| 例文 |
electron layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3038件
The electron transport layer is produced, by laminating a layer (first electron transport layer 14d-1), containing a dibenzoimidazole derivative of general formula (1) and a layer (second electron transport layer 14d-2) containing a benzimidazole derivative.例文帳に追加
この電子輸送層は、下記一般式(1)のジベンゾイミダゾール誘導体を含む層(第1電子輸送層14d-1)と、ベンゾイミダゾール誘導体を含む層(第2電子輸送層14d-2)とを積層してなる。 - 特許庁
To provide an electron emission device having an electron injection layer that enables electron be injected with a high efficiency into an electron emission layer having a wider band gap.例文帳に追加
広いバンドギャップを有する電子放出層に対して、高い効率で電子を注入することができる電子注入層を有する電子放出デバイスを提供する。 - 特許庁
An electron injection electrode made of aluminum is formed on the electron injection layer.例文帳に追加
この電子注入層上に、アルミニウムからなる電子注入電極を形成する。 - 特許庁
The organic layer 10 has a lamination structure of a hole injection layer, a hole transport layer, a light-emitting layer, and an electron injection layer.例文帳に追加
有機層10は、ホール注入層、ホール輸送層、発光層および電子注入層の積層構造からなる。 - 特許庁
The GaN-based single crystal substrate 1 constitutes an electron traveling layer, and the GaN-based semiconductor layer 2 constitutes an electron supply layer.例文帳に追加
GaN系単結晶基板1は電子走行層を構成し、GaN系半導体層2は電子供給層を構成する。 - 特許庁
The O^2- conduction part 31 of the ion and electron conductive layer 21 transmits the electron of the PM oxidation layer 22 to the NO_x reduction layer 23.例文帳に追加
イオン電子伝導層21のO^2−伝導部31は、PM酸化層22の電子をNO_x還元層23へと伝達する。 - 特許庁
The gate electrode G forming a two-dimensional electron-gas layer 5 just under a hetero-junction interface between both layers of the electron transit layer 3 and the electron supply layer 4 is used as one having an Ni/Au structure containing an Ni layer 21 on the electron supply layer 4 side and an Au layer 22 laminated on the Ni layer 21.例文帳に追加
電子走行層3と電子供給層4両層のヘテロ接合界面の直下に2次元電子ガス層5が形成されるゲート電極Gは、電子供給層4側のNi層21と該Ni層21上に積層されたAu層22とを含むNi/Au構造のゲート電極である。 - 特許庁
The organic EL device has a positive electrode 2, hole injection layer 3, hole transport layer 4, light-emitting layer 5, electron transport layer 6, electron injection layer 7, and negative electrode 8 which are stacked on a substrate 1.例文帳に追加
基板1上に正電極2、正孔注入層3、正孔輸送層4、発光層5、電子輸送層6、電子注入層7、負電極8が積層されている。 - 特許庁
On a substrate 1, a hole injection electrode 2, a hole injection layer 3a, a hole transport layer 3b, a luminescent layer 3c, an electron transport layer 3d, and an electron injection layer 3e are sequentially formed.例文帳に追加
基板1上に、ホール注入電極2、ホール注入層3a、ホール輸送層3b、発光層3c、電子輸送層3d、電子注入層3eを順に形成する。 - 特許庁
This electron emission device 10 includes a metal electrode 12, an electron injection layer 14, and an electron emission layer 16 made from n-type diamond.例文帳に追加
電子放出デバイス10は、金属電極12と、電子注入層14と、n型ダイヤモンドからなる電子放出層16とを有する。 - 特許庁
HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR HAVING INDIUM GALLIUM NITRIDE LAYER例文帳に追加
インジウムガリウムナイトライド層を有する高電子移動度トランジスタ - 特許庁
The electron supply layer 12 is covered with an insulating film 11.例文帳に追加
電子供給層12上は絶縁膜11で覆う。 - 特許庁
Since the electron gas is distributed in a two-dimensional region along the bonding interface between the buffer layer 13 and the electron gas layer 14, a two-dimensional electron gas layer can be formed.例文帳に追加
この電子ガスは、バッファ層13と電子ガス層14の接合界面に沿った2次元領域に分布するため、2次元電子ガス層を形成することができる。 - 特許庁
This electron emitting element 1 includes the electron accelerating layer 4 formed of a particulate layer containing at least an insulator particulate.例文帳に追加
電子放出素子1は、電子加速層4が、少なくとも絶縁体微粒子を含む微粒子層からなる。 - 特許庁
