「first-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(489ページ目) - Weblio英語例文検索

To effectively use the light irradiated to a light receiving surface to increase an output per element, reducing an amount used of element material, which cuts down the cost of a low light condensing type spherical solar cell including a supporting body which individually separates to support a plurality of spherical photoelectric conversion elements having a second semiconductor layer outside a first semiconductor and has a reflecting mirror surrounding the side surface of each element.例文帳に追加

第１半導体の外側に第２半導体層を有する複数の球状光電変換素子を個々に分離して支持する支持体を具備し、この支持体が各素子の側面を囲む反射鏡を有する低集光型球状太陽電池において、受光面に照射される光を有効に活用して素子当たりの出力を高め、素子の素材の使用量を低減することにより、低コスト化を計る。 - 特許庁

This laser semiconductor device where clad layers 110, 108, and 104 and an active layer 106 are provided on a semiconductor substrate 101 is equipped with a superlattice structure film where a plurality of semiconductor layers having compression strain and pull strain, namely, first and second semiconductor layers 1091 (p-type ZnTe) and 1092 (p-type AlAsP) are laminated.例文帳に追加

半導体基板１０１上にクラッド層１１０，１０８，１０４および活性層１０６を設けて構成されるレーザ半導体装置に、圧縮歪みと引っ張り歪みを有する複数の半導体層を積層して構成される超格子構造膜、即ち、第１の半導体層１０９１（ｐ型ＺｎＴｅ）と第２の半導体層１０９２（ｐ型ＡｌＡｓＰ）を積層して構成される超格子構造膜を備える。 - 特許庁

At least one of the regulating members is formed of a film 68, 69 for shielding light generated from the surface of the first conductivity type semiconductor layer.例文帳に追加

第１導電型半導体層１２に所定の深さの複数の第２導電型半導体領域が複数の発光部２１として形成され、１又は２以上の前記発光部２１に隣接して設けられ、該発光部２１から放射される光の量を調整する調整部材３２，６８，６９を有し、該調整部材の少なくとも一つが前記第１導電型半導体層の表面から発生する光を遮る遮光膜６８，６９で形成されている。 - 特許庁

The ink jet nozzle comprises a first step for forming an electrically insulating resist pattern 2a on an electroforming supporting substrate 1, a second step for electroforming a basic body of nozzle 3 on the electroforming supporting substrate 1, and a third step for forming an ink repellent treatment layer 4 on the basic body of nozzle 3 by ink repellent surface treatment while connecting the electroforming supporting substrate 1 with the basic body of nozzle 3.例文帳に追加

本発明のインクジェットノズルの製造方法は、電鋳支持基板１上に電気絶縁性のレジストパターン２ａを形成する第１の工程と、電鋳により電鋳支持基板１上にノズル基体３を形成する第２の工程と、電鋳支持基板１とノズル基体３を接続したまま撥インク表面処理によりノズル基体３上に撥インク処理層４を形成する第３の工程とを有する。 - 特許庁

A plating film constituting a first layer 13 that serves as a base of an external terminal electrode is formed such that plating deposition deposited from a conductive surface formed by exposing end surfaces of internal electrodes 5, 6 is restricted to grow to the side of the low-growth plating region 12 beyond the border of the high-growth plating region 11 and the low-growth plating region 12.例文帳に追加

外部端子電極の下地となる第１層１３を構成するめっき膜は、内部電極５および６の露出端によって与えられる導電面を起点として析出しためっき析出物が高めっき成長領域１１と低めっき成長領域１２との境界を低めっき成長領域１２側へと越えて成長することが制限された状態で成長することによって形成される。 - 特許庁

Deep impurity diffused layer parts 34, 35, isolated from the ends of gate electrodes 29 at source and drain regions, are formed first, then sidewall spacers formed in a laminate structure on the sidewalls of the gate electrodes 29 are partly removed, and shallow impurity diffused layers 36, 37 adjacent the gate electrodes 29 are later formed to allow the diffused layers 36, 37 to be heat treated at low temp.例文帳に追加

ソース、ドレイン領域のゲート電極２９の端部から離隔した深い不純物拡散層部分３４、３５を先に形成し、その後ゲート電極２９の側壁に形成した積層構造のサイドウォールスペーサ３２の一部を除去し、ゲート電極２９に隣接する浅い不純物拡散層３６、３７を後から形成することにより、不純物拡散層３６、３７の低温での熱処理を可能とする。 - 特許庁

