「Ni source」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The source of the novel is 'Hinjo, Kiyomizu no Kannon ni tsukaete Tojin no otto ni aitaru katarai, dai sanjusan' (No. 33, the tale of poor woman serving Kannon (Deity of Mercy) in Shimizu to see his husband, a thief) in the volume 16 of "Konjaku Monogatari" (Tales of Times Now and Then collection). 例文帳に追加

出典は『今昔物語』巻十六「貧女清水観音値盗人夫語第三十三」である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Thereafter, the non-reacted Ni film 115 is removed to form an Ni silicide layer 111 in the region at the upper part of the source-drain region 109.例文帳に追加

その後、未反応のＮｉ膜１１５を除去し、ソース・ドレイン領域１０９の上部の領域にＮｉシリサイド層１１１を形成する。 - 特許庁

Source: SEIKATSU-SHA NO "KIGYO-KAN" NI KANSURU ANKETO KEKKA HOUKOKUSHO (Keizai Koho Center).例文帳に追加

（資料）経済広報センター「生活者の"企業観"に関するアンケート結果報告書」から作成。 - 経済産業省

As a power source used for the air conditioning, a Ni-Cd battery 7 attached to the air conditioning unit 5.例文帳に追加

空調に使用する電源は空調ユニット５に取付けたニッケルカドニカ電池７を使用する。 - 特許庁

To provide a low-loss Ni-Zn-Cu system oxide magnetic material suitable for a small-sized transformer for a power source and a method for manufacturing the low-loss Ni-Zn-Cu system oxide magnetic material.例文帳に追加

小形の電源用トランスに好適な低損失のＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系酸化物磁性材料及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The source-drain 5 is formed on the silicon board 1, and a metallic film (an Ni film) 6 for a silicification and a stress film 7 are formed on the source-drain 5.例文帳に追加

シリコン基板１の上にソース・ドレイン５を形成し、その上にシリサイド化用金属膜（Ｎｉ膜）６、ストレス膜７を形成する。 - 特許庁

At this time, it is desirable that the SiO2 source is a low melting point slag containing SiO2, such as Ni slag.例文帳に追加

その際、ＳｉＯ_2 源がＮｉ滓等のＳｉＯ_2 を含有した低融点スラグであることが好ましい。 - 特許庁

Source: KIGYO NO SHAKAI-TEKI SEKININ （CSR） KATSUDOU NI KANSURU CHOUSA KENKYU HOUKOKUSHO(Japan Research Institute, Ltd.).例文帳に追加

（出所）日本総合研究所「企業の社会的責任（CSR）活動に関する調査研究報告書」。 - 経済産業省

Thereafter, an AuGe/Ni/Au metal film is formed and a source electrode 104 and a drain electrode 105 are formed.例文帳に追加

その後、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ金属を成膜してソース電極１０４およびドレイン電極１０５を形成する。 - 特許庁

Source: Adachi, Eiichiro. "KEIEI KAKUSHIN NYUMON; TOUSHI-KA NI TAISURU IR-KATSUDOU TOHA," Weekly Toyo Keizai (Nov. 8 2003).例文帳に追加

（出所）足立英一郎「経営革新入門　投資家に対するIR活動とは」『週刊東洋経済』2003年11月8日号。 - 経済産業省

Source: HIGASHI ASIA SHOKOKU NO TOUSHIKANKYO NO GENJO TO MONDAITEN NI KANSURU CHOSAKENKYU (Japan Industrial Policy Research Institute).例文帳に追加

（出所）産業研究所「東アジア諸国の投資環境の現状と問題点に関する調査研究」。 - 経済産業省

A power source output torque target calculation means calculates the power source output torque target value (tTefbon+tTmfbon) for setting inter-Nierr deviation between the input-side revolving speed target value tNi and the input-side revolving speed detection value Ni to 0, and a power source output torque control means realizes this.例文帳に追加

