「distributed bragg」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In the surface emission semiconductor laser 11, a semiconductor mesa 15 is located between a first distributed Bragg reflector 13 and a second distributed Bragg reflector 17.例文帳に追加

面発光半導体レーザ１１では、半導体メサ１５は、第１の分布ブラッグリフレクタ１３と第２の分布ブラッグリフレクタ１７との間に位置する。 - 特許庁

A semiconductor laser has a Distributed Bragg Reflector (DBR) region 11 where diffraction gratings 10 are provided and a Fabry-Perot (FP) region 12 where no diffraction grating 10 is provided.例文帳に追加

半導体レーザは、回折格子１０が設けられたＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）領域１１と、回折格子１０が設けられていないＦＰ（Fabry-Perot）領域１２とを有する。 - 特許庁

CONTROL METHOD OF DISTRIBUTED BRAGG REFLECTION SEMICONDUCTOR LASER AND IMAGE PROJECTION DEVICE例文帳に追加

分布ブラッグ反射型半導体レーザの制御方法および画像投影装置 - 特許庁

To provide a high-luminance light-emitting diode which reduces the emission of infrared light in a distributed Bragg reflector to a negligible level and further reduces the absorptivity of light in the distributed Bragg reflector.例文帳に追加

分布ブラッグ反射器での赤外光の発光を無視し得るレベルまで低減し、更には分布ブラッグ反射器での光の吸収率を低くした高輝度の発光ダイオードを提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor distributed bragg reflector where resistance is low and an optical absorption loss is small.例文帳に追加

低抵抗で、かつ、光吸収損失が小さい半導体分布ブラッグ反射器を提供する。 - 特許庁

By this constitution, the semiconductor distributed bragg reflector of the low resistance is obtained.例文帳に追加

このような構成では、低抵抗な半導体分布ブラッグ反射器を提供することができる。 - 特許庁

To provide an n-type semiconductor distributed bragg reflector that can reduce an electrostatic capacitance.例文帳に追加

静電容量の低減を図ることの可能なｎ型半導体分布ブラッグ反射器を提供する。 - 特許庁

WAVEGUIDE OPTICAL FREQUENCY ROUTER AND METHOD FOR MANUFACTURING ARRAY OF DISTRIBUTED BRAGG DEFLECTORS FOR THE ROUTER例文帳に追加

導波路光周波数ルータ及び該ルータ用の分布ブラッグ偏向器アレイを製作する方法 - 特許庁

SAMPLED GRATING DISTRIBUTED FEEDBACK VARIABLE WAVELENGTH SEMICONDUCTOR LASER CONNECTED TO SAMPLED GRATING BRAGG REFLECTOR例文帳に追加

抽出格子ブラッグ反射器に結合された抽出格子分布帰還波長可変半導体レーザ - 特許庁

To provide a method to control a carbon doping level in a DBR (Distributed Bragg Reflector) of a VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser).例文帳に追加

垂直キャビティ表面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavirty Surface Emitting Laser ）の分散ブラグ・リフレクタ（ＤＢＲ：Distributed Bragg Reflector）における炭素ドーピング・レベルを制御する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a light-emitting diode that is provided with a DBR (Distributed Bragg Reflector) formed below a p-type electrode pad so as to reduce light absorption and optical loss due to the light absorption and diffuses light around itself.例文帳に追加

ｐ型電極パッドの下方に、光の吸収、及びそれによる光損失を減らし、自身の周辺に光を拡散させることができるＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）を備える発光ダイオードを提供すること。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element comprises a light-emitting layer, a first layer, a second layer, and a distributed Bragg reflection layer.例文帳に追加

半導体発光素子は、発光層と、第１の層と、第２の層と、分布ブラッグ反射層と、を有する。 - 特許庁

The protective film 7 is made of a distributed Bragg reflection mirror 7 obtained by laminating two types of insulating materials.例文帳に追加

