「active layers」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The active layer 9 includes barrier layers 2 and quantum well layers 3 lattice-matching the barrier layers 2.例文帳に追加

活性層９には、障壁層２と、障壁層２と格子整合する量子井戸層３と、が設けられている。 - 特許庁

To lower a defective rate during the formation of resin layers to an active matrix substrate with the resin layers.例文帳に追加

樹脂層付アクティブマトリクス基板への樹脂層形成時の不良率を低減する。 - 特許庁

On the plurality of pyramid-like active layers 4 and therebetween, the clad layers 5 are formed.例文帳に追加

複数の角錐台状の活性層４の上及び相互間にクラッド層５を形成する。 - 特許庁

The electrode active material layers are formed on the substrate.例文帳に追加

電極活物質層が、基材の上に形成されている。 - 特許庁

The active layer 6 includes quantum dot layers 61 and 62.例文帳に追加

活性層６は、２つの量子ドット層６１，６２を含む。 - 特許庁

A part of the positive electrode active material and a part of the negative electrode active material enter the porous layers 12.例文帳に追加

正極活物質の一部、負極活物質の一部が多孔層１２に入り込む。 - 特許庁

The semiconductor laser device has a plurality of active layers.例文帳に追加

この半導体レーザ装置は、複数の活性層を備えている。 - 特許庁

The MQW active layer 6 is constituted in the quantum well structure formed by laminating a plurality of InGaN layers (well layers) 11 and GaN layers (barrier layers) 12.例文帳に追加

ＭＱＷ活性層６は、ＩｎＧａＮ層（井戸層）１１及びＧａＮ層（バリア層）１２が複数積層された量子井戸構造に構成されている。 - 特許庁

The quantum cascade laser comprises a core layer having a plurality of active layers 71, and a plurality of injection layers 73 which form a cascade structure along with the plurality of active layers 71.例文帳に追加

複数の活性層７１と、複数の活性層７１と共にカスケード構造を成す複数の注入層７３と、を有するコア層を備える量子カスケードレーザである。 - 特許庁

Electrode layers 21B, 22B include an active material and a binder.例文帳に追加

電極層２１Ｂ，２２Ｂは活物質と結着剤とを含んでいる。 - 特許庁

The silicon film 151 is patterned into island shape and forms active layers.例文帳に追加

シリコン膜１５１を島状にパターニングし活性層を形成する。 - 特許庁

The first crystal layers 5 and 3 are subjected to heterojunction to each other, so that the layers 5 and 3 are adjacent the active layer 4 and function as barrier layers against carriers.例文帳に追加

第一結晶層５，３は、活性層４に隣接するようにヘテロ接合され、キャリアに対するバリア層の機能を果たす。 - 特許庁

In a first embodiment, reservoir layers are included in the active region of the light emitting device together with barrier layers and quantum well layers.例文帳に追加

第１の実施形態において、リザーバ層は、発光デバイスの活性領域内にバリア層及び量子井戸層と一緒に含まれる。 - 特許庁

The pair of active material layers 1c, 1d are insulated with a separator 1s each other.例文帳に追加

セパレータ１ｓは一対の活物質層１ｃ・１ｄを絶縁する。 - 特許庁

An optical transparent layer 30 comprising GaAs is extended between the active layers to optically connect the two active layers.例文帳に追加

これらの活性層の間には、ＧａＡｓからなる光透過層３０が延在しており、この二つの活性層を光学的に接続している。 - 特許庁

To provide a light concentrator such that even when the active layers of semiconductor lasers are close to each other, pieces of luminous flux emitted from the active layers are hardly cross each other.例文帳に追加

半導体レーザアレイの活性層が近接していても、活性層から出射する光束が交差しにくい集光装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor laser device comprises an active layer 6, a pair of guide layers 4 and 8 provided with the active layer 6 in between, a pair of clad layers 3 and 9 provided with the active layer 6 and the guide layers 4 and 8 in between.例文帳に追加

半導体レーザ装置は、活性層６と、活性層６を挟んで設けられた一組のガイド層４，８と、活性層６およびガイド層４，８を挟んで設けられた一組のクラッド層３，９とを有する。 - 特許庁

The active layers 17, 57 are different in the peak wavelength of a light emitting wavelength.例文帳に追加

