「ferroelectrics」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING FERROELECTRICS FILM例文帳に追加

強誘電体膜を有する半導体装置の製造方法 - 特許庁

MANUFACTURE OF FERROELECTRICS ELEMENT AND SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE例文帳に追加

強誘電体素子の製造方法及び半導体記憶装置 - 特許庁

FERROELECTRICS THIN FILM ELEMENT AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

強誘電体薄膜素子およびその製造方法 - 特許庁

To suppress damage when machining a ferroelectrics film.例文帳に追加

強誘電体膜加工時のダメージを抑制する。 - 特許庁

As a ferroelectrics film, PbTiO3, PZT (PbTi3, PbZrO3) or PLZT (La, PbTiO3, PbZrO3) are used generally.例文帳に追加

強誘電体膜としては、一般にＰｂＴｉＯ３，ＰＺＴ（ＰｂＴｉ３，ＰｂＺｒＯ３）またはＰＬＺＴ（Ｌａ，ＰｂＴｉＯ３，ＰｂＺｒＯ３）などが用いられる。 - 特許庁

FERROELECTRICS CAPACITOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

強誘電体キャパシタ、半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

FERROELECTRICS CAPACITOR, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

強誘電体キャパシタ、その製造方法、および半導体装置 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE AND FERROELECTRICS MEMORY, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体装置及び強誘電体メモリ、半導体装置の製造方法 - 特許庁

One end of a ferroelectrics capacitor is connected to a buffer circuit.例文帳に追加

強誘電体キャパシタの一端は、バッファ回路に接続される。 - 特許庁

FERROELECTRICS MEMORY CELL AND FeRAM ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

強誘電体メモリセル及びそれを用いたＦｅＲＡＭ素子 - 特許庁

NON-VOLATILE FERROELECTRICS MEMORY ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

不揮発性強誘電体メモリ素子並びにその製造方法 - 特許庁

A void is provided at a semiconductor substrate at the lower part of a ferroelectrics capacitor.例文帳に追加

強誘電体キャパシタ下部の半導体基板に空洞を設ける。 - 特許庁

FERROELECTRICS MEMORY AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME例文帳に追加

強誘電体メモリおよび強誘電体メモリ製造方法 - 特許庁

To provide a ferroelectrics capacitor wherein the electrode of a wiring layer formed on the ferroelectrics capacitor is prevented from being oxidized, as well as its manufacturing method and a ferroelectrics memory.例文帳に追加

強誘電体キャパシタの上に形成する配線層の電極の酸化を防ぐことができる強誘電体キャパシタ及びその製造方法並びに強誘電体メモリを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a memory cell array where a ferroelectrics layer constituting a ferroelectrics capacitor has a specific pattern for less floating capacity of a signal electrode, manufacturing method thereof, and a ferroelectrics memory device.例文帳に追加

強誘電体キャパシタを構成する強誘電体層が特定のパターンを有し、信号電極の浮遊容量を小さくすることができるメモリセルアレイ、およびその製造方法、ならびに強誘電体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

The other-end sides of the ferroelectrics are connected to storage nodes N2 and N1.例文帳に追加

強誘電体のもう一方の端子は、それぞれ記憶ノードＮ２、Ｎ１に接続されている。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING FERROELECTRICS CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

強誘電体キャパシタを有する半導体装置及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

The roughness acts as a nucleus for crystal growth, over which a ferroelectrics thin film is formed.例文帳に追加

この荒れを結晶成長の核として作用させて、その上面に強誘電体薄膜を形成する。 - 特許庁

A ferroelectrics thin film 16 is formed on the conductive thin film 14 in a MOCVD method.例文帳に追加

導電性薄膜１４上に、ＭＯＣＶＤ法などによって、強誘電体薄膜１６を形成する。 - 特許庁

To provide a formation structure for a ferroelectrics on the main surface or inside of a silicon substrate, etc.例文帳に追加

シリコン基板等の主表面または内部における強誘電体の形成構造を提供する。 - 特許庁

To improve the performance and stability of a device by using a diaphragm layer suitable for a ferroelectrics storage device.例文帳に追加

