「field-effect mode」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a group III nitride enhancement mode field effect device, which includes a composition and manufacturing process of the device.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物エンハンスメントモード電界効果デバイスについての構造および製造工程がある製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a portrait type field-effect transistor made of a group III nitride semiconductor, wherein a high breakdown strength is accomplished and a normally off mode is set.例文帳に追加

III族窒化物半導体からなる縦型電界効果トランジスタについて、高耐圧を達成し、ノーマリオフモードとすること。 - 特許庁

In a trench gate type storage mode field-effect transistor, a lightly-doped drift region of an N-type drain is provided on a mesa between trenches.例文帳に追加

トレンチゲート型蓄積モード電界効果トランジスタにおいて、Ｎ型ドレインの低濃度ドープされたドリフト領域をトレンチ間のメサに設ける。 - 特許庁

In this enhancement mode field effect device, a two-dimensional electron gas 38 exists on, or in the vicinity of, an interface between a group III nitride barrier layer 26 and a pair of active layers 28 containing a group III nitride conductor layer.例文帳に追加

二次元電子ガス３８が、ＩＩＩ族窒化物バリア層２６およびＩＩＩ族窒化物半導体層を含む１対の活性層２８の間の界面において、またはこの界面付近において存在する。 - 特許庁

To provide an optical transmission method and an optical transmission system capable of preventing influence of a nonlinear effect of an optical fiber by increasing a mode field diameter without decreasing a relative refractive-index difference of an optical fiber.例文帳に追加

光ファイバの比屈折率差を下げることなくモードフィールド径を拡大することにより、光ファイバの非線形効果による影響を抑えることのできる光伝送方法及び光伝送システムを提供する。 - 特許庁

The power line carrier transmission device 16 controls a field-effect transistor Q1 provided in parallel to a ground capacitor C1 grounding an inverter circuit 22, by a control unit 24 and transmits the signal of information through common-mode communication.例文帳に追加

電力線搬送送信装置16は、インバータ回路22を接地する接地コンデンサC1に並列に設けられた電界効果トランジスタQ1を制御部24で制御し、コモンモード通信によって情報の信号を送信する。 - 特許庁

The second protection portion 10B is a protection portion for a second mode in which a positively charged potential is applied, built up with an MOS field effect transistor 4, and starts a protective operation before the operation of the first protection portion 10A starts.例文帳に追加

第２保護部１０Ｂは、正に帯電した電位が印加される第２モードに対応する保護部であって、ＭＯＳ電界効果トランジスタ４によって構成され、第１保護部１０Ａの動作開始時点前に保護動作を開始する。 - 特許庁

A digital camera (10) and a method (60) for incarnating a preview image mode are disclosed, wherein how a final image is viewed is accurately shown together with a view of the depth of field and a shutter speed time effect (blur).例文帳に追加

被写界深度およびシャッタ速度時間効果（ブレ）を含む、最終画像がどのように見えるかを正確に示すプレビュー画像モードを具現化するデジタルカメラ(10)および方法(60)である。 - 特許庁

Since a direction of an electric field E generated at this time coincides with a polarizing direction A of the piezoelectric material plate 1, the plate 1 tends to elongate in a direction along a surface in a piezoelectric longitudinal effect, that is, a direct mode.例文帳に追加

このとき発生する電界Ｅの向きと、圧電材料板１の分極方向Ａとが一致しているため、圧電材料板１は圧電縦効果、すなわちダイレクトモードで面に沿う方向に伸びようとする。 - 特許庁

To provide a logic circuit comprising multi-stage connection of a plurality of current mode logic circuits each configured with field effect transistors that improves the transconductance g_m and the cut-off frequency f_T of the transistors and attains a high speed/broadband configuration.例文帳に追加

電界効果型トランジスタで構成した複数の電流モード論理回路を多段接続した論理回路において、トランスコンダクタンスｇ_ｍやトランジスタの遮断周波数ｆ_Tを改善し、かつ高速・広帯域化する。 - 特許庁