活性層１７，５７の発光波長のピーク波長は互いに異なる。 - 特許庁

The upper cladding layer 34 covers the lower cladding layer 32 and the active layer 33 also from the side faces of the cladding and active layers.例文帳に追加

上部クラッド層３４が下部クラッド層３２および活性層３３を側面からも覆っている。 - 特許庁

One or more Magneto-Resistance Enhancing Layers (MRELs) are inserted into approximately a center of one or more of active layers (such as API layer 150, Free layers 170 and SIL layers) respectively.例文帳に追加

１つまたは複数の活性層（ＡＰ１層１５０、フリー層１７０、ＳＩＬ層など）の各々のほぼ中間に、磁気抵抗効果増加層（ＭＲＥＬ：Magneto-Resistance Enhancing Layer）を挿入する。 - 特許庁

In the nitride semiconductor laser array, n-type layers composed of a nitride semiconductor and containing n-type contact layers, active layers, and p-type layers containing p-type contact layer are successively formed.例文帳に追加

窒化物半導体からなる、ｎ型コンタクト層を含むｎ型層と、活性層と、ｐ型コンタクト層を含むｐ型層と、が順に含まれた窒化物半導体レーザアレイである。 - 特許庁

Titanium oxide is applied to form a titanium oxide active layer, and the active layers are assembled in a multiple layers in parallel with a gap, thus composing an NOx cleaning device.例文帳に追加

酸化チタンを塗布し酸化チタン活性層を形成したて、これを隙間をあけて並列に重複層に組み上げてＮＯｘ浄化装置を構成する。 - 特許庁

The semiconductor laser device is provided with an active layer, guide layers pinching the active layer, a semiconductor laser element 220 wherein clad layers pinching the active and guide layers are formed on a GaAs substrate, and a mold resin parts (223 and 224) covering the semiconductor laser element 220.例文帳に追加

活性層と、活性層を挟むガイド層と、活性層とガイド層を挟むクラッド層がＧaＡs基板上に形成された半導体レーザ素子２２０と、半導体レーザ素子２２０を覆うモールド樹脂部(２２３,２２４)とを備える。 - 特許庁

The semiconductor laser is provided with an active layer formed on a substrate and a pair of clad layers formed on both sides of the active layer.例文帳に追加

基板上に形成された活性層と、活性層を挟む一対のクラッド層とを備えた半導体レーザ。 - 特許庁

An active substance layer with a plurality of active substance material layers made of an active substance material laminated is provided on the surface of a collector.例文帳に追加

集電体の表面上において、活物質材料からなる活物質材料層の複数層が積層された活物質層を設ける。 - 特許庁

The first and second active layers are composed of semiconductor materials which are different from each other.例文帳に追加

第１及び第２活性層は互いに異なる半導体材料からなる。 - 特許庁

The element has a plurality of quantum well layers 6b, 6d, and has an active layer 6 wherein the quantum well layers 6b, 6d and barrier layers 6a, 6c, 6e are formed alternately.例文帳に追加

複数の量子井戸層６ｂ，６ｄを有し、量子井戸層６ｂ，６ｄとバリア層６ａ，６ｃ，６ｅとを交互に形成した活性層６を備える。 - 特許庁

A light emitting device comprises a plurality of semiconductor layers, an active region within the layers, and first and second metal electrodes contacting different semiconductor layers.例文帳に追加

発光デバイスは、複数の半導体層と、層内の活性領域と、異なる半導体層に接触する第１及び第２の金属電極とを含む。 - 特許庁

The semiconductor optical amplifier has a plurality of active layers made of bulk crystal, and at least one spacer layer having a band gap larger than that of the active layers is interposed between these active layers, and in this case, each active layer stores stretch strain.例文帳に追加

半導体光増幅器中にバルク結晶よりなる複数の活性層と、前記複数の活性層の間に前記活性層よりも大きなバンドギャップを有する、少くとも一のスペーサ層が介在し、前記複数の活性層の各々は伸張歪を蓄積することを特徴とする。 - 特許庁

If the protective layer is composed of two layers, the active electrode may be sandwiched between these two layers.例文帳に追加

または、保護層が２つの層で構成された場合に、活性電極は、この二つの保護層の間に挟まれることもある。 - 特許庁

The active layers 24 and 34 each have a well layer containing In, and the emission wavelengths of these well layers are different from each other.例文帳に追加

