「first-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(483ページ目) - Weblio英語例文検索

The device comprises a GUNN diode 11 with an anode Ohmic electrode 111 and a cathode Ohmic electrode 112 formed in a region A, the first Schottky diode 12 with a Schottky electrode 116 formed in a region B and a second Schottky diode 13 with the Schottky electrode 116 formed on a low concentration semiconductor layer 103 at the Schottky electrode and an Ohmic electrode 114 formed on a high concentration semiconductor layer 102 at the Ohmic electrode in a region C.例文帳に追加

領域Ａにおいて、アノードオーミック電極１１１とカソードオーミック電極１１２が形成されたガンダイオード１１と、領域Ｂにおいて、活性層１０７上にショットキー電極１１６が形成された第１ショットキーダイオード１２と、領域Ｃにおいて、ショットキー電極側低濃度半導体層１０３上にショットキー電極１１６が形成され、オーミック電極側高濃度半導体層１０２上にオーミック電極１１４が形成された第２ショットキーダイオード１３とを備える。 - 特許庁

The toner for electrostatic latent image development includes two or more color developing portions and a release agent layer containing a release agent which covers at least a part of one or more of the two or more color developing portions, wherein the color developing portion contains a first component and a second component present as separated from each other and developing colors upon reaction and contains a photosetting composition containing one of the first component and the second component.例文帳に追加

２以上の発色部と、該２以上の発色部のうちの１以上の発色部の少なくとも一部を被覆するように設けられた離型剤を含む離型剤層とを有し、 前記発色部が、互いに隔離された状態で存在し、互いに反応した際に発色する第１成分および第２成分と、前記第１成分および前記第２成分のいずれか一方を含む光硬化性組成物と含むことを特徴とする静電潜像現像用トナー。 - 特許庁

Each of the leads has a three-layer structure composed of an insulating substrate, first metal layers formed on the surface and the reverse of the insulating substrate, respectively, and a second metal body which permits the first metal layers formed on the surface and the reverse of the insulating substrate, respectively, to be conductive via the insulating substrate.例文帳に追加

主面に回路素子が形成された半導体チップがタブに搭載され、該半導体チップの電極とリードとを電気的に接続し、少なくとも前記半導体チップ及び電気接続部が樹脂で封止された半導体装置であって、前記リードは、絶縁基板と、該絶縁基板の表面と裏面にそれぞれに形成された第１の金属層と、前記絶縁基板の表面と裏面に形成された第１の金属層を前記絶縁基板を介在して導通させる第２金属体とからなる３層構造である。 - 特許庁

In the orange dye donor element for thermal dye transfer including a support carrying a dye layer containing a pink dye dispersed in a polymer binder and the mixture of the first and second yellow dyes, the pink dye has structure expressed by formula A, the first yellow dye has structure expressed by formula C, and the second yellow dye has structure expressed by formula F or formula G.例文帳に追加

高分子バインダー中に分散されたピンク染料並びに第１および第２のイエロー染料の混合物を含む染料層を担持している支持体を含んでなる感熱染料転写のためのオレンジ染料供与体要素であって、前記ピンク染料が下式Ａを有し、前記第１イエロー染料が下式構造を有する式Ｃを有し、前記第２イエロー染料が式ＦまたはＧを有し、前記式Ｆが下記構造を有し、前記式Ｇが下記構造を有する、オレンジ染料供与体要素。 - 特許庁

In the orange dye donor element for thermal dye transfer including a support carrying a dye layer containing the mixture of a pink dye dispersed in a polymer binder and the first and second yellow dyes, the pink dye has structure expressed by formula A, the first yellow dye has structure expressed by formula E, and the second yellow dye has structure expressed by formula F or formula G.例文帳に追加

