「dry-etched～」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

A part not protected by resist 16 is etched using blast, dry etching, or the like, to form a shallow recess 18 or an ink supply restriction part.例文帳に追加

ブラスト、ドライエッチングなどを用いてレジスト１６で保護されていない箇所をエッチングし、浅い凹部１８すなわちインク供給絞りを形成する。 - 特許庁

The first intermediate layer 11 is then etched in a dry etching unit at an etching rate of 50 nm/sec or less to form a first intermediate layer 11a having a film thickness of d_1'.例文帳に追加

ドライエッチング装置にて第一中間層１１を５０ｎｍ／ｓｅｃ以下のエッチングスピードでエッチング処理し、膜厚ｄ_1’の第一中間層１１ａを形成する。 - 特許庁

An upper layer metal film 5 containing tungsten (W) is dry- etched using a resist mask, whereby with the film 5 processed into a wiring shape, one part of the surface of a lower layer metal film 4 containing Ti is made to expose.例文帳に追加

レジストマスク７を用いて、Ｗを含む上層金属膜５をドライエッチングし、それによって、上層金属膜５を配線形状に加工するとともに、Ｔｉを含む下層金属膜４の表面の一部を露出させる。 - 特許庁

To obtain a hole pattern having a round form by dry-etching a film to be etched using a hole pattern formed of a chemical amplification type resist as a mask in order to form the hole pattern.例文帳に追加

化学増幅型レジストによるホールパターンをマスクとしてドライエッチングを行って被エッチング膜によるホールパターンを形成し、丸型のホールパターン形状を得るようにする。 - 特許庁

The wafer 1 is dry-etched using granules 11 made of Ag caused by the aggregation as a mask to form numerous recesses 12 on the principal plane 8 of the wafer 1.例文帳に追加

凝集で生じたAgから成る粒状体（１１）をマスクとして半導体ウエーハ（1）をドライエッチングして半導体ウエーハ（１）の主面８上に多数の凹部（１２）を形成する。 - 特許庁

A cladding 42 is etched by a dry etching method in which an etch rate of the cladding 42 is equal to or higher than an etch rate of the filler 36.例文帳に追加

被覆材４２のエッチングレートが充填材３６のエッチングレートと同じ又はこれよりも高いドライエッチング法により被覆材４２をエッチングする。 - 特許庁

A process for accumulating the insulating protective film on the semiconductor substrate is performed, and the surface of the insulating protective film is dry-etched, and the tip of the bump 5 is removed to form a second insulating protective film 6 coating the barrier metal layer.例文帳に追加

半導体基板上に絶縁性保護膜を堆積する工程と、前記絶縁性保護膜表面をドライエッチングして、バンプ５の先端部分を除いてバリアメタル層を被覆する第２の絶縁性保護膜６を形成する。 - 特許庁

The second light-shieldale film 14 is the film that is primarily composed of a silicon-containing compound that can be etched by F-based dry etching, such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, silicon/transition-metal (such as molybdenum (Mo)) oxide, silicon/transition metal nitride or silicon/transition metal oxynitride.例文帳に追加

さらに、第２の遮光性膜１４はＦ系ドライエッチングが可能な珪素含有化合物を主成分とする、珪素や珪素と遷移金属（例えば、モリブデン（Ｍｏ））の酸化物、窒化物、または酸化窒化物などの膜である。 - 特許庁

Under such condition as at least a dry-etching rate of an inter- layer insulating film is significantly slower than an inter-layer insulating film positioned outside of it, the inter-layer insulating film on the outer side is selectively etched to form a through hole.例文帳に追加

少なくとも外側の層間絶縁膜よりも、その内側の層間絶縁膜のドライエッチングレートが極めて遅い条件で、外側の層間絶縁膜を選択的にエッチングして、スルーホールを形成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide dry etching method and system in which etching rate can be raised at the end portion of a body to be etched and in-plane etching rate can be made uniform.例文帳に追加