動力源出力トルク目標値演算手段は入力側回転数目標値tNiおよび入力側回転数検出値Ni間の偏差Nierrを0にする動力源出力トルク目標値（tTefbon＋tTmfbon）を演算し、動力源出力トルク制御手段でこれを実現する。 - 特許庁

Also, the source electrode 9 and the drain electrode 11 are formed of an Al alloy containing Ni as an additive element.例文帳に追加

また、ソース電極９及びドレイン電極１１は、Ｎｉを添加元素として含むＡｌ合金によって形成される。 - 特許庁

Source: "HIGASHIAJIA NO JIGYOU NETWORK NO KOCHIKU NI MUKETA KADAI CHOSA" (RIETI).例文帳に追加

（資料）独立行政法人経済産業研究所（2006c）「東アジアの事業ネットワークの構築に向けた課題調査」から作成。 - 経済産業省

Source: HIGASI ASIA SYOKOKU NO TOUSIKANKYO NO GENJO TO MONDAITEN NI KANSURU CHOSAKENKYU (Japan Industrial Policy Research Institute).例文帳に追加

（資料）産業研究所「東アジア諸国の投資環境の現状と問題点に関する調査研究」から作成。 - 経済産業省

The injection hole plate 40 of Ni-Co alloy is formed on the bottom part outer wall 15 of the valve body 12 by electrocasting by connecting an anode of a direct current electric power source 90 to a Ni electrode 92 and connecting a cathode of the direct current electric power source 90 to the valve body 12.例文帳に追加

直流電源９０の陽極をＮｉ電極９２と接続し、直流電源９０の陰極を弁ボディ１２と接続すると、弁ボディ１２の底部外壁１５にＮｉ−Ｃｏ合金の噴孔プレート４０が電鋳により形成される。 - 特許庁

A nickel layer 17 is formed on a group III-V compound semiconductor layer 4, and by heating them using RTA treatment, a source region 5 and a drain region 6 composed of a nickel group III-V alloy (Ni-In_xGa_1-xAs_yP_1-y alloy) are formed.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体層４上にニッケル層17を形成し、RTA処理により加熱することで、ニッケルIII−Ｖ族合金（Ni-In_xGa_1-xAs_yP_1-y合金）からなるソース領域５及びドレイン領域６が形成される。 - 特許庁

Thereafter, the silicide process (including at least a kind of Ni, Ti, Co, Pd, Pt, and Er) is conducted to each gate electrode, source region and drain region of the n-channel MISFET and p-channel MISFET.例文帳に追加

その後、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴおよびＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴの各ゲート電極、ソース領域およびドレイン領域にシリサイド化（Ni,Ti,Co,Pd,Pt,Erのうち少なくとも一種類を含む）を行う。 - 特許庁

After that, in each gate electrode, source region, and drain region of N-channel type MISFET and P-channel type MISFET, silicidation (at least one of Ni, Ti, Co, Pd, Pt, and Er is included) is performed.例文帳に追加

その後、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴおよびＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴの各ゲート電極、ソース領域およびドレイン領域にシリサイド化（Ni,Ti,Co,Pd,Pt,Erのうち少なくとも一種類を含む）を行う。 - 特許庁

This spiral spring used as a motive power source of an electronic mechanical clock is composed of an Ni-Ti alloy being a superelastic material.例文帳に追加

電子式機械時計の動力源として用いられるゼンマイを超弾性材料であるＮｉ−Ｔｉ合金で構成する。 - 特許庁

Source: HIGASHI AJIA NO JIGYOU NETWORK NO KOUCHIKU NI MUKETA KADAI CHOUSA (The Research Institute of Economy, Trade and Industry, 2006c).例文帳に追加

（資料）独立行政法人経済産業研究所（2006c）「東アジアの事業ネットワーク構築に向けた課題調査」から作成。 - 経済産業省

Plating treatment is performed by using an electroless Ni plating liquid obtained by adding phosphoric acid or phosphate to the conventional electroless Ni plating liquid containing an Ni source, a reducing agent, a complexing agent or the like, so that the electronic component such as a ceramic multilayer substrate or the like is produced.例文帳に追加