高分子バインダー中に分散されたピンク染料並びに第１および第２のイエロー染料の混合物を含む染料層を担持している支持体を含んでなる感熱染料転写のためのオレンジ染料供与体要素であって、前記ピンク染料が下式Ａを有し、前記第１イエロー染料が下式構造を有する式Ｅを有し、前記第２イエロー染料が式ＦまたはＧを有し、前記式Ｆが下記構造を有し、前記式Ｇが下記構造を有する、オレンジ染料供与体要素。 - 特許庁

In the orange dye donor element for thermal dye transfer including a support carrying a dye layer containing the mixture of a pink dye dispersed in a polymer binder and the first and second yellow dyes, the pink dye has structure expressed by formula A, the first yellow dye has structure expressed by formula B, and the second yellow dye has structure expressed by formula F or formula G.例文帳に追加

高分子バインダー中に分散されたピンク染料並びに第１および第２のイエロー染料の混合物を含む染料層を担持している支持体を含んでなる感熱染料転写のためのオレンジ染料供与体要素であって、前記ピンク染料が下式Ａを有し、前記第１イエロー染料が下式構造を有する式Ｂを有し、前記第２イエロー染料が式ＦまたはＧを有し、前記式Ｆが下記構造を有し、前記式Ｇが下記構造を有する、オレンジ染料供与体要素。 - 特許庁

The method for manufacturing the optical anisotropic layer formed from liquid crystal molecules comprises a first process for uniformly orienting liquid crystal molecules, a second process for changing the front retardation value of the optical anisotropic layer by changing the orientation state of the liquid crystal molecules by the irradiation of light of wavelength which does not substantially fix the liquid crystal molecules and a fixing process for fixing the liquid crystal molecules in the changed orientation state.例文帳に追加

液晶分子から形成される光学異方性層の製造方法であって、液晶分子を均一配向させる第１の工程と、その後、前記液晶分子を実質的に固定化しない波長の光を照射することにより前記液晶分子の配向状態を変化させて、光学異方性層の正面レターデーション値を変化させる第２の工程と、前記変化させた配向状態で前記液晶分子を固定する固定化工程とを含むことを特徴とする光学異方性層の製造方法。 - 特許庁

The oxide semiconductor layer 113 is in contact with the second conductive layers 115a, 115b and barrier layers 116a, 116b including aluminum oxide as the first component, whereby diffusion of aluminum atoms to the oxide semiconductor layer 113 is suppressed.例文帳に追加

インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層を有した薄膜トランジスタ１５０がアルミニウムを第１成分とする第１導電層（１１４ａ、１１４ｂ）と高融点金属材料からなる第２導電層（１１５ａ、１１５ｂ）を積層したソース電極層及びドレイン電極層（１１７ａ、１１７ｂ）を有し、酸化物半導体層１１３が、前記第２導電層（１１５ａ、１１５ｂ）および酸化アルミニウムを第１成分とするバリア層（１１６ａ、１１６ｂ）と接することで、アルミニウム原子の酸化物半導体層１１３への拡散を抑制する。 - 特許庁

The method for producing a semiconductor element having the foreign material layer disposed in the semiconductor body includes the steps of: producing a trench having two opposite sidewalls and a bottom in the semiconductor body; producing the foreign material layer on a first one of the two sidewalls of the trench; and filling the trench by epitaxially depositing a semiconductor material onto the second one of the two sidewalls and the bottom of the trench.例文帳に追加

半導体基材内に異材料層が配置された半導体素子を製造するための方法であって、対向し合う２つの各側壁と底部とを有するトレンチを上記半導体基材内に作成する工程と、上記トレンチの上記２つの各側壁のうちの第１の側壁に異材料層を作成する工程と、上記トレンチの上記２つの各側壁のうちの第２の側壁および底部に半導体材料をエピタキシャルに堆積することによって上記トレンチを充填する工程とを含んでいる方法。 - 特許庁

A dielectric layer 50 is configured such that transparent first dielectric film and second dielectric film having mutually different refractivity are alternately laminated between a liquid crystal display panel 1 _(VA) and a backlight 30, and that the rays of light made incident from a direction crossing the film surface of each dielectric film are reflected and transmitted by prescribed reflectivity and transmissivity.例文帳に追加

