「dry-etched～」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

More concretely, an upper portion is etched by dry etching so that ITO thin film may leave about 50 nm, and etching is continued by wet etching and patterned in this patterning method.例文帳に追加

具体的には、ＩＴＯ薄膜を約５０ｎｍ残すように上部をドライエッチングによりエッチングによりエッチングし、連続してウェットエッチングによりエッチングしてパターニングを行うパターニングを方法。 - 特許庁

An electrostatic chuck 11 electrostatically attracting a substrate 2 to be dry-etched has a substrate holding part 13 with an electrostatic attraction face 13a with a shape similar to that of the substrate 2.例文帳に追加

ドライエッチング処理される基板２を静電吸着する静電チャック１１は、基板２と相似形状の静電吸着面１３ａを備える基板保持部１３を有する。 - 特許庁

Ru or RuO_2 is arranged as the interdigital electrode 4 which is a conductive layer connected electrically to on the piezoelectric substrate 2, and dry-etched by plasma containing Ru or RuO_2.例文帳に追加

圧電体基板２上に電気的に接続する導電層である櫛形電極４としてＲｕもしくはＲｕＯ_2を配し、前記ＲｕもしくはＲｕＯ_2を、酸素を含むプラズマでドライエッチングする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by the use of an etching technique capable of ensuring a sufficient etching selection ratio between an etched layer and an etching stop film in a dry etching process.例文帳に追加

ドライエッチング工程において、エッチングすべき層と、その下のエッチングストッパ膜との十分な選択比を確保することが可能なエッチング技術を用いて半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, a red layer 33R is formed, and the blue patterns 27 and the red layer 33R are dry-etched to form blue pixels 20B, red pixels 20R, and green pixel formation regions 39.例文帳に追加

更に赤色層３３Ｒを形成し、青色パターン２７及び赤色層３３Ｒをドライエッチングして、青色・赤色画素２０Ｂ、２０Ｒ、及び緑色画素形成領域３９を形成する。 - 特許庁

When the resist 3, the resin layer 2 and the substrate 1 are simultaneously dry etched in such a state, the pattern of the microlenses formed on the resist 3 is transferred to the substrate 1 and the microlens array is formed on the surface of the substrate 1.例文帳に追加

このような状態で、レジスト３と樹脂層２、基板１を同時にドライエッチングすると、レジスト３に形成されたマイクロレンズのパターンが基板１に転写され、基板１の表面にマイクロレンズアレイが形成される。 - 特許庁

Inner wall face of trenches 105a, 105b and 105c made in the silicon substrate 101 and the side face of a silicon nitride film 103 are dry etched.例文帳に追加

シリコン基板１０１に形成したトレンチ１０５ａ、１０５ｂおよび１０５ｃの内壁およびシリコン窒化膜１０３の側面をドライエッチングする。 - 特許庁

By using as a mask a photoresist pattern 8, the metallic film, the low-resistance semiconductor layer, and the intrinsic semiconductor layer are dry-etched to form source and drain electrodes 9, 10 in the metallic film.例文帳に追加

フォトレジストパターン８をマスクとして金属膜、低抵抗半導体層および真性半導体層をドライエッチングし、ソース、ドレイン電極９、１０を形成する。 - 特許庁

A blue layer 33B is formed as the first color and the blue layer 33B is dry-etched to form blue pixels 20B, thereby exfoliation of the blue pixels 20B is prevented.例文帳に追加

第１色目に青色層３３Ｂを形成し、この青色層３３Ｂをドライエッチングして青色画素２０Ｂを形成することで、青色画素２０Ｂの剥がれが防止される。 - 特許庁

An SiNx layer and an SiO_2 layer are successively formed on a Cu wiring layer formed on a wafer and the SiO_2 layer and the SiNx layer are dry etched using a resist layer as a mask.例文帳に追加

ウエハに形成したＣｕ配線層の上にＳｉＮｘ層、ＳｉＯ_２層を順次形成し、レジスト層をマスクとしてＳｉＯ_２層およびＳｉＮｘ層をドライエッチングする。 - 特許庁

Subsequently, the resist 2 and the substrate 1 are simultaneously dry-etched, the pattern of a microlens formed on the resist 2 is transferred to the substrate 1 and, thereby, the micro lens array is formed on the surface of the substrate 1.例文帳に追加

次に、レジスト２と基板１を同時にドライエッチングすると、レジスト２に形成されたマイクロレンズのパターンが基板１に転写され、基板１の表面にマイクロレンズアレイが形成される。 - 特許庁

