「first-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(484ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an induction heating coil capable of performing the uniform heating so as to form a uniform hardened layer pattern on a surface continuous to first and second stepped parts from a small diameter shaft part of a stepped shaft-like member without fitting any magnetic material (a magnetic flux focusing member) such as a dust core and a silicon steel plate.例文帳に追加

ダストコアや珪素鋼板等の磁性材（磁束集中材）を加熱導体に取付けなくても、段付き軸状部材の小径軸部から第１及び第２の段部に連なる表面上に均一な焼入硬化層パターンを形成し得るように均一加熱を行うことができるような高周波誘導加熱コイルを提供する。 - 特許庁

Concerning the method for producing the honeycomb structure by the minute shells which includes the first, second, and third processes, while the surface formed with the recesses is turned in the gravity action direction, a coating layer by the honeycomb material is formed, the honeycomb material is stretched by expanding the gas in the closed spaces, and the honeycomb material is dried.例文帳に追加

上記第１工程と第２工程と第３工程とからなる微細なシェルによるハニカム構造体の製造方法について、上記凹部が形成された面を重力の作用方向に向けた状態で、ハニカム材による塗布層を形成するとともに上記密閉空間内のガスを膨張させてハニカム材を延伸させ、さらに、ハニカム材を乾燥させること。 - 特許庁

Thereafter, a sidewall insulating layer is formed on a sidewall located on an inner side of a first gate etched part, the residual part of the film 5 is subjected to second gate etching to bore an opening in the insulating film 5, and reverse type impurities are introduced into the channel formation impurity region 4 through the opening to form a gate impurity region.例文帳に追加

その後は、たとえば第１のゲートエッチング箇所より内側の側壁にサイドウォール絶縁層を形成した後に、第１のゲートエッチング後に残った絶縁膜部分に対し第２のゲートエッチングを行い、絶縁膜５を開口し、この開口から逆導電型の不純物をチャネル形成不純物領域４内に導入して、ゲート不純物領域を形成する。 - 特許庁

A second electrode plate 20 is connected with the other electrode of the film capacitor element, and a portion thereof is led out from an opening on the side of the other sidewall 4 of the case 1 opposing the one sidewall 3 and bent in the direction parallel with the case opening surface 2 to be superimposed on the first electrode plate 10 through an insulating layer 5.例文帳に追加

また、第２電極板２０は、フィルムコンデンサ素子の他方の電極部に接続され、一部がケース１の一方の側壁３とは相対向する他方の側壁４側の開口部から外部に導出され、かつケース開口面２に平行な方向で第１電極板１０と絶縁層５を介して重なるように折曲されている。 - 特許庁

An active matrix substrate (substrate for display panel) 1 mounting the IC chip (for instance, gate driver IC4 or source driver IC5) forms first metal wiring layers 14a-14c connected electrically to the terminal of the IC chip on an optical transmissive base substrate (for instance, glass substrate 11) composing it and a second metal wiring layer 12.例文帳に追加

ＩＣチップ（例えば、ゲートドライバＩＣ４又はソースドライバＩＣ５）が実装されるアクティブマトリクス基板（表示パネル用基板）１であって、それを構成する光透過性のベース基板（例えば、ガラス基板１１）上に、ＩＣチップの端子に電気的に接続される第１の金属配線層１４ａ〜１４ｃと、第２の金属配線層１２とを形成する。 - 特許庁

As a result, a palladium film 109 is formed on area having dense wiring, through the first cobalt-tungsten-phosphor film 107, so that metal alloy containing copper is not formed, thereby being capable of suppressing increase in wiring resistance; and the metal alloy layer can be formed on the wiring groove with coverage being good, so that low resistance and high reliable wring can be formed.例文帳に追加

これにより、配線が密な領域では、第一のコバルトタングステンリン膜１０７を介してパラジウム膜１０９が形成されるため、銅との合金が形成されず配線抵抗の上昇を抑制することができ、かつ、配線溝の上に被覆性良く合金層を形成できるため、低抵抗で信頼性の高い配線を形成することが出来る。 - 特許庁

The polymer film laminate production method in a proper execution form includes the first process of obtaining a wound body by winding a laminate in which a precursor layer made of a polymer film precursor is formed on metal foil and the second process of obtaining the polymer film laminate in which the polymer film is formed on the metal foil by heat-treating the wound body.例文帳に追加

