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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Selectivelyの意味・解説 > Selectivelyに関連した英語例文

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Selectivelyを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 17210



例文

The Pachinko game machine 1 selectively presents any of a first normal state in which only one of the starter prize winning slots 5 and 6 is switched over to the action validating state while the other to the action invalidating state and a second normal state in which both of the starter prize winning slots 5 and 6 are switched over to the action validating position.例文帳に追加

第1及び第2始動入賞口5及び6は、対応する図柄表示部での変動動作の始動権利が発生する動作有効状態または当該始動権利に関与しない動作無効状態に切り替え可能な構成となっており、パチンコ遊技機1は、始動入賞口5及び6の一方のみを動作有効状態に切り替えると共に他方を動作無効状態に切り替えた第1の通常状態、並びに始動入賞口5及び6の双方を動作有効状態に切り替えた第2の通常状態の何れかが選択的に出現する構成となっている。 - 特許庁

This device is a semiconductor memory having a redundancy circuit RC replacing a defective memory cell by a redundancy memory cell in accordance with redundancy information, and provided with a charge pump 5 for programming redundancy information by dielectric-breaking down selectively a capacitor, and a redundancy control circuit 3 reproducing programmed redundancy circuit RC by supplying the prescribed electric charges to the capacitor and refreshing, and supplying reproduced redundancy information to the redundancy circuit RC.例文帳に追加

冗長情報に応じて、欠陥のあるメモリセルを冗長メモリセルに置き換える冗長回路RCを有する半導体記憶装置であって、容量を選択的に絶縁破壊することによって、冗長情報をプログラムするためのチャージポンプ5と、上記容量に所定の電荷を供給してリフレッシュすることにより、プログラムされた冗長情報を再現し、再現された冗長情報を冗長回路RCに供給する冗長制御回路3とを備えたことを特徴とする半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Here, the main surface of a semiconductor substrate 10 is tilted against a reference plane containing a crystal axis, and related to the selectively oxidized layer 16, a layer which is to be oxidized wherein the profile provided, when it is cut along the plane parallel to the main surface is smooth in a macro manner, comprising at least no singular point, is oxidized starting with a peripheral edge.例文帳に追加

半導体基板10の主面に、活性層14を挟んで上下の反射ミラー層12、18が形成され、上下の反射ミラー層12、18の少なくとも一方にその周縁部が酸化された選択酸化層16を備えた面発光型半導体レーザにおいて、半導体基板10の主面を、基準となる結晶軸を含む面に対して傾斜させ、選択酸化層16を、主面と平行な面で切断したときの外周形状が少なくとも特異点のないマクロ的に滑らかな形状の被酸化層を周縁部から酸化して形成する。 - 特許庁

A method of manufacturing the porous resin base material having the conductive bore inner wall surface comprises a step of selectively adhering a catalyst only to the inner wall surfaces of the bores and adhering a conductive metal to the inner wall surfaces.例文帳に追加

多孔質樹脂基材の多孔質構造内に液体または溶液を含浸させる工程1;含浸させた液体または溶液から固形物を形成する工程2;多孔質構造内に固形物を有する多孔質樹脂基材の第一表面から第二表面を貫く複数の穿孔を形成する工程3;及び固形物を融解もしくは溶解させて、多孔質構造内から除去する工程4;を含む穿孔された多孔質樹脂基材の製造方法、並びに該穿孔の内壁面のみに選択的に触媒を付着させ、該内壁面に導電性金属を付着させる工程を含む穿孔内壁面を導電化した多孔質樹脂基材の製造方法。 - 特許庁

例文

The functional cloth (product) using functional fibers is provided; wherein the functional fibers have infrared rays- and electrically charged particles-radiating characteristics, being obtained by selectively dispersing semiconductive particles in fibers and/or in the crystal interfacial regions or noncrystal regions of a fibrous polymer.例文帳に追加

半導体粒子を繊維中及び/又は繊維高分子の結晶界面領域もしくは非結晶領域に選択的に分散させてなる、赤外線及び荷電粒子放射特性を有する機能性繊維を使用した機能性製品において、半導体粒子の原料として、室温付近で荷電粒子を発生させる活性化エネルギーレベルが0.1−1.0eVである半導体又は禁制帯を有する半導体を用い、その半導体粒子を絶縁体繊維マトリクスに0.001−10wt%配合して、繊維中及び/又は繊維表面に配列させることにより、生体赤外線及び荷電粒子放射能の大きな繊維を作成した。 - 特許庁


例文

The pixel electrode 111 contains a coloring component which transmits light of the same color as the luminous color from the organic light-emitting layers 110c selectively, and the thickness of the pixel electrode 111 is 0.3-2 μm.例文帳に追加

