「Ni source」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The above diffraction peak strength is determined under the following conditions: X-ray source is Cuk α; tube bulb voltage is 40 kV; tube bulb current is 20 mA; filter is Ni-filter; divergent slit is 1°, scattering slit is 1°; and light receiving slit is 0.3 mm.例文帳に追加

但し、上記の回折ピーク強度とは、ＣｕＫαをＸ線源、管球電圧を４０ｋＶ、管球電流を２０ｍＡとし、Ｎｉフィルターを用い、発散スリットに１°、散乱スリットに１°、受光スリットに０．３ｍｍを使用した場合のピーク強度をいう。 - 特許庁

When a disconnection occurs on the communication path of these nodes, a relay header is added to a transmission packet and a communication route between the source node Ri and a final target node Nio is secured by reflected waves from the wall or ceiling of a room or the repetition of the node Ni.例文帳に追加

これらの通信路で遮断が発生した場合、送信パケットに中継ヘッダーを付加して、部屋の壁や天井などからの反射波またはノードＮｉの中継によってソースノードＲｉと最終目的ノードＮｉｏとの間の通信経路を確保する。 - 特許庁

A carbon source and a mixture catalyst are used, wherein the mixture catalyst includes at least one element selected from a group A including Fe, Co and Ni, and at least one supporting element selected from a group B including lanthanoid elements.例文帳に追加

カーボン源と混合触媒とを用いることとし、この混合触媒を、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉを含むグループＡから少なくとも１種選ばれた元素と、ランタノイド元素を含むグループＡから少なくとも１種選ばれた補助元素とを含有するように構成する。 - 特許庁

This semiconductor device has a film whose main component being silicon, and an aluminum alloy film directly connected with a film whose main component being silicon, e.g., an ohmic low resistance Si film 8 and containing at least Al, Ni, and N near the connection interface, e.g., a source electrode 9 or a drain electrode 10.例文帳に追加

半導体デバイスは、シリコンを主成分とする膜と、シリコンを主成分とする膜、例えば、オーミック低抵抗Ｓｉ膜８と直接接続し、接続界面近傍に、少なくともＡｌ、Ｎｉ、及びＮを含むアルミニウム合金膜、例えば、ソース電極９またはドレイン電極１０と、を有する。 - 特許庁

In the case the shape memory alloy is an Ni-Ti based alloy, the above concentrated heat source B is scanned, and heating is performed after the member 1 made of the alloy is subjected to secondary working, so as to be an objective shape, or after recrystallization heat treatment is performed at ≥770°C.例文帳に追加

形状記憶合金がＮｉ−Ｔｉ系合金の場合には、当該合金から成る部材１に２次加工を施して目的の形状とした後、あるいは７７０℃以上の温度で再結晶熱処理を施した後に、上記のような集中熱源Ｂを走査させて加熱する。 - 特許庁

An active layer is formed on a semiconductor substrate where non-doped GaAs and InGaAs layers 2 and 3, and n-type AlGaAs and GaAs layers 4 and 5 are subjected to epitaxial growth on a semi-insulating GaAs substrate 1, and source and drain electrodes 6 and 7 are formed by AuGe/Ni/Au alloy.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板１に、ノンドープＧａＡｓ層２，ノンドープＩｎＧａＡｓ層３，ｎ型ＡｌＧａＡｓ層４，ｎ型ＧａＡｓ層５をエピタキシャル成長した半導体基板に活性層を形成し、ソース電極６及びドレイン電極７をＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ合金で形成している。 - 特許庁

Further, in areas on both sides of the control layer 106 on the second semiconductor layer 105, a source electrode 108 and a drain electrode 109 made of Ti and Al are formed, respectively, and a gate electrode 110 made of Ni is formed on the contact layer 107.例文帳に追加