The light emitting device has a thin film transistor comprising a semiconductor layer having a source, drain and channel regions and a gate electrode, an insulating film disposed on the gate electrode, and a light emitting element on the insulating film, wherein the thin film transistor and a current supply line are electrically connected by a connection wire disposed on the insulating film and made of the same material as a first electrode.例文帳に追加

ソース、ドレインおよびチャネル領域を有する半導体層と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタと、ゲート電極上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上の発光素子とを有する発光装置であって、絶縁膜上に設けられた、第１の電極と同一材料でなる接続配線によって、薄膜トランジスタと電流供給線との電気的な接続をとることを特徴とする。 - 特許庁

Since the RIE process is ended when the first and second RIE stopper layers 36 and 42 located at the substantially same height are exposed, variation in height of the upper surface of a lamination 22 and the upper surface of a region where the bias layer 41 is formed to spread to the opposite sides thereof can be reduced and variation in distance between shields can be reduced as compared with prior art.例文帳に追加

このＲＩＥ工程を、ほぼ同じ高さ位置にある第１のＲＩＥストッパ層３６と第２のＲＩＥストッパ層４２が露出したときに終了することで、積層体２２の上面と、その両側に広がるバイアス層４１が形成されている領域の上面との高さ寸法のばらつきを小さくでき、従来に比べて、シールド間距離のばらつきを小さくすることが可能である。 - 特許庁

To reliably realize the stably fixed state of a touch panel 30 to a liquid crystal display panel 10 without causing bubbles between the touch panel and the liquid crystal display panel 10, in a liquid crystal display wherein the liquid crystal display panel 10 and the touch panel 30 wherein a gas layer 34 is disposed between first and second two transparent sheets 31 and 32 are stuck to each other by using an adhesive.例文帳に追加

液晶表示パネル１０と、第１および第２の２枚の透明シート３１，３２間に気体層３４が配置されてなるタッチパネル３０とを、接着剤により互いに貼り合わせるようにした液晶表示装置において、タッチパネルと液晶表示パネル１０との間に気泡を生じさせずに、液晶表示パネル１０に対するタッチパネル３０の安定した固定状態を確実化できるようにする。 - 特許庁

The mask is provided with a first light transmitting region 4 which is used for forming the region for the penetrating part on the substrate and whose mean transmittance is at least 90% and a second light transmitting region 5 which is used for forming the region for the not-penetrating surface layer part and whose mean transmittance is at most 50%.例文帳に追加

多孔質の絶縁体における平均空隙の大きさは、回転半径で前記露光光の波長に対して1/20以上10倍以下であり、マスクは、基板に貫通部用領域を形成するための平均透過率90％以上の第一の光透過領域４と、非貫通表層部用領域を形成するための平均透過率50％以下の第二の光透過領域５とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The photo development equipment includes a developing solution supplier for supplying a negative development solution; and a first photo apparatus to form a positive photoresist pattern, by using a positive photoresist containing a novolac resin as a base and containing an acrylic resin with the above negative development solution, wherein the photoresist pattern is necessary for forming a black matrix by patterning a light-shielding metal layer formed on a substrate.例文帳に追加

本発明によるフォト装備は、ネガティブ現像液を供給する現像液供給部と、基板上に形成された光遮断金属層をパターニングして、ブラックマトリクスを形成する際に必要であるポジティブフォトレジストパターンを、ノボラック系の樹脂を基本として、アクリル系の樹脂を含むポジティブフォトレジストと前記ネガティブ現像液とを利用して形成する第１フォト装備を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The first specimen, for example, a biological sample, is immobilized overall the surface of the matrix substrate within a preliminarily specified area, then another specifimen comprising different second and layer reagents is applied in this area in the form of individually independent spots to inspect the reactivity between dindividual samples whereby the multi-item inspection of the biological specimens can be simultaneously and efficiently carried out.例文帳に追加

基板上の予め規定された領域内の全面に、例えば検体生物試料である第１番目の試料を固定し、この領域に、この試料との反応性を検査する第２番目以降の異なる試薬からなる試料をそれぞれ独立のスポットとして付与して、各試料間での反応性を検定することで、検体生物試料の多項目検査を効率良く同時検定することができる。 - 特許庁