好適な実施形態の高分子フィルム積層体の製造方法は、金属箔上に高分子フィルムの前駆体からなる前駆体層が形成された積層体を巻き取り、巻き取り体を得る第１工程と、巻き取り体を熱処理して、金属箔上に高分子フィルムが形成された高分子フィルム積層体を得る第２工程とを有する。 - 特許庁

Pulse-laser beams containing at least two laser pulses are projected to a region in which impurities are injected, under conditions in which the surface layer of the semiconductor substrate is not melted, and conditions in which a delay time goes down to 1,000 ns or less until second laser pulses are projected after first laser pulses are projected, thus activating injected impurities.例文帳に追加

不純物の注入された領域に、半導体基板の表層部が溶融しない条件で、かつ、１番目のレーザパルスの入射から２番目のレーザパルスの入射までの遅延時間が１０００ｎｓ以下となる条件で、少なくとも２つのレーザパルスを含むパルスレーザビームを入射させ、注入されている不純物を活性化させる。 - 特許庁

When the first sensor detects the upper surface of the sack, a roller moving electric cylinder for moving a roller supporting the rear of the stacked sack from downward is driven to cause the second bag position sensor to detect the upper surface of the rear of the sack to raise the rear, thereby holding the sack in the uppermost layer in a horizontal posture.例文帳に追加

そして、第１袋位置センサが大袋の上面を検出すると、第２袋位置センサが該大袋の後部の上面を検出するように、積層状態の大袋の後部を下方から支持するローラを移動させるローラ移動用電動シリンダを駆動して、前記後部を上昇させることにより、最上層の大袋を水平姿勢に保持する。 - 特許庁

Further, the method may also have a step of forming a collector region 32 positioned at the offset region 31 of a bipolar transistor by introducing the first-conductivity-type impurities to the semiconductor layer 20 with an element isolation film 25, a gate electrode 44, and a mask film as masks, and for forming a source and a drain 42a, 45 of a MOS transistor.例文帳に追加

さらに、素子分離膜２５、ゲート電極４４、及びマスク膜をマスクとして半導体層２０に第１導電型の不純物を導入することにより、バイポーラトランジスタのオフセット領域３１に位置するコレクタ領域３２を形成するとともに、ＭＯＳトランジスタのソース及びドレイン４２ａ，４５を形成する工程とを具備してもよい。 - 特許庁

In a method of manufacturing a resonator on the substrate (71), a bottom electrode (72) is stacked on the substrate (71), and a piezoelectric(PZ) layer (74) is stacked, and a surface electrode (74) with a first thickness is stacked, and the thickness of the above electrode (76) is reduced to adjust the resonance frequency of the resonator.例文帳に追加

基板（７１）上に共振器を製造する方法において、前記基板（７１）上に底部電極（７２）を堆積させ、圧電（ＰＺ）層（７４）を堆積させ、第１の厚さを備えた表面電極（７６）を堆積させ、前記表面電極（７６）の厚さを減少させて前記共振器の共振周波数を調節するようにした共振器の製造方法。 - 特許庁

In the liquid crystal display, the display viewing side first substrate 15 provided with a pixel electrode 3 and the TFT element 5 formed on the inner surface side and a second substrate 14 having a display electrode 18 formed on the inner surface side are disposed opposite to each other and a liquid crystal layer 12 is disposed in a gap between both substrates 14 and 15.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置は、内面側に画素電極３及びＴＦＴ素子５を形成した表示視認側の第１の基板１５と、内面側に表示電極１８を形成した第２の基板１４とを対向して配置し、前記両基板１４、１５の間隙に液晶層１２を配置して成る液晶表示装置である。 - 特許庁

The acoustic reflection layers 21 to 26 each comprise an (a) epitaxial conductive material formed alternately on the substrate 12, at least one of first layers 21, 23, 25 whose acoustic impedance is relatively high; and (b) the other epitaxial conductive material, and besides including an at least one of second layer 22, 24, 26 whose acoustic impedance is relatively low.例文帳に追加

音響反射層２１〜２６は、基板１２の上に交互に形成された、（ａ）エピタキシャルの導電材料からなり、音響インピーダンスが相対的に高い、少なくとも一つの第１層２１，２３，２５と、（ｂ）エピタキシャルの他の導電材料からなり、音響インピーダンスが相対的に低い、少なくとも一つの第２層２２，２４，２６とを含む。 - 特許庁