ドライエッチング方法およびその装置に関し、被エッチング体の端部のエッチング速度を上げ、かつ、面内のエッチング速度を均一化することができるドライエッチング方法およびその装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The first light-shieldable film 13 is a film that is not substantially etched by fluorine-based (F-based) dry etching and is formed with a layer mainly comprising Cr and having a thickness of 3 to 15 nm.例文帳に追加

第１の遮光性膜１３はフッ素系（Ｆ系）のドライエッチングでは実質的にエッチングされない膜であり、Ｃｒを主成分とする膜厚３ｎｍ以上１５ｎｍ以下の層からなる。 - 特許庁

In the method of dry-etching the silicon nitride film 103 for dry-etching the silicon nitride film 103, the silicon nitride film 103 is dry-etched with no generation of plasma by using a process gas at least containing a hydrogen fluoride gas (HF gas) and a fluorine gas (F_2 gas) for an object to be processed 100 with the silicon nitride film 103 formed.例文帳に追加

窒化珪素膜１０３をドライエッチングする窒化珪素膜１０３のドライエッチング方法であって、窒化珪素膜１０３が形成された被処理体１００に対して、少なくともフッ化水素ガス（ＨＦガス）とフッ素ガス（Ｆ_２ガス）とを含む処理ガスを用いて、プラズマを生成することなく、窒化珪素膜１０３をドライエッチングする。 - 特許庁

In the method for dry etching wherein a wafer to be etched is set onto the wafer chuck, an etching gas suitable for the wafer is introduced, and the surface of the wafer is etched; the adhesion of the wafer to the wafer chuck is evaluated beforehand, and the etching condition is adjusted according to the evaluated adhesion.例文帳に追加

ウエーハチャックにエッチングすべきウエーハをセットし、前記ウエーハに合わせたエッチングガスを導入し、前記ウエーハ表面をエッチングするドライエッチング方法において、前記ウエーハの前記ウエーハチャックへの密着度を予め評価し、この評価した密着度によってエッチング条件を調整するようにした。 - 特許庁

The dry etching process comprises a step of disposing a semiconductor substrate where the photoresist pattern is formed on an etched membranous object in a reactor, a step of selectively depositing polymer on an upper section of the photoresist pattern by supplying the CO gas into the reactor to form a polymer layer, and a step of etching the etched membranous object with the photoresist pattern and polymer layer as the masks.例文帳に追加

乾式エッチング方法は、被エッチング膜質上にフォトレジストパターンが形成された半導体基板を反応器内に配置する段階と、反応器内にＣＯガスを供給してフォトレジストパターンの上部にポリマーを選択的に蒸着してポリマー層を形成する段階と、フォトレジストパターン及びポリマー層をマスクとして被エッチング膜質をエッチングする段階と、を含む。 - 特許庁

In the method of manufacturing carbon ultrafine cold cathode, a cathode layer, a catalyst metal layer, an insulating layer, and a gate layer are successively formed, a gate hole is installed in the insulating layer, GNF is made to grow on the catalyst metal layer by a thermal CVD method, and the GNF substrate is microwave-etched by using H_2 gas or dry-etched by RIE.例文帳に追加

カソード電極層、触媒金属層、絶縁層およびゲート電極層を順次成膜し、絶縁層にゲートホールを形成し、ゲートホールの底部の触媒金属層上に、熱ＣＶＤ法によりＧＮＦを成長させ、このＧＮＦ成長基板をＨ_２ガスを用いてマイクロ波エッチングまたはＲＩＥによりドライエッチングする。 - 特許庁

A method for evaluating a single crystal silicon wafer includes a first step S11 for dry etching a mirror-finished surface 10a of a single crystal silicon wafer 10 on a condition that the etching rate of Si is higher than that of SiO_2, and second steps S12 and S13 for measuring the number of pits existing on the dry etched surface.例文帳に追加

