「dry-etched～」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

After a metallic film or a semiconductor film on a semiconductor substrate is dry-etched to form a wiring layer having a prescribed pattern or after an insulating layer is formed on a semiconductor substrate with a formed wiring layer and dry-etched in a prescribed pattern, chemical treatment is carried out with a resist removing composition prepared by adding a sugar alcohol to a composition comprising a fluorine compound, an organic solvent and water.例文帳に追加

半導体基板上の金属膜又は半導体膜をドライエッチングし、所定のパターンを有する配線層を形成した後、あるいは、配線層が形成された半導体基板上に絶縁層を形成し、これを所定のパターンにドライエッチングした後、フッ素化合物、有機溶媒及び水を含有し、糖アルコールを添加したレジスト剥離用組成物により薬液処理する。 - 特許庁

To provide a dry etching method wherein reproducibility of etching rate is good and execution is enabled by small man day and low cost in a dry etching method in which a semiconductor substrate is etched perpendicularly by alternately changing etching gas and passivation formation gas.例文帳に追加

エッチングガスと保護膜形成ガスを交互に切り替えて、半導体基板を垂直方向にエッチングするドライエッチング方法において、エッチングレートの再現性が良く、小さな工数と低コストで実施できるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

Then the protective film 18 and wiring layer 18 are dry-etched and, successively, the polymer, etc., which adhere to the protective film 24 and wiring layer 18 at the dry etching is removed with an amine-based alkaline solution, etc.例文帳に追加

次に、塗布したフォトレジストをマスクとして、金属配線層保護膜２４と金属配線層１８とをドライエッチングし、続けて、エッチング時に金属配線層保護膜２４と金属配線層１８とに付着したポリマー等をアミン系アルカリ溶液等により剥離する。 - 特許庁

To provide a display device and an electronic apparatus, in which when a dry-etched film is formed by dry etching, at the end portion of the film, an organic planarizing film is prevented from having a reverse tapered shape and in which the occurrence of defects caused by discharging can be prevented.例文帳に追加

被ドライエッチング膜をドライエッチする際に、膜端部において有機平坦化膜が逆テーパー形状になることを防ぎ、ひいては放電による欠陥発生を防ぐことができる表示装置および電子機器を提供する。 - 特許庁

It is assumed that a dry etching method is employed wherein a metal conductive film containing high-fusion-point metal, the copper-containing aluminum film, and a mask layer are formed in order on an insulating film and dry-etched to form a wiring pattern of the metal conductive film and copper-containing aluminum film.例文帳に追加

絶縁膜上に、高融点金属を含有する金属導電膜と、銅含有アルミニウム膜と、マスク層を順次形成し、ドライエッチングによってこの金属導電膜及び銅含有アルミニウム膜の配線パターンを形成するドライエッチング方法を前提とする。 - 特許庁

This manufacturing method is designed to determine whether or not an oxide film 13 in a portion A is completely removed by checking electrical conduction between checking conducting films (non-doped polysilicon film 17) 17b and 17c in portions B and C which have not been dry-etched, whereby dry etching can be performed in an appropriate amount.例文帳に追加

ドライエッチングされなかったＢ、Ｃ部分のチェック用導電膜（ノンドープポリシリコン膜）１７ｂと１７ｃ間の電気的な導通をチェックすれことにより、Ａ部分のノンドープポリシリコン膜１７が完全に除去されたか否かを正確に判断し、適量のドライエッチングを施す。 - 特許庁

After stripe-shaped red patterns 27 are formed as the first color on a support member by using a dry etching method, a blue layer 33B is formed, and the red patterns and the blue layer are dry-etched to form blue pixels 20B, red pixels 20R, and green pixel formation regions 39.例文帳に追加

支持体上に第１色目として、ドライエッチング法を用いて、ストライプ状の赤色パターン２７を形成後、青色層３３Ｂを形成し、赤色パターン及び青色層をドライエッチングして、青色・赤色画素２０Ｂ，２０Ｒ及び、緑色画素形成領域３９を形成する。 - 特許庁

To provide a dry-etching method which can obtain a high etching rate when an interlayer insulating film coated with a resist mask is dry-etched, also can prevent a selection ratio with respect to a resist from lowering without damaging the interlayer insulating film.例文帳に追加

レジストマスクで覆われた層間絶縁膜をドライエッチングする場合に、高いエッチングレートが得られると共に、対レジスト選択比が低下することを防止でき、さらに、層間絶縁膜にダメージを与えることがないドライエッチング方法の提供。 - 特許庁

The silicon nitride film 3 and the silicon oxide film 2 are etched simultaneously by dry etching, using a halogen system gas by using a photoresist 4 as a mask.例文帳に追加

