「c-sic」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An AlN buffer layer 12 is formed with the film thickness of about 20 nm at a temperature 500°C on a 6H-SiC substrate 11, then the temperature is turned to 1050°C and a GaN layer 13 is grown for about 3 μm.例文帳に追加

6Ｈ-SiC基板11上に温度500℃でAlNバッファ層12を20nm程度の膜厚で形成する。 - 特許庁

When SiC substrate temperature is a high temperature in the order of 1800°C, the sublimation of SiC from a SiC substrate 10 is generated.例文帳に追加

ＳｉＣ基板温度が１８００℃程の高温では、ＳｉＣ基板１０からＳｉＣの昇華が発生する。 - 特許庁

A carbon substrate or an amorphous SiC substrate is used for the carbon atom supply substrate 17.例文帳に追加

前記C原子供給基板17として、カーボン基板又は非晶質SiC基板を用いる。 - 特許庁

C-SiC SINTERED COMPACT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

Ｃ−ＳｉＣ焼結体およびその製造方法 - 特許庁

C/SiC HONEYCOMB COMPOSITE BODY AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

Ｃ／ＳｉＣハニカム複合体及びその製造方法 - 特許庁

SIC-C/C COMPOSITE MATERIAL, ITS USE, AND PRODUCTION THEREOF例文帳に追加

ＳｉＣ−Ｃ／Ｃコンポジット複合材料、その用途、およびその製造方法 - 特許庁

The SiC monocrystalline ingot is sliced into the substrates, both surfaces of the sliced substrate is polished, and then the SiC substrate is subjected to annealing heat treatment at a temperature of 1,300°C or higher and 2,000°C or lower.例文帳に追加

SiC単結晶インゴットからスライスして得られた基板に両面ラップ研磨を施し、得られたSiC単結晶基板に、１３００℃以上２０００℃以下の温度で焼鈍熱処理を施す。 - 特許庁

An about 20 nm-thick AlN buffer layer 12 is formed on a (0001) face 6H-SiC substrate 11 at 500°C.例文帳に追加

（０００１）面6Ｈ-SiC基板11上に温度500℃でAlNバッファ層12を２０nm程度の膜厚で形成する。 - 特許庁

THREE DIMENSIONALLY REINFORCED SIC-C/C COMPOSITE-MADE HIGH SPEED ROTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

三次元強化ＳｉＣ−Ｃ／Ｃコンポジット製高速回転体及びその製作方法 - 特許庁

The plate part 2 is obtained by converting a C/C plate obtained by molding a mixed raw material the same as that in the C/C honeycomb core and carbonating the same into C/SiC.例文帳に追加

プレート部２は、Ｃ／Ｃハニカムコアと同一の混合原料を成形し炭素化してなるＣ／ＣプレートをＣ／ＳｉＣ化してなっている。 - 特許庁

The method for manufacturing the Si-SiC material manufactured by impregnating the material with molten Si comprises manufacturing the Si-SiC material by heat treating a molding consisting of a powder mixture composed of SiC, Si and C at a temperature above the melting point of the Si to make a calcined body and impregnating the calcined body with the molten Si at a temperature above the melting point of the Si.例文帳に追加

溶融Siを含浸して製造するSi-SiC材料において、SiC、Si、Cの混合粉よりなる成形体をSiの融点以上の温度で熱処理して仮焼体を作製し、該仮焼体にSiの融点以上の温度で溶融Siを含浸させてSi-SiC材料を作製することを特徴とするSi-SiC材料の製造方法である。 - 特許庁

An AlN buffer layer 12 is formed with the film thickness of about 20 nm at a temperature 500°C on an SiC substrate 11, the temperature is turned to 1050°C, and a GaN layer 13 is grown for about 3 μm.例文帳に追加

SiC基板11上に温度500℃でAlNバッファ層12を20nm程度の膜厚で形成し、温度を1050℃にしてGaN層13を3μm程度成長させる。 - 特許庁

The honeycomb structural part 1 and the plate part 2 are integrated by impregnating the C/C honeycomb core and the C/C plate with silicon so as to be converted into C/SiC.例文帳に追加

ハニカム構造部１とプレート部２とは、Ｃ／ＣハニカムコアとＣ／Ｃプレートとにシリコンを含浸してＣ／ＳｉＣ化することにより一体化されている。 - 特許庁

Here, the heat conduction members are; (1) GGG, (2) TiO_2, (3) Al_2O_3, (4) 3C-SiC, (5) 4H-SiC, (6) 6H-SiC, (7) hex.AIN, (8) hex.GaN, and (9) C.例文帳に追加