或いは、保護膜７を２種の絶縁材料を積層した分布反射型ミラー７で構成する。 - 特許庁

DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR SEMICONDUCTOR LASER DIODE, INTEGRATED SEMICONDUCTOR LASER, SEMICONDUCTOR LASER MODULE, AND OPTICAL NETWORK SYSTEM例文帳に追加

分布ブラッグ反射型半導体レーザ、集積型半導体レーザ、半導体レーザモジュール、光ネットワークシステム - 特許庁

A reflective element, such as a distributed Bragg reflector, can be formed under the coupler and/or the optical waveguide.例文帳に追加

反射要素、例えば、分布ブラッグ反射器が、光カップラ及び／または光導波路の下部に形成されうる。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR, SURFACE EMISSION LASER ELEMENT, SURFACE EMISSION LASER ARRAY, OPTICAL INTERCONNECTION SYSTEM AND OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM例文帳に追加

半導体分布ブラッグ反射器、面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光インターコネクションシステム、および光通信システム - 特許庁

The light emitting device includes a resonant cavity formed by a reflective metal layer and a distributed Bragg reflector.例文帳に追加

発光デバイスは、反射性金属層と分散型ブラッグ反射器とによって形成された共振空洞を含む。 - 特許庁

In the light emitting element manufactured by using a semiconductor substrate, the near-infrared ray (wavelength of 700-1,100 nm) generated by a distributed Bragg reflector 2 is removed or reduced by a material (a distributed Bragg reflector 10, etc.) having a near-infrared ray absorbing function and installed in an optical passage of the light removed from the distributed Bragg reflector 2 to the outside.例文帳に追加

半導体基板を用いて作製する発光素子において、分布ブラッグ反射器２で発生した近赤外線（波長７００〜１１００ｎｍ）を、分布ブラッグ反射器２から外部へ取り出される光の光路中に設置した近赤外線吸収機能を有する材料（分布ブラッグ反射器１０等）で除去または減少させる構成とする。 - 特許庁

The first quantum wires 17 and the buried semiconductor regions 23 constitute a first distributed Bragg reflector 18, and the second quantum wires 19 and the buried semiconductor regions 25 constitute a second distributed Bragg reflector 20.例文帳に追加

第１の量子細線１７と埋め込み半導体領域２３とは、第１の分布ブラッグ反射器１８を構成し、第２の量子細線１９と埋め込み半導体領域２５とは、第２の分布ブラッグ反射器２０を構成する。 - 特許庁

To provide a surface emission semiconductor laser having such a structure as increase in resistance resulting from distributed Bragg reflectors can be suppressed.例文帳に追加

分布ブラッグリフレクタに起因する抵抗の増加を小さくできる構造を有する面発光半導体レーザを提供する。 - 特許庁

These distributed Bragg reflectors form a DBR laser having a cavity length defined by the length of the active layer 21.例文帳に追加

これらの分布ブラッグ反射器により、活性層２１の長さを共振器長とするＤＢＲレーザが形成される。 - 特許庁

DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR, SURFACE EMISSION LASER ELEMENT, SURFACE EMISSION LASER ARRAY, OPTICAL INTERCONNECTION SYSTEM AND OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM例文帳に追加

分布ブラッグ反射器および面発光レーザ素子および面発光レーザアレイおよび光インターコネクションシステムおよび光通信システム - 特許庁

The optical waveguide 10 includes a saturable absorption region 11, an optical gain region 12 and a distributed Bragg reflector region 13.例文帳に追加

この光導波路１０は、可飽和吸収領域１１と光利得領域１２と分布ブラッグ反射領域１３とを含む。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR, SURFACE EMITTING LASER ELEMENT, SURFACE EMITTING LASER ARRAY, OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM, AND OPTICAL INTERCONNECTION SYSTEM例文帳に追加

半導体分布ブラッグ反射器および面発光レーザ素子および面発光レーザアレイおよび光通信システムおよび光インターコネクションシステム - 特許庁

A spacer region 21 is embedding the second distributed Bragg reflector 17 and comprises a second second conductivity type III-V compound semiconductor.例文帳に追加