When the polysilicon layer 13 is subjected to patterning through the same dry etching process, the impurity-doped region 131 is etched sooner than the non-doped region 132 due to an etching rate difference.例文帳に追加

このようなポリシリコン層１３を同一のドライエッチング工程でパターニングする場合、エッチングレートの違いから不純物のドープされた領域１３１の方が早くエッチングされてしまう。 - 特許庁

After that, inside walls of trenches 105a, 105b and 105c formed on the silicon substrate 101, and a side surface of silicon nitrification membrane 103 are dry-etched.例文帳に追加

その後、シリコン基板１０１に形成したトレンチ１０５ａ、１０５ｂおよび１０５ｃの内壁およびシリコン窒化膜１０３の側面をドライエッチングする。 - 特許庁

Next, the silicon single crystal substrate PW is baked at 950°C or higher in a hydrogen gas, and a natural oxide film on the main surface of the silicon single crystal substrate PW is dry-etched (step S7).例文帳に追加

次に水素ガス中でシリコン単結晶基板PWを950℃以下でベーキングし、シリコン単結晶基板PWの主表面上の自然酸化膜をドライエッチングする（ステップS7）。 - 特許庁

The pattern opening part 20 is dry etched by using the plasma of reducing gas or gas containing inert gas before a metal film 7 is formed onto the pattern opening part 20 of insulation films 6, 5 and 4.例文帳に追加

絶縁膜６，５，４のパターン開口部２０への金属膜７の形成前に、不活性ガスを含むガス若しくは還元性ガスのプラズマを用いてパターン開口部２０をドライエッチングする。 - 特許庁

The second metallic layers 60 are dry-etched with the plurality of plating electrodes 70 as masks so as to expose the Au layer 53 of the first metallic layers 50.例文帳に追加

次に、複数のメッキ電極７０をマスクとして第１金属層５０のＡｕ層５３が露出するまで第２金属層６０をドライエッチングする。 - 特許庁

The weight of the removed matter is converted to a thickness subtracted from the etched material 5, and the etching operation carried out by the dry etching means 1 is stopped when the converted thickness reaches to a prescribed value.例文帳に追加

除去された重量を被エッチング材料５から減じられた厚みに換算し、その換算された値が所定値に達したときにドライエッチング手段１によるエッチング作用を停止する。 - 特許庁

The resist film 11 is dry-etched through the sylilation layer 15 as a mask, to form a resist pattern 11A of the thin film part 11c of the resist film 11.例文帳に追加

レジスト膜１１に対してシリル化層１５をマスクとしてドライエッチングを行なって、レジスト膜１１の薄膜部１１ｃからなるレジストパターン１１Ａを形成する。 - 特許庁

To prevent a substrate to be etched from static charging being attracted by electrodes on which it is placed and blocking its subsequent transfer when dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングに際し、被エッチング材である基板がエッチング中に帯電され、当該基板を載置している電極に静電吸着して以降の搬送の障害となることを防止する。 - 特許庁

In the faltering process, the surface of high permittivity oxide film is dry-etched to reduce the unevenness on the interface between the upper electrode 104 and high permittivity oxide film 103, suppressing concentration of electric field due to the recessed parts of the interface.例文帳に追加

平坦化処理は、高誘電率酸化膜の表面をドライエッチングし、上部電極１０４と、高誘電率酸化膜１０３との界面の凹凸を軽減し、界面の凹部による電界集中を抑制する処理である。 - 特許庁

Using mask patterns 121a, 121b as masks, a metal film 106 and an n^+ silicon film 105 are dry etched one after the other, and the mask patterns 121a, 121b are heated to reflow.例文帳に追加

マスクパターン１２１ａ，１２１ｂをマスクとして金属膜１０６とｎ^+シリコン膜１０５とを順次ドライエッチングした後、マスクパターン１２１ａ，１２１ｂを加熱してリフローさせる。 - 特許庁

Resist 6 is patterned on the NSG film 5, the NSG film 5, the titanium nitride film 4 and the tantalum oxide film 3 are dry-etched by using the resist 6 as a mask, and then the resist 6 is removed by plasma ashing.例文帳に追加

ＮＳＧ膜５上にレジスト６をパターニングし、それをマスクとしてＮＳＧ膜５、チタン窒化膜４、タンタル酸化膜３をドライエッチングし、レジスト６を酸素プラズマアッシングにより除去する。 - 特許庁