（１）ＧＧＧ、（２）ＴｉＯ_２、（３）Ａｌ_２Ｏ_３、（４）３Ｃ−ＳｉＣ、（５）４Ｈ−ＳｉＣ、（６）６Ｈ−ＳｉＣ、（７）ｈｅｘ．ＡＩＮ、（８）ｈｅｘ．ＧａＮ、（９）Ｃ - 特許庁

The method for producing an SiC single crystal comprises growing an SiC single crystal on an SiC seed crystal substrate 9 from a raw material solution 3 containing SiC, C and a solution component other than the two components by the solution method, and includes a process for dissolving C before the start of SiC growth and a process for replenishing SiC after the start of SiC growth.例文帳に追加

溶液法により、ＳｉＣとＣと前記２成分以外の溶液成分を含む原料溶液３からＳｉＣ種結晶基板９上にＳｉＣ単結晶を成長させる方法であって、ＳＩＣ成長開始前にはＣを溶解させる工程を有し、ＳＩＣ成長開始後にはＳｉＣを補給する工程を有する。 - 特許庁

This carbonaceous crucible for pulling up the single crystal comprises a C/C(carbon fiber-reinforced carbon material) substrate-SiC composite product prepared by filling 35-50 vol.% of the total pore volume of the C/C substrate with the SiC deposited by CVI method.例文帳に追加

Ｃ／Ｃ基材の全気孔容積の３５〜５０ vol％がＣＶＩ法により析出したＳｉＣで充填されたＣ／Ｃ材とＳｉＣの複合体からなる単結晶引き上げ用炭素質ルツボ。 - 特許庁

This SiC-C/C composite pipe is manufactured by melting metallic silicon and impregnating the molten metallic silicon in the cylindrical intermediate consisting of the C/C composite.例文帳に追加

Ｃ／Ｃコンポジットからなる筒状中間体に、金属珪素を溶融、含浸させるＳｉＣ−Ｃ／Ｃコンポジットパイプの製造方法である。 - 特許庁

Then, the oxidation temperature is lowered to 1,100°C or below to thermally oxidize SiC.例文帳に追加

次に、酸化温度を１１００度未満に下げて、ＳｉＣを熱酸化する。 - 特許庁

The recording layer comprises an (a) layer containing SiC and O (oxygen), a (b) layer laminating an SiO_2 layer and an SiC layer to this order, a (c) layer laminating the SiC layer and the SiO_2 layer to this order.例文帳に追加

（ａ）ＳｉＣとＯ（酸素）とを含有する層、（ｂ）ＳｉＯ_２層とＳｉＣ層をこの順に積層した層、（ｃ）ＳｉＣ層とＳｉＯ_２層とをこの順に積層した層 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SiC-C/C COMPOSITE PIPE AND APPARATUS FOR MANUFACTURING CYLINDRICAL INTERMEDIATE FOR THE PIPE例文帳に追加

ＳｉＣ−Ｃ／Ｃコンポジットパイプの製造方法及びＳｉＣ−Ｃ／Ｃコンポジットパイプ用筒状中間体の製造装置 - 特許庁

This production method for depositing the crystalline SiC film on a substrate comprises controlling the substrate temperature to 500°C or lower and preferably to 300°C or lower; and doping nitrogen into the film by using preferably a silazane.例文帳に追加

基板上に結晶性SiC膜を堆積させるに際して、基板温度を５００℃以下、好ましくは３００℃以下、として、好適にはシラザン類を用いて窒素をドーピングする。 - 特許庁

That is, a HD plasma oxidation process is performed, produces reactive oxygen species, removes Si-C couplings of the SiC substrate, and forms free atoms Si and C on the SiC substrate.例文帳に追加

つまり、ＨＤプラズマ酸化プロセスは実行され、反応酸素種を生成し、ＳｉＣ基板のＳｉ—Ｃ結合をはずし、ＳｉＣ基板に遊離原子ＳｉおよびＣを形成する。 - 特許庁

To produce a satisfactory SiC element by preventing the clean surface of an SiC substrate from being contaminated by C or the like in the atmosphere.例文帳に追加

ＳｉＣ基板の清浄表面を大気中のＣ等で汚染されないようにし、良好なＳｉＣ素子が製造できるようにする。 - 特許庁

To provide a method for efficiently producing a crystalline SiC film with low resistivity, at a low substrate temperature of about 500°C or lower.例文帳に追加

５００℃程度以下の低温基板温度で低抵抗率を有する結晶性SiC膜を効率的に作製しうる方法を提供する。 - 特許庁

It is preferable to coat the surface of the SiC/C composite material with an SiC film by the chemical vapor growth (CVD) method.例文帳に追加