スペーサ領域２１は、第２の分布ブラッグリフレクタ１７を埋め込んでおり、また第２の第２導電型III−Ｖ化合物半導体からなる。 - 特許庁

A lower DBR (distributed Bragg reflector) layer 1, a core layer 2, an upper DBR layer 3, and a dielectric multilayer film 6 are sequentially layered on an n-InP substrate 11.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１１上に下部ＤＢＲ層１、コア層２、上部ＤＢＲ層３、誘電体多層膜６が順次積層される。 - 特許庁

Since the distributed Bragg reflection mirror (DBR) 7 can be located outside between electrodes, its unwanted voltage drop can be avoided.例文帳に追加

分布反射型ミラー（ＤＢＲ）７は電極間の外側に配置することができることから、所望しない電圧降下を生ずることがない。 - 特許庁

By using a distributed Bragg reflector-accumulated mode-locked semiconductor laser 31, a large number of continuous light beams with a favorable SN ratio can be generated.例文帳に追加

分布ブラッグ反射器集積モード同期半導体レーザ３１を用いることで、信号対雑音比の良い多数の連続光を発生できる。 - 特許庁

Since the two layers of the distributed Bragg reflection mirror 7 are made of silicon oxide and silicon nitride, the protective film can be excellent in humidity resistance.例文帳に追加

分布反射型ミラー７を構成する２層は酸化ケイ素及び窒化ケイ素とすることで、耐湿性に優れた保護膜とすることができる。 - 特許庁

In a vertical resonance type surface light emitting device 11, an active region 17 is provided between distributed bragg reflector (DBR) 13 and DBR 15.例文帳に追加

垂直共振型面発光素子１１では、活性領域１７は、分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）１３とＤＢＲ１５との間に設けられている。 - 特許庁

To provide: a distributed Bragg reflector having high reflectivity over a wide wavelength range; and a light emitting diode chip and a light emitting diode package employing the same.例文帳に追加

広い波長範囲にわたって高い反射率を有する分布ブラッグ反射器、それを採択した発光ダイオードチップ及び発光ダイオードパッケージを提供する。 - 特許庁

To provide a light-emitting diode chip that has a distributed Bragg reflector having high reflectivity over a wide wavelength range and is improved in luminous efficiency.例文帳に追加

本発明は、広い波長領域に亘って高い反射率を有する分布ブラッグ反射器を有し、発光効率が向上した発光ダイオードチップを提供する。 - 特許庁

The DBR laser 101 has at least two active regions 101b, 101c with mutually different gain peak wavelengths, and DBR regions 101d, 101e on which distributed Bragg reflectors (DBRs) are formed.例文帳に追加

DBRレーザ101は、異なるゲインピーク波長を持つ少なくとも2つの活性領域101b、101cと、分布ブラック反射器(DBR)が形成されたDBR領域101d、101eとを有する。 - 特許庁

To provide a highly reliable surface emitting laser element wherein the occurrence of dislocation is suppressed even when a DBR (Distributed Bragg Reflector) mirror is formed on a substrate.例文帳に追加

基板上にＤＢＲミラーを形成した場合であっても転位の発生を抑制した高信頼性の面発光レーザ素子を提供すること。 - 特許庁

To make robust and reliable an optical function element which functions as an optical switch, etc., by using a difference in coefficient of thermal expansion of crystal, and a DBR (distributed Bragg reflector) mirror.例文帳に追加

結晶の熱膨張係数の差とＤＢＲミラーとを利用して光スイッチ等の機能を持たせた光機能素子において、堅牢であって高い信頼性を得る。 - 特許庁

A combination of an AlGaAs layer and an AlInP layer is used for the distributed Bragg reflector in an AlGaInP light-emitting diode.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオードにおける分布ブラッグ反射器にＡｌＧａＡｓ層とＡｌＩｎＰ層の組み合わせを用い、それらの膜厚を、下記（１）（２）（３）式のように定める。 - 特許庁

