「first-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(490ページ目) - Weblio英語例文検索

In this method for manufacturing the organic EL element by forming a first electrode, one or more organic layers and a second electrode in order on a substrate, in any process before the film formation of the organic layer after forming a wiring electrode on the substrate, dry ice particles supplied from a dry ice supply means 3 are sprayed onto the substrate 2 together with a transport fluid to clean the substrate 2.例文帳に追加

少なくとも基板上に第１の電極と１層または２層以上の有機層と第２の電極とを順次形成する有機ＥＬ素子の製造方法であって、少なくとも前記基板２上に配線電極を形成した後、有機層成膜までのいずれかの工程で、ドライアイス供給手段３から供給されるドライアイス粒子を移送流体と共に基板２上に吹き付けて洗浄を行う有機ＥＬ素子の製造方法および装置とした。 - 特許庁

The dummy pixel is adjacent to the effective pixel row, with array pitches of the first impurity diffusion layer for the effective pixel and dummy pixel being identical each other.例文帳に追加

第１導電型である半導体基板と、前記半導体基板中に設けられた第１導電型とは反対の導電型である第１の不純物拡散層により形成されたＰＮフォトダイオードと、前記ＰＮフォトダイオードが複数配列された有効画素列と、有効画素とピッチを異ならせたダミー画素を有する測距用固体撮像装置において、前記ダミー画素は前記有効画素列に隣接配置され、有効画素とダミー画素の第１不純物拡散層の配列ピッチが同じになるように配置されていることを特徴とする。 - 特許庁

An insulation layer is arranged between the first positive electrode and the second negative electrode.例文帳に追加

しかし、有機ＥＬ素子の重ね方によって、陽極電極として使用されるＩＴＯ等の透明電極はスパッタリング等の方法によって形成されるため、ＩＴＯ等の透明電極が形成される最中に有機層が傷つけられてしまうという問題が生じる場合があり、また、陰極電極と陽極電極とが接触すると、陰極電極となる材料と陽極電極となる材料との仕事関数の違いから、一方の材料の劣化速度が速まり、寿命が短くなってしまう場合がある - 特許庁

The method of manufacturing organic electroluminescent panels comprises steps of oppositely disposing a first substrate having an anode on it and a second substrate having a cathode on it with their electrode surfaces faced to each other and placing an organic layer between the electrodes, wherein the substrates are bonded together after spray patterns of microencapsulated bonding agent are printed on the laminated surface of at least one of the substrates that has an anode or cathode.例文帳に追加

陽極が形成された第１の基板と、陰極が形成された第２の基板を、互いに電極面を対向させ、電極間に有機層を挟持するよう貼り合せ、形成する有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、前記陽極或いは陰極が形成された、少なくとも一方の基板の貼り合わせ面側に、マイクロカプセル化した接着剤をパターン状に散布した後、貼り合わせることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。 - 特許庁

In the backside incident CMOS image sensor; a wiring layer 720 is disposed on a first face (surface) of an epitaxial substrate 710 where a photodiode, reading circuits (n-type region 750 and n+region 760) and the like are arranged; and a light receiving face is disposed at a second face (backside).例文帳に追加

フォトダイオードや読み出し回路（ｎ型領域７５０、ｎ＋型領域７６０）等を設けたエピタキシャル基板７１０の第１面（表面）に配線層７２０を設け、第２面（裏面）に受光面を設けた裏面入射型のＣＭＯＳイメージセンサにおいて、フォトダイオード及びその周囲のＰ型ウェル領域７４０を基板裏面（受光面）に到達しない層構造で配置し、かつ、基板７１０中に電場を形成して基板裏面（受光面）から入射した電子をフォトダイオードに適正に誘導するようにした。 - 特許庁

The manufacturing method of the group III nitride compound semiconductor light-emitting element includes a first process for forming a dielectric film on a SiC substrate or the group III nitride compound semiconductor in a pattern shape and a second process for causing the group III nitride semiconductor layer to selectively grow on the SiC substrate or the group III nitride compound semiconductor by an organic metal chemical vapor growth method, after a reactor is substituted for hydrogen atmosphere.例文帳に追加

本発明のＩＩＩ族窒化物系半化合物半導体発光素子の製造方法は、ＳｉＣ基板上またはＩＩＩ族窒化物系化合物半導体上に誘電体膜をパターン状に形成する第１工程と、リアクターを水素雰囲気に置換した後、有機金属化学的気相成長法により上記ＳｉＣ基板または上記ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体の上にＩＩＩ族窒化物系半導体層を選択成長する第２工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

First, when considering the 0.3 mm upper limit for the thickness, the only reason for this upper thickness limit described in the specification of the claimed invention suggests that a thickness of more than the 0.3mm limit is ineffective from the perspectives of oil or grease resistance and abrasion resistance. On the other hand, as there is no reason for an interpretation that the cited invention was assumed to have a polyethylene resin layer being “the ineffective thickness,” it is clear and obvious from the description of the specification of the claimed invention that the upper limit is only a matter of design which a person skilled in the art could appropriately select at the time of implementation. 例文帳に追加

