「first-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(487ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method for fabricating a semiconductor device where silicon insulation films having a different thickness are formed, respectively, in a specified region and other specified region on a substrate, HMDS coating and heating are performed prior to coating of a photoresist layer when photolithographic etching, i.e., boring of an opening 28W, is performed in the process for removing the specified region of a first silicon insulation film 28.例文帳に追加

基板上の特定領域と、他の所定領域において、相互に厚さを異にするシリコン絶縁膜が形成されて成る半導体装置の製造方法であって、第１のシリコン絶縁膜２８の特定領域の除去工程におけるフォトリソグラフィによるエッチング、即ち開口２８Ｗの穿設において、フォトレジスト層の塗布に先立って、ＨＭＤＳ被着と加熱を行うものである。 - 特許庁

The method peels the first substrate and the second substrate from the inside or interface of the peeling layer (3) of the multilayer substrate under a negative pressure.例文帳に追加

本発明に係る剥離方法は、剥離層(3)とその上部に形成された半導体素子(55)とを有する第１基板(S1)と、前記第１基板の前記半導体素子形成面と接着層(18)を介して接合された第２基板（S2)とを有する積層基板(S)の剥離方法であって、負圧状態下で、前記積層基板の前記剥離層(3)の層内又は界面から前記第１基板と前記第２基板とを剥離する。 - 特許庁

Each bit constituting each of the layer address signals A13 to A15 is transmitted via at least two through electrodes parallel-connected in each controlled chip among multiple first through electrodes, and each bit constituting the command signal ICMD is transmitted via corresponding one through electrode selected by an output switch circuit and an input switch circuit.例文帳に追加

層アドレス信号Ａ１３〜Ａ１５を構成する各ビットは、複数の第１の貫通電極のうち、被制御チップごとに並列接続された少なくとも２本の貫通電極を経由して伝送され、コマンド信号ＩＣＭＤを構成する各ビットは、出力切り替え回路及び入力切り替え回路によって選択された対応する１本の貫通電極を経由して伝送される。 - 特許庁

Surrounding a base material for heating made of plane heating element with PTC characteristic, the first material in the inner layer made of a comparatively hard synthetic resin and the second material with the synthetic resin integrally dipped in textile on the outside.例文帳に追加

ＰＴＣ特性を持つ面状発熱体からなる温熱用基材の周囲を、内層に比較的硬質の合成樹脂材からなる第一材質と、その外層に合成樹脂剤を繊維織物に含浸させ一体化した第二材質からなる被覆材によって覆ってなることを特徴とするＰＴＣ特性を持つ面状発熱体からなる温熱用基材の強度補強方法およびその製品。 - 特許庁

The plasma display component, consisting of a front substrate with bus electrodes formed as a first electrode as well as a rear substrate with address electrodes as second electrodes, barrier ribs, and a phosphor layer formed, has a third electrode formed on the surface and/or the inside of the barrier ribs, and the plasma display uses the same.例文帳に追加

第１の電極としてバス電極が形成された前面基板、ならびに第２の電極としてのアドレス電極、隔壁、および蛍光体層が形成された背面基板からなるプラズマディスプレイ部材であって、隔壁の表面および／または内部に第３の電極が形成されていることを特徴とするプラズマディスプレイ部材、およびそれを用いたプラズマディスプレイである。 - 特許庁

A dielectric breakdown protective element constituted of an insulation gate type field effect transistor is replaced with an equivalent circuit using a bipolar transistor, and a current flowing from the drain of the dielectric breakdown protective element to a substrate is expressed by a first current source by an impact ionization current and a second current source by the current based on an electron / hole pair thermally generated in a depletion layer.例文帳に追加

絶縁ゲート型電界効果トランジスタにより構成される静電破壊保護素子を、バイポーラトランジスタを用いた等価回路に置き換え、静電破壊保護素子のドレインから基板に流れる電流を、インパクトイオン化電流による第１電流源と、空乏層において熱的に発生する電子・正孔対に基づく電流による第２電流源とによって表す。 - 特許庁

