「dry-etched～」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

These laminate films are dry etched to form a laminate wiring.例文帳に追加

これらの積層膜をドライエッチングにより加工し、積層配線を形成する。 - 特許庁

The wiring layer 9 is dry etched by using the mask 10 (ME process).例文帳に追加

マスク１０を用いて、配線層９をドライエッチングする（ＭＥ工程）。 - 特許庁

The photomask blank includes a chromium-free film 14 which can be etched by fluorine-based dry etching as well as by oxygen-containing chlorine-based dry etching, layered on a light-shielding film 13 containing chromium, which in turn cannot be substantially etched by fluorine-based dry etching but etched by oxygen-containing chlorine-based dry etching.例文帳に追加

フッ素系ドライエッチングでは実質的なエッチングがされず且つ酸素含有塩素系ドライエッチングでエッチングが可能なクロムを含む遮光膜１３の上に、フッ素系ドライエッチング且つ酸素含有塩素系ドライエッチングでエッチングが可能なクロムを含まない膜１４が積層される。 - 特許庁

The polysilicon film 3 is selectively dry-etched or wet-etched so as to form a polysilicon island 3I.例文帳に追加

その後、ポリシリコン膜３を選択的にドライエッチングまたはウエットエッチングしてポリシリコン・アイランド３Ｉを形成する。 - 特許庁

To prevent a lift-off of an organic mask when a film of silicon oxide or the like to be etched is partially dry-etched.例文帳に追加

酸化シリコンなどの被エッチング膜を部分的にドライエッチングする際、有機マスクのリフトオフを防止する。 - 特許庁

Then, the polysilicon film 22 and the barrier metal film 21 are dry-etched to selectively be removed.例文帳に追加

次に、ポリシリコン膜２２及びバリアメタル膜２１をドライエッチングして選択的に除去する。 - 特許庁

Then, the semiconductor layer part is etched 0.2 μm by dry-etching.例文帳に追加

そして、ドライエッチングにより半導体層部分を約０．２μｍエッチングする。 - 特許庁

A silicon substrate 1 is over-etched about 5 to 20 nm by anisotropic dry-etching.例文帳に追加

異方性のドライエッチングにより、シリコン基板１が５nm〜２０nm程度オーバエッチングされる。 - 特許庁

After that, the GaN layer 2 is dry-etched using the USG film 3 as a mask.例文帳に追加

その後、ＵＳＧ膜３をマスクとしてＧａＮ層２をドライエッチングした。 - 特許庁

Then with the patterned film as a mask, the semiconductor laminate structure is dry-etched.例文帳に追加

続いて、パターニングされた被膜をマスクとして、半導体積層構造をドライエッチングする。 - 特許庁

For opening a silicide-forming region, the metal film is dry-etched by utilizing a resist mask.例文帳に追加

シリサイド形成領域開口のために、レジストマスクを利用してメタル膜をドライエッチングする。 - 特許庁

Then the inter-layer insulating film 8 is dry-etched with the photo-resist as a mask.例文帳に追加

次いで、前記フォトレジストをマスクとして層間絶縁膜８をドライエッチングする。 - 特許庁

Instead of polishing, the front surface of the second insulating film 3 may be dry etched.例文帳に追加

研磨の代わりに、第２の絶縁膜３の表面をドライエッチングしてもよい。 - 特許庁

Each of gate insulating films 31, 66 is then dry etched to give a predetermined difference of film thickness.例文帳に追加

各ゲート絶縁膜31，66のそれぞれを、所定の膜厚差となるまでドライエッチングする。 - 特許庁

Then, the interlayer insulation film 11 is dry-etched (Figure 1B) to form a contact hole 12.例文帳に追加

次に、層間絶縁膜１１をドライエッチングし（図１Ｂ）、コンタクトホール１２を形成する。 - 特許庁

Subsequently, the Si layer 13/SiGe layer 11 exposed from a lower side of the supporting material 22 is dry-etched.例文帳に追加

続いて、支持体２２下から露出しているＳｉ層１３／ＳｉＧｅ層１１をドライエッチングする。 - 特許庁

Fluid-channel grooves 19 forming a part of fluid channels 15 are dry-etched on the lamination plane.例文帳に追加

貼り合わせ面には液流路１５の一部となる液流路用溝１９がドライエッチされている。 - 特許庁

The silicon oxide layer 62 can be dry-etched continuously to the dry etching of the conductive layer 63 without changing an etching gas.例文帳に追加

エッチングガスを変更することなく、導電性層63のドライエッチングに連続して酸化シリコン層62をドライエッチングできる。 - 特許庁

To provide a method for dry etching by which silicon can be dry- etched by using resist layers as masks and in which the occurrence of silicon residues due to watermarks can be prevented.例文帳に追加

