| 例文 (310件) |
dry-etched～の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 310件
To provide a dry etching method which can enhance the etching selection ratio between a silicon-containing conductive film and a silicon oxide film and assure the etching and removal of only the desired silicon-containing conductive film without etching the silicon oxide film of the under layer and without deforming the etched shape of silicon-containing conductive film.例文帳に追加
従来に較べて、シリコン酸化膜に対するシリコン含有導電膜の選択比を向上させることができ、下地層であるシリコン酸化膜層をエッチングすることなく、また、シリコン含有導電膜層のエッチング形状を崩すことなく、確実に所望のシリコン含有導電膜層のみをエッチングして除去することのできるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁
After the second interlayer insulating film 108 and the first interlayer insulating film 107 are dry etched with a resist pattern 109 as a mask to form a contact hole 110, the resist pattern 109 is removed, and thereafter the contact hole 110 is cleaned by using a cleaning liquid containing a hydrofluoric acid.例文帳に追加
第２の層間絶縁膜１０８及び第１の層間絶縁膜１０７に対してレジストパターン１０９をマスクにドライエッチングを行なってコンタクトホール１１０を形成した後、レジストパターン１０９を除去し、その後、フッ酸を含む洗浄液を用いてコンタクトホール１１０を洗浄する。 - 特許庁
After an interconnecting insulating film 111 is formed by laminating a first insulating film 112 composed of an SiOC-based low-permittivity material and a second insulating film 113 composed of porous silica upon another, the second and first insulating films 113 and 112 are respectively dry-etched with an etching gas containing CF_4 and another etching gas containing C_4F_6.例文帳に追加
ＳｉＯＣ系低誘電率材料からなる第１の絶縁膜１１２と、ポーラスシリカからなる第２の絶縁膜１１３を積層して配線間絶縁膜１１１を形成し、ＣＦ_4を含有するエッチングガスで第２の絶縁膜１１３を、Ｃ_4Ｆ_6を含有するエッチングガスで第１の絶縁膜１１２をそれぞれドライエッチングする。 - 特許庁
To obtain a vertical section in a treated shape, when an antireflection film formed of at least two separate layers of at least two kinds of polysilanes is dry-etched with a resist pattern used as a mask and thereby to enable control of the influence of microloading effects produced by a reaction product in etching.例文帳に追加
少なくとも二種類のポリシランを少なくとも二層に分けて成膜した反射防止膜を、レジストパターンをマスクとしてドライエッチングを行う際、加工形状の断面が垂直状に得られるようになり、エッチング時の反応生成物によって生じるマイクロローディング効果の影響を制御できる。 - 特許庁
When an n^+-GaN layer 6 is selectively etched with respect to an n^+-AlGaN layer 5 in the manufacturing process of the GaN semiconductor device, dry etching is performed with gas plasma whose concentration of gas including Cl atom is set to be 60 to 90% by using gas including the Cl atom and gas including a F atom.例文帳に追加
ＧａＮ系半導体デバイスの製造工程において、ｎ^+ −ＧａＮ層６をｎ^+ −ＡｌＧａＮ層５に対して選択的にエッチングを行う際に、Ｃｌ原子を含むガスとＦ原子を含むガスを用い、そのＣｌ原子を含むガスの濃度を６０〜９０％としたガスプラズマにてドライエッチングを行う。 - 特許庁
To manufacture a semiconductor device excellent in element characteristics and reliability with high yield by carrying out dry etching of a multilayer film having an SiGe film containing Si and Ge and an oxide film to form a gate electrode pattern and a gate oxide film pattern, and then sufficiently removing dry etched products or particles adhering to a semiconductor substrate without damaging the SiGe layer or the gate oxide film configuring the gate electrode.例文帳に追加
Ｓｉ及びＧｅを含有するＳｉＧｅ膜と酸化膜とを有する積層膜をドライエッチングしてゲート電極パターン及びゲート酸化膜パターンを形成した後、ゲート電極を構成するＳｉＧｅ層とゲート酸化膜とを損傷させることなく、半導体基板上に付着したドライエッチ生成物やパーティクルを十分に除去し、素子特性および信頼性に優れた半導体装置を歩留りよく製造する。 - 特許庁
In the production process of a solar cell element comprising a step for forming micro protrusions/recesses on one major surface side of a semiconductor substrate having one conductivity type by dry etching and a step for providing a reverse conductivity type semiconductor region on one major surface side of a semiconductor substrate, the amount being dry etched is limited to 0.015 mg per 1 cm^2 of substrate area.例文帳に追加
一導電型を有する半導体基板の一主面側にドライエッチングで微細な凹凸を形成する凹凸形成工程と、前記半導体基板の一主面側に逆導電型半導体領域を設ける逆導電型半導体形成工程とを具備した太陽電池素子の製造方法において、前記ドライエッチングによりエッチングされる量が、基板面積１ｃｍ^２当たり０．０１５ｍｇを超えないようにした。 - 特許庁
In a dry etching method, first reaction gas containing hydrogen and second reaction gas containing fluorine are brought into contact with a heating element 110 formed of nickel to generate hydrogen radicals and fluorine radicals, the hydrogen radicals and the fluorine radicals are reacted with the first reaction gas and the second reaction gas to generate etching gas, and a silicon oxide layer on a substrate is etched with the etching gas.例文帳に追加
本実施形態のドライエッチング方法は、水素を含む第１の反応ガスとフッ素を含む第２の反応ガスとをニッケルで形成された加熱体１１０に接触させることで、水素ラジカルとフッ素ラジカルとをそれぞれ生成し、前記水素ラジカルおよび前記フッ素ラジカルと、前記第１の反応ガスおよび前記第２の反応ガスとを反応させることでエッチングガスを生成し、前記エッチングガスによって基板上のシリコン酸化物層をエッチングする。 - 特許庁
In a dry etching method, first reaction gas containing hydrogen and second reaction gas containing fluorine are brought into contact with a heating element 110 to generate hydrogen radicals and fluorine radicals, the hydrogen radicals and the fluorine radicals are reacted with the first reaction gas and the second reaction gas to generate etching gas, and a silicon oxide layer on a substrate is etched with the etching gas.例文帳に追加
本実施形態のドライエッチング方法は、水素を含む第１の反応ガスとフッ素を含む第２の反応ガスとを加熱体１１０に接触させることで、水素ラジカルとフッ素ラジカルとをそれぞれ生成し、前記水素ラジカルおよび前記フッ素ラジカルと、前記第１の反応ガスおよび前記第２の反応ガスとを反応させることでエッチングガスを生成し、前記エッチングガスによって基板上のシリコン酸化物層をエッチングする。 - 特許庁
For the purpose of reducing the short-circuit defects between wirings and enhancing the yield in the manufacturing stage, the semiconductor layer is patterned utilizing the dry etching construction method, then etched by using dilute HF before a thin film is deposited in the next stage to remove the polymer generated at the time of patterning of the semiconductor layer.例文帳に追加
半導体層のパタンニング時に発生するポリマを除去し、ショート不良を低減し製造工程における歩留まりの向上を達成するために、半導体層のパタンニングをドライエッチ工法を利用して行い、エッチングした後、次の薄膜堆積前に希ＨＦにてエッチングすることによって、半導体層のパタンニング時に発生するポリマを除去し、配線間のショート不良を低減し製造工程における歩留まりの向上につなげる。 - 特許庁
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