「electron layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The electron emitting element is provided with a main body part of electron emitting substance, a base metal layer formed on the surface of the main body part of the electron emitting substance, and a thermionic emission layer formed on the surface of the base metal layer.例文帳に追加

電子放出物質の本体部と、電子放出物質の本体部の表面に形成されたベースメタル層と、ベースメタル層の表面に形成された熱電子放出層と、を備える。 - 特許庁

On the upper side electron supply layer, a source electrode and a drain electrode are arranged that are separate from each other and are connected ohmic to the lower side electron travel layer and the upper side electron travel layer.例文帳に追加

上側電子供給層の上に、相互に離隔して配置され、下側電子走行層及び上側電子走行層にオーミックに接続されるソース電極及びドレイン電極が配置されている。 - 特許庁

The semiconductor device 10 forms an electron transit layer 16 on a substrate 17 by epitaxial growth, and further forms an electron supply layer 12 on the electron transit layer 16 by epitaxial growth.例文帳に追加

半導体装置１０は、基板１７上に電子走行層１６をエピタキシャル成長により形成し、さらに電子走行層１６上に電子供給層１２をエピタキシャル成長により形成する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 forms an electron transit layer 17 on a substrate 18 by epitaxial growth, and further forms an electron supply layer 15 on the electron transit layer 17 by epitaxial growth.例文帳に追加

半導体装置１０は、基板１８上に電子走行層１７をエピタキシャル成長により形成し、さらに電子走行層１７上に電子供給層１５をエピタキシャル成長により形成する。 - 特許庁

On the lower side electron supply layer, an upper side electron travel layer (5) is arranged which comprises a compound semiconductor material whose doping concentration is lower than that of the lower electron supply layer otherwise no doping is applied.例文帳に追加

下側電子供給層の上に、該下側電子供給層よりもドーピング濃度が低いか、またはノンドープの化合物半導体材料からなる上側電子走行層(5)が配置されている。 - 特許庁

Between the light-emitting layer 60 and the cathode 50, an electron transporting layer forming material is disposed by means of a drop-wise ejection method, and an electron transporting layer forming process to form electron transporting layers 65B, 65RG is provided.例文帳に追加

発光層６０と陰極５０との間に、電子輸送層形成材料を液滴吐出法で設けて、電子輸送層６５Ｂ、６５ＲＧを形成する電子輸送層形成工程を備えている。 - 特許庁

This organic electroluminescent element 1 comprises an anode 6, a positive hole transport layer 5, a luminescent layer 4, an electron transport layer 3 and a cathode 2.例文帳に追加

陽極６、正孔輸送層５、発光層４、電子輸送層３、及び陰極２から構成される。 - 特許庁

At an interface neighborhood of the electron carrier layer 42 in the positive hole layer carrier 41, a luminous layer 43 is formed.例文帳に追加

正孔輸送層４１内の電子輸送層４２との界面付近には、発光層４３が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device is configured such that a buffer layer 2, a channel layer 3, and an electron supply layer 4 are sequentially formed on a substrate 1.例文帳に追加

本発明は、基板１上に、バッファ層２、チャネル層３、電子供給層４が順に形成されている。 - 特許庁

A semiconductor upper layer having a quantum well layer sandwiched between electron barrier layers is formed on the semiconductor lower layer.例文帳に追加

半導体下層の上に、電子障壁層に挟まれた量子井戸層を有する半導体上層を備えている。 - 特許庁

METHOD OF PRODUCING DOUBLE LAYER CARBON NANOTUBE, DOUBLE LAYER CARBON NANOTUBE, DOUBLE LAYER CARBON NANOTUBE COMPOSITION, AND ELECTRON EMISSION MATERIAL例文帳に追加

２層カーボンナノチューブの製造法、２層カーボンナノチューブ、２層カーボンナノチューブ組成物および電子放出材料 - 特許庁

The high electron mobility transistor comprises an electron accumulation layer (11) formed on a substrate (15), electron supply layer (13) formed on the electron accumulation layer, gate electrode (16) formed on the electron supply layer, source electrode (17) and drain electrode (18), and electrode (19) for absorbing holes which is formed on the electron accumulation layer.例文帳に追加