The well region is formed while it is divided into at least two layers in the depthwise direction, and the impurity concentration of the first shallowest layer in the well region is smaller than that of other layers.例文帳に追加

２次元配列されたフォトダイオードを含む受光部を有するＭＯＳ型固体撮像装置であって、半導体基板上に形成された第１導電型のウェル領域と、前記第１導電型のウェル領域中に形成された第２導電型の領域からなるフォトダイオード部とを有し、前記ウェル領域は深さ方向に２層以上に分割して形成され、前記ウェル領域における最も浅い第１層の不純物濃度は他の層に比べて低い。 - 特許庁

The liquid crystal display element includes first and second substrates facing into each other, a column spacer in a pixel region between the substrates, a dummy column spacer in a dummy region between the substrates, a UV sealant formed outside the dummy column spacer between the substrates, and a liquid crystal layer between the substrates.例文帳に追加

本発明の液晶表示素子は、下部基板及び上部基板、前記両基板間の画素領域に形成されている柱状スペーサ、前記両基板間のダミー領域に形成されている液晶流れ調節用ダミー柱状スペーサ、前記両基板間で前記ダミー柱状スペーサの外郭部に形成されているＵＶ硬化型シール剤、及び、前記両基板間に形成されている液晶層を有することを特徴とする。 - 特許庁

The multilayered film is constituted of first and third layers each of which comprises a resin composition prepared by blending a specific ethylene/α-olefin copolymer with a main component comprising a resin selected from low density polyethylene and an ethylene/vinyl acetate copolymer and the second layer, which comprises a resin composition containing the ethylene/ vinyl acetate copolymer and specific ethylene/α-olefin copolymer, provided between both layers.例文帳に追加

低密度ポリエチレンおよびエチレン／酢酸ビニル共重合体から選択される樹脂を主成分とし、これに特定のエチレン／α−オレフィン共重合体をブレンドしてなる樹脂組成物からなる第一層および第三層と、前記両層間にあってエチレン／酢酸ビニル共重合体と特定のエチレン／α−オレフィン共重合体とを含んでなる樹脂組成物からなる第二層とで多層フィルムを構成する。 - 特許庁

To provide a method of forming an element isolation layer of a semiconductor memory device, capable of filling a fluid first insulating film on the bottom surface of a trench, forming a second insulating film, then performing a dry etching process and a wet etching process and reducing the amount of fluorine (F) included in the second insulating film while expanding the top width of the trench.例文帳に追加

本発明は、トレンチの底面に流動性の第１の絶縁膜を満たし、第２の絶縁膜を形成した後に乾式エッチング工程及び湿式エッチング工程を行ってトレンチの上部の幅を広げながら第２の絶縁膜に含まれるフッ素(Ｆ；fluorine；フローリン)の量を減少させることができる半導体メモリ素子の素子分離膜形成方法を提供することを可能にすることを目的としている。 - 特許庁

A method for manufacturing the electrophotographic silver toner comprises: a first step of melting and kneading at least a binder resin and a black colorant and pulverizing and classifying the kneaded material to produce toner base particles; and a second step of melting and kneading the above toner base particles and the pearl pigment prepared by coating the flake-like inorganic crystal substrate with the thin layer of titanium dioxide and pulverizing and classifying the kneaded material.例文帳に追加

本発明の電子写真用銀色トナーの製造方法は、少なくとも結着樹脂と黒色着色剤とを溶融混練、粉砕分級してトナー母体粒子を製造する第１工程と、少なくとも前記トナー母体粒子と薄片状無機結晶基質上に二酸化チタンから成る薄層を被覆させたパール顔料とをを溶融混練、粉砕分級する第２工程と、からなることを特徴とする。 - 特許庁

The apparatus for treating perfluoro compounds comprises a device 9 for decomposing the perfluoro compounds having a catalyst layer 17 provided therein and into which an exhaust gas containing the perfluoro compounds is introduced to decompose the perfluoro compounds, and a device 22 for removing acidic compounds which removes first reaction products produced by reacting the acidic compounds contained in the exhaust gas exhausted from the device 9 for decomposing the perfluoro compounds with a calcium salt.例文帳に追加