To primarily provide a semiconductor package having a structure such that neither a via hole nor a pad is necessary before or behind an intersection portion and then space is saved as a semiconductor package which has a first wiring and a second wiring arranged one over the other with an insulating resin layer interposed therebetween to have an intersection portion locally present when viewed from their overlapping direction.例文帳に追加

絶縁樹脂層を介して第一配線と第二配線とが重ねて配され、局所的にそれらの重なり方向から見て交差部が存在する構造とした半導体パッケージにおいて、交差部の前後でビアやパッドを必要とせず、ひいては省スペース化が図れる構造とした半導体パッケージを提供することを第一の目的とする。 - 特許庁

Furthermore, the film thickness of the transparent insulating film 12 is set thicker than a first specified film thickness which maximizes the reflectance for the multiple reflection of a laminated body comprising the reflection electrode for red light, the transparent insulating film and the alignment layer and is set thinner than a second specified film thickness which minimizes the reflectance of the laminated body for blue light.例文帳に追加

更に、透明絶縁膜の膜厚は、赤色光に対する反射電極、透明絶縁膜及び配向膜からなる積層体の多重反射による反射率を極大とする第１所定膜厚以上であり且つ青色光に対する積層体の反射率を極小とする第２所定膜厚以下の膜厚に設定されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a single layer consisting of densely packed two-color rotating particles in which first and second portions having different colors and different charging characteristics in a dielectric liquid come into contact with each other at boundaries to form spherical shapes and which contain magnetic materials in at least portions thereof, and to provide a method for manufacturing a rotating particle type display device using the same.例文帳に追加

色および誘電性液体中における帯電特性がともに異なる第１および第２の部分が境界面で接して球状形状を形成し、少なくともその一部分に磁性体を含有する二色回転粒子が密につまった単層の製造方法およびこれを用いた回転粒子型表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This optical sheet 40 includes: a body part 42; a plurality of unit shape elements 45 disposed side by side at the light emission side of the body part and respectively extended linearly in the direction intersecting the array direction; and a reflection layer 50 provided on a first area including the apex most separated from the body part in the light emission surface of the unit shape element.例文帳に追加

光学シート４０は、本体部４２と、本体部の出光側に並べて配置され、各々が配列方向と交差する方向に線状に延びる、複数の単位形状要素４５と、単位形状要素の出光面のうちの本体部から最も離間した頂部を含む第１領域上に設けられた反射層５０と、を有する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device 1 comprises a substrate 1 formed of a material absorbing light, a light emitting semiconductor region 2, a first electrode 3, a second electrode 4, an enclosure 5 which has optical transparency and covers the substrate 1 and the light emitting semiconductor region 2, a light reflecting layer 6, a metal support plate 7, a terminal 8, and a connection conductor 9.例文帳に追加

半導体発光装置は、光を吸収する材料で形成されている基板１と、発光半導体領域２と、第１の電極３と、第２の電極４と、光透過性を有し且つ基板１及び発光半導体領域２を覆っている包囲体５と、光反射層６と、金属支持板７と、端子８と、接続導体９とを備えている。 - 特許庁

When a wiring groove 8 and a contact hole 6 are formed on a substrate 1 with different depth using a dual damascene method, a first stopper film 9 is formed on the top layer of the film, and a second stopper film 4 is formed at such position as depth of the bottom part of the wiring groove 8, with formation of the wiring groove 8 performed in separate 2-stage processes.例文帳に追加

デュアルダマシン法を用いて、基板１上の膜に配線溝８及びコンタクトホール６をそれぞれ深さを異ならせて形成するにあたって、前記膜の最上層に第１のストッパー膜９を形成し、配線溝８の底部深さ位置に第２のストッパ膜４を形成し、配線溝８の形成を２段階の工程に分けて行う。 - 特許庁

In a content copy processing configuration between media, a program read from a recording medium in which content and a program (BD-J application) are recorded is executed by a first data processing part (BD-JVM), and the acquisition processing of copy permission information from a management server is performed, and a second data processing part (AACS layer) is requested to execute part of processing.例文帳に追加