Further, an electron injection layer 7 made of, for example, aluminum or the like is formed on the electron transport layer 6.例文帳に追加
さらに、この電子輸送層6上に、例えばアルミニウム等からなる電子注入電極7を形成する。 - 特許庁
A first electron supply layer 4 which is relatively thin is formed on an electron traveling layer 3 to manufacture the HEMT.例文帳に追加
HEMTを製造するために、電子走行層3の上に比較的薄い第1の電子供給層4を形成する。 - 特許庁
A cathode part 10 is structured of an electron emission layer 12 and a cathode ground 11 carrying the electron emission layer.例文帳に追加
陰極部10を電子放出層12とこの電子放出層を担持する陰極下地11で構成する。 - 特許庁
An electron transport layer 5 includes an electron transport material (host material) and a carrier transporting dopant.例文帳に追加
電子輸送層5が電子輸送材料(ホスト材料)およびキャリア輸送性ドーパントを含む。 - 特許庁
The HEMT has an electron transit layer 4, electron supply layer 5 covering over the electron transit layer, electron supply layer 5, source electrode 6, drain electrode 7, gate electrode 8, first and second insulating films 9 and 10, and piezoelectric layer 11.例文帳に追加
本発明に従うHEMTは、電子走行層4と、この上を覆う電子供給層5と、電子供給層5と、ソース電極6と、ドレイン電極7と、ゲート電極8と、第1及び第2の絶縁膜9,10と、圧電体層11とを有している。 - 特許庁
The organic layer 14 is composed of a hole supply layer 14A, a light-emitting layer 14B, and an electron supply layer 14C.例文帳に追加
有機層14は正孔供給層14A、発光層14Bおよび電子供給層14Cからなる。 - 特許庁
The layer containing a condensed heterocyclic compound is excellent as an electron transport layer, a hole-blocking layer and a luminescent layer.例文帳に追加
縮合へテロ環化合物を含有する層は、電子輸送層、ホールブロッキング層および発光層として優れている。 - 特許庁
On the buffer layer 11, an electron transit layer 12 and an electron supply layer 13 are formed, and a total film thickness thereof is ≥1 μm.例文帳に追加
バッファ層11上には、電子走行層12と電子供給層13が形成されており、その総膜厚は1μm以上である。 - 特許庁
Then, the layer is thermally treated in nitrogen radical to recover nitrogen electron hole defect in the surface layer of the AlGaN electron donor layer 14.例文帳に追加
その後,窒素ラジカル中で熱処理を行い,AlGaN電子供給層14の表層の窒素空孔欠陥を回復させる。 - 特許庁
Further, the electron conductive part 32 of the ion and electron conductive layer 21 transmits O^2- of the NO_x reduction layer 23 to the PM oxidation layer 22.例文帳に追加
また、イオン電子伝導層21の電子伝導部32は、NO_x還元層23のO^2−をPM酸化層22へと伝達する。 - 特許庁
A layer formed of a specific material is used for the positive hole transporting layer or an electron transporting layer.例文帳に追加
正孔輸送層あるいは電子輸送層として特定の材料からなる層を用いる。 - 特許庁
An electron barrier layer 16 is formed between an active layer 14 and a first p-type clad layer 17.例文帳に追加
活性層14と第1p型クラッド層17との間に電子障壁層16を設ける。 - 特許庁
The semiconductor device has a semiconductor lower layer in repetitive structure of an electron barrier layer and a quantum well layer.例文帳に追加
電子障壁層と量子井戸層の繰返し構造を有する半導体下層を備えている。 - 特許庁
The second semiconductor layer is disposed between the first semiconductor layer and the electron transport layer.例文帳に追加
第2の半導体層は、第1の半導体層と電子輸送層との間に配置されている。 - 特許庁
A hot electron transition layer 125 is formed between the base layer 130 and the collector layer 110.例文帳に追加
ベース層130及びコレクタ層110の間にはホットエレクトロン転移層125が形成されている。 - 特許庁
The element also has a luminous material layer between the positive electrode layer and the electron transport layer.例文帳に追加
その素子には、陽極電極層と電子輸送層との間に発光性材料の層がある。 - 特許庁
The organic compound layer 10 is formed of a hole injection layer 3, a hole transporting layer 4, an emission layer 5, a hole arresting layer 6 and an electron injection layer 7.例文帳に追加
有機化合物層10は、ホール注入層3、ホール輸送層4、発光層5、ホール阻止層6および電子注入層7からなる。 - 特許庁
A layer in contact with the luminous layer is preferably at least a layer selected from a hole-blocking layer, an electron-blocking layer, and an exciton-blocking layer.例文帳に追加
前記発光層と接する層が、正孔阻止層、電子阻止層及びエキシトンブロック層から選ばれる少なくとも一層であると好ましい。 - 特許庁
