「first-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The hard mask layer is etched by using the first photoresist pattern to form a first hard mask layer pattern.例文帳に追加

第１フォトレジストパターンを用いて、ハードマスク層をエッチングして第１ハードマスク層パターンを形成する。 - 特許庁

In the TFT array substrate, a first metal layer and a dielectric layer are disposed on a first substrate.例文帳に追加

ＴＦＴアレイ基板において、第一金属層と誘電体層は第一基板上に配置する。 - 特許庁

A Ni layer 23 is formed on the first substrate by electroforming and the Ni layer 23 is peeled from the first substrate.例文帳に追加

第一の基板上に、電鋳によりＮｉ層23を形成して第一の基板から剥がす。 - 特許庁

The second electrode is formed extending from the bottom surface of the first insulating layer to the first semiconductor layer and has a width narrower than the first insulating layer.例文帳に追加

第２の電極は、第１の絶縁層の底面から第１の半導体層にかけて形成され、第１の絶縁層よりも幅が狭い。 - 特許庁

Also, the first layer has at least a visible light absorption layer, and a first conductive shape.例文帳に追加

また、前記第１の層は、少なくとも可視光吸収層を有し、第１導電形を有する。 - 特許庁

Prepared first is an SOI substrate which has a first silicon layer 2, a first silicon oxide layer 4, and a second silicon layer 6 laminated in order, wherein the thickness T1 of the first silicon layer 2 is equal to the thickness T3 of the second silicon layer 6.例文帳に追加

まず、第１シリコン層２と第１酸化シリコン層４と第２シリコン層６が順に積層されており、第１シリコン層２の厚みＴ１と第２シリコン層６の厚みＴ３が等しいＳＯＩ基板を用意する。 - 特許庁

The glass layer has a first glass layer 4 comprising a first glaze 2 and a second glass layer 5 formed on the outside of the first glass layer 4 and comprising a second glaze 3 having a lower coefficient of linear thermal expansion than the first glass layer.例文帳に追加

ガラス層は、第１釉薬２からなる第１ガラス層４と、第１ガラス層４より外面側に形成され、第１ガラス層より線熱膨張係数が小さい第２釉薬３からなる第２ガラス層５とを有する。 - 特許庁

The glass layer has a first glass layer 4 comprising a first glaze and a second glass layer 5 which comprises a second glaze, is formed on the outer face side of the first glass layer 4, and has a linear thermal expansion coefficient smaller than the first glass layer 4.例文帳に追加

ガラス層は、第１釉薬からなる第１ガラス層４と、第１ガラス層４より外面側に形成され、第１ガラス層４より線熱膨張係数が小さい第２釉薬からなる第２ガラス層５とを有する。 - 特許庁

The pad P1 has a three layer structure composed of an Au layer (a first metal layer 11) exposed from the first main surface 20A of the first insulation layer 20, a Pd layer (a second metal layer 12) laminated on the first metal layer 11, and a Cu layer (a third metal layer 13) formed between the second metal layer 12 and the wiring layer 21.例文帳に追加

このパッドＰ１は、第１絶縁層２０の第１主面２０Ａから露出されるＡｕ層（第１金属層１１）と、第１金属層１１に積層されたＰｄ層（第２金属層１２）と、第２金属層１２と配線層２１との間に形成されたＣｕ層（第３金属層１３）とからなる３層構造を有している。 - 特許庁

An optical sheet 10 is constituted of a first layer 12 and a second layer 13 which has a refractive index different from that of the first layer 12 and is closely attached to the first layer 12.例文帳に追加

第１の層１２と、第１の層１２とは屈折率が異なり第１の層１２に密着された第２の層１３とからなる光学シート１０を構成する。 - 特許庁

A second layer 15 formed on the first layer covers the first layer 14, while the edge of the wrap-around portion 17 of the first layer 14 is exposed, and contains a metal.例文帳に追加

その上に形成される第２層１５は、第１層１４の回り込み部１７の端部を露出させながら第１層１４を被覆し、かつ金属を含有する。 - 特許庁

When a first wiring layer is formed on an interlayer insulating film 11, a first wiring layer recessed part is formed also on an upper surface of the first wiring layer corresponding to an interlayer insulating layer recessed part 12.例文帳に追加

層間絶縁膜11上に第１配線層を形成する際に、層間絶縁膜凹部12に対応して第１配線層の上面にも第１配線層凹部を形成する。 - 特許庁

The second protective layer overlie on the first protective layer after any defect generated during the formation of the first protective layer is removed by applying plasma to the first protective layer.例文帳に追加

第１の保護層にプラズマを印加して第１の保護層の形成時に発生する欠陥を除去した後，第２の保護層が第１の保護層上に積層される。 - 特許庁

Lamination direction of the first fixed layer, first tunnel insulating film and first free layer is opposite from the lamination direction of the second fixed layer, second tunnel insulating film and second free layer.例文帳に追加

第１固定層、第１トンネル絶縁膜および第１自由層の積層方向は、第２固定層、第２トンネル絶縁膜および第２自由層の積層方向と逆である。 - 特許庁

The dielectric multilayer film 18 includes a first layer being in contact with the pixel electrodes 16 and a second layer which has a higher refractive index than the first layer and is in contact with the first layer.例文帳に追加