基板（１５）上に形成された電子蓄積層（１１）と、前記電子蓄積層上に形成された電子供給層（１３）と、前記電子供給層上に形成されたゲート電極（１６）、ソース電極（１７）及びドレイン電極（１８）と、前記電子蓄積層上に形成された正孔吸収用電極（１９）を備えることを特徴とする高電子移動度トランジスタ。 - 特許庁

An electron transport layer may be present between the mixed layer and the cathode layer, and a hole transport layer may be present between the hole injection layer and the mixed layer.例文帳に追加

電子輸送層が、混合層と陰極層との間に存在していてもよく、また正孔輸送層が、正孔注入層と混合層との間に存在していてもよい。 - 特許庁

An organic EL element 100 includes a hole implantation electrode 2, a hole implantation layer 3, an orange light emitting layer 4, a blue light emitting layer 5, an electron transporting layer 6, and an electron implantation electrode 7.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１００は、ホール注入電極２、ホール注入層３、橙色発光層４、青色発光層５、電子輸送層６および電子注入電極７を備える。 - 特許庁

The organic layer 14 is constituted by making an electron hole pouring layer 14a, an electron hole transportation layer 14b, and an organic luminescence layer 14c of electronic transportation nature to this order from a positive electrode 13 side laminate.例文帳に追加

有機層１４は、陽極１３側から順に、正孔注入層１４ａ、正孔輸送層１４ｂおよび電子輸送性の有機発光層１４ｃを積層してなる。 - 特許庁

An n+ type contact layer 7 made of GaSb is formed on the electron emission layer 6, and pn junction is formed with the contact layer 7 and the electron emission layer 6.例文帳に追加

電子放出層６の上には、ＧａＳｂからなるｎ^＋型のコンタクト層７が形成されており、このコンタクト層７と電子放出層６とでｐｎ接合が形成されている。 - 特許庁

The insulation layer 13 forms an electron filling area limiting means.例文帳に追加

絶縁層１３が電子注入領域限定手段を構成する。 - 特許庁

The electron block layer 23 is subjected to tensile strain in the X-axis direction.例文帳に追加

電子ブロック層２３はＸ軸方向の引っ張り歪みを受ける。 - 特許庁

The secondary electron or the like generated in the heavy metal layer 20 enters the biased diamond layer 10 and becomes an electron for detection or the like.例文帳に追加

そして、重金属内２０で発生した二次電子等が、バイアスを加えられたダイヤモンド層１０に入り、検出用の電子等となる。 - 特許庁

Electron conductivity of the conductive material 3 is higher than electron conductivity of a forming material of the air electrode layer 5 and the fuel electrode layer 6.例文帳に追加

導電性材料３の電子伝導度が空気極層５及び燃料極層６の形成材料の電子伝導度より高い。 - 特許庁

The third layer has electron-transportability and contains alkali metal, or the like.例文帳に追加

第３の層は、電子輸送性を有し、かつアルカリ金属等を含む。 - 特許庁

To provide an electron device capable of easily supplying electrons from an electron supply part formed in a diamond layer to the diamond layer.例文帳に追加

ダイヤモンド層内に形成された電子供給部からダイヤモンド層に容易に電子を供給することができる電子素子を提供する。 - 特許庁

A negative electrode 6 is formed on the electron transport layer 5a.例文帳に追加

更に、電子輸送層５ａ上に陰極６が形成されている。 - 特許庁

The cathode 11f is bonded to the electron injection layer 11e (g).例文帳に追加

陰極１１ｆを電子注入層１１ｅと接合させる（ｇ）。 - 特許庁

It is preferable that the electron density in the buffer layer 3 is 1/10 or less of the electron density in the semiconductor layer 1.例文帳に追加

緩衝層３における電子の濃度は、半導体層１における電子の濃度の１０分の１以下であることが好ましい。 - 特許庁

A two-dimensional electron gas layer 25 is produced by the heterojunction 21.例文帳に追加