鏡面加工された単結晶シリコンウェーハ１０の表面１０ａに、ＳｉＯ_２よりもＳｉのエッチング速度が大きい条件でドライエッチングを施す第１の工程Ｓ１１と、ドライエッチングされた前記表面に存在するピットの個数を計測する第２の工程Ｓ１２，Ｓ１３とを備える。 - 特許庁

In dry etching for forming a pattern involving isolated pattern regions and dense pattern regions on a substrate having conductive members formed thereon using a hard mask, the thickness of the hard mask is set so that the pattern size of the dry etched hard mask minus the size of a pattern formed on a resist film is less than a specified (allowable) value at the isolated pattern regions and the dense pattern regions.例文帳に追加

導電部材が形成された基板上に、孤立パターンと密集パターンを含むパターンをハードマスクによりドライエッチングする場合に、ハードマスクの厚さを、レジスト膜に形成したパターン寸法からハードマスクをドライエッチングした後のハードマスクのパターン寸法を差し引いた値が、前記孤立パターン領域と前記密集パターン領域とで所定の値（許容値）以下となるような膜厚とする。 - 特許庁

After a conductor 30 is dry etched, a heater substance layer 22 is deposited on the upper part thereof and connected electrically with the conductor 30 and then the heater substance layer 22 is patterned by dry etching to form a heater 20.例文帳に追加

コンダクタ３０をドライエッチングした後でその上部にヒータ物質層２２を蒸着してコンダクタ３０と電気的に連結し，かつ，このヒータ物質層２２をさらにドライエッチングによってパターニングし，ヒータ２０を形成することを特徴とする，インクジェットプリントヘッドおよび製造法が提供される。 - 特許庁

Subsequently, the opening alignment marks 7 are formed in the membrane 3a, a mask 9 for dry-etching with opening patterns provided at the positions corresponding to support pillar formation positions on the substrate 1 is formed on the substrate 1 using the marks 7, and a support silicon layer is dry-etched in accordance with opening patterns 8 provided in the mask 9.例文帳に追加

続いてシリコンメンブレンに開口アライメントマーク７を形成し、それを用いて支持シリコン基板上に支柱形成位置に対応する位置に開口パターンが設けられたドライエッチング用マスク９を形成し、マスクに設けられた開口パターン８に合わせて支持シリコン層をドライエッチングする。 - 特許庁

This gas for dry etching that is used, when performing the dry etching of a body to be etched with a resist film that is subjected to patterning as a mask containing a fluorine compound, where a C/F value (the ratio of the number of atoms between C and F elements in the fluorine compound) is larger than 0.5.例文帳に追加

パターニングされたレジスト膜をマスクとして被エッチング体をドライエッチングする際に用いられるドライエッチング用ガスであって、前記ドライエッチング用ガスはＣ／Ｆ値（フッ素化合物中のＣ元素とＦ元素との原子数の比）が０．５より大きいフッ素化合物を含むことを特徴とするドライエッチング用ガス。 - 特許庁

This dry etching method etches the compound semiconductors 137b in an atmosphere 139 consisting of the etching gas 126X containing halogen elements, and at least any one among silicon ions, silicon radicals and Si compounds to form the substrate 141 to be etched.例文帳に追加

このドライエッチング方法では、ハロゲン元素を含むエッチングガス２６Ｘ、並びに、シリコンイオン、シリコンラジカル、及びＳｉ化合物の少なくともいずれかを含む雰囲気３９中において化合物半導体３７ｂをエッチングして被エッチ基板４１を形成している。 - 特許庁

When a resist pattern layer 104 is thus formed on a silicon oxide layer 103, the silicon oxide layer 103 is selectively etched using the resist pattern layer 104 as a mask by well known dry etching (reactive ion etching).例文帳に追加

これらのように、酸化シリコン層１０３の上にレジストパターン層１０４を形成したら、よく知られたドライエッチング（反応性イオンエッチング）により、レジストパターン層１０４をマスクとして酸化シリコン層１０３を選択的にエッチングする。 - 特許庁

To form an antireflection film which exhibits good light absorbency to light of a wavelength used in manufacture of a semiconductor device, has a high antireflection effect, and is dry-etched at a higher rate than a photoresist film.例文帳に追加