メディア間のコンテンツコピー処理構成において、コンテンツとプログラム（ＢＤ−Ｊアプリケーション）を記録した記録媒体から読み取ったプログラムを第１データ処理部（ＢＤ−ＪＶＭ）において実行して、管理サーバからのコピー許可情報の取得処理などを行い、一部の処理を第２データ処理部（ＡＡＣＳレイヤ）に依頼して実行させる。 - 特許庁

The organic photoelectric conversion element 10 includes an electrode pair made up of a first electrode 32 and a second electrode 34, and an active layer 40 sandwiched between the electrodes of the electrode pair, wherein any one of the electrodes of the electrode pair contains a conductive material, and an alkaline metal salt or alkaline earth metal salt.例文帳に追加

有機光電変換素子１０は、第１電極３２及び第２電極３４からなる一対の電極、及び前記一対の電極間に挟持される活性層４０を備える有機光電変換素子において、前記一対の電極のうちのいずれか一方の電極が、アルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩と導電体とを含む。 - 特許庁

The catalyst layer as the first mode is provided with a catalyst structure containing platinum and gold, a proton conductive electrolyte, and a siloxane polymer with a hydrophobic group and a group containing -SH, with sulfur atoms of a group containing -SH of the siloxane polymer and gold possessed by the catalyst structure combined in thiol bond.例文帳に追加

本発明の第一は、白金及び金を含む触媒構造体と、プロトン伝導性電解質と、疎水性基及び−ＳＨを含む基を有するシロキサン重合体と、を有し、 前記シロキサン重合体の−ＳＨを含む基の硫黄原子と前記触媒構造体が有する金とがチオール結合によって結合していることを特徴とする触媒層。 - 特許庁

In a first aspect, the method comprises: (a) applying a curable composition on a substrate; (b) applying a hard mask composition above the curable composition; (c) applying a photoresist composition layer above the hard mask composition wherein one or more of the compositions are removed in an ash-free process.例文帳に追加

第一の態様においては、（ａ）基体上に硬化性組成物を適用する工程、（ｂ）硬化性組成物上にハードマスク組成物を適用する工程、（ｃ）ハードマスク組成物上にフォトレジスト組成物層を適用する工程を含む方法であって、アッシングを含まないプロセスにおいて一以上の組成物を除去する工程、を含む方法が提供される。 - 特許庁

Accordingly, rigid joint can be achieved between the metal wiring film 19 and each terminal regardless of a force applied to peel the metal wiring film 19 to each joint part among the first electrode pad 13, second electrode pad 15, and metal wiring film 19 by pressing down the metal wiring film 19 with the sealing layer 21.例文帳に追加

これにより、上記第１電極パッド１３及び上記第２電極パッド１５と金属配線膜１９との各接合部に金属配線膜１９を剥離させるような力が作用しても、金属配線膜１９を封止層２１が押さえ込むことで金属配線膜１９と各端子との接合を強固なものとすることができる。 - 特許庁

The electric component, including a molded structure which determines a first and a second areas located at an interval, having at least two conductive wirings formed on the surface of a component main body, and connected by one or more of connection tabs, are manufactured, and the structure, having a conductive layer, is plated.例文帳に追加

１つまたは２つ以上の接続タブによって接続される第１および第２の間隔を置いて配置された部分を定めるモールドされた構造体を含む部品本体の表面に形成された少なくとも２つの導電性配線を有する電気部品を製造し、そして導電層を有する上記構造体をメッキする方法。 - 特許庁

The multilayer interconnection structure 18 is constituted so as to electrically and interconnect circuits of a board 100 by using a plurality of other solder connecting members 47 and has a heat conduction layer 22 composed of material having a selected thickness and coefficient of thermal expansion with which solder connecting obstruction between a plurality of first conducting members and the semiconductor chip is prevented totally.例文帳に追加

多層相互接続構造１８は、回路化基板１００を、別の複数のハンダ接続部材４７で電気的に相互接続するように構成され、第１の複数の導電部材と半導体チップとの間のハンダ接続障害を全体的に防止する選択された厚さおよび熱膨張率を有する材料よりなる熱伝導層２２を有する。 - 特許庁