活性層２４，３４は、Ｉｎを含む井戸層をそれぞれ有し、これらの井戸層の発光波長は互いに異なる。 - 特許庁

A pair of clad layers having a band gap larger than that of the active layer are arranged to sandwich the active layer.例文帳に追加

活性層を挟むように、活性層のバンドギャップよりも広いバンドギャップを有する一対のクラッド層が配置されている。 - 特許庁

The active material layers 11a and 12a have a binder volume percentage of 5-12%.例文帳に追加

この活物質層１１ａ，１２ａはバインダー体積分率が５〜１２％である。 - 特許庁

The active layer 3 is structured to be sandwiched between nitride clad layers 2, 4.例文帳に追加

また、活性層３を窒化物層であるクラッド層２，４により挟む構造にした。 - 特許庁

SURFACE-MOUNTED MULTILAYER ELECTRIC CIRCUIT PROTECTION DEVICE HAVING ACTIVE ELEMENT BETWEEN PPTC LAYERS例文帳に追加

ＰＰＴＣ層間に能動素子を備える表面実装多層電気回路保護デバイス - 特許庁

An electrode sheet 12 has active material layers 124 on both surfaces of the collector 122.例文帳に追加

電極シート１２は、集電体１２２の両面に活物質層１２４を有する。 - 特許庁

The laser elements 10 and 20 are respectively constituted by successively laminating n-type clad layers 11 and 21, MQW active layers 12 and 22, p-type clad layers 13 and 23, current blocking layers 14 and 24, and p-type contact layers 15 and 25 upon another in this order.例文帳に追加

第１および第２の半導体レーザ素子１０，２０は、ｎ−クラッド層１１，２１、ＭＱＷ活性層１２，２２、ｐ−クラッド層１３，２３、電流ブロック層１４，２４およびｐ−コンタクト層１５，２５が順に積層されてなる。 - 特許庁

Over them, n-type GaN light-guide layers 3a and 3b, InGaN active layers 4a and 4b, p-type GaN light-guide layers 5a and 5b, p-type AlGaN clad layers 7a and 7b, and p-type contact layers 8a and 8b, are sequentially formed.例文帳に追加

これらの上に、ｎ型ＧａＮ光導波層３ａ，３ｂ、ＩｎＧａＮ活性層４ａ，４ｂ、ｐ型ＧａＮ光導波層５ａ，５ｂ、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層７ａ，７ｂ、ｐ型コンタクト層８ａ，８ｂが順次形成される。 - 特許庁

In this semiconductor laser, n-type semiconductor layers 22-24, an active layer 25, and p-type semiconductor layers 26-28 are successively laminated upon a substrate 11.例文帳に追加

基板１１にｎ型半導体層２２〜２４、活性層２５およびｐ型半導体層２６〜２８が順次積層されている。 - 特許庁

A semiconductor device comprises an active region (4), clad layers (5, 7), and a saturable absorption layer (6) arranged between the clad layers.例文帳に追加

半導体デバイスは、活性領域（４）、クラッド層（５、７）、およびこのクラッド層の中に配置された可飽和吸収層（６）を備える。 - 特許庁

A light emitting device has a stack of layers including a semiconductor layer with an active region 12.例文帳に追加

発光デバイスは活性領域１２を備える半導体層を含む層のスタックを有する。 - 特許庁

The well layer 25 of the active layer 21 is formed of a plurality of InGaN thin layers 24a and 26a.例文帳に追加

活性層２１の井戸層２５は複数のＩｎＧａＮ薄層２４ａ、２６ａからなる。 - 特許庁

LIGHT EMITTING DEVICES WITH ACTIVE LAYERS THAT EXTEND INTO OPENED PITS AND MANUFACTURING METHODS THEREOF例文帳に追加

開いたピット中に延びる能動層を有する発光デバイス及びその製造方法 - 特許庁

The active matrix substrate with the resin layers obtained by this method is used for the liquid crystal element.例文帳に追加

液晶素子は、この方法で得られた樹脂層付アクティブマトリクス基板を用いる。 - 特許庁

The band gaps of the lower and upper clad layers are larger than that of the active layer.例文帳に追加

下部クラッド層及び上部クラッド層のバンドギャップが活性層のバンドギャップよりも大きい。 - 特許庁