液晶表示パネル１_（ＶＡ）とバックライト３０との間に、互いに異なる屈折率を有する透明な第一の誘電体膜と第二の誘電体膜とが交互に積層されてなり、各誘電体膜の膜面に対して交差する方向から入射した光を所定の反射率及び透過率で反射及び透過させる誘電体層５０を配置した。 - 特許庁

The record carrier 1 is provided with a substrate 2, a counter electrode 3 deposited on the substrate 2 and intended to cooperate with the electrode of a data reading and/or writing device, and at least one ferroelectric memory layer 4 capable of storing these data and exhibiting a first face 4a adjacent to the counter electrode 3.例文帳に追加

記録担体１は、基板２と、前記基板２上に堆積されかつデータ読取り及び／又は書込みデバイスの電極と共に動作するように意図される対向電極３と、これらデータを格納することができかつ前記対向電極３と隣接する第１の面４ａを提示する少なくとも１つの強誘電メモリ層４と、を備える。 - 特許庁

This panel has a plurality of main discharge cells 15 formed by scanning electrodes 6, maintenance electrodes 7, data electrodes 10, and has barrier ribs 13 formed so as to section a plurality of priming discharge cells 16 formed by the scanning electrodes 6 and the priming electrodes 12, and a first dielectric layer 11 of multi-layered structure is installed covering the data electrode is installed.例文帳に追加

走査電極６および維持電極７とデータ電極１０とで形成される複数の主放電セル１５と、走査電極６とプライミング電極１２とで形成される複数のプライミング放電セル１６とを区画するように形成した隔壁１３とを有し、データ電極１０を覆って多層構造の第１誘電体層１１を設ける。 - 特許庁

The termination structure includes: a trench 220; a MOS gate 240 formed on the sidewall of the trench 220 as a spacer; a termination structure oxide layer 245 formed so as to cover the spacer and a portion of the bottom of the second trench 220; and first and second electrodes respectively formed on the back surface and the front surface 260 of a semiconductor substrate.例文帳に追加

終端構造は、トレンチ２２０と、このトレンチ２２０の側壁にスペーサとして形成されたＭＯＳゲート２４０と、スペーサ及び第２のトレンチ２２０の底面の一部を覆うように形成された終端構造酸化層２４５と、半導体基板の背面及び表面２６０にそれぞれ形成された第１及び第２の電極とを備える。 - 特許庁

When the electrode layer 30 is applied with a voltage, while the electrode layers 20 and 40 are grounded, a pair of regions 310 are deformed outwardly into parallelogram shapes over the ink chamber, based on a thickness slip deformation effect, and the first region 300 deforms in vertical effect, to expand enhance the deformation of the second region 310.例文帳に追加

電極層２０と電極層４０とを接地し、電極層３０に電圧を印加すると、一対の領域３１０は厚みすべり変形効果によりそれぞれインク室の外側へ平行四辺形状に変形し、第１の領域３００は、縦効果変形して、第２の領域３１０の変形を助長するように伸張する。 - 特許庁

In a semiconductor device, having a thin-film transistor 1 wherein an active layer is formed in a silicon film, a source region 12S and a drain region 12D of the thin-film transistor 1 formed in a first silicon film 12 are formed thicker than the thickness of a second silicon film 13 constructing a channel region CH formed between them.例文帳に追加

シリコン薄膜に活性層が形成される薄膜トランジスタ１を有する半導体装置において、第１のシリコン薄膜１２に形成される薄膜トランジスタ１のソース領域１２Ｓおよびドレイン領域１２Ｄは、その間に形成されるチャネル領域ＣＨを構成する第２のシリコン薄膜１３よりも厚く形成されているものである。 - 特許庁