フォトレジスト４をマスクとし、ハロゲン系のガスを用いたドライエッチングによりシリコン窒化膜３、シリコン酸化膜２を同時にエッチングする。 - 特許庁

The substrate for manufacturing the carbon nanotube has a base material for supporting the catalyst metal, the catalyst metal on the base material and a catalyst metal protecting layer provided on the catalyst metal and capable of being dry-etched.例文帳に追加

触媒金属を支持するための基材、前記基材上の触媒金属、及び、前記触媒金属上に設けられ、ドライエッチングすることが可能な触媒金属保護層を有するカーボンナノチューブ製造用基板。 - 特許庁

By subjecting an electrode layer 4 to dry etching using plasma of this etching gas, a metal layer 4a and a conductive oxide layer 4b constituting the electrode layer 4 are sequentially etched.例文帳に追加

このエッチングガスのプラズマを用いたドライエッチングを実施することで、電極層４を構成する金属層４ａと導電性酸化物層４ｂとが順次エッチングされる。 - 特許庁

The first light-shieldable film 13 is the film that is not substantially etched by fluorine-based (F-based) dry etching and is primarily composed of chromium oxide, chromium nitride, chromium oxynitride or the like.例文帳に追加

第１の遮光性膜１３はフッ素系のドライエッチング（Ｆ系ドライエッチング）では実質的にエッチングされない膜であり、その主成分がクロムである酸化物、窒化物、酸窒化物、などの膜である。 - 特許庁

The first light-shieldable film 13 is a film that is not substantially etched by fluorine-based (F-based) dry etching and is primarily composed of chromium oxide, chromium nitride, chromium oxynitride or the like.例文帳に追加

第１の遮光性膜１３はフッ素系（Ｆ系）のドライエッチングでは実質的にエッチングされない膜であり、その主成分がクロムである酸化物、窒化物、酸窒化物、などの膜である。 - 特許庁

The benzocyclobutene film 4 and the inorganic material film 3 are continuously etched in a single process by dry etching to form a via hole 6 on the benzocyclobutene film 4.例文帳に追加

また、ベンゾシクロブテン膜４にビアホール６を形成する際には、ドライエッチングを用いて、ベンゾシクロブテン膜４と無機材料膜３を連続的に一工程でエッチングする。 - 特許庁

To prevent such a reaction of tantalum on oxygen generated when dry-etching a tantalum film or the alloy and oxide films thereof under the situation of generating oxygen that a tantalum oxide redeposits on the sidewall of the etched film.例文帳に追加

タンタル膜又はその合金膜や酸化膜を酸素が発生する状況下でドライエッチングするとタンタルと酸素が反応し、タンタル酸化物が被エッチング膜の側壁に再付着することを防止する。 - 特許庁

A resist mask 4a is formed to this photoresist layer 4 with the ordinary photolithography technology and the mask layer 6 is dry-etched using this resist mask 4a.例文帳に追加

フォトレジスト層４に通常のフォトリソグラフィ技術によってレジストマスク４ａを形成し、このレジストマスク４ａを用いてマスク層６をドライエッチングする。 - 特許庁

A manufacturing method of the semiconductor device, in which a semiconductor substrate 100 is etched by using a photoresist 102 including sulfur, in the manufacturing method of the semiconductor device including a dry etching process using a chlorine gase.例文帳に追加

塩素系ガスを用いるドライエッチング工程を含む半導体素子の作製方法において、硫黄を含むフォトレジスト102を用いて半導体基体100をエッチングすることを特徴とする半導体素子の作製方法。 - 特許庁

A portion existing between the source electrode 251 and the drain electrode 252 in the impurity containing amorphous silicon layer 24 is dry etched to expose the surface 26 of the intrinsic amorphous silicon layer 23.例文帳に追加

不純物含有非晶質シリコン層２４のうちソース電極２５１とドレイン電極２５２との間に存する部分をドライエッチングして真性非晶質シリコン層２３の表面２６を露出させる。 - 特許庁

The metal film 110 is selectively etched thereafter to be removed by a dry etching method such as reactive ion etching method, for example, using the resist pattern 111 as a mask.例文帳に追加

この後、レジストパターン１１１をマスクとし、例えばリアクティブイオンエッチングなどのドライエッチング法により金属膜１１０を選択的にエッチング除去する。 - 特許庁

An etching mask 23 is formed on the metal film 17 containing the titanium and formed on a semiconductor substrate, and the metal film 17 is dry-etched through the etching mask 23.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたチタンを含む金属膜１７上にエッチングマスク２３を形成し、エッチングマスク２３を介して、金属膜１７をドライエッチングする。 - 特許庁

An upper-layer titanium film 4 and an intermediate-layer aluminum film 3 of a gate electrode material layer are dry-etched, using Cl2 and BCl3.例文帳に追加