ヘテロ接合２１により、二次元電子ガス層２５が生成される。 - 特許庁

The HEMT is provided with a main semiconductor area (1) including an electron traveling layer (9) and an n-type electron supply layer (10).例文帳に追加

本発明に従うＨＥＭＴは、電子走行層（９）とｎ型電子供給層（１０）とを含む主半導体領域（１）有する。 - 特許庁

An upper electrode 17 is formed on the electron injection layer 16G.例文帳に追加

電子注入層１６Ｇ上に上部電極１７を形成する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR ELECTRON ACCEPTOR ORGANIC MATTER LAYER FOR COMPOSING PHOTOVOLTAIC ELEMENT FOR PHOTOSENSOR AND/OR ELECTRON DONOR ORGANIC MATTER LAYER例文帳に追加

光センサー用光起電力素子を構成する電子受容性有機物層及び／又は電子供与性有機物層の製造方法 - 特許庁

An electron transporting layer 61 formed from an electron transporting material, and an electron injection layer 62 formed from a material prepared by mixing a metal material having a low work function into an electron transmitting compound or electron transporting material are sequentially laminated between the organic layer 4 and the negative electrode 5 from the side of adjacency to the organic layer 4.例文帳に追加

有機層４と陰極５との間に有機層４に近い側から電子輸送材料から成る電子輸送層６１及び電子伝達化合物又は電子輸送材料に仕事関数の低い金属材料をドープした材料から成る電子注入層６２を順次積層形成する。 - 特許庁

A process for forming an organic layer comprises a step for forming an electron transport layer containing an electron transport material and a heat-resistant material whose crystallization temperature is higher than the electron transport material, and a step for heat-treating the electron transport layer.例文帳に追加

有機層を形成する工程は、電子輸送性材料及び前記電子輸送性材料よりも高い結晶化温度を有する耐熱性材料を含む電子輸送層を形成する工程と、電子輸送層を加熱処理する工程とを有する。 - 特許庁

To provide an electron source capable of preventing outbreak of pin holes within an electron passage layer, and capable of improving the electron discharge characteristics, in comparison with those of conventional ones.例文帳に追加

電子通過層にピンホールが発生するのを抑制でき、従来に比べて電子放出特性を向上できる電子源を提供する。 - 特許庁

The electron passing layer 6 includes a first electron passing part 6a on a lower electrode 2 side; and a second electron passing part 6b on a surface electrode 7 side.例文帳に追加

電子通過層６は、下部電極２側の第１の電子通過部６ａと、表面電極７側の第２の電子通過部６ｂとからなる。 - 特許庁

To provide an electron emitting element which is improved in electron emission efficiency, for suppressing deterioration of an electron acceleration layer, and has a high mechanical strength.例文帳に追加

電子放出効率を向上させ、電子加速層の劣化を抑制でき、さらに機械的強度の高い、電子放出素子を提供する。 - 特許庁

The organic EL element 100 sequentially includes a hole implantation electrode 2, a hole implantation layer 3, a hole transporting layer 4, a buffer layer BF, an orange light emitting layer 5, a blue light emitting layer 6, an electron transporting layer 7, and an electron implantation electrode 8.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１００は、ホール注入電極２、ホール注入層３、ホール輸送層４、バッファ層ＢＦ、橙色発光層５、青色発光層６、電子輸送層７および電子注入電極８を順に含む。 - 特許庁

The luminous layer 5 on the positive electrode side is a hole transporting luminous layer and the luminous layer 7 on the negative electrode side is an electron transporting luminous layer.例文帳に追加

陽極側の発光層５は、ホール輸送性の発光層であり、陰極側の発光層７は、電子輸送性の発光層である。 - 特許庁

The electron transient layers comprise a first electron transit layer 97 made of electrically neutral InGaAs, a spike dope layer (second electron transit layer) 98 made of InGaAs doped with an impurity, and a third electron transit layer 99 made of electrically neutral InGaAs.例文帳に追加