まず、上限の0.3mmについて見ると、本願明細書に記載された限定の理由自体、耐油性、耐摩耗性の観点からは、それより厚くても無駄な厚さであるというにすぎず、他方、引用発明がポリエチレン樹脂層を「無駄な厚さ」とすることを想定していたと解する理由もないから、この上限の点が、当業者が実施に当たり適宜選択し得る設計的事項にすぎないことは、本願明細書の記載自体から明らかというほかはない。 - 特許庁

The encapsulated silica is positive charge type encapsulated silica as an external additive added to toner, and the encapsulated silica is obtained by coating silica particles having an anionic group on the surface with a film comprising a first cation layer derived from a cationic polymerizable surfactant having a cationic group, a hydrophobic group and a polymerizable group, wherein the film has the cationic group originating in the cationic polymerizable surfactant on the side opposite to the silica particle.例文帳に追加

本発明の正帯電性カプセル化シリカは、トナーに添加する外添剤としての正帯電性カプセル化シリカであって、表面にアニオン性基を有するシリカ粒子が、少なくとも、カチオン性基と疎水性基と重合性基とを有するカチオン性重合性界面活性剤から誘導された第１のカチオン層で構成された膜により被覆されたものであり、前記膜は、前記シリカ粒子とは反対側に、前記カチオン性重合性界面活性剤由来のカチオン性基を有することを特徴とする。 - 特許庁

Then, a spin-on glass 7 is applied to the recessed and projecting surface of a first substrate 2, and a number of spherical Si consisting of an n-type layer 52 and a p-type part 51 are arranged.例文帳に追加

すなわち、球状または棒状の複数の半導体結晶を、周期的な凹凸構造を持つ第一の基板上に配置された構造を持たせ、該第一の基板に構成された周期的な凹凸構造上に第一の導電層を配置し、該第一の導電層に対し、上記球状または棒状の半導体結晶の一部を電気的に接触させ、該第一の導電層と接触した、球状または棒状の半導体結晶の一部とは異なる部分の半導体結晶の一部に電気的に接触した第二の導電層を配置した構成としている。 - 特許庁

A circulating magnetic field formed in a circulating magnetic layer can be restrained from decreasing in intensity, and the magnetic sensing layers included in the first and second laminate can be reversely magnetized by a small write current.例文帳に追加

外部磁界によって磁化方向が変化する感磁層を含み積層面に垂直な方向に電流が流れるように構成された積層体と、第１の積層体と第２の積層体との間に、積層面に沿った方向を軸方向とするように配置されると共に、軸方向に沿って複数の導線によって貫かれるように構成された環状磁性層とを有するようにしたので、還流磁性層に形成される還流磁界の強度低下を抑制することができ、より小さな書込電流によって第１および第２の積層体における感磁層の磁化反転を行うことができる。 - 特許庁

A Young's modulus of the base part of the interlayer is lower than either of Young's modulus of the cured ionizing radiation curable resin forming the first resin layer and Young's modulus of the ionizing radiation curable resin cured by the second ionizing radiation curable resin.例文帳に追加

積層板は硬化された電離放射線硬化型樹脂を含む第１樹脂層と、前記第１樹脂層よりも入光側に配置された第２樹脂層と、前記第１樹脂層および前記第２樹脂の間に配置された中間層とを含み、前記中間層は、樹脂材料からなるベース部のみ、或いは、樹脂材料からなるベース部とベース部中に分散された粒子状成分とからなり、前記中間層の前記ベース部のヤング率は、前記第１樹脂層をなす硬化された電離放射線硬化型樹脂のヤング率および前記第２電離放射線硬化型樹脂硬化された電離放射線硬化型樹脂のヤング率のいずれよりも低い。 - 特許庁

A P dose is lowered so that excess carriers of the first base layer be discharged in a storage period of turn-off.例文帳に追加

本発明の絶縁ゲート型半導体装置は、第１導電型の第1のベース層２１と、第1のベース層の表面に形成された第２導電型の第２のベース層１４と、第２のベース層の表面領域に選択的に形成された第１導電型のソース層１５と、第１のベース層の表面に対して反対側の裏面に形成された第２導電型のドレイン層３１と、第1のベース層、ソース層および第２のベース層から絶縁され、第1のベース層にソース層と第２のベース層との間を導電させるチャネルを形成するゲート電極１６とを備え、ターンオフのストレイジ期間に第１のベース層の過剰キャリアが排出されるようにPドーズを低下させていることを特徴とする。 - 特許庁

A light of wavelength λj(j=1-m), corresponding to the mixed crystal ratio xj incident on the outside surface of the m-th mixed crystal layer, is detected and a corresponding voltage Vj across first and second electrodes is output.例文帳に追加