触媒層１７が設けられて過弗化物を含む排ガスが供給され、前記過弗化物を分解する過弗化物分解装置９と、前記過弗化物分解装置９から排出された前記排ガスに含まれた酸性物質がＣａ塩と反応して生成される第１反応生成物を除去する酸性物除去装置２２とを備えていることを特徴とする過弗化物処理装置。 - 特許庁

The antenna formed sheet 20 and the interposer 10 are continuously moved and pressurized between a rotary pressurizing body 40 and a receiving member 60, and the first non-conductive layer 11 is fused by a rotary heating part 47 heated by a fixed heater 45 inside the rotary pressurizing body 40, and the extended electrodes 12 and 12 of the interposer 10 are joined to the antenna 22 of the antenna formed sheet 20.例文帳に追加

回転押圧体４０と受け部材６０との間でアンテナ形成済シート２０およびインターポーザー１０を連続的に移動させながら挟圧するとともに、回転押圧体４０の内部にある固定ヒータ４５により加熱された回転加熱部４７によって第１非導電層１１を融解し、インターポーザー１０の拡大電極１２，１２とアンテナ形成済シート２０のアンテナ２２とを接合させる。 - 特許庁

The multilayer interconnection structure 18 is so structure as to electrically interconnect the semiconductor chip 12 to a circuit-shaped board (e.g., circuit board) 100 through other solder connection members and provided with a thermally conductive layer 22 of a material which has a prescribed thickness and thermal expansion coefficient, so as to nearly prevent obstruction of solder connections between the first conductive members and the semiconductor chip 12.例文帳に追加

多層相互接続構造１８は、他の複数のハンダ接続部材により半導体チップ１２を回路化基板（例えば、回路基板）１００に電気的に相互接続するように構成され、第１の複数の導電部材と半導体チップ１２との間のハンダ接続部材の障害をほぼ防止するように、選択された厚さと熱膨張率とを有する材料よりなる熱伝導層２２を有する。 - 特許庁

An interlayer insulating film 11 containing oxygen and carbon is formed on a semiconductor substrate, a groove part 13 is formed on the interlayer insulating film 11, an auxiliary film 14 containing predetermined first and second metallic elements is formed on the bottom and sidewall of the groove part 13, and heat processing is performed to form a wiring body layer 19 containing copper as a main component while being buried in the groove part 13.例文帳に追加

半導体基板の上に酸素及び炭素を含む層間絶縁膜１１を形成し、該層間絶縁膜１１に溝部１３を形成し、溝部１３の底面上及び側壁上に所定の第１の金属元素及び第２の金属元素を含む補助膜１４を形成し、熱処理を行い、銅を主成分とする配線本体層１９を、溝部１３の内部を埋め込むように形成する。 - 特許庁

In a deposition chamber, the second evaporation source is heated at a temperature lower than the first temperature to evaporate the first material, then the second evaporation chamber is heated so as to form an organic compound layer between an anode and a cathode by evaporating the organic compound.例文帳に追加

本発明は、ある一定圧力下において、第１の温度と第１の温度よりも高い第２の温度の間で蒸発する有機化合物、第１の温度以下で蒸発する第１の材料、及び第２の温度以上で蒸発する第２の材料が装填された第１の蒸発源を、第２の温度よりも低い温度で加熱して、有機化合物と第１の材料を蒸発させて第２の蒸発源に吸着させ、成膜室において、第２の蒸発源を第１の温度よりも低い温度で加熱して、第１の材料を蒸発させ、成膜室において、第２の蒸発源を加熱して、有機化合物を蒸発させて有機化合物の層を陽極と陰極の間に形成するものである。 - 特許庁

Then, one end of the coil conductor is connected to the first lower conductor and the other end is connected through an opening 15 on the layer insulating film 15 to the lower conductor.例文帳に追加

基板１１の片方の端に形成された第１の下部導体１２と、もう片方の端から中央部に向けて、螺旋状に形成された第２の下部導体１３と、該下部導体をの主要部を覆うように形成された層間絶縁膜１４と、この層間絶縁膜上に螺旋状に形成されたコイル導体１６と、このコイル導体の一方は、前記第１の下部導体に接続され、もう一方は、前記層間絶縁膜の開口１５を通して前記下部導体に接続された。 - 特許庁

In a sensor group formed on a semiconductor substrate having first polarity, at least two vertically laminated sensors each include different spectral sensitivity, can be biased to function as a photo diode, include a carrier collection layer of a semiconducting material having second polarity, and are formed so as to collect a photoexcited carrier having the second polarity when biased to function as the photo diode.例文帳に追加