好ましくはＳｉＣ／Ｃ複合材の表面に化学的気相蒸着（ＣＶＤ）法によるＳｉＣ被膜が被着されたものである。 - 特許庁

Then, the film of amorphous SiC or GaN is formed at a temperature range of 300 to 600°C.例文帳に追加

そのとき、アモルファスＳｉＣ又はＧａＮの膜を３００〜６００℃の温度で形成する。 - 特許庁

A difference between the temperature of heat treatment and the temperature for forming the SiC film is set to 30°C or less.例文帳に追加

また、熱処理の温度と、ＳｉＣ膜の形成温度との差を３０℃以内にする。 - 特許庁

In this material for implantation, the carbonaceous thin film includes a C-C component where carbon atoms are bound to each other and an SiC component where a carbon atom and a silicon atom are bound to each other, wherein the ratio of the SiC component is 0.06 or greater.例文帳に追加

炭素質薄膜は、炭素同士が結合したＣ−Ｃ成分及び炭素とシリコンとが結合したＳｉＣ成分を含み、ＳｉＣ成分の比率は、０．０６以上である。 - 特許庁

Alternatively, the thickness of the metallic Si melt layer 18 can be controlled by placing a spacer 19 of a prescribed thickness between the single crystal SiC substrate 5 and the C atom-supplying substrate 17.例文帳に追加

あるいは、単結晶SiC基板5とC原子供給基板17との間に、所定厚みのスペーサ19を設置することによっても、金属Si融液層18の厚みを制御することができる。 - 特許庁

Spinel coarse grains of 5-40 wt.%, on the outer percentage basis, is added to a castable for the blast furnace runner, which is of an alumina-SiC-C base, alumina-spinel-SiC-C base, or the like.例文帳に追加

アルミナ−ＳｉＣ−Ｃ系やアルミナースピネル−ＳｉＣ−Ｃ系等の高炉樋の流し込み材であって、この流し込み材にスピネル粗大粒を５〜４０重量％外添加するものである。 - 特許庁

The composite material can be produced by the production method including an oxidation treatment process in which the raw material SiC is heated to form an oxide film on the surface, and an impregnation process in which the coated SiC having the oxide film formed thereon is placed in a molding die, and molten magnesium or molten magnesium alloy at a temperature of 675-1,000°C is impregnated into the coated SiC aggregate.例文帳に追加

この複合材料は、原料のSiCを加熱して、その表面に酸化膜を形成する酸化処理工程と、酸化膜が形成された被覆SiCを成形型に配置して、この被覆SiCの集合体に、675℃以上1000℃以下の温度で溶融マグネシウム又は溶融マグネシウム合金を含浸させる含浸工程とを具える製造方法により製造することができる。 - 特許庁

Further, a 3C-SiC or GaN growing raw material gas is supplied to the surface of the c-BP layer to form the 3C-SiC or GaN layer.例文帳に追加

さらに、そのｃ−ＢＰ層の表面に３Ｃ−ＳｉＣ又はＧａＮ成長用原料ガスを流して、３Ｃ−ＳｉＣ層又はＧａＮ層を形成する。 - 特許庁

In the oxidation-resistant C/C composite material, a first coating layer comprising a functionally gradient SiC coated film and a second coating layer comprising a composite coated film of a high-melting ceramic powder, fibrous SiC and B_2O_3-SiO_2 glass are formed on the surface of a C/C composite substrate in a laminated manner.例文帳に追加

Ｃ／Ｃ 複合基材面に傾斜機能組織のＳｉＣ 被膜からなる第１被覆層、高融点セラミックス粉末、繊維状ＳｉＣ 、Ｂ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２ 系ガラスとの複合被膜からなる第２被覆層が積層形成された耐酸化性Ｃ／Ｃ 複合材。 - 特許庁

SiC wafer is annealed at a temperature included in the range of 1,500°C-2,000°C and in an atmosphere of pressure smaller than 10^-2 Pa.例文帳に追加

ＳｉＣウェハーを、１５００℃から２０００℃の範囲に含まれる温度、かつ１０^-2Ｐａよりも小さい圧力の気中でアニールする。 - 特許庁

In the case where SiC as a heat conductive filler is added to a glass frit, the mixture is fired in the temperature range of ≥600°C and <720°C.例文帳に追加

熱伝導性フィラーとしてＳｉＣをガラスフリットに添加する場合に、６００℃以上７２０℃未満の温度範囲で焼成する。 - 特許庁

An n^+-type SiC substrate 1 whose both surfaces are (000-1) C-faces is manufactured by bonding both (0001) Si-faces of two n^+-type SiC substrates 11 and 12 to each other.例文帳に追加