レジスト層をマスクとしてシリコンをドライエッチングする方法において、ウォータマークに基づくシリコン残渣の発生を防ぐ。 - 特許庁

Further, the substrate has, on the above light shielding layer 12, a metal compound film as an antireflection layer 13 which can not be substantially etched by chlorine-based dry etching containing no oxygen (Cl-based dry etching) but can be etched by at least one of chlorine-based dry etching containing oxygen ((Cl+O)-based dry etching) and fluorine-based dry etching (F-based dry etching).例文帳に追加

そしてこの遮光層１２の上に、酸素非含有塩素系ドライエッチング（Ｃｌ系）では実質的なエッチングがされず、かつ酸素含有塩素系ドライエッチング（（Ｃｌ＋Ｏ）系）あるいはフッ素系ドライエッチング（Ｆ系）の少なくとも一方のエッチングでエッチングが可能な金属化合物膜が反射防止層１３として備えられている。 - 特許庁

A photomask substrate 11 has, on one principal face, a metal film as a light shielding layer 12 which can not be substantially etched by chlorine-based dry etching containing oxygen ((Cl+O)-based dry etching) but can be etched by chlorine-based dry etching containing no oxygen (Cl-based dry etching) and by fluorine-based dry etching (F-based dry etching).例文帳に追加

フォトマスク基板１１の一方主面に、酸素含有の塩素系ドライエッチング（（Ｃｌ＋Ｏ）系ドライエッチング）では実質的なエッチングがされず、かつ酸素非含有の塩素系ドライエッチング（Ｃｌ系ドライエッチング）およびフッ素系ドライエッチング（Ｆ系ドライエッチング）でエッチングが可能な金属膜が遮光層１２として備えられている。 - 特許庁

In the process of dry-etching the underside of the semiconductor wafer 1, the semiconductor wafer 1 is moved to the dry etching region, at least once by using the conveyor belt 22, while the semiconductor wafer 1 is being dry-etched.例文帳に追加

半導体ウェハ１の下面をドライエッチングする工程において、半導体ウェハ１をドライエッチングしている間に搬送ベルト２２を用いて半導体ウェハ１を少なくとも一回ドライエッチング領域内で移動させる。 - 特許庁

This dry etching method is designed to cause a mass spectrometer to detect AlFx, which is a reaction product, one minute after the start of a dry etching process of an Al2O3 film, the processing of which comes after an SiO2 film has been completely dry-etched.例文帳に追加

ＳｉＯ_2 膜がドライエッチングにより完全に堀り抜かれ、Ａ１_2Ｏ_3 膜のドライエッチングが開始されて１分が経過した後に、質量分析計において反応生成物であるＡ１Ｆｘが検出される。 - 特許庁

The upper layer portion (3) is selectively and anisotropically dry-etched using the masks 41 until the upper surface of the intermediate portion 2 is exposed, and then, the intermediate portion 2 is selectively etched until the upper surface of the lower layer portion 1 is exposed, and finally, the masks 41 are selectively etched.例文帳に追加

そして、マスク４１を用いて中層部２の上面が出るまで上層部３を選択的かつ異方的にドライエッチングし、次に、下層部１の上面が出るまで中層部２を選択的にエッチングし、最後に、マスク４１を選択的にエッチングする。 - 特許庁

The semiconductor layer is dry-etched by using the mask to form a semiconductor mesa for an optical waveguide structure.例文帳に追加

このマスクを用いて半導体積層をドライエッチングして光導波路構造のための半導体メサを形成する。 - 特許庁

Thereafter, the silicon nitride film is anisotropically dry etched to leave a silicon nitride film 8a only on the side walls of the silicon gate electrodes 6a, 6b.例文帳に追加

その後、窒化シリコン膜を異方性ドライエッチングすることにより、シリコンゲート電極６ａ、６ｂの側壁にだけ窒化シリコン膜８ａを残す。 - 特許庁

It is preferred that the at least sidewalls of the etched semiconductor film are subjected to an oxidation processing, before performing the dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングを行う前に、少なくともエッチングされた半導体膜の側壁を酸化処理することが好ましい。 - 特許庁

When layers 3, 4 comprising Cu or Cu alloy are dry etched, use is made of gas containing a halogen compound and oxygen as etching gases.例文帳に追加

Ｃｕ又はＣｕ合金から成る層３，４をドライエッチングする際に、ハロゲン化合物を含むガスと酸素とをエッチングガスとして使用する。 - 特許庁

Next, the surface of the silicon support substrate 108 is etched until the thickness becomes a predetermined value by a dry etching method.例文帳に追加