また、第２の半導体層１０５の上におけるコントロール層１０６の両測方の領域には、それぞれＴｉ及びＡｌからなるソース電極１０８並びにドレイン電極１０９が形成され、コンタクト層１０７の上にはＮｉからなるゲート電極１１０が形成されている。 - 特許庁

To provide a biomaterial member which is free from Ni as an allergy source, excellent in corrosion resistance to biological fluid, has high strengths and low elasticity, is hardly reactive with an organism, can be easily removed after completion of treatment, and hardly causes problems such as so-called stress shield, lung infarction when it is used as an intramedullary nail.例文帳に追加

アレルギー源としてのＮｉを含まず、生体液に対する耐食性に優れていると共に、高強度でしかも弾性率が低く、生体と反応し難く、処置終了後に抜去が容易で、髄内釘等として利用した場合にも所謂ストレスシールドや肺梗塞等の問題を起こし難い生体材料部材を提供する。 - 特許庁

In addition, the deterioration of a gate insulating film or the retreat of a diffusion layer is suppressed by improving the uniformity of gate resistance by improving the uniformity of characteristics of p- and n-type MOSs by equally controlling silicide reactions of the MOSs and in addition, suppressing the abnormal growth of a gate electrode or the Ni silicide film at the end of the source/drain region.例文帳に追加

また、Ｐ−ＭＯＳとＮ−ＭＯＳのシリサイド反応を同等に制御することにより特性の均一性を高め、更にゲート電極やソース／ドレイン領域端部のＮｉシリサイド膜の異常成長を抑制することにより、ゲート抵抗の均一性を高めゲート絶縁膜の劣化や拡散層の後退を抑制する。 - 特許庁

To provide a sulfonated polyolefine separator effective for self- discharge restraint of a Ni/NH battery, etc., from which a high hydrophilic property, that is, a high sulfonation rate is required to provide high power characteristics important for electric power source application for movement compatible with tensile strength and high sulfonation by increasing the sulfonation rate without causing lowering of strength of fiber itself.例文帳に追加

移動用電源用途などに重要なハイパワー特性を得るために、高親水性つまり高スルホン化率が要求されるＮｉ／ＭＨ電池などの自己放電抑制に有効なスルホン化ポリオレフィンセパレータにおいて、繊維自体の強度低下をきたすことなくスルフォン化率を高めて引っ張り強度と高スルホン化を両立したセパレータを提供する。 - 特許庁

A semiconductor device (TFT) includes oxidized low-ohmic resistance Si films 8 disposed on a Si semiconductor film 7 so as to form a channel 11, and a source electrode 9 and a drain electrode 10 which are directly connected to the low-ohmic resistance Si films 8, and comprise an aluminum alloy film containing at least Ni atoms, N atoms and O atoms in the vicinity of the connection interface.例文帳に追加

半導体デバイス（ＴＦＴ）は、チャネル部１１を形成する様にＳｉ半導体膜７上に配設された被酸化のオーミック低抵抗Ｓｉ膜８と、オーミック低抵抗Ｓｉ膜８と直接に接続し、且つ、接続界面近傍に、少なくともＮｉ原子、Ｎ原子及びＯ原子を含むアルミニウム合金膜から成る、ソース電極９及びドレイン電極１０とを有する。 - 特許庁

A powder mixture of tungsten W and chromium boride or the one obtd. by blending this with any powder of Ni, Fe and Co is melted on a nonconsumable type substrate or on a soluble substrate by a heat source of a plasma arc to produce a boride superhard material formed of a W-Cr-B ternary system and having hardness higher than that of all the composing stocks.例文帳に追加

タングステンＷと硼化クロムの粉末混合体、またはこれにＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏの何れかの粉末を配合し、非消耗型基板上または可溶性基板上でプラズマアークの熱源によって溶解し、構成する素材の何れよりも硬度が高いＷ、Ｃｒ、Ｂ三元系で形成した金属間化合物を主体とした硼化物系超硬質材料を作成する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the lithium transition metal compound oxide by pulverizing aqueous slurry containing at least one kind of compound of Mn, Co and Ni and a lithium compound in a wet pulverizing machine, spray drying and firing, iron powder or the like is removed by attracting with magnetic force from the aqueous slurry or the source compound used for the preparation of the aqueous slurry in the processes prior to spray drying.例文帳に追加

Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉの少なくとも１種の化合物とリチウム化合物とを含む水性スラリーを湿式粉砕機で粉砕し、噴霧乾燥したのち焼成してリチウム遷移金属複合酸化物を製造する方法において、噴霧乾燥するまでの間に水性スラリー又は水性スラリーの調製に用いる原料化合物から、磁力により鉄粉などを吸引除去する。 - 特許庁

A MOSFET 100 has an embedded electrode 102, which consists of W formed in a contact hole 4 prepared in an interlayer insulating film 3 comprising PSG etc., a lower electrode layer 5 comprising Al prepared thereon, a source electrode 101 equipped with an upper electrode layer 6 comprising the laminates of Ti layer, Ni layer, and Ag layer formed thereon.例文帳に追加

本発明のＭＯＳＦＥＴダイ１００は、ＰＳＧ等からなる層間絶縁膜３に設けれられたコンタクトホール４内に形成されたＷからなる埋め込み電極部１０２と、その上に形成されたＡｌからなる下層電極層５と、その上に形成されたＴｉ層，Ｎｉ層，Ａｇ層の積層体からなる上層電極層６とを備えたソース電極１０１を有している。 - 特許庁

In the field-effect silicon-carbide semiconductor device provided with a metal/semiconductor contact formed on one major surface of the silicon carbide substrate 1, contact electrodes contacted with at least one of a gate contact 16 and a source contact 14 or a drain contact 15 are made of an identical material (e.g., Ti, Mo or Ni), and are formed concurrently in the same step.例文帳に追加

炭化珪素基板１の一主面に形成した金属−半導体接触を具有する電界効果型の炭化珪素半導体装置であって、ゲート接触１６と、ソース接触１４またはドレイン接触１５の少なくとも一方の接触の接触電極が同一材料（例えばＴｉ、Ｍｏ、Ｎｉ）であり、かつ同一工程で並行して形成された接触電極である炭化珪素半導体装置。 - 特許庁

For an amorphous silicon film, laser irradiation is executed in the vicinity of a channel forming region or a TFT forming region including the channel forming region and a source/drain region, the TFT forming region is isolated, a metal element (represented by Ni) for promoting crystallization is added and heat processing is executed, thereby making it possible to arbitrarily define the position of the crystal aggregation (domain).例文帳に追加

非晶質シリコン膜に対して、チャネル形成領域或いはチャネル形成領域やソース及びドレイン領域等も含むＴＦＴ形成領域の周囲を選択的にレーザー照射を行い、各ＴＦＴ形成領域を孤立させて、結晶化を助長する金属元素（代表的にはＮｉ）を添加し、加熱処理を行うことにより、結晶の集合（ドメイン）の位置を任意に定める事を可能とするものである。 - 特許庁

A circumference of a channel formation area or a TFT formation area including the channel formation area, a source and drain area and the like to an amorphous silicon film is selectively irradiated with a laser, each TFT formation area is isolated, a metal element (representatively Ni) promoting crystallization is added, and the position of the collection (domain) of the crystal can be arbitrarily determined by performing heating treatment.例文帳に追加

非晶質シリコン膜に対して、チャネル形成領域或いはチャネル形成領域やソース及びドレイン領域等も含むＴＦＴ形成領域の周囲を選択的にレーザー照射を行い、各ＴＦＴ形成領域を孤立させて、結晶化を助長する金属元素（代表的にはＮｉ）を添加し、加熱処理を行うことにより、結晶の集合（ドメイン）の位置を任意に定める事を可能とするものである。 - 特許庁