A potential slope provided at a position adjacent to floating diffusion in the horizontal charge transfer path and having a declining potential for transferring the electric charge in the path to the floating diffusion is formed by additional ion implantation, to sequentially get from a low concentration to a high concentration after a first layer electric charge transfer electrode is formed, thereby performing ion implantation with good controllability.例文帳に追加

水平電荷転送路中のフローティングディフュージョンと隣接する位置に設けられ、水平電荷転送路中の電荷をフローティングディフュージョンに転送するための下り勾配のポテンシャルを有するポテンシャル傾斜部を、第１層電荷転送電極の形成後に、低濃度から順次高濃度となるように追加イオン注入によって形成するようにし、制御性よくイオン注入を行う。 - 特許庁

Complex behavior equivalent to pseudo positive uniaxial crystal type birefringent material can be attained by adding up an action of a refractive index ellipsoid RIE1 showing a liquid crystal layer 71 in OFF state, an action of a refractive index ellipsoid RIE2 showing a first birefringence member 73a, and an action of a refractive index ellipsoid RIE3 showing a second birefringence member 73b.例文帳に追加

オフ状態の液晶層７１を表す屈折率楕円体ＲＩＥ１の作用と、第１複屈折部材７３ａを表す屈折率楕円体ＲＩＥ２の作用と、第２複屈折部材７３ｂを表す屈折率楕円体ＲＩＥ３の作用とを加算すると、擬似的に正の一軸結晶型の複屈折材料と等価な複合的作用を達成することができる。 - 特許庁

In the red dye donor element for heat sensitive dye transfer, which comprises a substrate bearing a dye layer containing the mixture of the magenta dye dispersed in a high polymerized binder and two kinds of yellow dies, the magenta dye is shown by formula A, the first yellow dye is shown by formula B and the second yellows dye is shown by formula C.例文帳に追加

高分子バインダー中に分散されたマゼンタ染料および２種のイエロー染料の混合物を含む染料層を担持している支持体を含んでなる感熱染料転写のための赤染料供与体要素であって、上記マゼンタ染料が下式Ａを有し、上記第１イエロー染料が下式Ｂを有し、そして上記第２イエロー染料が式Ｃを有する、赤染料供与体要素。 - 特許庁

The method of manufacturing a metal oxide porous membrane incudes a first step of forming a metal oxide layer consisting of a flux containing metal oxide particles and an alkali metal compound on a substrate, a second step of heating and sintering the metal oxide particles at a temperature of a melting point or lower, and a third step of eliminating the flux from the obtained sintered compact.例文帳に追加

金属酸化物粒子とアルカリ金属化合物を含むフラックスからなる金属酸化物層を基板上に形成する第一の工程と、金属酸化物粒子の融点以下の温度で加熱して焼結させる第二の工程と、得られた焼結体からフラックスを除去する第三の工程とを有することを特徴とする金属酸化物多孔質膜の製造方法。 - 特許庁

The passive matrix type or the active matrix type organic thin film light emitting display is provided with first electrodes 2 arranged in a plurality of stripes on a transparent substrate 1, second electrodes 3 arranged along a crossing direction with respect to the electrodes 2 and in a plurality of stripes and at least an organic light emitting layer 4 which is held between the electrodes 2 and 3.例文帳に追加

透明基板１上に、短冊状に配置された複数列の第一の電極２と、第一の電極２と交差する方向に短冊状に配置された複数列の第二の電極３とを有し、第一の電極２と第二の電極３との間に少なくとも有機発光層４を挟持してなるパッシブマトリクス型またはアクティブマトリクス型の有機薄膜発光ディスプレイである。 - 特許庁

A recording thin film 3 is formed between a first electrode 1 and a second electrode 4, and a memory element 10 contains any one from among elements Cu, Ag and Zn with its size as 70 nm or less, at a layer 2 containing at least oxygen and rare earth in the recording thin film 3 that is within or adjacent to the recording thin film 3.例文帳に追加