First and second semiconductor lasers 10 and 20 comprising buffer layers 11 and 21, clad layers 12 and 22, quantum well active layers 13 and 23 and clad layers 14 and 24 laminated on a substrate 1 while having a stripe structure are integrated on the same substrate, and the quantum well active layer near a resonator end face is disordered by impurity diffusion.例文帳に追加

基板１上に積層されたバッファ層１１、２１、クラッド層１２、２２、量子井戸活性層１３、２３、およびクラッド層１４、２４を備え、ストライプ構造を有する第一および第二半導体レーザ１０、２０が同一基板上に集積化され、共振器端面近傍における量子井戸活性層は不純物拡散により無秩序化されている。 - 特許庁

The manufacturing method of a magnetoresistance effect element 20 is a dry etching method of a magnetoresistance effect element composed of a magnetic multilayer film containing at least two layers, wherein a second mask material to be a conductor with a reaction with the other atom is doubly overlapped on the lower layer of a first mask material comprising a non-organic-based material.例文帳に追加

この磁気抵抗効果素子２０の製造方法は、少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜から成る磁気抵抗効果素子のドライエッチング方法であって、非有機系材料からなる第一のマスク材の下層に他の原子と反応して導電物になり得る第二のマスク材を二重に重ねて積層する方法である。 - 特許庁

Since second belt layers 6 extending in a tire circumferential direction in which a reinforcement cord 13a is not inclined relative to the tire circumferential direction are provided on both sides in a tire width direction of a first belt layer arranged at a central side in the tire width direction respectively, pushing up of both sides in the tire width direction can be prevented by the respective second layers 6.例文帳に追加

タイヤ幅方向中央側に配置される第１のベルト層５のタイヤ幅方向両側に、補強コード１３ａがタイヤ周方向に対して傾斜をなさずにタイヤ周方向の延びる第２のベルト層６をそれぞれ設けたので、各第２のベルト層６によってタイヤ幅方向両側のせり上がりを防止することができる。 - 特許庁

This method for forming an ohmic layer comprises a first step of forming injecting hydrogen or argon gas with a semiconductor substrate stored in the plasma chamber of a chemical vapor deposition system, a second step of injecting a Ti-containing source gas into the a plasma chamber, and a third step of forming a RF plasma in the plasma chamber to deposit a titanium film.例文帳に追加

半導体基板を化学蒸着装置のプラズマチャンバーに入れて水素およびアルゴンガスを注入する第１工程と、前記プラズマチャンバーにＴｉを含んだソースガスを注入する第２工程と、前記プラズマチャンバーにＲＦプラズマを形成してチタン膜を蒸着する第３工程とを備えることを特徴とするＰＣＶＤによるオーミック層形成方法。 - 特許庁

On the upper surface part of a first piezoelectric layer 21, a substantially rhombic drive electrode 20A slightly smaller than and similar to the projection of an ink pressure chamber 19A is formed at a position corresponding to each ink pressure chamber 19A, and an arrow type land pattern 20B is formed continuously from the acute angle part of the drive electrode 20A.例文帳に追加

第１圧電層２１の上面部には、各インク圧力室１９Ａに対応する位置に該インク圧力室１９Ａの投影形状よりも少し小さいほぼ相似形の略菱形の駆動電極２０Ａと、該駆動電極２０Ａの鋭角部から連続して形成される矢印形状のランドパターン２０Ｂが形成されている。 - 特許庁

In a capacitance element region 1 on a semiconductor substrate constituting a semiconductor device, a wiring layer of the semiconductor device is not formed in an upper region of a forming position of the semiconductor element on a first interlayer dielectric 8 to cover this capacitance element, and dummy patterns 2, 2a to be dummy wiring layers are formed at a peripheral of the upper region.例文帳に追加

半導体装置を構成する半導体基板上の容量素子領域１において、この容量素子を被覆する第１層間絶縁膜８上であって上記半導体素子の形成位置の上部領域には半導体装置の配線層が形成されず、上記上部領域の周辺部にダミー配線層となるダミーパターン２，２ａが形成される。 - 特許庁

In covering the surface of a unidirectional silicon steel sheet after the completion of finish annealing with a plurality of ceramic film layers, a very thin TiNO film, as the first layer, is formed by a hollow cathode method (HCD method) using an arc cut bias voltage as the bias voltage and then forming thereon a ceramic film by a magnetron-sputtering method.例文帳に追加