誘電体多層膜１８は、画素電極１６に接する第１の層と、第１の層より屈折率が高く第１の層に接する第２の層とを含む。 - 特許庁

A second layer 52 is laminated on the first layer while one main part of the first layer 51 is exposed so that one end surface 521 may be aligned to one end surface 511 of the first layer 51.例文帳に追加

第２層５２は、一端面５２１が第１層５１の一端面５１１に揃うようにして第１層５１の主面を一部露呈して第１層上に積層される。 - 特許庁

Next, the second interlayer insulating layer 9 is formed on the first interlayer insulating layer 5 as if covering the first wiring layer 8.例文帳に追加

第１配線層８を覆うように第１層間絶縁層５の上に第２層間絶縁層９を形成する。 - 特許庁

A third insulating layer is in physical contact with the first insulating layer and is arranged on the second and the first insulating layer.例文帳に追加

第３絶縁層は、第１絶縁層と物理的に接し、第２絶縁層および第１絶縁層上に配置される。 - 特許庁

The first layer is formed from a polyolefin, and the second layer is formed by coating the first layer with an adhesive.例文帳に追加

上記第一層と第二層との剥離強度としては０．０１Ｎ／２５ｍｍ以上２．５Ｎ／２５ｍｍ以下が好ましい。 - 特許庁

The interface 10 between the first layer 1 and the second layer 2 is formed to have a plurality of recessed parts 10 recessed on the first layer 1 side.例文帳に追加

第１層１と第２層２との界面１０が、第１層１側に凹んだ複数の凹部１０を形成している。 - 特許庁

An interlayer resin layer is formed on the part of the primary first-layer wire where the secondary first-layer wire is divided.例文帳に追加

第一の一層目配線における、第二の一層目配線を分断している部分上に、層間樹脂層を形成する。 - 特許庁

A sidewall layer 21a is formed on both the sides in the direction of line width of the first mask layer, then the first mask layer is removed.例文帳に追加

第１マスク層のライン幅方向両側に、サイドウオール層２１ａを形成してから第１マスク層を除去する。 - 特許庁

A second insulating layer 7 thinner than the first insulating layer 3 is formed on the first insulating layer 3.例文帳に追加

第１の絶縁層３の上には、第１の絶縁層３よりも膜厚の薄い第２の絶縁層７が形成される。 - 特許庁

Further, the first layer 21 is formed such that hardness of the first layer 21 is greater than hardness of the second layer 22.例文帳に追加

なお、第一層２１は、当該第一層２１の高度が第二層２２の硬度より大きくなるように形成されている。 - 特許庁

The adhesive sheet comprises a laminate having a first adhesive layer on a surface of a substrate and a second adhesive layer on a surface of the first adhesive layer.例文帳に追加

基材表面に第１接着層、及びその表面に第２接着層が積層されてなる接着シート。 - 特許庁

A first layer 53a of the Si layer 53 is formed by the first condition, and a second layer 53b is formed by the second condition.例文帳に追加

そして、第１条件でＳｉ層５３の第１層５３ａを形成し、第２条件で第２層５３ｂを形成する。 - 特許庁

The index of refraction n2 of the first layer preferentially outputs light that is input from the wedge-shaped layer to the first layer.例文帳に追加

第１の層の屈折率ｎ２は楔状層から入力される光を第１の層に優先的に出力する。 - 特許庁

The first connecting section 13C connects the first layer 13A1 and the third layer 13B without contact with the magnetic pole layer 12.例文帳に追加

第１の連結部１３Ｃは、磁極層１２に接触せずに第１層１３Ａ１と第３層１３Ｂとを連結する。 - 特許庁

A first metal wiring region is ensured in the row direction between a first contact layer of the first to the third diffusion layers and a second contact layer of a gate layer, and between the first contact layer and the first/second word lines.例文帳に追加

第１〜第３拡散層の第１コンタクト層とゲート層の第２コンタクト層との間、第１コンタクト層と第１／第２ワード線との間に、行方向に沿って第１のメタル配線領域が確保される。 - 特許庁

After a first resin layer and a mask layer are formed on a first surface, a first resin layer removing liquid is supplied from a second surface to remove the first resin layer on a through-hole and a through-hole peripheral part on the first surface.例文帳に追加

第一面に第一樹脂層及びマスク層を形成した後、第二面より第一樹脂層除去液を供給して、第一面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の第一樹脂層を除去する。 - 特許庁

The diameters of all of the first core layer 31, the first clad layer 32 and the second clad layer 3 sharpened by chemical etching can be made longer than before because of the five-layered structure of the first core layer 31, the first clad layer 32, the second clad layer 33, the first support layer 34 and the second support layer 35.例文帳に追加

第１のコア層３１、第１のクラッド層３２、第２のクラッド層３３、第１のサポート層３４及び第２のサポート層３５の５層構造となっているので、化学エッチングで先鋭化された第１のコア層３１、第１のクラッド層３２、第２のクラッド層３３の直径を従来よりも大きくすることができる。 - 特許庁