第１の電極１と第２の電極４との間に記憶用薄膜３が挟まれて構成され、この記憶用薄膜３に少なくとも酸素と希土類元素とを有して成り、記憶用薄膜３内もしくは記憶用薄膜３と接している層２に、Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎから選ばれるいずれかの元素が含まれ、素子サイズが７０ｎｍ以下である記憶素子１０を構成する。 - 特許庁

The method includes steps of: decoding data of an HARQ procedure corresponding to a current TTI (Transmission Time Interval) ; delivering the data to an upper layer reordering entity and reporting an ACK (positive acknowledgement) corresponding to the data when the data are successfully decoded; and assuming data stored in a first soft buffer corresponding to the current TTI as decoded successfully.例文帳に追加

方法は、現ＴＴＩ（送信時間間隔）に対応するＨＡＲＱプロシージャのデータを復号する段階と、データが正常に復号された場合、データを上位層プロトコルエンティティーに送信し、データに対応するＡＣＫ（肯定応答）を返信する段階と、現ＴＴＩに対応する第一ソフトバッファに保存されるデータを、正常に復号されたものとみなす段階とを含む。 - 特許庁

The organic thin-film transistor gate insulation layer material contains : a polymer compound (A), having a repeating unit having a group containing fluorine atoms, a repeating unit having a photodimerization reactive group, and a repeating unit having a first functional group which generates a second functional group to react with active hydrogen by the action of electromagnetic waves or heat; and an active hydrogen compound (B).例文帳に追加

本発明の有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料は、フッ素原子を含む基を有する繰り返し単位と、光二量化反応性基を有する繰り返し単位と、電磁波もしくは熱の作用により、活性水素と反応する第２の官能基を生成する第１の官能基を有する繰り返し単位とを、有する高分子化合物（Ａ）、及び活性水素化合物（Ｂ）を含有する。 - 特許庁

The gasification furnace system is equipped with a gasification furnace 20, a reforming furnace 30 and a char gasification/combustion furnace 40, wherein as a catalyst layer of the reforming furnace, first catalyst layers filled with a catalyst in which the reaction of a generated gas from the gasification furnace is endothermic and second catalyst layers filled with a catalyst in which the reaction of the generated gas is not endothermic are alternately layered in the gas flow direction.例文帳に追加

ガス化炉２０、改質炉３０、およびチャーガス化／燃焼炉４０を備えたガス化炉システムにおいて、改質炉の触媒層として、ガス化炉からの生成ガスの反応が吸熱を伴う触媒を充填した第一の触媒層と、当該生成ガスの反応が吸熱を伴わない触媒を充填した第二の触媒層をガス流方向に交互に充填する。 - 特許庁

The lighting circuit is provided with a substrate formed in multiple layers; an inductor equipped with a magnetic material arranged embedded in the substrate, and at least one first wiring part spirally wound around the magnetic material on the same layer of the substrate; and electronic components mounted on the substrate so as to form the lighting circuit together with the inductor embedded in the substrate.例文帳に追加

実施形態の点灯回路は、多層に形成された基板と；基板に埋め込まれて配置された磁性材料と、基板の同一層上にて磁性材料の周囲に渦巻状に巻回された少なくとも１つの第１配線部とを備えたインダクタと；基板内に埋め込まれたインダクタとともに点灯回路を形成するように基板に実装された電子部品と；を持つ。 - 特許庁

The portable electronic device comprises an antenna wiring board, an LSI mounted on the antenna wiring board and performing exchange of data by communication with an external device, a surface substrate disposed in opposition to the antenna wiring board across the LSI, and a first release layer disposed at least between the LSI and the surface substrate in a non-fixed state to the surface substrate.例文帳に追加

アンテナ配線基板と、アンテナ配線基板に搭載され、外部器械との通信によりデータの授受を行なうＬＳＩと、ＬＳＩを挟んで、アンテナ配線基板と対向して配置されている表面基材と、表面基材に対して非固着状態で、少なくともＬＳＩと表面基材との間に配置されている第１離型層とを備えた携帯可能電子装置。 - 特許庁