この発明の光検出器は、ｐ形またはｎ形Ｓi 基板６の一面に第１電極４が形成され、Ｓｉ基板６の他面にｐｎ接合を有するＳｉ_1-x1Ｇｅ_x1第１混晶層７−１がヘテロエピタキシャル成長により形成され、その第１混晶層の上面にｐｎ接合を有するＳｉ_1-x2Ｇｅ_x2第２混晶層７−２がヘテロエピタキシャル成長により形成され、同様にして、ｐｎ接合を有するＳｉ_1-xjＧｅ_xj第ｊ混晶層（ｊ＝１〜ｍ；ｘ１＞ｘ２＞…＞ｘｍ）７−ｊが順に積層され、その第ｍ混晶層の外面の周辺に第２電極５が形成され、その第ｍ混晶層の外面に入射された混晶比ｘｊに対応する波長λｊ（ｊ＝１〜ｍ）の光を検出して、第１，第２電極間に対応する電圧Ｖｊを出力する。 - 特許庁

An oxygen capturing layer comprising a material based on oxygen deficient magnetite is formed to the inner surface of a space permitting the flow of exhaust gas in the first electrode.例文帳に追加

排煙中に含まれるダイオキシンを分解するのに用いられる装置であって、水素イオンのみを、互いに対向する一面側から他面側へと透過させる機能を備えた水素イオン透過層と、この水素イオン透過層の他面側に設けられた、酸素をイオン化する機能を備え、かつ内部を排煙が流動できるよう管状に構成された第１の電極と、前記水素イオン透過層の一面側に設けられた、水素をイオン化する機能を備えた第２の電極と、この第２の電極との間に、水素を流入させるための空隙が形成されるよう設けられた支持体とを具備し、前記第１の電極における排煙が流動する空間の内面には、酸素欠陥マグネタイトを主成分とする材料からなる酸素捕獲層が形成されてなるダイオキシン分解装置。 - 特許庁

The light emission from the light emitting layer is obtained by applying a voltage to the light emitting element so that an energy gap of the second organic compound becomes larger than an energy gap of the light emitting substance, and the potential of the first electrode becomes higher than the potential of the second electrode.例文帳に追加

第１の電極１０１と第２の電極１０２の間に、第１の層１１４と、発光物質を含む第２の層１１３とを有し、第１の層は、第１の有機化合物と、第２の有機化合物とを有し、第１の層は、第２の層と第２の電極の間に設けられており、第１の層において、第２の有機化合物よりも第１の有機化合物が多く含まれており、第１の有機化合物は、電子輸送性の有機化合物であり、第２の有機化合物は、電子トラップ性の有機化合物であり、第２の有機化合物のエネルギーギャップは、発光物質のエネルギーギャップよりも大きく、第１の電極の電位が第２の電極の電位よりも高くなるように電圧を印加することにより、発光層からの発光が得られる発光素子を提供する。 - 特許庁

A solder film or special metal solder film is formed on the alignment layer on the counter substrate of the second electrode substrate and on the circuit substrate electrode, and the circuit substrate mounting the first substrate side and the solder film or special metal solder film of the second electrode substrate are connected by a conductive medium.例文帳に追加

複数の画素電極を有する第一電極基板と、該第一電極基板に相対する対向電極を有する第二電極基板を備え、該第二電極基板の対向電極上には非導電性の配向膜が形成され、前記第一電極基板と前記第二電極基板がオフセットされ所定の間隔で貼り合わされた液晶表示パネルを、前記第二電極基板と回路基板の対向する面に有する電極を導電媒体で電気的に接続する液晶表示装置であって、前記第二電極基板の対向電極上の配向膜上及び回路基板電極上にハンダ膜または特殊金属ハンダ膜を形成し、前記第一電極基板側を搭載した前記回路基板電極と前記第二電極基板のハンダ膜または特殊金属ハンダ膜を導電媒体で接続する液晶表示装置とする。 - 特許庁

The first electrode 3 is composed of a porous material, on the surface of which an oxygen capturing layer 8 comprising an oxygen deficient magnetite is formed.例文帳に追加

二酸化炭素を分解して、炭素を取り出す装置であって、水素イオンのみを、互いに対向する一面側から他面側へ透過させる水素イオン透過層１と、この水素イオン透過層１の他面側に設けられた、酸素をイオン化する機能を備えた第１の電極３と、この第１の電極３との間に、二酸化炭素を流入させるための空隙４ａが形成されるよう設けられた第１の支持体４と、上記水素イオン透過層１の一面側に設けられた、水素をイオン化する機能を備えた第２の電極６と、この第２の電極６との間に、水素を流入させるための空隙７ａが形成されるよう設けられた第２の支持体７とを具備し、上記第１の電極３は多孔質材料から構成されてなると共に、その表面には、酸素欠陥マグネタイトからなる酸素捕獲層８が形成されている二酸化炭素分解装置。 - 特許庁