Ｎｉ源、還元剤、及び錯化剤等が含有された従来の無電解Ｎｉめっき液にリン酸又はリン酸塩を添加し、該リン酸又はリン酸塩が添加された無電解Ｎｉめっき液を使用してめっき処理を施し、セラミック多層基板等の電子部品を製造する。 - 特許庁

The Sn containing layer may additionally contain at least one acid soluble metal ion supply source substance to be a Cu^2+ ion, Ni^2+ ion, or Cr^3+ ion supply source.例文帳に追加

Ｓｎ含有層は、Ｃｕ^2+イオン、Ｎｉ^2+イオンまたはＣｒ^3+イオンの供給源となる少なくとも１種の追加の酸可溶性金属イオン供給源物質をさらに含有していてもよい。 - 特許庁

The film formation material is used to form a silicide film by using Ni and Si, and an Ni source is one or more than two compounds selected from a group represented by a general formula [I].例文帳に追加

Ｎｉ及びＳｉが用いられて構成されるシリサイト膜を形成する為の膜形成材料であって、 Ｎｉ源が下記の一般式［Ｉ］の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物である膜形成材料。 - 特許庁

After an Al film 8 and an Ni film 9 are sequentially deposited on a gate electrode 4 and a source/drain diffusing layer 7, the heat treatment is conducted to form an Ni silicide layer 10 including Al at the upper part of the n-type silicon layer forming the gate electrode 4 and source/drain diffusing layer 7.例文帳に追加

ゲート電極４の上及びソース・ドレイン拡散層７の上にＡｌ膜８及びＮｉ膜９を順次堆積した後、熱処理を実施し、ゲート電極４及びソース・ドレイン拡散層７を構成するＮ型シリコン層の上部にＡｌ含有Ｎｉシリサイド層１０を形成する。 - 特許庁

Source: WAGAKUNI NO ZAI-SAABISU BOUEKI OYOBI TOUSHI NO JIYUUKA NO KEIZAI KOUKA NI KANSURU CHOUSAKENKYUU (RIETI, 2006c).例文帳に追加

（出所）独立行政法人経済産業研究所（2006c）「我が国の財・サービス貿易及び投資の自由化の経済効果等に関する調査研究」。 - 経済産業省

After a source/drain region 4 is formed in a p-type MOS region by using a p-type impurity, an Ni monosilicide film 5 having highly uniform film quality and a film thickness is formed in a region in which an Ni silicide film is formed by suppressing the phase transition and agglomeration of an Ni silicide by injecting Ge into the region.例文帳に追加

Ｐ型不純物によりＰ−ＭＯＳ領域にソース及びドレイン領域４を形成した後、Ｎｉシリサイド膜が形成される領域にＧｅを注入することにより、Ｎｉシリサイドの相転移や凝集を抑制して膜質及び膜厚均一性に優れたＮｉモノシリサイド膜５を形成する。 - 特許庁

Subsequently, Si and Ni in the gate electrode and the source/drain region are reacted through the heat treatment process of a treatment S105 to form an NiSi layer.例文帳に追加

次に、処理Ｓ１０５の熱処理工程でゲート電極及びソース／ドレイン領域におけるＳｉとＮｉとを反応させＮｉＳｉ層を形成する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the metallosilicate using at least one kind metal element selected from the group consisting of B, Mo, As, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Co, Ni, Cu, Zn and lanthanoide elements as a metal component, a metal element source of the metal elements and a silicon source are subjected to hydrothermal synthetic reaction in the presence of a template.例文帳に追加

B、Mo、As、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Co、Ni、Cu、Znおよびランタノイド元素からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属元素を金属成分とするメタロシリケートの製造方法であって、 該金属元素の金属元素源とケイ素源とをテンプレートの存在下において水熱合成反応させることを含む製造方法。 - 特許庁

After an Ni film 115 is formed to the entire part of the element forming surface of the silicon substrate 101 on which the sidewall 107 is formed, the silicon substrate 101 is heated to react between the silicon substrate 101 and the Ni film 115 in the source-drain region 109.例文帳に追加