To display a bright, high contrast and high quality picture in a vertical alignment mode liquid crystal device comprising a liquid crystal held between a pair of substrates by reducing an adverse effect due to a lateral electric field generated in line inversion driving.例文帳に追加

一対の基板間に液晶が挟持されてなる垂直配向型の液晶装置において、ライン反転駆動時に発生する横電界による悪影響を低減し、明るく高コントラストで高品位の画像表示を行う。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect sensor in which the generation of a Barkhausen noise can be suppressed by preventing a magnetic domain such as a closure domain from being formed in a free magnetization layer, by a galvano magnetic field to be guided to the intra-film surface direction by operation in a mode for electrifying a sense current vertically to a film surface.例文帳に追加

センス電流を膜面垂直方向に通電するモードで動作し、膜面内方向に誘導される電流磁界による磁化自由層での還流磁区などの磁区形成を防ぐことができ、バルクハウゼンノイズの発生を抑制できる磁気抵抗効果センサーを提供する。 - 特許庁

To provide a sound field correction method where factors causing a peak and a dip in a frequency characteristic are analyzed and the arrangement of speakers is changed so as to decrease the effect of a sound mode with a high contribution rate thereby enhancing the frequency characteristic and to provide an acoustic device.例文帳に追加

周波数特性のピークおよびディップが発生している要因を解析し、寄与率の高い音響モードの影響を下げるようにスピーカ配置を換えることで周波数特性を改善する音場補正方法および音響装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

The storage device is structured in that pads 80, 90 capable of being electrically contacted from outside are connected to a drain and a gate of a field effect transistor PQ1, respectively, in which a power supply voltage Vcc1 in a sense amplifier circuit SA is supplied to a source in a test mode.例文帳に追加

テストモード時、外部から電気的にコンタクト可能なパッド８０およびパッド９０が、センスアンプ回路ＳＡ内の電源電圧Ｖｃｃ１がソースに供給される電界効果型トランジスタＰＱ１のドレインおよびゲートにそれぞれ接続される構成を有する。 - 特許庁

The field effect transistor controls the conductivity of the semiconductor layer provided between a source electrode and a drain electrode by a gate electrode provided via an insulating layer and the semiconductor layer is formed by the organic polymer semiconductor in which carbon nano-tubes are dispersed and the current is controlled in the depletion mode.例文帳に追加

ソース電極とドレイン電極間に設けた半導体層の導電性を絶縁層を介して設けられたゲート電極によって制御する電界効果型トランジスタであって、該半導体層がカーボンナノチューブを分散した有機高分子半導体で形成され、ディプレッションモードで電流を制御することを特徴とするトランジスタ。 - 特許庁

A first protection insulating film 106 is deposited on first and second field-effect transistors formed on a semiconductor substrate 100, and a capacity lower electrode 109, a capacity insulating film 110A comprising of an insulated metal oxide film and a capacity element mode of a capacity upper electrode 111 are formed on the first protection insulating film 106.例文帳に追加

半導体基板１００上に形成された第１及び第２の電界効果型トランジスタの上には第１の保護絶縁膜１０６が堆積されており、該第１の保護絶縁膜１０６の上には、容量下部電極１０９、絶縁性金属酸化膜からなる容量絶縁膜１１０Ａ及び容量上部電極１１１からなる容量素子が形成されている。 - 特許庁

Because in the vertical alignment mode, alignment of liquid crystal molecules is controlled so as to make them align nearly radially from the center of the polygonal or circular transparent electrode to the outside, an adverse effect of an electric field produced on the wire parts to the alignment of the liquid crystal molecules is reduced by disposing the wires nearly vertical to the outside edges of the transparent electrodes.例文帳に追加

垂直配向方式では、多角形又は円形の透明電極の中心から外側へ略放射状に液晶分子の配向が制御されるので、配線を透明電極の外形辺に対して略垂直に配置することにより、その配線部分に生じる電界が液晶分子の配向に与える悪影響を低減することができる。 - 特許庁