A metal film 3 is formed on a film 2 formed on a base material 1, a resist mask 4 is formed on the metal film 3, and the metal film 3 is dry-etched by the resist mask 4 to form a metal mask 4.例文帳に追加

基材１上に形成された膜２上に金属膜３を形成し、金属膜３上にレジストマスク４を形成し、レジストマスク４を用いて金属膜３をドライエッチングして金属マスク４を形成する。 - 特許庁

Continuously, exposure using the resist film again is executed (S106-S110), the second film, the first film and the workpiece film are selectively dry-etched in this order to form the workpiece film into the predetermined pattern (S112).例文帳に追加

つづいて、再度レジスト膜を用いた露光を行い（Ｓ１０６〜Ｓ１１０）、第２の膜、第１の膜および被加工膜を順次選択的にドライエッチングして被加工膜を所定のパターンに形成する（Ｓ１１２）。 - 特許庁

The interlayer insulating film 40 is vertically dry-etched with respect to the surface of the semiconductor substrate 20 with the resist pattern 50 as a mask, and an opening 100' toward the S/D region 25 is formed in the interlayer insulating film 40.例文帳に追加

次に、このレジスパターン５０をマスクに層間絶縁膜４０を半導体基板２０表面に対して垂直にドライエッチングして、層間絶縁膜４０にＳ／Ｄ領域２５に至る開口部１００´を形成する。 - 特許庁

Then, the second insulation film 9 is dry-etched with a resist pattern 11 as a mask to form a hard mask and an opening which reaches the first organic film 8.例文帳に追加

レジストパターン１１をマスクとして第２の絶縁膜９をドライエッチングし、ハードマスクと、第１の有機膜８に達する開孔部とを形成する。 - 特許庁

The lamination of the films 14 and 16 is selectively dry-etched to form a mask opening part 22, and a remaining part of the lamination is left as an etching mask 24.例文帳に追加

膜１４，１６の積層を選択的にドライエッチングしてマスク開口部２２を形成し、該積層の残存部をエッチングマスク２４として残す。 - 特許庁

Thereafter, a thin film 14 and a semiconductor thin film 13 are dry-etched under the condition of a high pressure, and hence an intrinsic conductor layer 20 for forming a contact layer 19 and a channel region are formed.例文帳に追加

その後、薄膜１４と半導体薄膜１３とを、高圧の条件でドライエッチングすることによって、コンタクト層１９と、チャネル領域を形成する真性半導体層２０とを形成する。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing semiconductor devices wherein its sufficient characteristics can be secured for selectively etching an etched film, the upper-layer film thereof, and the lower-layer film thereof which are present on its semiconductor substrate and are object of dry etchings.例文帳に追加

ドライエッチングの対象となる半導体基板上の被エッチング膜とその上層の膜や下層の膜との選択的なエッチング特性を十分に確保し得る半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for dry-etching a substrate, which can easily control a temperature of the substrate by cooling and heating the substrate, prevents an etching apparatus from being etched, and besides, facilitates the handling of the substrate.例文帳に追加

基板の冷却、加熱による温度管理を容易に行うことができ、かつエッチング装置をエッチングしてしまうのも防止でき、さらには基板の取扱いも容易になる基板のドライエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Then, the second p-type clad layer 107 is dry-etched until reaching the etching stop layer 106, by using as a mask a stripe-form SiO_2 film 109 formed on the second p-type clad layer 107.例文帳に追加

次に、ｐ型第２クラッド層１０７上に形成したストライプ状のＳｉＯ_2膜１０９をマスクとして第２クラッド層１０７をエッチングストップ層１０６に至るまでドライエッチングする。 - 特許庁

To provide a technique capable of performing highly uniform etching to a substrate when a treatment gas is changed into plasma to perform dry etching to a film to be etched.例文帳に追加

処理ガスをプラズマ化して基板上の被エッチング膜をドライエッチングするにあたり、基板に対して均一性高くエッチング処理を行うことができる技術を提供すること。 - 特許庁

A film composed of a conductive material is formed on a substrate, and the film composed of the conductive material is dry-etched by using an ICP etching device, thereby the wiring of a taper angle not larger than 60° is formed.例文帳に追加

基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ＩＣＰエッチング装置を用いて前記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が６０°以下の配線を形成する。 - 特許庁

To provide a magnetic material dry etching method capable of precisely etching a very small area to be etched of a magnetic material of the area width of ≤ 150 nm.例文帳に追加