強誘電体記憶装置に好適な隔壁層により装置の性能と安定度を向上させる。 - 特許庁

To provide a method of forming a film that is suitable for ferroelectrics which have small leakage current.例文帳に追加

リーク電流が小である強誘電体に好適な膜を形成する方法 - 特許庁

A ferroelectric capacitor 1 is provided comprising a first electrode 4 formed on a semiconductor substrate, a first ferroelectrics layer 6 formed on the first electrode, a second electrode 8 formed on the first ferroelectrics layer, a second ferroelectrics layer 10 formed on the second electrode, and a third electrode 12 formed on the second ferroelectrics layer.例文帳に追加

半導体基板上に形成された第１の電極４と、この第１の電極上に形成された第１の強誘電体層６と、この第１の強誘電体層上に形成された第２の電極８と、この第２の電極上に形成された第２の強誘電体層１０と、この第２の強誘電体層上に形成された第３の電極１２とを有する強誘電体キャパシタ１を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor device, it is subjected to a wet processing by using the aqueous solution of a phosphoric acid after etching its ferroelectrics film.例文帳に追加

強誘電体膜をエッチングしたあと、燐酸水溶液を用いてウェット処理をする。 - 特許庁

To improve remaining polarization of a ferroelectrics capacitor by reducing the remaining stress present in a ferroelectrics thin film constituting the ferrolectrics capacitor.例文帳に追加

強誘電体キャパシタを構成する強誘電体薄膜に存在する残留応力を低減し、該強誘電体キャパシタの残留分極を向上すること。 - 特許庁

To maximize remanen of a ferroelectrics film, while minimizing a voltage required for writing for to a semiconductor device having a ferroelectrics capacitor.例文帳に追加

強誘電体キャパシタを有する半導体装置において、強誘電体膜の残留分極を最大化し、また書き込みに要する電圧を最小化する。 - 特許庁

To manufacture, without damaging ferroelectrics or sticking the reaction products of Pt or without leaving unwanted ferroelectrics on a structure body being manufactured.例文帳に追加

強誘電体にダメージを与えたりＰｔの反応生成物を付着させたりすることなく、かつ製造中の構造体に不要な強誘電体を残存させずに製造する。 - 特許庁

To prevent deterioration in the polarization characteristic of a ferroelectrics film or a high dielectrics film constituting a capacitor insulating film even when heat treatment in a reducing atmosphere is applied to a ferroelectrics capacitor.例文帳に追加

強誘電体キャパシタに対して還元性雰囲気中の熱処理を施しても、容量絶縁膜を構成する強誘電体膜又は高誘電体膜の分極特性が劣化しないようにする。 - 特許庁

To form a conductive film on a ferroelectrics film with no degradation of it, relating to a manufacturing method for a semiconductor device comprising a process for forming a ferroelectrics capacitor.例文帳に追加

強誘電体キャパシタの形成工程を有する半導体装置の製造方法に関し、強誘電体膜を劣化させずにその上に導電膜を形成すること。 - 特許庁

On a first interlayer insulating film 20, an intermediate electrode 22 to be connected to the gate electrode 14 of the ferroelectrics FET, a ferroelectrics film 23 and a control gate electrode 24 are formed.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜２０の上に、強誘電体ＦＥＴのゲート電極１４に接続される中間電極２２と強誘電体膜２３と制御ゲート電極２４とを形成する。 - 特許庁

To provide a polarizing apparatus for ferroelectrics whereby, even when there are generated such defects and variations of film qualities as pin holes in the surfaces of wafers with respect to the polarizing processes of the ferroelectrics, their equal polarized performances can be obtained to each other.例文帳に追加

強誘電体の分極工程においてウエハ面内にピンホール等の欠陥や膜質のバラツキが発生しても同様な分極性能を得られるという効果を提供する事を目的とするものである。 - 特許庁

To provide a ferrelectrics thin film element having a ferroelectrics thin film of a perovskite oxide excellent in orientation and its manufacturing method.例文帳に追加