次に、ドライエッチング法により前記シリコン支持基板１０８の表面を、その厚さが所定の値になるまでエッチングする。 - 特許庁

After irradiation with the ultraviolet rays 13, the film 2 is dry-etched with a fluororesin resist pattern 32 as a mask.例文帳に追加

紫外光１３を照射した後、フッ素樹脂レジストパターン３２をマスクとして、ポリシリコン膜２をドライエッチングする。 - 特許庁

To etch a metal gate part vertically when a semiconductor element having a high-k film/metal gate structure is dry-etched.例文帳に追加

ｈｉｇｈ−ｋ膜／メタルゲート構造を有する半導体素子のドライエッチングにおいて、メタルゲート部分を垂直にエッチングする。 - 特許庁

Then, the upper electrode film 25, the variable resistance film 24 and the lower electrode film 23 are dry-etched to selectively be remove.例文帳に追加

次に、上部電極膜２５、可変抵抗膜２４、下部電極膜２３をドライエッチングして選択的に除去する。 - 特許庁

Respective color patterns 27R and 27B are dry-etched to form blue pixels 20B, red pixels 20R, and green pixel formation regions 39.例文帳に追加

各パターン２７Ｒ，２７Ｂをドライエッチングして、青色・赤色画素２０Ｂ，２０Ｒ、及び緑色画素形成領域３９を形成する。 - 特許庁

In a fourth process, the semiconductor substrate side surface 23 of the semiconductor apparatus 3 is dry-etched, and the semiconductor substrate is retreated to the thickness direction.例文帳に追加

第４工程では、半導体装置３の半導体基板側表面部２３をドライエッチングして、半導体基板を厚み方向に後退させる。 - 特許庁

Respective color patterns 27B and 27R are dry-etched to form blue pixels 20B, red pixels 20R, and green pixel formation regions 39.例文帳に追加

各色パターン２７Ｂ，２７Ｒをドライエッチングして、青色・赤色画素２０Ｂ，２０Ｒ、及び緑色画素形成領域３９を形成する。 - 特許庁

Then, a silicon nitride film SN2 is formed on the low temperature oxide film LTO, and dry-etched and selectively removed.例文帳に追加

次に、この低温酸化膜ＬＴＯ上に、シリコン窒化膜ＳＮ２を形成し、ドライエッチングを施して選択的に除去する。 - 特許庁

After the member to be etched is patterned by applying dry etching through the mask, the mask is removed.例文帳に追加

マスクを介してドライエッチングを施すことにより被エッチング部材をパターニングした後、マスクを除去する。 - 特許庁

To enhance the accuracy of end point detection when an insulation film formed on a semiconductor substrate is dry-etched.例文帳に追加

半導体基板上に形成された絶縁膜をドライエッチングする場合に、その終点検出の精度を向上させる。 - 特許庁

Then, a resist film is formed on the semiconductor film 123, and the semiconductor film 123 is dry-etched while the resist film is used as a mask.例文帳に追加

その後、半導体膜１２３の上にレジスト膜を形成し、このレジスト膜をマスクにして半導体膜１２３をドライエッチングする。 - 特許庁

Silicon oxide film or silicon nitride film, deposited on a platinum film, is dry-etched within a reaction chamber of which the wall surface is covered with quartz.例文帳に追加

白金膜上に堆積されたシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜を、壁面が石英で覆われた反応室内でドライエッチングする。 - 特許庁

Further, the tungsten is patterned and dry-etched to form a first electrode 102 and a dummy electrode 103 at the same time (Fig.2(B)).例文帳に追加

ついで、タングステンのパターニング及びドライエッチングによって第１の電極１０２及びダミー電極１０３を同時に形成する（図２（Ｂ））。 - 特許庁

These formed layers are etched by multistage dry and wet processes to form a high precision integrated circuit.例文帳に追加

形成されたこれらの層は多段階のドライおよびウエット・プロセスの組合せによってエッチされ、高精度な集積回路キャパシタが形成される。 - 特許庁

Then, a specified area in the first insulating film 6 is selectively dry-etched for forming a via hole 2.例文帳に追加

そして、上記第１の絶縁膜６の所定の領域を選択的にドライエッチングしヴィアホール２を形成する。 - 特許庁

Next, a photoresist 31 is formed on the oxide layer 32, and the oxide layer 32 is etched under a first dry-etching condition.例文帳に追加

次に、酸化層３２上にフォトレジスト３１を形成して、第１のドライエッチング条件により、酸化層３２をエッチングする。 - 特許庁

After that, the Si substrate 110 is dry-etched to form grooves having the depths according to the areas of the openings of the mask 200 (Figure 4 (b)).例文帳に追加

この後、Ｓｉ基板１１０をドライエッチングし、マスク２００の開口部の面積に応じた深さの溝を形成する（図４（ｂ））。 - 特許庁