m type (wherein (m) is an integer of 2-10).例文帳に追加

（ハ）は、（Ａ−Ｂ）ｎ−Ａ型（ｎは１〜１０の整数）または（Ａ−Ｂ）ｍ型（ｍは２〜１０の整数）であることが好ましい。 - 特許庁

A hydraulic pressure selective supply means 7 selects the N/C type or the N/O type to use the solenoid valve 1.例文帳に追加

また、油圧切替供給手段７により、ソレノイドバルブ１をＮ／ＣタイプまたはＮ／Ｏタイプの一方に切り替えて用いることができる。 - 特許庁