ゲート電極材料層における上層のチタン膜４および中間層のアルミニウム膜３のドライエッチングをＣｌ_2及びＢＣｌ_3を用いて行う。 - 特許庁

An reactive ion is formed by generating plasma in a vacuum container 12, an etching material 30 provided in the vacuum container 12 is dry-etched by the reactive ion.例文帳に追加

真空容器１２内にプラズマを発生させて反応性イオンを生成し、真空容器１２内に設けられた被エッチング材料３０を、反応性イオンによりドライエッチングする。 - 特許庁

To provide a dry etching method of a substrate to be processed whose at least surface layer is composed of gallium nitride, which can obtain a smooth etched-surface and can perform etching with good reproducibility.例文帳に追加

少なくとも表層が窒化ガリウムから成る被処理基板をドライエッチングする方法であって、平滑なエッチング面が得られ、且つ、良好な再現性をもってエッチングできるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

After this, the cap insulating film 31 and the interlayer insulation film 30 are dry-etched with the alumina mask 32a as a mask to form the wiring groove.例文帳に追加

その後、アルミナマスク３２ａをマスクにしてキャップ絶縁膜３１および層間絶縁膜３０をドライエッチングすることにより、配線溝を形成する。 - 特許庁

To provide a dry etching method for precisely treating an area to be etched of a workpiece with the use of a reactive ion etching process using a carbon monoxide gas including a nitrogen-containing compound gas, as a reactant gas.例文帳に追加

含窒素化合物ガスが添加された一酸化炭素ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングを用いて被加工体のエッチング対象領域を精密に加工することができるドライエッチング方法等を提供する。 - 特許庁

After the source electrode 251 and the drain electrode 252 are formed, before the impurity containing amorphous silicon layer 24 is dry etched, the surface of the impurity containing amorphous silicon layer 24 is exposed to an oxygen containing plasma.例文帳に追加

上記ソース電極２５１とドレイン電極２５２を形成した後、不純物含有非晶質シリコン層２４をドライエッチングする前に、不純物含有非晶質シリコン層２４の表面を酸素含有プラズマに曝す。 - 特許庁

The device layer 43 is vertically etched by using the mask 45 as an etching mask until the internal layer 41 is exposed by a reactive ion dry etching method (Fig. C).例文帳に追加

マスク４５をマスクとしてデバイス層４３を、反応性イオンのドライエッチングにより、中間層４１が露出するまで垂直にエッチングする（図１０Ｃ）。 - 特許庁

A poly-Si gate electrode 13 is dry-etched, while using as a mask, a silicon oxide film 14 containing B or P, and the silicon oxide film 14 is selectively removed.例文帳に追加

ｐｏｌｙ−Ｓｉゲート電極１３のドライエッチングをＢあるいはＰを含んだシリコン酸化膜１４をマスクとしてエッチングを行い、その後ＢあるいはＰを含んだシリコン酸化膜１４を選択的に除去する。 - 特許庁

The polysilicon film 12 is dry-etched using the resist pattern 14 and the patterned anti-reflection film 13A for the mask to form a gate electrode 12A composed of the polysilicon film 12.例文帳に追加

ポリシリコン膜１２に対して、レジストパターン１４及びパターン化された反射防止膜１３Ａをマスクにドライエッチングして、ポリシリコン膜１２からなるゲート電極１２Ａを形成する。 - 特許庁

When a polysilicon film pattern 111 is formed as a gate electrode on a High-k film 105, the High-k film 105 is dry-etched using boron-trichlodide gas and nitrogen gas.例文帳に追加

Ｈｉｇｈ−ｋ膜１０５上に、ゲート電極としての多結晶シリコン膜パターン１１１が形成されている場合において、三塩化ホウ素ガスおよび窒素ガスを用いてＨｉｇｈ−ｋ膜１０５をドライエッチングする。 - 特許庁

Then, a mirror is formed on the substrate 10, and a resist film 33 is formed, after which the substrate 10 is dry-etched to form a through hole.例文帳に追加

続いて、シリコン基板上にミラーを形成し、レジスト膜３３を形成したのち、シリコン基板１０に対してドライエッチングを施すことにより、貫通孔を形成する。 - 特許庁

Thereafter, the first insulation film 7 and then the interlayer insulation film 6 are dry-etched with the hard mask as an etching mask to expose the stopper film 3 in the opening.例文帳に追加

その後、ハードマスクをエッチングマスクとして第１の絶縁膜７、層間絶縁膜６を順にドライエッチングし、開孔部からストッパー膜３を露出させる。 - 特許庁

To directly form a resist pattern on an Al alloy surface for use in an electrode pad or a wiring, and to cause etching residues not to be produced, when Al alloy film is selectively dry-etched.例文帳に追加