An image forming apparatus 20 includes: a developing roller 2 disposed opposing to a photoreceptor 3 that forms a latent image, and developing a latent image formed on the photoreceptor 3 by a first bias; and a magnetic roller 1 forming a magnetic brush of a two-component developer containing a carrier and a toner, and forming a toner thin layer on the developing roller 2 by a second bias.例文帳に追加

画像形成装置２０は、潜像を形成する感光体３に対向配置し、第１のバイアスによって感光体３上に形成された潜像を現像する現像ローラ２と、キャリアとトナーとを有する２成分現像剤で磁気ブラシを形成し、第２のバイアスよって現像ローラ２にトナー薄層を形成する磁気ローラ１とを備える。 - 特許庁

The read only single-sided two layer optical disk is provided with a first substrate 15 having pits showing information formed on one surface thereof and a reflection film 14 on the pit side surface and a second light transmissive substrate 11 having pits showing information formed on one surface thereof and a semitransmissive film 12 consisting of silver or a silver alloy consisting essentially of silver on the pit side surface.例文帳に追加

情報を示すピットが片面に形成され、該ピット側表面に反射膜１４を有する第１の基板１５と、情報を示すピットが片面に形成され、該ピット側表面に銀又は銀を主成分とする銀合金からなる半透過膜を有する光透過性の第２の基板１１とを具備する再生専用片面２層光ディスク。 - 特許庁

The semiconductor element includes a semiconductor nano-wire 1 having a first region 7 provided with pn junction or pin junction, and a second region 8 provided with a field effect transistor structure; a pair of electrodes (2, 3) to be connected to both ends of the semiconductor nanowire 1; and a gate electrode 4 provided on at least one part of the second region via an insulation layer 5.例文帳に追加

ＰＮ接合またはＰＩＮ接合を備える第１の領域７と、電界効果型トランジスタ構造を備える第２の領域８とを有する半導体ナノワイヤ１と、半導体ナノワイヤ１の両端に接続される一対の電極（２，３）と、第２の領域の少なくとも一部に絶縁層５を介して設けられているゲート電極４とを備えている。 - 特許庁

In the multi-layer release film arranged between a sheet and a circuit board when the board is heated/pressed, the first release film, the second release film, the third release film, and the fourth release film are laminated in this order, and the Rockwell's hardness of the second release film is 70-88.例文帳に追加

回路基板を加熱、加圧成形する際に、板状体と回路基板との間に配置される離型多層フィルムであって、第１の離型フィルムと、第２の離型フィルムと、第３の離型フィルムと、第４の離型フィルムとがこの順に積層されてなり、かつ前記第２の離型フィルムのロックウェル硬度が７０〜８８であることを特徴とする離型多層フィルムである。 - 特許庁

By using a photomask or a reticle provided with an auxiliary pattern made of a diffraction grating pattern or a semi-permeable membrane and having a function of light intensity reduction, a partition wall having portions with different film thickness is formed on a pixel electrode (also called first electrode) in a display region and around a pixel electrode layer without any increase of processes.例文帳に追加

回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルを用いることにより、工程を増やすことなく、表示領域における画素電極（第１の電極とも呼ぶ）上、及び画素電極層周辺に膜厚が異なる部分を有する隔壁を形成する。 - 特許庁

The fabrication method for the multilayer circuit board is one for the circuit board that does not give an oxidative blackening treatment or reduced copper treatment to the first inner circuitry, but has an adhesion imparting layer that uses as an essential ingredient carboxylic acid denatured polyvinyl acetal resin, thermosetting resin, and a crosslinking agent of polyvinyl acetal in order to obtain high adhesion.例文帳に追加

ビルドアップ多層配線板の製造方法において、第１の内層回路に酸化黒化処理および還元銅処理を行わずに、高い密着性を得るためカルボン酸変性ポリビニルアセタール樹脂、熱硬化性樹脂、ポリビニルアセタールの橋かけ剤を必須成分とした接着性付与層を有することを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。 - 特許庁