The restoration method in the dumping site 1 comprises a first process of examining gas by a gas examination means 4 sampling and analyzing soil gas like methane, hydrogen sulfide or volatile toxic substances; a second process of removing the soil gas using a gas removing means according to the analysis result; and a third process of digging out and removing a waste layer 2 after removal of the soil gas.例文帳に追加

投棄サイト１における修復方法は、例えばメタン、硫化水素、揮発性有毒物質などの土壌ガスを採取して分析するガス調査手段４を用いてガス調査する第一工程と、その分析結果に応じてガス除去手段を用いて土壌ガスを除去する第二工程と、土壌ガスを除去した後に廃棄物層２を掘り起して撤去する第三工程とからなる。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes the processes of: forming a wettability improving film on a surface of a semiconductor substrate; coating a surface of the wettability improving film with a dopant diffusing agent containing dopants of a first conductivity type and a second conductivity type; and forming a dopant diffusion layer by diffusing the dopants in the semiconductor substrate from the dopant diffusing agent.例文帳に追加

半導体基板の表面上にぬれ性改善膜を形成する工程と、ぬれ性改善膜の表面上に第１導電型または第２導電型のドーパントを含有するドーパント拡散剤を塗布する工程と、ドーパント拡散剤から半導体基板にドーパントを拡散させることによってドーパント拡散層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

The curved waveguide 26 is optically coupled with the resonator by two separated optical couplers 27A, 27B penetrating the layer of the spacer 24, and is turned by a first phase shifter 28 for controlling the optical path length of the resonator and a second phase shifter 29 which is operated so as to control coupling strength between the waveguide and the resonator in the waveguide.例文帳に追加

曲線導波管２６は、スペーサ２４層を貫通する２個の離間した光学カプラ２７Ａ，２７Ｂにより共振器と光学的に結合され、共振器の光路長を制御するための第１の位相シフタ２８、および導波管において、導波管と共振器の間の結合強度を制御するよう動作する第２の位相シフタ２９により同調が与えられる。 - 特許庁

A radiation sensor comprises a radiation receiver, placed on a final element focal plane of a projection system, a transparent plate for supporting the radiation receiver on a side facing the projection system, a quantum transformation layer formed for absorbing first wavelength incoming light incident on the transparent plate and re-radiating second wavelength light, a fiber optics block with multiple optical fibers, and a radiation detector.例文帳に追加

放射センサは、投影システムの最終エレメントの焦点面に配置された放射レシーバと、投影システムに面する側で放射レシーバを支持する透過性プレートと、透過性プレートに入射した第一波長の光を吸収して、第二波長で光を再放射するように構成された量子変換層と、複数の光ファイバを備えるファイバオプティクスブロックと、放射ディテクタとを含む。 - 特許庁

The SONOS memory element comprising a semiconductor substrate, an insulating film formed on the semiconductor substrate, an active layer formed on a predetermined region of the insulating film and defined into a source, a drain, and a channel region, and first and second side gate laminations stacked on each of both sides of the channel region and the method for manufacturing the same.例文帳に追加

半導体基板、前記半導体基板上に形成された絶縁膜、前記絶縁膜の所定領域上に形成されてソース、ドレイン及びチャンネル領域に区画された活性層及び前記チャンネル領域の両側面にそれぞれ積層された第１及び第２サイドゲート積層物を備えることを特徴とするＳＯＮＯＳメモリ素子及びその製造方法による。 - 特許庁

In a BGA package employing a TAB tape having a plurality of electric wiring layers, second and subsequent electric wiring layers are formed by a step for preparing a copper foil applied with adhesive and having through holes bored previously, and a step for sticking the copper foil applied with adhesive while aligning with the TAB tape on which the first electric wiring layer is formed.例文帳に追加