半導体装置の製造に用いられる波長の光に良好な光吸収性を示し、高い反射光防止効果を持ち、フォトレジスト層と比較して大きなドライエッチング速度を有する反射防止膜を形成するための反射防止膜形成組成物を提供すること。 - 特許庁

When W films 8, WNX films 7 and polycrystalline silicon films 6 of gate electrode materials, are dry-etched by using silicon nitride films 9 as the masks, mix gas formed of SF_6, oxygen and nitrogen is used as the plasma source gas.例文帳に追加

窒化シリコン膜９をマスクに用いてゲート電極材料であるＷ膜８、ＷＮ_X膜７および多結晶シリコン膜６をドライエッチングする際、ＳＦ_6と酸素と窒素とからなる混合ガスをプラズマソースガスとして用いる。 - 特許庁

The lower and upper resist layers 103Z, 104Z are selectively exposed to form a double layer resist pattern 105, and by dry etching using the pattern 105 as a mask, the 1st thin-film 111Z and the soluble layer 102Z are selectively etched.例文帳に追加

下部および上部レジスト層１０３Ｚ，１０４Ｚを選択的に露光して２層レジストパターン１０５を形成し、これをマスクとしたドライエッチングにより第１薄膜１１１Ｚおよび可溶層１０２Ｚを選択的にエッチングする。 - 特許庁

By performing dry etching using the photoresist film 31 as a mask, the upper electrode material film 12A and the memory layer material film 13A are etched in this order thus forming an upper electrode 12 and a memory layer 13 in the shape of a line (linearly).例文帳に追加

フォトレジスト膜３１をマスクとしたドライエッチングを行うことにより、上部電極材料膜１２Ａおよび記憶層材料膜１３Ａをこの順にエッチングし、上部電極１２および記憶層１３をライン状（線状）に形成する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor element, the surface of a dry-etched substrate is thermally treated in an atmosphere including a halogen element and a nitride semiconductor layer is formed on the surface of the thermally-treated substrate.例文帳に追加

実施形態は、ドライエッチングにより処理された基板の表面をハロゲン元素を含む雰囲気中で熱処理し、前記熱処理した前記基板の前記表面に窒化物半導体層を形成することを特徴とする半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A thin film on a semiconductor substrate is dry-etched by selectively generating desired dissociated species through interaction between an inert gas that is excited to a quasi-stable state in plasma and a fron-family gas, to accurately control the composition of the dissociated species from the reaction gas.例文帳に追加

半導体基板上の薄膜をドライエッチングするに際し、プラズマ中で準安定状態に励起させた不活性ガスと、フロン系ガスとを相互作用させて所望の解離種を選択的に得ることにより、反応ガスの解離種の組成制御を精密に行う。 - 特許庁

A resist pattern 1 of a prescribed shape is formed on a mask substrate 3 with a formed chromium film 2 and subjected to a plasma treatment with a fluorine-containing gas and then the chromium film 2 is dry-etched using the resulting resist pattern 4 as a mask.例文帳に追加

クロム膜２が形成されたマスク基板３上に所定形状のレジストパターン１を形成し、レジストパターン１をフッ素系ガスを用いてプラズマ処理し、得られたレジストパターン４をマスクとして用いてクロム膜２をドライエッチングすることからなるクロムマスクの形成方法。 - 特許庁

In this method for manufacturing a semiconductor device, a treated film formed on a semiconductor substrate 13 is dry-etched, and the semiconductor substrate 13 is heated so that the residual components retained on the semiconductor substrate 13 can be removed from the semiconductor substrate 13.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板１３の上に形成されている被処理膜に対してドライエッチングを行った後、半導体基板１３を加熱することにより、半導体基板１３の上に滞留している残留成分を半導体基板１３から脱離させる。 - 特許庁

A film for etching rate evaluation is formed on one main surface of a wafer, the film for etching grate evaluation is dry etched, the other main surface of the wafer is evaluated according to the etching rate of the etching rate evaluating film.例文帳に追加