An electron multiplication layer which multiplies the electron beams entered is provided at least at a part of the electron beam passage.例文帳に追加
電子ビーム通過行路の少なくとも一部に入射した電子ビームを増倍させる電子増倍層が設けられている。 - 特許庁
The high electron mobility transistor comprises the electron transit layer made of a GaN compound semiconductor layer, and an electron supply layer made of a GaN compound semiconductor layer having a larger band gap energy than that of the electron transit layer in such a manner that the electron transit layer contains an In of 1×10^19 to 5×10^20 cm^-3.例文帳に追加
電子走行層がGaN系化合物半導体層からなり、電子供給層が電子走行層よりバンドギャップエネルギーの大きいGaN系化合物半導体層からなる高電子移動度トランジスタであって、前記電子走行層はInを1×10^19cm^-3以上、5×10^20cm^-3以下含む。 - 特許庁
HOLE TRANSFER LAYER, ELECTRON TRANSFER LAYER, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT CONTAINING SAME例文帳に追加
ホール輸送性層、電子輸送性層、及びそれを含む有機電界発光素子 - 特許庁
An electron emitting substance layer 3 is formed in the upper part of the alloy layer 2.例文帳に追加
合金層2の上部には電子放射物質層3が形成されている。 - 特許庁
The organic luminous layer 110 consists of a luminous layer 110c, an electron carrying layer 110b and an electron injection layer 110a, in which a hole injection layer and a hole carrying layer are omitted comparing to the former one.例文帳に追加
有機発光層110は、従来に比較して、正孔注入層及び正孔輸送層が省略され、発光層(110c)、電子輸送層(110b)、電子注入層(110a)から構成される。 - 特許庁
On a positive electrode 2, a hole injection layer 3, a hole transport layer 4, a blue light luminescent layer 5, an orange light luminescent layer 6, an electron transport layer 7, an electron injection layer 8, a negative electrode 9 are sequentially formed.例文帳に追加
陽極2上に、ホール注入層3、ホール輸送層4、青色光発光層5、オレンジ光発光層6、電子輸送層7、電子注入層8および陰極9が順に形成される。 - 特許庁
The organic thin film layer includes at least one or more of a hole injecting layer, a hole transport layer, an RGB light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injecting layer, and is patterned by utilizing a laser transfer method.例文帳に追加
有機薄膜層は正孔注入層、正孔輸送層、R、G、B発光層、電子輸送層、電子注入層中の一つ以上を含み、レーザー転写法を利用してパターニングされる。 - 特許庁
ANTI-STATIC FILM FORMING COMPOSITION FOR UPPER LAYER OF ELECTRON BEAM RESIST例文帳に追加
電子線レジスト上層用帯電防止膜形成組成物 - 特許庁
The electron transporting layer has oxidation-reduction potential which inclines from high to low toward the electrode side in contact with the electron transporting layer.例文帳に追加
また電子輸送層は、電子輸送層が接する電極側に向けて酸化還元電位が貴から卑に傾斜している。 - 特許庁
PHOTOSENSITIVE COMPOSITION FOR FORMING INSULATING LAYER OF ELECTRON EMISSION DEVICE例文帳に追加
電子放出素子の絶縁層形成用感光性組成物 - 特許庁
ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE INCLUDING DOPED TRIAZINE ELECTRON TRANSPORT LAYER例文帳に追加
ドープされたトリアジン電子輸送層を含む有機発光デバイス - 特許庁
An electron supply layer composed of N-type AlGaN or N-type AlN is formed on the electron transit layer.例文帳に追加
電子走行層の上に、N型のAlGaNまたはN型のAlNからなる電子供給層が形成されている。 - 特許庁
The compound semiconductor device comprises an AlGaN layer 3 formed above a substrate 1, an AlGaN layer 4 formed on the AlGaN layer 3, an electron transit layer 5 formed on the AlGaN layer 4 and an electron supply layer 6 formed on the electron transit layer 5.例文帳に追加
基板1上方に形成されたAlGaN層3と、AlGaN層3上に形成されたAlGaN層4と、AlGaN層4上に形成された電子走行層5と、電子走行層5上方に形成された電子供給層6と、が設けられている。 - 特許庁
A substrate 1, an electron traveling layer 3 formed on the substrate 1, an electron supply layer 4 formed above the electron traveling layer 3, and a buffer layer 2 formed between the substrate 1 and the electron traveling layer 3 and containing Al_xGa_1-xN(0≤x≤1) are provided.例文帳に追加
基板1と、基板1上方に形成された電子走行層3と、電子走行層3上方に形成された電子供給層4と、基板1と電子走行層3との間に形成され、Al_xGa_1-xN(0≦x≦1)を含むバッファ層2と、が設けられている。 - 特許庁
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