第１の極性を有する半導体基板上に形成されたセンサー群は、少なくとも２つの垂直積層センサーで、センサーの各々は、異なるスペクトル感度を持ち、フォトダイオードとして機能するためにバイアスすることが可能であり、また第２の極性を持つ半導体材料のキャリア収集層を含み、フォトダイオードとして機能するためにバイアスされる時第２の極性の光励起キャリアを収集するように作られることを特徴とする。 - 特許庁

The laminate 10 is obtained by layering a second transparent plastic film 5 on the side of an inorganic thin film of a laminated film which is obtained by layering an inorganic thin film 3 comprising an inorganic substance on one surface of a first transparent plastic film 1, across an adhesive layer 4.例文帳に追加

積層体１０は、第１の透明プラスチックフィルム１の片面に、無機物からなる無機薄膜層３を積層した積層フィルムの無機薄膜層３側の面に、第２の透明プラスチックフィルム５を粘着剤層４を介して積層した積層体１０であって、前記第１の透明プラスチックフィルム１の屈折率ｎ_１、前記粘着剤層４の屈折率ｎ_２および前記無機薄膜層３の屈折率ｎ_３が下記（ｉ）および（ｉｉ）の関係を満たすことを特徴とする。 - 特許庁

The light shielding matrix has at least one transmission region 214 which is disposed in a position opposed to a boundary 216 between the photosetting sealant 208 and the liquid crystal layer 206 and as a result, emitted light is made incident on the liquid crystal display from the first substrate 202 and can arrive at the photosetting sealant 208 through at least one transmission region 214 of the light shielding matrix 210.例文帳に追加

本発明は、光シールドマトリクスが少なくとも一カ所の透過領域２１４を有し、光硬化型シール剤２０８と液晶層２０６との間の境界２１６に対向する位置に配され、その結果放出された光が第一の基板２０２から液晶表示装置に入り、光シールドマトリクス２１０の少なくとも一カ所の透過領域２１４を通して、光硬化型シール剤２０８に到達できることを特徴とする。 - 特許庁

A light control element 4 has: a 3-dimensional photonic crystal 41 of a plurality of laminated periodical structure layers each including a plurality of first structures periodically arranged, at least one discrete structure layer including a plurality of second structures discretely arranged being disposed therebetween; an active part 42 located in the interior of the crystal; and electrodes 46, 47 contacting the conductive material parts of the crystal.例文帳に追加

光制御素子４は、周期的に配置された複数の第１の構造体をそれぞれ含む複数の周期構造層が、離散的に配置された複数の第２の構造体を含む少なくとも１つの離散構造層を間に挟んで積層されて構成された３次元フォトニック結晶４１と、該結晶内部に配置された活性部４２と、該結晶のうち導電性材料により構成された部分に接する電極４６，４７とを有する。 - 特許庁

The organic EL element is composed of a backside substrate 10, an organic electroluminescent part 12 formed by successively laminating a first electrode, an organic film, and a second electrode on the backside substrate, and a front side substrate, on an inner surface of which a porous oxide layer containing porous silica and metal compound is formed, sealing an inside space housing the organic electroluminescent part therein by jointing with the backside substrate.例文帳に追加

背面基板１０と、前記背面基板の一面に、第１電極、有機膜、及び第２電極の順に積層されてなる有機電界発光部１２と、前記背面基板と結合して前記有機電界発光部が収容された内部空間を密封する、内面に多孔性シリカと金属化合物とを含む多孔性酸化物層が形成された前面基板と、を具備することを特徴とする有機ＥＬ素子及びその製造方法。 - 特許庁

In the processing method in which a silver halide photosensitive material having a silver halide emulsion layer containing a silver halide emulsion whose average silver chloride content is ≥95% on a support is processed with an automatic processing machine having three or more multistage counter-flow system stabilizing tanks, at least one of the stabilizing tanks except the first and final tanks has a heating means.例文帳に追加

支持体上に平均塩化銀含有率が９５％以上のハロゲン化銀乳剤を含むハロゲン化銀乳剤層を有するハロゲン化銀感光材料を、多段向流方式の安定化処理槽を３槽以上有する自動現像機で処理する処理方法において、該安定化処理槽の最初の処理槽と最終の処理槽を除く少なくとも１槽が、加熱手段を有していることを特徴とするハロゲン化銀感光材料の処理方法。 - 特許庁