サイドウォール１０７が形成されたシリコン基板１０１の素子形成面全面に、Ｎｉ膜１１５を形成した後、シリコン基板１０１を加熱し、ソース・ドレイン領域１０９においてシリコン基板１０１とＮｉ膜１１５とを反応させる。 - 特許庁

In a gate electrode 12 and an upper portion of a source drain region 15 of an NMOS transistor, and a gate electrode 22 and a source drain region 25 of a PMOS transistor, Ni silicide films 12s, 15s, 22s and 25s are formed by self-alignment, respectively.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタのゲート電極１２並びにソース・ドレイン領域１５の上部、およびＰＭＯＳトランジスタのゲート電極２２並びにソース・ドレイン領域２５には、それぞれＮｉシリサイド膜１２ｓ，１５ｓ，２２ｓ，２５ｓが自己整合的に形成されている。 - 特許庁

Ni is introduced to the growth source region 1, and heat treatment is carried out at a temperature of 550 to 650°C, thus allowing a crystal grain generated in the growth source region 1 to be subjected to crystal growth to the element formation region 2 via the path 3.例文帳に追加

成長源領域１にＮｉを導入した後、５５０〜６５０℃の温度で熱処理を施すと、成長源領域１で発生した結晶粒が経路３を経由して素子形成領域２まで結晶成長する。 - 特許庁

In this method, a heat exchanger made of an Ni based corrosion resistant alloy containing ≥50 mass% Ni and placed in a high concentration hydrochloric acid environment is use as a cathode, and resin-impregnated carbon is used as an anode, to feed electric current between the anode and the cathode by an external power source.例文帳に追加

高濃度塩酸環境下に置かれたＮｉ：５０質量％以上含むＮｉ基耐食合金で構成された熱交換器を陰極とし、樹脂含浸炭素を陽極として陽陰極間に外部電源により電流を供給することを特徴とする。 - 特許庁

Concretely, the molten Cr-containing iron held in the molten metal holding furnace, is shifted to the other melting furnace, so as to match to the refining schedule of the second melting furnace, and after containing Ni in the molten Cr-containing iron by charging and melting the cheap Ni source, the molten iron is supplied into the second melting furnace, and the decarburization and the component adjustment are performed.例文帳に追加

具体的には、溶湯保持炉内に保持した含Ｃｒ溶鉄を、前記第二の溶製炉の精錬スケジュールに合わせて別の溶製炉へ移行し、安価なＮｉ源を投入、溶解して含Ｃｒ溶鉄にＮｉを含有させてから第二の溶製炉へ供給して、脱炭及び成分調整する。 - 特許庁

An Ni layer 8 connected to a source electrode 4s is formed as a conductive etching stopper in the opening 6, and the alignment mark 8a is formed on the n-type AlGaN layer 3.例文帳に追加

次に、開口部６内にソース電極４ｓに接続されるＮｉ層８を導電性エッチングストッパとして形成すると共に、ｎ型ＡｌＧａＮ層３上にアライメントマーク８ａを形成する。 - 特許庁

A drain electrode 107 and a source electrode 106 comprising an alloy of nickel(Ni) and iron (Fe) are formed on a channel layer 102 through separation layers 104 and 105 comprising aluminum(Al).例文帳に追加

チャネル層１０２上に、アルミニウム（Ａｌ）からなる分離層１０４，１０５を介して、ニッケル（Ｎｉ）と鉄（Ｆｅ）の合金からなるソース電極１０６，ドレイン電極１０７を形成する。 - 特許庁

In this electron source device, one face of an Al substrate is formed with a porous aluminum layer by anodization, and embedded layers of Ni or the like are formed inside nanoholes thereof.例文帳に追加

この電子源装置では、Ａｌ基板の片面に、陽極酸化により形成された多孔質アルミナ層が設けられ、そのナノホール内にＮｉなどの埋め込み層が形成されている。 - 特許庁

The surface-treating layer further can contain at least one kind of additional acid-soluble metal compound which becomes a feed source of Cu^2+ ion, Ni^2+ ion or Cr^3+ ion and a pigment.例文帳に追加