To provide a developing roller which suppresses environmental variation of its resistance and ensures stable image density over the first half and the latter half of duration in each environment, by hydrophobing the outermost surface layer of a developing roller, and also to provide a process cartridge and an electrophotographic apparatus using such a developing roller.例文帳に追加

本発明の目的とするところは、現像ローラ最表面層の疎水化を図ることにより、現像ローラの抵抗環境変動を抑え、各環境での耐久前後半にわたり、画像濃度が安定した現像ローラを提供すること、及びこのような現像ローラを用いたプロセスカートリッジ及び、電子写真装置を提供することにある。 - 特許庁

The method for producing a nitride semiconductor comprises a step for preparing a silicon substrate 1 containing a group III element in the vicinity of the surface 1f, and a step for growing a first clad layer 2 as an oxide semiconductor containing gallium on the surface 1f of the silicon substrate 1 by supplying gallium and nitride to the surface of the silicon substrate 1.例文帳に追加

窒化物半導体の製造方法は、表面１ｆ近傍に周期律表第ＩＩＩＢ族元素を含むシリコン基板１を準備する工程と、シリコン基板１の表面にガリウムと窒素とを供給してガリウムを含有する酸化物半導体としての第１のクラッド層２をシリコン基板１の表面１ｆ上に成長させる工程とを備える。 - 特許庁

Of the fuel cell stack, in unit cells electrically connected and adjoined in series, a water permeating layer is arranged in a state in contact with a second porous body in a cathode electrode and a first porous body in an anode electrode respectively between the cathode electrode of one unit cell and the anode electrode of the other unit cell.例文帳に追加

本発明のの燃料電池スタックによれば、電気的に直列接続された隣接する単位セルにおける、一方の単位セルのカソード電極と他方の単位セルのアノード電極との間には、水透過層が、該カソード電極における第２の多孔体及び該アノード電極における第１の多孔体のそれぞれに当接した状態で配設されている。 - 特許庁

In the multilayered row house, a multilayered housing block which consists of upper and lower stories of houses having main habitable parts formed of a single layer and hallways provided on a first floor at one ridge direction face or the other ridge direction face, separately, is connected to the other multilayered housing block or a double-layered housing block which consists of houses having main habitable parts formed in double layers.例文帳に追加

各住戸の主要な居住部分が単層からなり、上下階の各住戸の玄関を一方の桁行面と他方の桁行面に振り分けて１階に設けた重層住戸ブロックを、他の重層住戸ブロックまたは各住戸の主要な居住部分が複層からなる複層住戸ブロックと連結して重層長屋住宅を構成する。 - 特許庁

This heat treatment device is provided with: a heat source 3; a plurality of thermoelectric modules 81 and 82 laminated toward the heat source 3; and a temperature setting layer 9 installed between the first thermoelectric module 81 installed at the low temperature side and the second thermoelectric module 82 installed at the high temperature side among the plurality of thermoelectric modules 81 and 82, and set to a predetermined temperature.例文帳に追加

熱源３と、該熱源３に向けて積層される複数の熱電モジュール８１，８２と、複数の上記熱電モジュール８１，８２のうち低温側に設置される第１熱電モジュール８１と高温側に設置される第２熱電モジュール８２との間に設置され、かつ、所定の温度に設定される温度設定層９とを備える。 - 特許庁

A first separator 20 is brought into contact with an electrolyte layer 1 on one surface and is brought into contact with a second separator 40 on the other surface, a recessed part 30 for positioning a second separator 40 is installed on the other surface, and an inclined plane 34 for guiding a projection part 50 of the second separator 40 to the prescribed position is installed in the recessed part 30.例文帳に追加

一方の表面を電解質層１０に当接させ、他方の表面を第２セパレータ４０に当接させて使用する第１セパレータ２０であって、その他方の表面には、第２セパレータ４０との位置決め用の凹部３０が設けられ、その凹部３０には、第２セパレータ４０の凸部５０を所定位置に案内する傾斜面３４が設けられている。 - 特許庁