The actuator comprises an electrolyte membrane which incorporates movable ions, first and second driving electrode layers which are formed on both surfaces of the electrolyte membrane respectively and give the electrolyte membrane a potential difference with external voltage, and a sensor electrode layer which is formed on at least one surface of the above electrolyte membrane, extends in a direction of being bent by bending of the electrolyte membrane and detects a voltage generated on the electrolyte membrane surface.例文帳に追加

内部に移動可能なイオンを含む電解質膜と、上記電解質膜の両面にそれぞれ形成されて外部電圧により該電解質膜に電位差を与える第１及び第２の駆動電極層と、上記電解質膜の少なくとも一面に形成され該電解質膜の湾曲によって曲げられる方向に延在して該電解質膜の表面に発生する電圧を検出するセンサ電極層と、を備える。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device is provided that comprises a step for evaporating a solvent by heating an adhesive and reducing vapor pressure of the solvent in an atmosphere to contact with the adhesive, and a step for forming the junction layer by heating the adhesive, when the adhesive having a resin and the solvent is adhered to a second surface opposed to a first surface on which a circuit pattern of a wafer is formed.例文帳に追加

ウェーハの回路パターンが形成された第１の面と対向する第２の面に、樹脂と溶媒とを含む接合剤を付着させる際に、接合剤を加熱して前記溶媒を蒸散させるとともに、前記接合剤が面する雰囲気における前記溶媒の蒸気圧を低下させる工程と、前記付着させた接合剤を加熱して接合層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 - 特許庁

The three-dimensional nonvolatile semiconductor memory comprises: a memory cell array 2 with multiple memory cells stacked on a semiconductor substrate and multiple first conductive layers connected with the multiple memory cells; a dummy laminate structure 13 with multiple second conductive layers stacked on the semiconductor substrate and surrounds the memory cell array 2; and a metal layer 23A arranged on the memory cell array 2 and the dummy laminate structure 13.例文帳に追加

実施形態に係わる三次元不揮発性半導体メモリは、半導体基板上に積み重ねられる複数のメモリセル及び複数のメモリセルに接続される複数の第１導電層を備えるメモリセルアレイ２と、半導体基板上に積み重ねられる複数の第２導電層を備え、メモリセルアレイ２を取り囲むダミー積層構造１３と、メモリセルアレイ２上及びダミー積層構造１３上に配置される金属層２３Ａとを備える。 - 特許庁

This nonvolatile semiconductor storage device has an electrically rewritable memory cell which is composed of a laminated floating gate and control gate on the semiconductor layer, and a plurality of threshold variable pulses having a stepwise high potentials with difference of a first voltage which is required for injecting one electron into the floating gate, are respectively impressed on the control gate of the memory cell during a predetermined period.例文帳に追加

本発明の不揮発性半導体記憶装置は、半導体層上に浮遊ゲートと制御ゲートとを積層して構成された電気的に書き換え可能なメモリセルと、前記浮遊ゲートに電子１つを注入するために要する第１の電圧であって、前記第１の電圧の開きをもって段階的に高い電位を有する複数のしきい値変動パルスをそれぞれ一定期間前記メモリセルの制御ゲートに印加することを特徴とする。 - 特許庁

The fabrication method of the thin film transistor includes the steps of: forming a gate electrode with a first mask; forming an active pattern and a photoresist pattern with a second mask; ashing the photoresist pattern based on a predetermined width of an etch stopper; forming the etch stopper by patterning an insulating layer underlying the ashed photoresist pattern; and forming a source electrode and a drain electrode with a third mask.例文帳に追加

本発明による薄膜トランジスタの製造方法は、第１マスクでゲート電極を形成する段階と、第２マスクでアクティブパターンとフォトレジストパターンを形成する段階と、エッチストッパーの幅に対応する幅だけ前記フォトレジストパターンをアッシングする段階と、前記アッシングされたフォトレジストパターン下部の絶縁膜をパターニングしてエッチストッパーを形成する段階と、第３マスクでソース電極とドレイン電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