電極パッドや配線に用いられるＡｌ合金表面上に直接レジストパターンを形成し、Ａｌ合金膜を選択的にドライエッチングしたとき、エッチング残渣が発生しないようにする。 - 特許庁

To make the deterioration of the shape of a resist pattern reducible even when an antireflection film comprising an organic compound and having a large thickness is dry-etched with the resist pattern as a mask.例文帳に追加

有機化合物からなり大きい膜厚を有する反射防止膜に対してレジストパターンをマスクにしてドライエッチングを行なっても、レジストパターンの形状劣化を低減できるようにする。 - 特許庁

Namely, methane gas impart effects on side wall protection of the copper-containing aluminum film is added after the copper-containing aluminum film is dry-etched to prevent side etching.例文帳に追加

即ち、銅含有アルミニウム膜の側壁保護に効果のあるメタンガスを、銅含有アルミニウム膜のドライエッチングが終了した後に添加することで、サイドエッチングを防止するのである。 - 特許庁

Then a resist film having another pattern is formed on the hard mask film, and the workpiece film is selectively dry-etched with the hard mask film and the resist film as masks (S110 and S112).例文帳に追加

その後、ハードマスク膜上に別のパターンを有するレジスト膜を形成して、ハードマスク膜とレジスト膜とをマスクとして被加工膜を選択的にドライエッチングする（Ｓ１１０およびＳ１１２）。 - 特許庁

Next, by using chemical dry etching (CDE) method or the like, the polycrystal silicon film pattern 108 is isotropic etched from both sides direction and thus the gate electrode layer 115 is formed.例文帳に追加

次に、ケミカルドライエッチング（ＣＤＥ）法等を用い、多結晶シリコン膜パターン１０８を両側面の方向から等方性エッチングし、ゲート電極層１１５を形成する。 - 特許庁

Before an electrode forming process for forming a negative electrode (n electrode c) on the polished surface of the semiconductor substrate (a) consisting of a group III conductive nitride compound semiconductor and has already been polished, the polished surface is dry-etched.例文帳に追加

既に研磨加工された導電性の ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体から成る半導体基板ａの被研磨面に負電極（ｎ電極ｃ）を形成する電極形成工程の前に、その被研磨面をドライエッチングする。 - 特許庁

The interlayer insulating film 40 where the opening 100' is formed is obliquely dry-etched with respect to the surface of the semiconductor substrate 20 with the resist pattern 50 as the mask.例文帳に追加

そして、このレジストパターン５０をマスクに、開口部１００´が形成された層間絶縁膜４０を半導体基板２０表面に対して斜めにドライエッチングする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element that can form a nitride semiconductor having excellent crystallinity on the surface of a dry-etched substrate.例文帳に追加

本発明の実施形態は、ドライエッチングされた基板の表面に、良好な結晶性を有する窒化物半導体を形成することができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, the etching mode is changed from a low selection-ratio mode to a high selection-ratio mode, and a remaining polysilicon film 103A is dry-etched to form a gate electrode 103B.例文帳に追加

その後、エッチングモードを低選択比のモードから高選択比のモードに切り替えて、残存するポリシリコン膜１０３Ａに対してドライエッチングを行なってゲート電極１０３Ｂを形成する。 - 特許庁

The step of processing the object 10 may be conducted by dry etching using plasma containing oxygen since HSQ is hardly etched by oxygen plasma.例文帳に追加

ＨＳＱは酸素プラズマにエッチングされ難い為、被加工体１０を加工する工程は、酸素を含むプラズマを用いてドライエッチングする工程であってもよい。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate manufacturing method which includes a dry etching process, through which a semiconductor wafer is etched at the same rate through its surface.例文帳に追加

半導体よりなるウェハの表面をドライエッチングする工程を備える半導体基板の製造方法において、ウェハ面内のエッチングレートを均一化する。 - 特許庁

Then, there is no possibility that the lower electrode is etched by plasma when plasmatizing reactive gas for dry etching to form a pattern of the piezoelectric thin film by etching the piezoelectric thin film by the plasma.例文帳に追加

従って、ドライエッチング用の反応性ガスをプラズマ化し、このプラズマにより圧電体薄膜をエッチングして圧電体薄膜のパターンを形成する際に、下部電極がプラズマによりエッチングされるおそれがない。 - 特許庁

Then the quartz substrate 1 is dry-etched through the remaining resist 3 as a mask to form an engraved portion 6 in the quartz substrate 1 to a predetermined depth.例文帳に追加

続いて、残ったレジスト３をマスクとして、石英基板１のドライエッチングを行い、石英基板１に堀込部６を予め定められた深さに形成する。 - 特許庁