配向性の優れたペロブスカイト酸化物の強誘電体薄膜を有する強誘電体薄膜素子と、その製造方法を得る。 - 特許庁

MEMORY CELL ARRAY COMPRISING FERROELECTRIC CAPACITOR, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND FERROELECTRICS MEMORY DEVICE例文帳に追加

強誘電体キャパシタを有するメモリセルアレイおよびその製造方法並びに強誘電体メモリ装置 - 特許庁

A lower part electrode, ferroelectrics film, upper part electrode, conductive reaction preventive film, and wiring electrode are sequentially laminated in this order.例文帳に追加

下部電極、強誘電体膜、上部電極、導電性反応防止膜、及び配線電極の順の積層構造を採用する。 - 特許庁

In a memory cell array 100A, a memory cell comprising a ferroelectrics capacitor 20 is arrayed in matrix.例文帳に追加

メモリセルアレイ１００Ａは、強誘電体キャパシタ２０からなるメモリセルがマトリクス状に配列されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a ferroelectrics which is excellent in switching characteristics of at least 10 kV or less as hysteresis angular ratio.例文帳に追加

半導体デバイスにおいて、ヒステリシスの角形比が１０ｋＶ以下以上のスイッチング特性に優れた強誘電体が必要とされている。 - 特許庁

The ferroelectrics layer 14 may be provided, in block, only in an intersection region between the first signal electrode 12 and the second signal electrode 16.例文帳に追加

また、強誘電体層１４は、第１信号電極１２と第２信号電極１６との交差領域のみにブロック状に配置されていてもよい。 - 特許庁

To provide an integrated circuit storage device which comprises a high-quality ferroelectrics capacitor of a flat shape.例文帳に追加

高品質でかつ平坦な形状を有する強誘電体キャパシタを備えた集積回路記憶装置を提供する。 - 特許庁

As the ferroelectrics, the one with a perovskite crystal structure as a principal crystalline phase is preferable.例文帳に追加

上記常誘電体としては、ペロブスカイト型結晶構造を主結晶相とするものであることが好ましい。 - 特許庁

To provide a ferroelectric material having improved orientation and crystallinity by properly arranging the polarization axes of bismuth-layered structure ferroelectrics.例文帳に追加

ビスマス層状構造強誘電体の分極軸をそろえ、配向性・結晶性が向上した強誘電体材料を提供する。 - 特許庁

When the first layer 18 is formed, ferroelectrics material is supplied onto the conductive thin film 14 while changing a composition ratio.例文帳に追加

第１の層１８を形成するときには、組成比率を変化させながら誘電体原料を導電性薄膜１４上に供給する。 - 特許庁

To provide a large-scale integrated circuit device equipped with a memory cell made of a ferroelectrics FET and highly integrated.例文帳に追加

強誘電体ＦＥＴからなるメモリセルを備え、高集積化された大規模の集積回路装置を提供する。 - 特許庁

To remove from a semiconductor device without giving any wrong effect to its formed elements reactive byproducts generated when etching its ferroelectrics film.例文帳に追加

強誘電体膜をエッチングする際に生じる反応副生成物を形成される素子に悪影響を与えることなく除去する。 - 特許庁

A base material 1 composed of a ferroelectrics having ≥1.9 refractive index and translucency is arranged in an approximately columnar shape.例文帳に追加

屈折率が１．９以上の透光性を備えた常誘電体からなる基材１を略柱状に設ける。 - 特許庁

The ferroelectrics capacitor 20 comprises a first signal electrode 12, a second signal electrode 16 arrayed in the direction across the first signal electrode 12, and a ferroelectrics layer 14 provided in a line along the first signal electrode 12 or the second signal electrode 16.例文帳に追加

強誘電体キャパシタ２０は、第１信号電極１２と、第１信号電極１２と交差する方向に配列された第２信号電極１６と、第１信号電極１２または第２信号電極１６に沿ってライン状に配置された強誘電体層１４と、を有する。 - 特許庁