The method of forming the conductive pattern includes: a first step for printing the conductive pattern onto a surface of the base material having a liquid repellent property; a second step for performing lyophilic processing on the surface of the base material which area does not have the conductive pattern printed thereon; and a third step for forming an insulating layer that covers the conductive pattern.例文帳に追加

表面が撥液性を有する基材表面に導電パターンを印刷する第１の工程と、前記導電パターンが形成されていない前記基材表面を親液性処理する第２の工程と、前記導電パターンを覆う絶縁層を形成する第３の工程と、を有することを特徴とする導電パターンの形成方法。 - 特許庁

Metallic meshes 1 composed of an electric good conductor construction material having almost the same area as window plate glass 3 are arranged by two pieces in a hollow part composed of a layer of the two window plate glass 3 arranged at an interval in parallel in a planar shape, and a relative crossing angle of the first metallic mesh 1 and the second metallic mesh 1 is superimposed on 45°±15°.例文帳に追加

平面的平行に間隔をおいて配置してなる２枚の窓板ガラス３の層からなる中空部分に、それら窓板ガラス３とほぼ同面積の電気良導体材質からなる金属メッシュ１を２枚設置して、かつ１枚目の金属メッシュ１および２枚目の金属メッシュ１の相対交差角度を４５°±１５°に重畳するようにした。 - 特許庁

After the polycrystalline silicon layer 5 is formed via an insulation film 3 on one surface of a semiconductor substrate 1, a first oxide film 6, which does not comprise an impurity element adjusting the diffusion of an impurity element, is formed and then a second oxide film 7 comprising an impurity element is formed.例文帳に追加

半導体基板１の一方の表面上に絶縁膜３を介して多結晶シリコン層５を形成した後、不純物元素の拡散を調整する不純物元素を含まない第１の酸化膜６を形成し、次いで、不純物元素を含む第２の酸化膜７を形成したことを特徴とする多結晶シリコン抵抗５１の製造方法。 - 特許庁

In the method for manufacturing the optical element by molding the resin composition containing a polymer having an alicyclic structure by using the mold, there is formed a layer of ≥3 nm and ≤20 nm of a fluorine containing compound on the contact surface between at least either of a first mold member and a second mold member which constitute the mold and a member molding space.例文帳に追加

脂環式構造を有する重合体を含有する樹脂組成物を成形型で成形する光学素子の製造方法において、成形型を構成する第１型部材及び第２型部材の少なくとも一方の部材成形空間との接触面に３ｎｍ以上２０ｎｍ以下のフッ素含有化合物層を設ける。 - 特許庁

An organic solvent in which at least an organic ammonium salt is dissolved is expanded on a water phase in which at least a first inorganic halide composed of the halide of a group IV element or a transition metal and one or more kinds of second inorganic halides composed of the halide of alkali metal are dissolved, and the produced organic/inorganic layer-shaped perovskite monomolecular film is moved onto a substrate.例文帳に追加

少なくとも、ＩＶ族元素又は遷移金属のハロゲン化物からなる第１の無機ハライドとアルカリ金属のハロゲン化物からなる１種以上の第２の無機ハライドとを溶解させた水相上に、少なくとも有機アンモニウム塩を溶解させた有機溶媒を展開し、生成した有機無機層状ペロブスカイトの単分子膜を基板上に移し取る。 - 特許庁

An oblique vapor deposition substrate 1 has a plurality of pixel parts 10a arranged apart from each other in two directions (a first direction a and a second direction b) linearly crossing each other, wherein each pixel part 10a is relatively rotated in a plane of the oblique vapor deposition substrate 1 in consideration of a distribution of vapor deposition directions of an oblique vapor deposition layer.例文帳に追加

本発明の斜方蒸着基板１は、複数の画素部１０ａが、直線的に交差した２方向（第１方向ａ、第２方向ｂ）に間隙を有して配列され、斜方蒸着膜の蒸着方向の分布を考慮して、各画素部１０ａが斜方蒸着基板１の面内において相対的に回転されていることを特徴とする。 - 特許庁