複数の電気配線層を有するＴＡＢを用いたＢＧＡパッケージにおいて、電気配線層の第２層以降は、貫通孔を予め加工した接着剤付き銅箔を準備する工程と、接着剤付き銅箔を電気配線層の第１層を形成したＴＡＢに位置合わせして貼り付ける工程とにより、それぞれ形成されるようになっている。 - 特許庁

The first hologram and second hologram multiply recorded in the hologram recording medium 2 are used for the phase conjugate reproduction, and the reproduced light is made to interfere in a hologram recording layer 4 formed on the surface of the optical device 3 as the object for correction to record a third hologram as the correction of the optical device 3 as the object for the correction to the master.例文帳に追加

そして、このホログラム記録媒体２に多重記録された第１のホログラムと第２のホログラムとを位相共役再生して、その再生光を補正対象の光学素子３の表面に形成されたホログラム記録層４中で干渉させ、このホログラム記録層４に、補正対象の光学素子３のマスタに対する補正分である第３のホログラムを記録する。 - 特許庁

The liquid crystal device 15 is so constituted that distribution is incorporated in the change of an attitude of a liquid crystal element which constitutes a liquid crystal layer 16 along second and third surfaces 1204 and 1802 by applying driving voltage to first and second electrodes 2602 and 2604 and the focal length of the lens 14 can be adjusted by changing the voltage.例文帳に追加

液晶装置１５は、第１電極２６０２と第２電極２６０４に駆動電圧が印加されることにより、第２面１２０４および第３面１８０２の面に沿って液晶層１６を構成する液晶素子の姿勢の変化に分布を持たせるとともに、前記電圧を変化させることによってレンズ１４の焦点距離の調節が可能となるように構成されている。 - 特許庁

The manufacturing method of the optical recording medium includes a sheet body forming step for forming a disk-like sheet body having a recording layer recording information utilizing holography and an aperture at a center part and a laminated body forming step for forming a disk-like laminated body by sandwiching the sheet body 32 between a first substrate 5 and a second substrate 1.例文帳に追加

ホログラフィを利用して情報を記録する記録層を有し、かつ中心部に開口を有する円盤状のシート体を形成するシート体形成工程と、第一の基板及び第二の基板により前記シート体を狭み込んで円盤状の積層体を形成する積層体形成工程とを含むことを特徴とする光記録媒体の製造方法である。 - 特許庁

The solid state image sensor is fabricated through a step for forming a planarized film 20 by etching or chemical mechanical polishing a first inorganic film, a step for forming a second inorganic film on the planarized film 20, and a step for forming on-chip lenses 21 by etching back a lens-shaped resist layer formed on the second inorganic film.例文帳に追加

また、平坦化膜となる第１の無機膜を形成しエッチバック又は化学的機械的研磨法により平坦化膜２０を形成する工程と、平坦化膜２０上に第２の無機膜を形成する工程と、第２の無機膜上にレンズ形状のレジスト層を形成しエッチバックして第２の無機膜によるオンチップレンズ２１を形成する工程とを有して固体撮像装置１を製造する。 - 特許庁

The EL element comprises a rear face substrate 10; an organic EL part 13 having a first electrode, an organic membrane and a second electrode; a sealing layer 11 including a nanocmposite composed of a layered inorganic substance, a polymer and a curing agent to fill up an inner space with the EL part 13 stored therein by joining the substrate 10.例文帳に追加

背面基板１０と、第１電極、有機膜及び第２電極を持つ有機電界発光部１３と、前記背面基板と結合して有機電界発光部１３が収容された内部空間を充填する、層状無機物、高分子および硬化剤からなるナノ複合体を含む封止層１１と、を具備することを特徴とする有機ＥＬ素子が提供される。 - 特許庁

A plate-like scintillator 71 which is covered with a first protective film 71C and converts a radiated radiation into light and a plate-like TFT substrate 60 which detects the light converted by the scintillator 71 in a state of being stuck to the scintillator 71 are stuck by an adhesive layer 52 having a wider area than a surface stuck to the TFT substrate 60 of the scintillator 71.例文帳に追加