電子走行層は、電気的に中性なＩｎＧａＡｓからなる第１の電子走行層９７と、不純物がドープされたＩｎＧａＡｓからなるスパイクドープ層（第２の電子走行層）９８と、電気的に中性なＩｎＧａＡｓからなる第３の電子走行層９９とから構成される。 - 特許庁

The compound semiconductor device comprises a substrate, an electron transit layer formed over the substrate, an electron supply layer formed over the electron transit layer, and a plurality of gate electrodes 5g formed over the electron supply layer, and a gate pad 8g to which the plurality of gate electrodes 5g are connected.例文帳に追加

基板と、基板上方に形成された電子走行層と、電子走行層上方に形成された電子供給層と、電子供給層上方に形成された複数のゲート電極５ｇと、複数のゲート電極５ｇが接続されたゲートパッド８ｇと、が設けられている。 - 特許庁

A compound semiconductor device is provided with: a substrate 1; an electron traveling layer 2 formed above the substrate 1; an electron feeding layer 3 formed on the electron traveling layer 2; and a source electrode 7s, a drain electrode 7d and a gate electrode 7g formed on the electron feeding layer 3.例文帳に追加

基板１と、基板１上方に形成された電子走行層２と、電子走行層２上方に形成された電子供給層３と、電子供給層３上方に形成されたソース電極７ｓ、ドレイン電極７ｄ及びゲート電極７ｇと、が設けられている。 - 特許庁

Ionization potential of the electron hole checking layer 6 is larger by 0.1 eV or higher than the ionization potential of the light-emitting layer 5; the electron transport layer 7 includes an electron transport material and an alkaline metal; and at least a part of the alkaline metal is dispersed in the electron transport layer 7 in a cation state.例文帳に追加

正孔阻止層６のイオン化ポテンシャルは発光層５のイオン化ポテンシャルよりも0.1eV以上大きく、電子輸送層７は電子輸送性材料及びアルカリ金属を含有し、アルカリ金属の少なくとも一部が電子輸送層７内でカチオン状態で分散している。 - 特許庁

When the resist patterns 6 are formed by exposing the resist layer 5 with the electron beam and developing the same, the influence of the scattering of the electron beam that the resist layer receives when the layer is irradiated with the electron beam is lessened by the low scattering layer 3 and the fine resist patterns 6 are formed on the resist layer 5.例文帳に追加

レジスト層５を電子ビームで露光し現像してレジストパターン６を形成するとき、電子ビームを照射したときのレジスト層が受ける電子ビームの散乱の影響を低散乱層３で小さくして、レジスト層５に微細なレジストパターン６を形成する。 - 特許庁

An organic EL element 100 has a structure that includes a hole injecting electrode 2, a hole injecting layer 3a, a hole transporting layer 4, a light emitting layer 5, an electron injection restricting layer 6, an electron transporting layer 7, and an electron injection electrode 8 laminated on a substrate 1, in this order.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１００は、基板１上にホール注入電極２、ホール注入層３ａ、ホール輸送層４、発光層５、電子注入制限層６、電子輸送層７および電子注入電極８が順に積層された構造を有する。 - 特許庁

A light-transmitting positive hole injection electrode, an organic positive hole transport layer, an organic luminescent layer, a two-layer boundary surface structure, an electron transport layer, having higher electron affinity than that of the luminescent layer, and an electron injection electrode are stacked continuously on a light-transmitting substrate.例文帳に追加

光透過性基板上に連続して、光透過性正孔注入電極、有機正孔輸送層、有機発光層、二層境界面構造、発光層の電子親和力よりも高い電子親和力を有する電子輸送層、及び電子注入電極を積層する。 - 特許庁

Next, an electron-hole transporting layer 20d and a light emitting layer 20e are sequentially laminated by an ink jet method.例文帳に追加

次に、インクジェット法により正孔輸送層２０ｄ、発光層２０ｅを順次積層する。 - 特許庁

A p-type clad layer 17 consists of AlGaN, and the electron block layer 23 consists of AlGaN.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１７はＡｌＧａＮからなり、電子ブロック層２３はＡｌＧａＮからなる。 - 特許庁