領域幅が例えば１５０ｎｍ以下の磁性材の微細なエッチング対象領域を精密にエッチングすることができる磁性材のドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching method by which application of a resist on the surface of a wafer is eliminated to reduce the number of manufacturing steps, when the rear surface of the wafer is etched entirely and productivity can be improved.例文帳に追加

ウェーハの裏面を全面エッチングする場合に、ウェーハの表面にレジストを塗布することを不用にして製造工程数を減らし、生産性を高くすることができるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To prevent roughness from appearing on the wall surface of a pattern formed on a film to be etched, when dry etching is performed while using a resist pattern, which is provided by having the resist film irradiated with EUV light as a mask.例文帳に追加

ＥＵＶ光をレジスト膜に照射して得られたレジストパターンをマスクとしてドライエッチングを行なったときに、被エッチング膜に形成されるパターンの壁面にラフネスが現われないようにする。 - 特許庁

After a resist pattern 14 is formed on the anti-reflection film 13, the patterned anti-reflection film 13 is dry-etched using the resist pattern 14 for the mask to form a patterned anti-reflection film 13A.例文帳に追加

反射防止膜１３の上にレジストパターン１４を形成した後、反射防止膜１３に対して、レジストパターン１４をマスクにドライエッチングしてパターン化された反射防止膜１３Ａを形成する。 - 特許庁

To provide a piezoelectric element with enlarged mass in its central portion by making mask material patterned, modified into a projection curved-surface shape, and dry-etched.例文帳に追加

パターニング後のマスク材料を凸型曲面形状に整形した後でドライエッチングすることにより、中央部の質量を大きくした圧電素子を提供する。 - 特許庁

The whole area is photoirradiated 6 to form an etching mask 5a and the insulator film 2 is dry-etched with plasma through the etching mask to form an opening 7 in the insulator film 2.例文帳に追加

更に、全面に光照射６を行いエッチングマスク５ａを形成しこれをエッチングマスクにして、プラズマを用いたドライエッチングにより絶縁体膜２をエッチング加工し絶縁体膜２に開口７を形成する。 - 特許庁

Further, the SiO_2 layer 22 is dry-etched using a gas containing a fluorocarbon-based gas having a high C/F ratio, so that the through via 31 penetrates the SiO_2 layer 22.例文帳に追加

さらに、高C/F比のフルオロカーボン系ガスを含むガスを使用したドライエッチングによりSiO_2層２２をエッチングし、それによって貫通ビア３１がSiO_2層２２を貫通する。 - 特許庁

Then poly-Si and a-Si are dry etched simultaneously to remove only the a-Si using the difference in etching speed, thereby leaving only the poly-Si layer 107.例文帳に追加

ｐｏｌｙ−Ｓｉとａ−Ｓｉを同時にドライエッチングし、エッチング速度の差によってａ−Ｓｉのみ除去し、ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１０７を残留させる。 - 特許庁

To provide a dry etching method by which a titanium nitride layer can be etched so that the shape of its side wall is more vertical than before even if the layer has a part where a pattern is coarsely arranged and a part where a pattern is closely arranged.例文帳に追加

パターンが疎に配置された部分と、密に配置された部分とを有するものであっても、従来に較べて、窒化チタン層の側壁部分の形状を略垂直にエッチングすることのできるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The wafer is etched, using dry etching equipment, in which the distance between the wafer and an opposite surface facing the wafer is set to be 1/2 or smaller than the diameter of the wafer.例文帳に追加

ウエハとウエハと対向する対向面との距離が、ウエハの直径の１／２以下としたドライエッチング装置を用いて、ウエハをエッチングする。 - 特許庁

To provide a wiring electrode for an organic EL display device in which formation is possible by wet etching and which is hard to be etched at the time of dry etching of the insulating film since a difference between etching rates of an insulating film is large, the organic EL display device equipped with the wiring electrode, and its manufacturing method.例文帳に追加

ウェットエッチングにより形成が可能であり、絶縁膜のドライエッチング時に絶縁膜のエッチングレートとの差が大きくエッチングされ難い、有機ＥＬ表示装置用の配線電極を提供する。 - 特許庁

A wafer 3 composed of a GaAs-based compound semiconductor is dry-etched in the presence of BCl_3 and electrons.例文帳に追加

また、ＧａＡｓ系化合物半導体を微細な順テーパ形状とすることで信頼性と発光特性とに優れた半導体発光素子及びこの半導体発光素子を用いた表示装置を製造する。 - 特許庁