仕上げ焼鈍済みの一方向性珪素鋼板の表面に、複数層のセラミック被膜を被覆するに際し、少なくとも第１層については、バイアス電圧としてアークカットバイアス電圧を使用する中空陰極法（ＨＣＤ法）を用いてTiNOの極薄被膜を被成し、ついでその上にマグネトロン・スパッタ法を用いてセラミック被膜を被成する。 - 特許庁

An input strip line 1 and an output strip line 2 are formed on a first conductor layer of a multilayer substrate, and an input open stab 9 and an output open stab 10 are formed which are disposed proximately while confronting their side surfaces and connected to another end of the input strip line 1 or the output strip line 2 each of which one end corresponds to each other.例文帳に追加

多層基板の第１導体層に入力ストリップライン１及び出力ストリップライン２を形成すると共に側面を対向させて近接配置され各々の一端が対応する入力ストリップライン１又は出力ストリップライン２の他端に接続された入力オープンスタブ９及び出力オープンスタブ１０を形成した。 - 特許庁

When the authentication is successful, the network switch 3 connects the computer with respect to the network switch 3 at the layer 2 level; and a quarantine server 12 and a quarantine client 42 conducts the quarantine for the computer 4 using quarantine information, via the authentication server 13 and the first network 1, under the condition where the network switch 3 is connected to the authentication server 13 at the IP level.例文帳に追加

認証に成功した場合、ネットワークスイッチ３が、コンピュータとネットワークスイッチ３との間をレイヤー２レベルで接続し、ネットワークスイッチ３と認証サーバ１３との間をＩＰレベルで接続した状態で、検疫サーバ１２及び検疫クライアント４２が、認証サーバ１３及び第１のネットワーク１を介して、検疫情報を用いてコンピュータ４の検疫を行う。 - 特許庁

The image sensor includes a semiconductor substrate where a circuit region is formed, an interlayer insulating film containing a plurality of metal wires formed on the semiconductor substrate, a plurality of pixel patterns that are connected to the metal wires and contain a lower electrode and a first conductive transmitting layer, and dummy pixel patterns among the pixel patterns.例文帳に追加

本発明によるイメージセンサは、回路領域が形成された半導体基板と、上記半導体基板の上に形成されて複数の金属配線を含む層間絶縁膜と、上記金属配線と連結されて下部電極及び第１導電型伝導層を含む複数のピクセルパターンと、上記ピクセルパターン間に形成されたダミーピクセルパターンとを含む。 - 特許庁

Furthermore, the film thickness of the transparent insulating film 12 is set thicker than a first specified film thickness which maximizes the reflectance for the multiple reflection of a laminated body comprising the reflective electrode 11 for blue light, the transparent insulating film 12 and the alignment layer 15, and is set thinner than a second specified film thickness which maximizes the reflectance of the laminated body for red light.例文帳に追加

更に、透明絶縁膜の膜厚は、青色光に対する反射電極、透明絶縁膜及び配向膜からなる積層体の多重反射による反射率を極大とする第１所定膜厚以上であり且つ赤色光に対する積層体の反射率を極大とする第２所定膜厚以下の膜厚に設定されている。 - 特許庁

First, a substrate 13 is covered with a protecting film 14 formed of alkali earth metal oxide, alkali earth metal composite oxide, rare earth metal oxide or composite oxide composed of alkali earth metal and rare earth metal, followed by surface treatment with a gaseous fruorinating agent, thereby forming a fluoride layer 15 on the protecting film 14.例文帳に追加

先ず基板１３の表面にアルカリ土類金属酸化物，アルカリ土類金属複合酸化物，希土類金属酸化物，又はアルカリ土類金属及び希土類金属の複合酸化物からなる保護膜１４を形成し、この保護膜１４をガス状フッ素化剤にて表面処理することにより保護膜１４の表面にフッ化物層１５を形成する。 - 特許庁

The first outer surface has a hardness of up to about 20 Shore C less than a hardness at the geometric center to define a negative hardness gradient inner core and the second outer surface has a hardness of up to 18 Shore C greater than the geometric center hardness to define a positive gradient outer core layer and a shallow positive hardness gradient core.例文帳に追加