第１保護膜７１Ｃにより覆われており、照射された放射線を光に変換する板状のシンチレータ７１と、シンチレータ７１に貼り合わされた状態で当該シンチレータ７１により変換された光を検出する板状のＴＦＴ基板６０とを、シンチレータ７１のＴＦＴ基板６０と貼り合わされる面より広い面積とされた粘着層５２によって貼り合わせる。 - 特許庁

Since displacement, due to thermal expansion, of an eaves-like part 33a of the support substrate 33 which is not bonded to the reinforcement plate 25 alleviates stress caused by difference between thermal expansion coefficients of the support substrate 33 and the sensor substrate 42, concentration of the stress at an end part of the first adhesion layer 26 and peeling off of the scintillator 34 from a sensor panel 23 can be prevented.例文帳に追加

支持基板３３とセンサ基板４２との熱膨張係数差により生じる応力は、補強板２５に貼り合わされていない支持基板３３の庇状部３３ａの熱膨張による変位によって緩和されるので、当該応力が第１の接着層２６の端部に集中してシンチレータ３４がセンサパネル２３から剥離するのを防止することができる。 - 特許庁

A strip of thin-film layer 4 is formed at the upper section of the high-breakdown-voltage junction terminator structure for potentially separating the section between first and second reference circuit formation regions 1 and 2.例文帳に追加

第１、第２基準回路形成領域１、２間を電位的に分離する高耐圧接合終端構造上部に帯状の薄膜層４が形成され、この薄膜層４に形成されるツェナーダイオードは、高耐圧ＮＭＯＳ５、高耐圧ＰＭＯＳ６が設けられている箇所やコーナ箇所の曲線部分Ｂと、基準回路形成領域１、２端部と平行している直線部分Ｃとに形成される。 - 特許庁

The semiconductor structure further comprises a second transition body, such as a transition module, having a smaller lattice parameter at a lower surface overlying the second surface of the first transition body and a larger lattice parameter at an upper surface of the second transition body, as well as a III-Nitride semiconductor layer over the second transition body.例文帳に追加

前記典型的な実施では、遷移モジュール等の第二遷移本体をさらに有し、この第二遷移本体は前記第一遷移本体の前記第二表面に重層する下表面においてより小さい格子パラメータを有し、前記第二遷移本体の上表面においてより大きい格子パラメータを有し、前記第二遷移本体の上方のIII族窒化物半導体層も同様である。 - 特許庁

To provide a thin film transistor, a method of manufacturing the same, and a display element which can obtain a gate insulating film with a high dielectric constant by stacking a first gate insulating film of sol-gel type with a high dielectric constant and a second gate insulating film made of amorphous silicon or a polymeric organic substance with a relatively low dielectric constant, so that the gate insulating film having a double layer is formed.例文帳に追加

高い誘電率特性を持つゾル—ゲルタイプの第１ゲート絶縁膜と、多少低い誘電率特性を持つ非晶質シリコンまたは有機高分子物質の第２ゲート絶縁膜とを積層して二重層のゲート絶縁膜を形成することによって、高誘電率のゲート絶縁膜を得ることができる薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びにディスプレイ素子を提供する。 - 特許庁

The anode for the nonaqueous electrolyte secondary battery contains a composite anode active material comprising silicon-containing particles 11, carbon nano-fibers 12, and a catalyst element 13; a first binder 15 made of an acrylic group-containing polymer; and a second binder made of adhesion rubber particles, and has a mix layer arranged on a current collector 1A.例文帳に追加

本発明の非水電解質二次電池用負極は、少なくともリチウムイオンの吸蔵放出が可能な含ケイ素粒子１１とカーボンナノファイバ１２と触媒元素１３とからなる複合負極活物質１４と含アクリル基高分子である第１結着剤１５と粘着性ゴム粒子である第２結着剤１６とを含み集電体１Ａ上に設けられた合剤層とを有する。 - 特許庁