有機EL表示装置100は、ボトムエミッション型であって、透明基板2上に隔壁としてのバンク部112で区画された赤色、緑色、青色に対応する透明な画素電極111と、画素電極111上に形成された正孔輸送層110bと、正孔輸送層110b上に形成されインクジェット法で塗り分けられた赤色、緑色、青色それぞれの有機発光層110cと、これらの有機発光層110cを覆う対向電極12と、を備え、画素電極111は有機発光層110cからの発光色と同色の光を選択透過する着色成分を含有されてなり、画素電極111の膜厚が0.3μm以上2μm以下であることを特徴とする。 - 特許庁

Then a selective locking means 43 which selectively locks one of the driven-side rotary gears 40 and 41 is provided and the driving systems 37 and 38 are connected to the gears 40 and 41 respectively.例文帳に追加

モータ30の回転を2つの駆動系37,38に選択的に伝達するようにした駆動力伝達機構であって、モータ30により回転する駆動側回転ギヤ39と同軸に第1の従動側回転ギヤ40及び第2の従動側回転ギヤ41を設け、第1の従動側回転ギヤ40に駆動側回転ギヤ39と第2の従動側回転ギヤ41ともに噛合する遊星ギヤ部材42を取り付け、第1の従動側回転ギヤ40及び第2の従動側回転ギヤ41の一方を選択的に係止する選択係止手段43を設け、第1の従動側回転ギヤ40及び第2の従動側回転ギヤ41に駆動系37,38を片方ずつ接続する。 - 特許庁

The connecting device includes both a plurality of LAN cables connected to the main computer for transmitting image data from the main computer via the plurality of lines in parallel and a hub connected to each LAN cable and to each sub computer in parallel for selectively transmitting image data transmitted from the main computer to specific sub computers.例文帳に追加

前記画像データを直接処理するための複数のサブコンピュータと、前記カメラに接続されて当該カメラからの画像データを取り込み、一時的に保存して、前記各サブコンピュータに適宜送信するためのメインコンピュータと、複数系統で当該メインコンピュータと前記各サブコンピュータとを接続するための接続装置とを備え、前記接続装置が、前記メインコンピュータに複数本接続されて当該メインコンピュータからの画像データを複数系統で並行して送信するLANケーブルと、当該各LANケーブルにそれぞれ接続されると共に前記各サブコンピュータに並列に接続されて、前記メインコンピュータから送信された画像データを特定のサブコンピュータに選択的に送信するハブとを備えて構成した。 - 特許庁

The proximal end is shaped and sized in such a way as to pass a body tissue, and then be selectively inserted into at least one of the plurality of the through-holes 16, and at least one of the surface features 14 is inserted into at least one through-hole 16, thereby a locked and closed loop is formed to fix the body tissue held inside.例文帳に追加

このデバイスは、近位端および遠位端を有する細長い可撓性の本体20であって、長軸方向軸を規定する細長い可撓性の本体20、この長軸方向軸からほぼ離れて延びる複数の表面特徴14、この細長い可撓性本体20の長さに沿って形成された複数の貫通穴16を備え、ここで、この近位端が、身体組織を通過し、そしてその後、その複数の貫通穴16の少なくとも1つを選択的に通過されるような形態および寸法であり、この表面特徴14の少なくとも1つがまた、少なくとも1つの貫通穴16を通過し、それによってその中に保持される身体組織を固定するようなロックされ閉鎖されたループを形成する。 - 特許庁

例文

This manufacturing method includes steps of forming, after the formation of the gate insulating film, an amorphous semiconductor layer on the substrate and also selectively forming a crystalline semiconductor layer to the amorphous semiconductor layer and etching the amorphous semiconductor layer by making the crystalline semiconductor layer remain using an alkali etching solution (etchant) of the amine system.例文帳に追加

同一の基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、結晶質と非晶質の積層の半導体層、ソース電極およびドレイン電極を順次形成した第1の薄膜トランジスタと、ゲート電極、ゲート絶縁膜、非晶質の半導体層、ソース電極およびドレイン電極を順次形成した第2の薄膜トランジスタを備える表示装置の製造方法にあって、 前記ゲート絶縁膜の形成後に、前記基板上に非晶質の半導体層を形成し、該非晶質の半導体層に選択的に前記結晶質の半導体層を形成する工程と、 アルカリ性のアミン系のエッチング液を用いて前記結晶質の半導体層を残存させて前記非晶質の半導体層をエッチングする工程とを備える。 - 特許庁




  
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