This thermoelectric element includes: a plurality of pn junctions each formed by bonding n-type and p-type thermoelectric semiconductors to each other with a metallic layer interposed therebetween; and first and second electrodes electrically connected to the n-type and p-type thermoelectric semiconductors, respectively; wherein the plurality of pn junctions are laminated with insulating layers interposed therebetween, and are connected electrically in parallel to one another.例文帳に追加

具体的に、本発明の一実施形態は、金属層を介してｎ型及びｐ型熱電半導体が互いに接合されて形成された複数のｐｎ接合及び前記ｎ型及びｐ型熱電半導体とそれぞれ電気的に連結された第１及び第２電極を含み、前記複数のｐｎ接合は絶縁層を介して積層されるが、それぞれは互いに電気的に並列連結されたことを特徴とする熱電素子を提供する。 - 特許庁

The free magnetic structure comprises a synthesized anti-ferro magnetic structure (SAF)108 containing two or more ferro magnetic layers in anti-ferro magnetic coupling, and a first bias layer 110 which is coupled to the SAF for preventing decoupling of two or more ferro-magnetic layers in anti-ferro magnetic coupling.例文帳に追加

磁気抵抗素子１０６は、ピン磁気構造１０２と、自由磁気構造１０６と、ピン磁気構造と自由磁気構造との間に結合されているスペーサ層１０４とを含み、自由磁気構造は、２つ以上の反強磁性結合されている強磁性層を含む合成反強磁性構造（ＳＡＦ）１０８と、２つ以上の反強磁性結合されている強磁性層のデカップリングを妨げる、ＳＡＦに結合されている第１のバイアス層１１０とを含む。 - 特許庁

A method of diffusing impurities into crystal silicon particles has process of forming silica glass containing impurities for a second conductive semiconductor on the surface of crystal silicon particles by introducing an impurity gas containing oxygen while inputting a great amount of first conductive crystal silicon particles into a diffusion pipe to make stir and process of forming a second conductive silicon layer by making impurities diffuse on the surface of the crystal silicon.例文帳に追加

結晶シリコン粒子への不純物の拡散方法は、拡散管内に多数の第１導電型の結晶シリコン粒子を入れて攪拌させながら酸素を含んだ不純物ガスを導入することによって、結晶シリコン粒子の表面に第２の導電型用の不純物を含有した珪酸ガラスを形成する工程と、結晶シリコン粒子の表面に不純物を拡散させて第２の導電型のシリコン層を形成する工程とを有する。 - 特許庁

The first combustion furnace 1 is equipped with a combustor 2 designed to burn the raw material within the range of about 450 to about 600°C from the lower part of the raw material layer at the bottom of the raw material combustion chamber 10 with the direct fire.例文帳に追加

廃タイヤ等を原料とした廃タイヤ等乾留炭化装置であって、内部が原料燃焼室１０に形成された第１燃焼炉１と、内部が生成ガス燃焼室４０に形成された第２燃焼炉４がガス通路３を介して連通され、前記第１燃焼炉に、原料燃焼室の底部で原料をその原料層の下部から直火によって略４５０℃〜略６００℃の範囲で燃焼させていくようにした燃焼装置２が設けられている。 - 特許庁

Then the metal 5 is bonded to the substrate 1 by forming an alloy layer between the metal 5 and substrate 1 by sintering and a first-conductivity electrode 6 is formed of the protruded part of the metal 5 from the substrate 1.例文帳に追加

表面に第２導電層の半導体が形成され第１導電型の半導体をコア部に有した球状基板を備えた太陽電池において、球状基板１に貫通孔４があけられ、該貫通孔４に電極金属５が串刺し挿入され、シンタリングにより前記球状基板１との間で合金層が形成されて接合し、球状基板１を出た電極金属５が第１導電型の電極６を形成して太陽電池１０を構成している。 - 特許庁

The electrode is formed by covalent bonding of a film of conductive particulate that is selectively formed by one layer on the surface of a wiring end or a lead wire end with a first organic film 21 that is selectively formed on the surface of the wiring end, or at the lead wire end by means of a second organic film formed on the surface of the conductive particulate, and another electrode is provided with different organic films.例文帳に追加

配線端部またはリード線端部の表面に選択的に１層形成された導電性微粒子の膜が配線端部表面またはリード線端部に選択的に形成された第１の有機膜と導電性微粒子表面に形成された第２の有機膜を介して互いに共有結合していることを特徴とする電極およびこれらの有機膜が互いに異なることを特徴とする請求項１記載の電極。 - 特許庁