The organic EL panel includes: a translucent supporting substrate; a plurality of light emitting parts S1-S8 on which a first electrode, an organic light emitting layer, and a second electrode are laminated; and a plurality of wiring parts L1 to L8 formed on the supporting substrate and supplying a current to each of the light emitting parts S1-S8.例文帳に追加

透光性の支持基板と、前記支持基板上に透光性の第一電極と有機発光層と第二電極とを積層形成してなる複数の発光部Ｓ１〜Ｓ８と、前記支持基板上に形成され各発光部Ｓ１〜Ｓ８に個別に電流を供給する複数の配線部Ｌ１〜Ｌ８と、を備える有機ＥＬパネルである。 - 特許庁

A current non-injection region where the contact layer 7 contacts the dielectric film 8 is formed on the upper surface of the ridge part 6a in the vicinity of the resonator end face, and the first electrode 9 and the second electrode 10 are formed separately from the upper surface region of the dielectric film 8 excluding a sidewall surface of the opening in the current non-injection region.例文帳に追加

共振器端面近傍のリッジ部６ａの上面において、コンタクト層７と誘電体膜８とが接する電流非注入領域が設けられ、第一電極９及び第二電極１０は、前記電流非注入領域における前記開口部の側壁面を除く誘電体膜８の上面領域から離間して設けられている。 - 特許庁

The photoelectric converter 10 has a first semiconductor layer which contains a mixed crystal compound composed of a metal chalcogenide, a metal oxide, and a metal hydroxide such that in the total of the number of atoms of chalcogen elements making up the metal chalcogenide and oxygen elements, a number-of-atoms ratio of the chalcogen elements is larger than a number-of-atoms ratio of the oxygen elements.例文帳に追加

光電変換装置１０は、金属カルコゲン化物と金属酸化物と金属水酸化物との混晶化合物を含み、前記金属カルコゲン化物を構成するカルコゲン元素および酸素元素の合計の原子数における前記カルコゲン元素の原子数比率が前記酸素元素の原子数比率よりも大きい第１の半導体層を具備する。 - 特許庁

Provided is a bonded optical element which includes a first optical element having a concave face, a second optical element having a convex face at a position opposing to the concave face, and an adhesive layer adhering the convex face to the concave face, wherein the radius of curvature of the concave face is larger than the radius of curvature of the convex face.例文帳に追加

上記課題を解決するために本発明は、凹面を有する第１光学素子と、前記凹面と対向する位置に凸面を有する第２光学素子と、前記凸面と前記凹面とを接着させる接着層と、を備え、前記凹面の曲率半径は、前記凸面の曲率半径よりも大きいという特徴を有する、接合光学素子が得られるものである。 - 特許庁

The catheter includes a flexible tubular body constituted of a first region for forming a leading end region and a second region for forming a base end region and is characterized in that a coil, wherein a linear member which is wound in a circumferential direction, is provided in the wall of at least a part of the tubular body as a reinforcing layer.例文帳に追加

先端部側領域を形成する第一領域と、基端部側領域を形成する第二領域と、から構成される可撓性の管状体を有するカテーテルであって、前記管状体の少なくとも一部の壁内に、線状部材が円周方向に巻回されたコイルを補強層として備えていること特徴とする。 - 特許庁

By using a photomask or a reticle provided with an auxiliary pattern made of a diffraction grating pattern or a semi-permeable membrane and having a function of light intensity reduction, a barrier rib having portions with different film thicknesses is formed on a pixel electrode (also called first electrode) in a display region and around a pixel electrode layer without any increase of steps.例文帳に追加

回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルを用いることにより、工程を増やすことなく、表示領域における画素電極（第１の電極とも呼ぶ）上、及び画素電極層周辺に膜厚が異なる部分を有する隔壁を形成する。 - 特許庁