N-TYPE SEMICONDUCTOR DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR, PLANE EMISSION SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, PLANE EMISSION LASER ARRAY, PLANE EMISSION LASER MODULE OPTICAL INTERCONNECTION SYSTEM, AND OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM例文帳に追加

ｎ型半導体分布ブラッグ反射器および面発光半導体レーザ素子および面発光レーザアレイおよび面発光レーザモジュールおよび光インターコネクションシステムおよび光通信システム - 特許庁

An n-type semiconductor distributed Bragg reflection mirror 3 is formed on an n-type GaAs substrate 2, and an n-type Ga_xIn_1-xP_yAs_1-y layer 11 having a thickness of λ/4 is laminated thereon.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板２上に、ｎ−半導体分布ブラッグ反射鏡３を形成し、その上にλ／４の厚さのｎ−Ｇａ_ｘＩｎ_１−ｘＰ_ｙＡｓ_１−ｙ層１１を積層した。 - 特許庁

The reflector is a semiconductor distributed Bragg reflector comprising a material layer having a refractive index variable periodically between low and high values and reflects an incident light through light wave interference.例文帳に追加

反射鏡はそれを構成する材料層の屈折率が小／大と周期的に変化し入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡とする。 - 特許庁

A fiber Bragg grating multipoint temperature sensing system (44) includes a plurality of pressing apparatuses (50) distributed in the circumferential direction along a wall inner surface, for fixing a fiber sensing cable package.例文帳に追加

ファイバ・ブラッグ格子多点温度感知システム（４４）が、壁の内面に沿って円周方向に分配されておりファイバ感知ケーブル・パッケージを固定する複数の圧締器具（５０）を含んでいる。 - 特許庁

A hetero-spike buffer layer 12 having an intermediate valence band energy is arranged between semiconductor layers 11 and 13, whose band gap energies are different and which constitutes a semiconductor distributed Bragg reflector.例文帳に追加

半導体分布ブラッグ反射器を構成するバンドギャップエネルギーの異なる半導体層１１，１３の間に中間の価電子帯エネルギーを持つヘテロスパイク緩衝層１２を設けた。 - 特許庁

To provide an oxidized layer constriction-type surface-emitting laser element that controls oxidization of a low refractive point layer of a Distributed Bragg Reflector (DBR) mirror near an active layer, thus reducing a stress strain produced on the active layer.例文帳に追加

酸化層狭窄型の面発光レーザ素子で、活性層近傍のＤＢＲミラーの低屈折率層の酸化を抑制し、活性層に生ずる応力歪みを低減する。 - 特許庁

A unit element comprises an n-GaN substrate 13 and one or two distributed Bragg reflecting films (DBR 17) as an epitaxial multi-layered film layer.例文帳に追加

この発明に従った単位素子１は、ｎ−ＧａＮ基板１３と、ｎ−ＧａＮ基板１３上に形成された、１つまたは２つのエピタキシャル多層膜層としての分布型ブラッグ反射膜（ＤＢＲ１７）とを備える。 - 特許庁

Image light beam is shifted by an arbitrary distance in the array direction of pixels by an optical path deflection means 9 using a Bragg diffraction element having a polymer distributed liquid crystal structure disposed just before a screen 6.例文帳に追加

スクリーン６の直前に配置したポリマー分散液晶構造のブラッグ回折素子を用いた光路偏向手段９によって、画像光を画素の配列方向に任意の距離だけシフトする。 - 特許庁

An embedding region 19 is embedding the semiconductor mesa 15 on the second area 13b of the first distributed Bragg reflector 13 and comprises a first second conductivity type III-V compound semiconductor.例文帳に追加

埋め込み領域１９は、第１の分布ブラッグリフレクタ１３の第２のエリアと１３ｂ上において半導体メサ１５を埋め込んでおり、また第１の第２導電型III−Ｖ化合物半導体からなる。 - 特許庁