The manufacturing method of the photoelectromotive element includes the stages of: forming a precursor film 102a on a substrate 101; forming a second semiconductor thin film 103 on the precursor film 102a; and forming a first semiconductor thin film 102b by supplying thermal energy using the second semiconductor thin film 103 as a cap layer and then crystallizing the precursor film 102a.例文帳に追加

基板１０１の上に前駆体膜１０２ａを形成する工程と、前駆体膜１０２ａの上に第２の半導体薄膜１０３を形成する工程と、第２の半導体薄膜１０３をキャップ層として熱エネルギーを付与することにより、前駆体膜１０２ａを結晶化して第１の半導体薄膜１０２ｂを形成する工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In adjusting the density in a device for printing a color image by developing an image of the color of each layer, using a color printing paper having C, M, Y layers, first, R, G, B test patterns are generated, and the R, G, B test patterns are printed on the color printing paper by a thermal head 36.例文帳に追加

自動濃度調整用のＣ、Ｍ、Ｙの濃度を測定する場合には、ＴＡペーパーにＲ、Ｇ、Ｂのテストパターンを印画し、このテストパターンをＲ、Ｇ、Ｂの各色の輝線スペクトルを有する定着用ランプによって照明するとともに、ＴＡペーパーの基準位置を検出するＨＰセンサの受光センサによってＲ、Ｇ、Ｂのテストパターンの反射光量をそれぞれ検出する。 - 特許庁

A second electrode 5, confronting a first electrode 3 with an insulator layer 4 between, has a plurality of parallel arranged divided electrodes 5a and a connection part 5b for connecting end parts of the divided electrodes 5a and is formed partly into a shape having a bend portion 5b bent substantially at right angles, and the internal angle of the bend portion 5d is made with a smooth curve.例文帳に追加

誘電体層４を挟んで第一電極３と対向する第二電極５は、平行に配列された複数の分割電極５ａと、これらの分割電極５ａの端部を接続する接続部５ｂとを有し、一部に略直角に屈曲する屈曲部分５ｄを有する形状をもって形成され、屈曲部分５ｄの内角が滑らかな曲線により結ばれている。 - 特許庁

A magnetic thin film 12 as a magnetic body is formed on a non-magnetic substrate 10, and the first spiral flat coil 14a for applying a bias magnetic field to the magnetic thin film 12 or for taking out an induced output and the second spiral flat coil 14b for applying feedback are formed on the same plane through an insulating layer on the magnetic thin film 12.例文帳に追加

非磁性基板１０上に磁性体としての磁性薄膜１２を形成し、その磁性薄膜１２上に絶縁層を介して、磁性薄膜１２に対しバイアス磁界を印加するため又は誘導出力を取り出すための第１の渦巻き型平面コイル１４ａと、帰還を掛けるための第２の渦巻き型平面コイル１４ｂとを同一平面に形成する。 - 特許庁

The spacer body structure is provided with a support substrate 24 arranged in opposition to the first and the second substrates, equipped with a plurality of electron beam passing holes 26 set in opposition to the respective electron emission sources and coated with an insulating layer 25, as well as a plurality of spacers 30a, 30b erected on at least either surface of the support substrate 24 among the plurality of electron beam passing holes.例文帳に追加

スペーサ構体は、第１および第２基板に対向して配設され、それぞれ電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔２６を有しているとともに絶縁層２５で被覆された支持基板２４と、複数の電子ビーム通過孔間で、支持基板の少なくとも一方の表面上に立設された複数のスペーサ３０ａ、３０ｂと、を備えている。 - 特許庁

In the semiconductor device having a parallel p-n layer with an n-type drift region 2 and a p-type partition region alternately arranged a plurality of times, an insulating film 16 thicker than a gate oxide film 6 is formed on the surface of a region with no p base region 8 between first p-type partition regions 3a having the p base regions 8 among the p-type partition regions.例文帳に追加