A semiconductor substrate includes a first insulating layer, a first semiconductor layer provided on the first insulating layer, a second insulating layer selectively provided on the first semiconductor layer, and a second semiconductor layer provided above the first semiconductor layer via the second insulating layer.例文帳に追加

実施形態に係る半導体基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に設けられた第１半導体層と、前記第１半導体層の上に選択的に設けられた第２絶縁層と、前記第２絶縁層を介して前記第１半導体層の上に設けられた第２半導体層と、を備える。 - 特許庁

The first pillar has a first monitor pad exposed on a surface of the insulating layer, and the first wiring layer has a first bonding pad exposed on a side surface of the insulating layer.例文帳に追加

第１ピラー部は、絶縁層の表面に露出した第１のモニタパッドを有し、第１配線層は、絶縁層の１つの側面に露出した第１のボンディングパッドを有する。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element comprises a first semiconductor layer of a first conductivity type, a second semiconductor layer of a second conductivity type, a luminescent layer provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, a first electrode layer, and a second electrode layer.例文帳に追加

半導体発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、第１電極層と、第２電極層と、を備える。 - 特許庁

The first electrode layer is provided on the side of the second semiconductor layer opposite to the side on which the first semiconductor layer is provided, and has a metal layer and a plurality of openings penetrating the metal layer along a first direction toward the second semiconductor layer from the first semiconductor layer.例文帳に追加

第１電極層は、第２半導体層の第１半導体層とは反対側に設けられ、金属層と、第１半導体層から第２半導体層に向かう第１方向に沿って前記金属層を貫通する複数の開口部と、を有する。 - 特許庁

The gate insulating layer 11 is provided with at least a first insulating layer 7 in contact with the upper surface of the semiconductor layer 6, and a second insulating layer 8 formed on the first insulating layer 7 which has an almost identical form to the semiconductor layer 6.例文帳に追加

ゲート絶縁層１１は少なくとも、半導体層６の上面と接する第１絶縁層７と、第１絶縁層７の上に形成された第２絶縁層８とを有する。 - 特許庁

The layer thickness of the first p-clad layer occupies 50% or more and 80% or less of the total layer thickness of a p-clad layer including the first p-clad layer and the second p-clad layer.例文帳に追加

第１のｐクラッド層と第２のｐクラッド層からなるｐクラッド層全体の層厚のうち第１のｐクラッド層の層厚が占める割合は５０％以上８０％以下である。 - 特許庁

The intermediate layer is arranged between the first material layer and the second material layer, and a refractive index of the intermediate layer is smaller than those refractive indexes of the first material layer and the second material layer.例文帳に追加

該間隔層は該第１物質層と該第２物質層の間に配置され、該間隔層の屈折率は該第１物質層の屈折率及び該第２物質層の屈折率より小さい。 - 特許庁

Moreover, the deposited layer 31 constituting a first piezoelectric layer 32 is shifted in the crossing direction with respect to the deposited layer 31 constituting a second piezoelectric layer 33 laid upon the deposited layer 31 constituting the first piezoelectric layer 32.例文帳に追加

さらに、第１の圧電層３２を構成する堆積層３１が、これと重ねられる第２の圧電層３３を構成する堆積層３１に対して交差方向ににずれるようにする。 - 特許庁

A base sacrifice layer 14, a first metal layer 16, a first sacrifice layer 20, a second metal layer 22, a second sacrifice layer 26 and a third metal layer 28 are sequentially laminated on a silicon substrate 12.例文帳に追加

シリコン基板１２の上に、ベース犠牲層１４，第１金属層１６、第１犠牲層２０、第２金属層２２、第２犠牲層２６、第３金属層２８を順に積層する。 - 特許庁

A second layer 52 and a fourth layer 54 include the cellulose acylate of the acylation degree higher than that of the first layer 51 and the fifth layer 55 and has the birefringence lower than that of the first layer 51 and the fifth layer 55.例文帳に追加

第２層５２，第４層５４は、第１層５１，第５層５５よりもアシル基置換度が高いセルロースアシレートを含むとともに複屈折率が第１層５１，第５層５５よりも低い。 - 特許庁

A first lead portion extends from an end of the first layer through an opening defined by the wound first layer.例文帳に追加

第１リード部分は、第１層の端部から、巻回された第１層によって画定された開口を通って延在する。 - 特許庁

Continuously, a first plating layer 19 is grown based on the first catalytic layer 18 by performing a first electroless plating treatment.例文帳に追加

続いて、第１無電解めっき処理を施し、第１触媒層１８を基に第１めっき層１９を成長させる。 - 特許庁

A first insulating layer 5 and a first connection layer 6 are provided on the first surface 2a of the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

半導体基板２の第１の面２ａには第１の絶縁層５と第１の配線層６とが設けられている。 - 特許庁

A first layer select transistor Ta has a first gate electrode 10a and is in a normally-on state on the first semiconductor layer 3a.例文帳に追加

第１のレイヤーセレクトトランジスタTaは、第１のゲート電極10aを有し、第１の半導体層3aでノーマリオン状態である。 - 特許庁