二枚のｎ^+型ＳｉＣ基板１１、１２の（０００１）Ｓｉ面同士を貼り合せることにより、両面が（０００−１）Ｃ面のｎ^+型ＳｉＣ基板１を製造する。 - 特許庁

A first SiC crystal is formed as a buffer layer, and further a SiC crystal is layered thereon by using a source gas having a C/Si ratio adjusted to be higher than that when forming the buffer layer.例文帳に追加

更にＳｉＣ結晶をバッファー層とし、さらに、Ｃ／Ｓｉ比をバッファー層を形成するときのＣ／Ｓｉ比よりも増加方向に調整された原料ガスを用いた。 - 特許庁

In the oxidation treatment, the oxide film is formed such that the heating temperature is 700°C or above and a mass ratio of the oxide film to the raw material SiC will meet 0.4-1.5%.例文帳に追加

上記酸化処理において酸化膜は、加熱温度を700℃以上とし、原料のSiCに対する質量割合が0.4％以上1.5％以下を満たすように形成する。 - 特許庁

The SiC nanoparticles are formed by generating arc plasma in a nitrogen atmosphere and irradiating massive SiC or a formed body of a mixed powder of Si and C with the arc plasma.例文帳に追加

窒素雰囲気中でアークプラズマを発生させ、アークプラズマを塊状ＳｉＣまたはＳｉとＣの混合粉末成形体に照射してＳｉＣのナノ粒子を生成させる。 - 特許庁

Consequently, a bond between Si and C is broken, and Si and oxygen are bonded to each other and the film including Si and C is modified into an SiC film.例文帳に追加

これにより、ＳｉとＣとの結合が切断され、Ｓｉと酸素とが結合して、Ｓｉ及びＣを含む膜がＳｉＯ膜に変質する。 - 特許庁

In the method for preparing carbon nanotubes having a zigzag structure by removing silicon atoms from SiC by heating the SiC in a vacuum to a temperature at which the SiC is decomposed and silicon atoms are lost from the surface of the SiC, the rate of temperature rising during the heating is adjusted to ≤50°C/min.例文帳に追加

真空下でＳｉＣを、該ＳｉＣが分解して該ＳｉＣの表面から珪素原子が失われる温度に加熱することにより、該ＳｉＣから珪素原子を除去して、ジグザグ型構造のカーボンナノチューブを製造する方法であり、上記加熱の昇温速度を５０℃／分以下とするものである。 - 特許庁

The SiC structure 10 is equipped with: a heat dissipating component 1 for dissipating heat of an object while comprising SiC; a base 3 comprising SiC; and a junction 7 for joining the heat dissipating component 1 and the base 3 while containing SiC and C.例文帳に追加

本発明に係るＳｉＣ構造体１０は、ＳｉＣからなり、対象物を放熱するための放熱用部品１と、ＳｉＣからなるベース体３と、放熱用部品１とベース体３とを接合する、ＳｉとＣとを含む接合部７とを備えるＳｉＣ構造体１０である。 - 特許庁

To provide a technique for safely depositing a film a containing Si and C, particularly a mixed film containing Si and C, another kind of crystalline SiC and amorphrous SiC in an optional ratio.例文帳に追加

ＳｉとＣとを含む組成の膜、特に結晶性のＳｉＣ化合物やアモルファスＳｉＣいずれにも属さないＳｉとＣとを任意の割合で含む混合膜を安全に形成できる技術を提供することである。 - 特許庁

This corrosion-resistant material is obtained by coating at least a part of the surface of a substrate composed of a C/C composite, an Si-SiC-based composite material or an SiC-based composite material exposed to corroding environments with a resin.例文帳に追加

Ｃ／Ｃコンポジット、Ｓｉ−ＳｉＣ系複合材料又はＳｉＣ系複合材料から成る基材の表面の少なくとも腐蝕環境に晒される部分に樹脂を被覆した耐蝕材料から構成する。 - 特許庁

This electrode catalyst includes (A) Group 13-doped SiC which is obtained by doping SiC with Group 13 (Group 3B) element, (B) conductive carbon particles and (C) a precious metal which is supported on the surface of the (A) Group 13-doped SiC.例文帳に追加

（Ａ）ＳｉＣに第１３族（３Ｂ族）元素がドープされた１３族ドープＳｉＣと、 （Ｂ）導電性炭素粒子と、 （Ｃ）前記（Ａ）１３族ドープＳｉＣの表面に担持された貴金属と、を含むことを特徴とする、電極触媒。 - 特許庁