ウエーハの一方の主面にエッチングレート評価用膜を成膜し、該エッチングレート評価用膜をドライエッチングし、該エッチングレート評価用膜のエッチングレートにより該ウエーハの他方の主面の面状態を評価するようにした。 - 特許庁

In this case, when the silicon nitride film 22 is completely removed, the genuine amorphous silicon film 21 of the base is exposed, the exposed genuine amorphous silicon film 21 is dry-etched to some extent, and its etching rate is about 400 Å/min.例文帳に追加

この場合、窒化シリコン膜２２が完全に除去されると、下地の真性アモルファスシリコン膜２１が露出され、この露出された真性アモルファスシリコン膜２１がある程度ドライエッチングされるが、そのエッチングレートは約４００Å／ｍｉｎであった。 - 特許庁

After a polysilicon film is formed on the entire surface of an interlayer insulation film 9, with a resist having a predetermined opening pattern as a mask, the polysilicon film is anisotropically dry-etched, thereby forming a polysilicon film 22a that contacts with a plug layer 11.例文帳に追加

ポリシリコン膜を層間絶縁膜９上の全面に形成した後、所定の開口パターンを有するレジストをマスクとして、ポリシリコン膜を異方性ドライエッチングすることにより、プラグ層１１に接触するポリシリコン膜２２ａを形成する。 - 特許庁

Then, the semiconductor crystal is dry-etched by using the mask to form a primary fine pattern on the semiconductor crystal.例文帳に追加

次いで、上記マスクを用いて上記半導体結晶をドライエッチングすることで上記半導体結晶上に１次微細パターンを形成し、上記１次微細パターンが形成された半導体結晶をウェットエッチングすることで上記１次微細パターンが水平方向に延びた２次微細パターンを形成する。 - 特許庁

As shown in (d), a photoresist pattern of a ring shape having a width of 5 μm is formed and etched deeper than an MQW active layer 4 from a P-electrode 7 by dry etching such as RIBE(reactive ion beam etching).例文帳に追加

（ｄ）に示すように、幅５μｍのリング形状のフォトレジストパターンを形成し、Ｃｌ_2などを用いたＲＩＢＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｅｔｃｈｉｎｇ）などのドライエッチングによりＰ−電極７からＭＱＷ活性層４より深くセルフアラインにエッチングする。 - 特許庁

To solve the problem of the application of ICP-RIE involving the use of chlorine-based gas to the dry-etching of a gallium nitride-based semiconductor that inductive coupled plasma forms irregularities in an etched surface and damages the semiconductor because of a high temperature thereof, and leaves chlorine.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体のドライエッチングに、塩素系ガスを用いたＩＣＰ−ＲＩＥを用いると、誘電結合型プラズマは、温度が高いので、エッチングされた面に凹凸ができ、半導体にダメージを与え、塩素が残留する。 - 特許庁

Etching is successively performed to the stopper film 2 and the pattern oxidized film 3 by a lithography technique and a dry etching technique, a trench is etched with resist 1 or the stopper film 2 as a mask and the trench of a depth H Åis formed.例文帳に追加

リソグラフィ技術及びドライエッチ技術によってストッパ膜２及びパターン酸化膜３に対して順次エッチングを行い、レジスト１またはストッパ膜２をマスクとしてトレンチのエッチングを行い、深さＨÅのトレンチを形成する。 - 特許庁

To provide a dry etching method of gallium nitride based compound semiconductor such that a smooth etched-surface still can be obtained in a lower degree of vacuum (high pressure) of 10^-3 Pa order, and which can further make aluminum oxide etch, such as a sapphire substrate or an alumina substrate.例文帳に追加

10^-3Paオーダーという比較的低い真空度（高い圧力）でも平滑なエッチング面が得られるような窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチング方法であって、更にサファイア基板やアルミナ基板といったアルミ酸化物までエッチング可能なドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