第１の外側表面の硬度は、幾何中心の硬度より約２０ショアＣまでの範囲で小さくて負の硬度勾配の内側コア層を形成し、第２の外側表面の硬度は、幾何中心の硬度より約１８ショアＣまでの範囲で大きく正の硬度勾配の外側コア層を形成し、浅い正の硬度勾配のコアを形成する。 - 特許庁

In the process A, a film-forming material is supplied (202) to allow inorganic starting gas to attach to the substrate being unreacted during the heating of the substrate up to a film-forming temperature, and an oxygen radical is supplied to the substrate for performing (203) RPO (remote plasma oxidation) treatment to form the first film layer thereon.例文帳に追加

第１薄膜層形成工程Ａは、基板温度を成膜温度まで昇温させる基板昇温加熱の途中で、有機原料ガスを基板上に未反応のまま付着させる成膜原料供給を行なった後（２０２）、酸素ラジカルを基板上に供給して第１の薄膜層を形成するＲＰＯ（リモートプラズマ酸化）処理を行なう（２０３）。 - 特許庁

The method for forming the casting mold includes a step of: forming body by kneading ceramic powder containing silicon nitride powder and a first binder solution; a step of: forming slurry by adding a second binder solution to the body; and a step of forming a mold releasing layer by applying the slurry to the surface of a casting mold base body.例文帳に追加

窒化珪素粉末を含むセラミック粉末と、第一バインダー溶液と、を混練して、坏土を形成する工程と、前記坏土に第二バインダー溶液を添加して、スラリーを形成する工程と、前記スラリーを鋳型用基体の表面に付着させて、離型層を形成する工程と、を備えることを特徴とする鋳型の形成方法とする。 - 特許庁

Also, a metal film 20 composed of copper or a copper alloy is formed on the crystallinity enhancement film 18 so as to fill the through hole 13a and wiring formation trench 15a, and an upper-side wiring layer 20 consists of the first protection conductive film 16, second protection conductive film 17, crystallinity enhancement film 18 and metal film 19.例文帳に追加

さらに、銅又は銅合金からなる金属膜２０が、結晶性向上膜１８上で且つスルーホール１３ａ及び配線形成溝１５ａを充填するように形成されており、第１の保護導電膜１６、第２の保護導電膜１７、結晶性向上膜１８及び金属膜１９により上部配線層２０が構成されている。 - 特許庁

Secondly, copper electrolytic plating of copper is performed by using the metal layer 6 as a deposition current path, while the first plating resist film 11 is made to remain as it is, thereby forming a columnar electrode 8 on a connection pad upper surface of the re-wiring 7 in an opening 14 in a second plating resist film 13 composed of negative type dry film resist of acryl resin.例文帳に追加

次に、第１のメッキレジスト膜１１をそのまま残存させた状態で、下地金属層６をメッキ電流路として銅の電解メッキを行うことにより、アクリル系樹脂のネガ型のドライフィルムレジストからなる第２のメッキレジスト膜１３の開口部１４内における再配線７の接続パッド部上面に柱状電極８を形成する。 - 特許庁

Substantially rhombic similar driving electrodes 20A are formed at positions corresponding to respective ink pressure chambers 19A on the upper surface of the first piezoelectric layer 21, and a land pattern 20B of arrow shape is formed to be led out continuously from the acute angle part of the driving electrode 20A to a position corresponding to the outside of the ink pressure chamber 19A.例文帳に追加

また、第１圧電層２１上面部の各インク圧力室１９Ａに対応する位置には、相似形状の略菱形形状の駆動電極２０Ａが形成されると共に、この駆動電極２０Ａの鋭角部からインク圧力室１９Ａの外側に対応する位置まで連続して引き出される矢印形状のランドパターン２０Ｂが形成されている。 - 特許庁

A plurality of first electrodes 6 are arranged in stripes for reading radiographic images accumulated in an electric charge storage 11 when read light L1 is irradiated to a reading photoconductive layer 5 as a signal charge, and are provided respectively on an erase light shielding film 8, for transmitting the read light L1 and shielding the erase light L2.例文帳に追加

読取用光導電層５に読取光Ｌ１が照射されたときに電荷蓄電部１１に蓄積された放射線画像を信号電荷として読取る、ストライプ状に配列された複数の第１線状電極６が、読取光Ｌ１を透過し消去光Ｌ２を遮光する消去光遮光膜８上の領域にそれぞれ設けられている。 - 特許庁