表面処理層はさらに、Ｃｕ^2+イオン、Ｎｉ^2+イオンまたはＣｒ^3+イオンの供給源となる少なくとも１種の追加の酸可溶性金属化合物および顔料を含有しうる。 - 特許庁

A gate electrode 17 composed of metal Ni and Au laminated in this order is formed between the drain electrodes 15 and the source electrode 16 on the undoped AlGaN layer 13.例文帳に追加

また、アンドープＡｌＧａＮ層１３上におけるこれらの電極１５、１６の間には、Ｎｉ、Ａｕをこの順で積層した金属からなるゲート電極１７が形成されている。 - 特許庁

A cathode plate whose surface has been masked is used, the concentration of Ni in an electrolytic solution containing a sulfur source is controlled to 90 to 105 g/L, also, pH therein is controlled to the range of 2.4 to 4.0, the electric current is made to flow, and the operation is executed.例文帳に追加

表面をマスキングした陰極板を用い、硫黄源を含む電解液のＮｉ濃度を９０〜１０５ｇ／ｌ、及びｐＨを２.４〜４.０の範囲内に調整し、通電して操業する。 - 特許庁

Between one source node Ri (repeater) and plural nodes Ni (terminal equipment), the communication of 1:n is performed by a CSMA system while using the electromagnetic wave of a frequency higher than a millimeter wave for a transmission medium.例文帳に追加

一つのソースノードＲｉ（中継装置）と複数のノードＮｉ（端末装置）との間で、ミリ波より高い周波数の電磁波を伝送媒体に用い、ＣＳＭＡ方式にて１：ｎの通信を行う。 - 特許庁

Source: Financial Statements Statistics of Corporations by Industries, Quarterly (Ministry of Finance Japan), Real Effective Exchange Rate (Bank of Japan), HIGASHIAJIA NO JIGYOU KANKYOU TOU NI KANSURU CHOUSA KENNKYUU (RIETI,2006a).例文帳に追加

（資料）財務省「法人統計季報」、日本銀行「実質実効為替レート」、独立行政法人経済産業研究所（2006a）「東アジアにおける事業環境等に関する調査研究」から作成。 - 経済産業省

To provide a method for melting a nickel-containing stainless steel with which even in the case of utilizing cheap Cr-source and Ni-source at a larger quantity than conventional methods, the obtained molten nickel-containing stainless steel can be supplied into a continuous caster without breaking off, what is called, a consecutive continuous casting operation is performed.例文帳に追加

本発明は、安価なＣｒ源及びＮｉ源を従来より多量に利用しても、得られた含ニッケル・ステンレス溶鋼を所謂「連々鋳」を行う連続鋳造機へ途切れることなく供給可能な含ニッケル・ステンレス鋼の溶製方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

A source material prepared by mixing an Ni compound and an Li compound as start materials is fired at a temperature of 618°C or lower in a non-oxidative atmosphere and then fired at a temperature of 618°C or higher in an oxidative atmosphere.例文帳に追加

出発原料であるＮｉ化合物とＬｉ化合物とを混合した原料を６１８℃以下の温度かつ非酸化雰囲気で焼成し、その後、酸化雰囲気かつ６１８℃以上の温度で焼成する。 - 特許庁

A first operating current I2 is supplied to the source connecting node of first and second CMOS transistors MN1 and MN3 of which the source sides are mutually connected, and input pulse signals PI and NI of common mode and reverse mode are applied to each of the gate nodes of the first and second CMOS transistors MN1 and MN3.例文帳に追加

互いにソース側が接続された第１及び第２のＣＭＯＳトランジスタＭＮ１，ＭＮ３のソース接続ノードに第１の動作電流Ｉ２を供給するとともに、上記第１及び第２のＣＭＯＳトランジスタＭＮ１，ＭＮ３の各ゲートノードに正相と逆相の入力パルス信号ＰＩ，ＮＩを与える。 - 特許庁