A printed board having through holes is laminated with a dry film and a resist image is formed according to data from a computer by ink jet system employing thermally fusible ink and then an alkaline soluble layer and a conductive layer are etched sequentially.例文帳に追加

スルーホールを有するプリント基板を、ドライフィルムにてラミネートし、コンピュータからのデータに従って熱溶融性インクを用いたインクジェット方式によりレジスト画像を形成し、アルカリ可溶性層、該導電性層を順にエッチングする。 - 特許庁

A crystal substrate 70 and an auxiliary substrate 72 are successively dry-etched from a second surface 70b side of the crystal substrate 70 in a state where the auxiliary substrate 72 having approximately the same etching rate as the crystal substrate 70 is bonded to a first surface 70a of the crystal substrate 70.例文帳に追加

水晶基板７０の第１面７０ａに、水晶基板７０と略同一のエッチングレートを有する補助基板７２が接合された状態で、水晶基板７０の第２面７０ｂ側から、水晶基板７０および補助基板７２を連続してドライエッチングすることを特徴とする。 - 特許庁

Successively, an etching gas containing a fluorine-based reaction component and an oxidative reaction component is brought into contact with a surface of the object 9 to be processed in a processing space 19 on a downstream side on the conveyance path 11 and a semiconductor film 94 is dry etched.例文帳に追加

続いて、搬送経路１１の下流側の処理空間１９において、フッ素系反応成分及び酸化性反応成分を含むエッチングガスを被処理物９の表面に接触させ、半導体膜９４をドライエッチングする。 - 特許庁

By using the dry etching agent including at least one kind selected from a group comprising 3, 3, 3-trifluoropropyne (A) and O_2, O_3, CO, CO_2, COCl_2, and COF_2 (B), oxide, nitride, carbide, fluoride, oxyfluoride, silicide, their alloy, and the like can be etched ideally.例文帳に追加

（Ａ）３，３，３−トリフルオロプロピンと、（Ｂ）Ｏ_２、Ｏ_３、ＣＯ、ＣＯ_２、ＣＯＣｌ_２、及びＣＯＦ_２からなる群より選ばれる少なくとも１種のガスを含むドライエッチング剤を用いることにより、酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物、オキシフッ化物、シリサイド及びこれらの合金等を好適にエッチングできる。 - 特許庁

A photoresist 17 is coated on the substrate, the photoresist 17 is exposed by a laser beam 15 of an electron beam 21 to record a signal, a pattern is formed by developing the photoresist 17 so as to be dry-etched using the pattern as a mask, and the stamper is manufactured by removing the photoresist 17 by ashing.例文帳に追加

この基板にフォトレジスト１７を塗布し、レーザ光１５または電子ビーム２１で露光して信号を記録し、現像してパターンを形成し、このパターンをマスクにしてドライエッチングを行い、アッシングによりフォトレジスト１７を除去してスタンパを作製する。 - 特許庁

A dry etching characteristic evaluating apparatus 11 detects etching end time, based on the light emission strength of plasma light emission wavelength detected by a plasma light emission detecting part 5, and calculates the etching speed and uniformity by an arithmetic part 14 from the etching end time and the film thickness of a film to be etched.例文帳に追加

プラズマ発光検出部５で検出したプラズマ発光波長の発光強度に基づいてエッチング終了時間を検出し、これを被エッチング膜の膜厚とからエッチング速度およびその均一性を演算部１４にて算出する。 - 特許庁

An interlayer insulating film 45 is dry-etched using a photoresist film 51 formed thereon as a mask and wiring trenches 52 and 53 are formed by stopping the etching on the surface of a stopper film 46 formed in a halfway portion of the interlayer insulating film 45.例文帳に追加

層間絶縁膜４５上に形成したフォトレジスト膜５１をマスクにして層間絶縁膜４５をドライエッチングし、層間絶縁膜４５の中途部に形成したストッパ膜４６の表面でエッチングを停止することによって配線溝５２、５３を形成する。 - 特許庁