This method for producing the phenolic dimer comprises a first process of flowing a solution containing at least 1 kind of di-substituted phenol selected from a dialkylphenol having 1-4C alkyl and a dialkoxyphenol having 1-4C alkoxy in an aqueous medium through a column having an enzyme-filled layer immobilizing an oxidase to perform an enzymatic reaction and a second process of adding a reducing agent.例文帳に追加

オキシダーゼを固定化した酵素充填層を有するカラム中に、炭素数１〜４のアルキル基を有するジアルキルフェノール及び炭素数１〜４のアルコキシ基を有するジアルコキシフェノールからなる群から選ばれた少なくとも一種のジ置換フェノールを水性媒質中に含有させた溶液を流し、カラム中で酵素反応を行う第一工程と、還元剤を添加する第二工程を有することを特徴とするフェノール類２量体の製造方法 - 特許庁

At least one bridging means 76a extends the insulating means 72, the bridging means 76a includes a conductive material for connecting the side electrode with the internal electrode, and at least one first surface formed by an interface between the conductive material and the insulating means is mutually continuous eventually with at least one second surface formed by an internal boundary in the piezoelectric layer in the vicinity of a piezoelectric/insulation interface 74.例文帳に追加

少なくとも１つのブリッジ手段７６ａが絶縁手段７２を延長し、ブリッジ手段７６ａは側部電極と内部電極との間の接続のため導電性材料を含み、導電性材料と絶縁手段との間のインターフェースにより形成された少なくとも１つの第１の表面と圧電層の内部境界により形成された少なくとも１つの第２の表面とは圧電／絶縁インターフェース７４の近傍で互いに事実上連続する。 - 特許庁

The polarized light irradiation apparatus 11 is used for performing light alignment treatment to a light alignment material formed at a workpiece 12 for forming an alignment layer, and includes: an ultrahigh pressure mercury lamp 13 emitting light including ultraviolet light; a light condensing mirror 14 condensing the emitted light; an integrator lens 16 condensing light and uniformizing an illumination distribution; and a first polarizer 17 allowing polarized light of a desired kind to transmit.例文帳に追加

偏光照射装置１１は、配向層を形成するべくワーク１２に形成された光配向材料に光配向処理を行うために用いられ、紫外光を含む光を放出する超高圧水銀灯１３と、放出した光を集光する集光ミラー１４と、光を集光すると共に照度分布を均一にするインテグレータレンズ１６と、欲しい種類の偏光を透過させる第１偏光子１７とを有する。 - 特許庁

The method for performing integrity protection includes receiving a concatenated message including a NAS message, a first MAC code of the NAS message, a RRC message and a second MAC code of the concatenated message, performing an integrity protection procedure for the concatenated message, and discarding the RRC message and NAS message and not delivering the NAS message to an upper layer when the second MAC code does not pass the integrity protection procedure.例文帳に追加

方法は、ＮＡＳメッセージと、該ＮＡＳメッセージの第一ＭＡＣコードと、ＲＲＣメッセージと、連結メッセージの第二ＭＡＣコードを含んだ連結メッセージを受信する段階と、上記連結メッセージに対して完全性保護プロセスを実行する段階と、上記第二ＭＡＣコードが完全性保護プロセスを通過しなかった場合にＲＲＣメッセージとＮＡＳメッセージを削除し、ＮＡＳメッセージを上位層に送信しない段階とを含む。 - 特許庁

Sandwiching and fixing the power semiconductor chip 5 with a first insulation circuit board 3 and a second laminated insulation circuit board 9 and fitting a board 20, comprising a material having a small linear expansion coefficient in the second board 9, suppresses the deformation of a conductive layer of the fixing part with the chip 5, relaxing the stresses generated in the fixing part in between the chip 5 and the board 9.例文帳に追加

電力用半導体チップ５を第１の絶縁回路基板３と、第２の積層絶縁回路基板９で挟み込み固着し、第２の積層絶縁回路基板９内に、線膨張係数の小さな材料からなる基板２０を嵌合することで、電力用半導体チップ５との固着部の導体層の変形を抑制し、電力用半導体チップ５と第２の積層絶縁回路基板９との固着部分に生じる応力の緩和を図ることができる。 - 特許庁