The metal oxide layer is formed on the surfaces of a cage by contacting the surfaces at the predetermined parts with a first solution essentially composed of water, alkoxy metal salt, lower alcohol and metal oxide minute particles and having a pH of 6 or less and by then contacting them with a second solution containing alkali metal salt and having a pH of 11 to 13.例文帳に追加

所定部位の表面を、水と、アルコキシ金属塩と、低級アルコールと、金属酸化物微粒子と、を必須成分とし、ｐＨが６以下である第一の溶液に接触させた後、アルカリ金属塩を含有し、ｐＨが１１〜１３である第二の溶液に接触させることにより、保持器の表面に金属酸化物層を形成する。 - 特許庁

The first signal electrode layer 40 is provided with a mounting land 42 on the input side, an input-side power supply pattern 41 connected to the mounting land 42 on the input side, a mounting land 43 on the output side, an output-side power supply pattern 44 connected to the mounting land 43 on the output side, and a mounting land 45 on the ground side.例文帳に追加

第１の信号電極層４０は、入力側実装用ランド４２、該入力側実装用ランド４２に接続した入力側電源供給パターン４１、出力側実装用ランド４３、該出力側実装用ランド４３に接続した出力側電源供給パターン４４及びグランド側実装用ランド４５が設けられている。 - 特許庁

In the front type projector having a thin film transistor including a semiconductor layer having a channel forming region, a source region and a drain region and an island-shaped gate electrode, first wiring to which the gate electrode is connected and second wiring to which the source region or the drain region is connected are orthogonal to each other and the second wiring is disposed so as to be parallel to and superposed on the capacity wiring.例文帳に追加

チャネル形成領域、ソース領域、及びドレイン領域を有する半導体層と、島状のゲート電極とを備えた薄膜トランジスタを有し、ゲート電極が接続する第１配線と、ソース領域又はドレイン領域が接続する第２配線とは直交し、第２配線や容量配線と平行かつ重なるように配置されている。 - 特許庁

The cathode 2 is constituted of a laminated film of a first transparent conductive film 2a; a light-transmitting thin film 2b made of a metal thin film; and a second transparent conductive film 2c, which is laminated in the thickness direction of the organic EL layer 8, and the metal thin film is formed with two kinds or more of metals selected from among a group of silver, indium, gold, magnesium, and tin.例文帳に追加

陰極２は、有機ＥＬ層８の厚み方向において積層された第１の透明導電膜２ａと金属薄膜からなる透光性薄膜２ｂと第２の透明導電膜２ｃとの積層膜により構成され、金属薄膜は、銀、インジウム、金、マグネシウム、錫の群から選択される２種類以上の金属により形成されている。 - 特許庁

The method includes the step of providing a substrate which has at least one layer of a porous dielectric material containing a contaminant, the contaminant including at least one entrapped liquid, having a surface tension, wherein the porous dielectric material including the at least one contaminant has a first dielectric constant.例文帳に追加

この方法は基材を提供することを含み、該基材は多孔性誘電材料の少なくとも一の層を含み、該誘電材料は混入物質を含み、該混入物質は表面張力を有する少なくとも一の取り込まれた液体を含み、ここでその少なくとも一の混入物質を含む多孔性誘電材料は第一の誘電率を有する。 - 特許庁

A second insulating film 104, a third insulating film 105 which is the inorganic film having an Si-H coupling and the low dielectric constant, and a fourth insulating film 106 are successively laminated on a laminate 100 having a first insulating film 102 formed on a semiconductor substrate 101 and lower-layer wiring 103 formed on the insulating film 102.例文帳に追加

半導体基板１０１上に形成された第１絶縁膜１０２及び第１絶縁膜１０２上に形成された下層配線１０３を有する積層体１００上に順次第２絶縁膜１０４、Ｓｉ−Ｈ結合を有する無機低誘電率膜である第３絶縁膜１０５及び第４絶縁膜１０６を積層する。 - 特許庁