ｎ型ドリフト領域２とｐ型仕切領域とを交互に配置した並列ｐｎ層を有する半導体装置において、ｐ型仕切領域のうちのｐベース領域８が形成された第１ｐ型仕切領域３ａ間の、ｐベース領域８が形成されていない領域の表面に、ゲート酸化膜６より厚い絶縁膜１６が設けられている。 - 特許庁

To provide a wiping board and its manufacturing method that prevent electronic components incorporated into an insulating board from being easily affected by an external electromagnetic wave, at the same time, can reduce influence by noise generated by a circuit being composed of the electronic components, and can stabilize electric characteristics inside the wiring board and continuity with an IC chip or the like that is mounted onto a wiring layer and a first main surface.例文帳に追加

絶縁基板に内臓した電子部品が外部からの電磁波に影響されにくく、且つ上記電子部品が構成する回路が発生するノイズによる影響を低減でき、配線基板内部の電気的特性や配線層および第１主面上に搭載されるＩＣチップなどとの導通を安定させ得る配線基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

In addition, a plurality of second electrodes 7 are arranged in stripes among the plurality of first electrodes 6 for discharging residual electric charge remaining in the electric charge storage part 11 or the reading photoconductive layer 5 when the erase light L2 is irradiated, and are provided on a plurality of read light shielding films 9 for transmitting the erase light L2 and shielding the read light L1.例文帳に追加

また、消去光Ｌ２が照射されたとき電荷蓄電部１１または読取用光導電層５に残存する残存電荷を放電する、複数の第１線状電極６の間にストライプ状に配列された複数の第２線状電極７が、消去光Ｌ２を透過し読取光Ｌ１を遮光する複数の読取光遮光膜９上の領域に設けられている。 - 特許庁

The method of manufacturing the glass optical device includes obtaining the optical device by press molding a glass base material having a core part comprising optical glass (first glass) having ≥550°C Tg and a covering part covering the surface of the core part and comprising second glass into a lens shape, annealing the resultant press molded product and removing the covering layer existing on the surface of the press molded product.例文帳に追加

転移点が550℃以上である光学ガラス（第一のガラス）からなる芯部と、前記芯部の表面を被覆する第二のガラスからなる被覆部とを有するガラス素材をレンズ形状にプレス成形して得られたプレス成形品をアニールし、次いで、プレス成形品の表面にある被覆層を除去してガラス光学素子を得ることを含む、ガラス光学素子の製造方法。 - 特許庁

This package 1 is constituted mainly of the pressure sensor 11 joined with the first substrate 11a having a fixed electrode, and the second substrate 11b having a movable electrode arranged with the prescribed space with respect to the fixed electrode, a support substrate 12 having an opening part 12a capable of storing the second substrate 11b, and a resin layer 13 for fixing the pressure sensor 11 and the support substrate 12.例文帳に追加

パッケージ１は、固定電極を有する第１基板１１ａと、この固定電極と所定の間隔をおいて配置された可動電極を有する第２基板１１ｂとを接合してなる圧力センサ１１と、第２基板１１ｂを収容可能な開口部１２ａを有する支持基板１２と、圧力センサ１１及び支持基板１２を固定する樹脂層１３とから主に構成されている。 - 特許庁

After implanting an oxygen ion 11 into a silicon wafer 12 where first a polysilicon film 17 is formed on the backside, the wafer 12 is heat-treated to form an embedded oxide film 13 inside the wafer 12, thus manufacturing a SIMOX substrate 16 by forming an SOI layer 14 on the surface of the wafer 12 on the embedded oxide film 13 and further forming an oxide film 18 on the whole surface.例文帳に追加

先ず裏面にポリシリコン膜１７を形成したシリコンウェーハ１２の内部に酸素イオン１１を注入した後に、このウェーハ１２に熱処理を施してウェーハ１２内部に埋込み酸化膜１３を形成することにより埋込み酸化膜１３上のウェーハ１２表面にＳＯＩ層１４を形成してＳＩＭＯＸ基板１６を作製し更に全面に酸化膜１８を形成する。 - 特許庁