「gap depth」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, in the depth direction indoor side of the louver blade 10, since the wind and rain exceeding the intermediate extension piece part 32 and the wind and rain which passes through a gap 12 collide with an indoor side extension piece part 34, the rain water is separated further, and the wind from which the moisture is reduced flows into the indoor side.例文帳に追加

さらに、ガラリ羽根１０の見込み方向室内側において、中間延出片部３２を超えた風雨および隙間１２を通過した風雨が、室内側延出片部３４に衝突することで、さらに雨水を分離することができ、水分の減少した風が室内側に流れ込むようにできる。 - 特許庁

In the process for manufacturing liquid crystal display device, a color layer having recesses of several μm in depth is formed on one transparent substrate, the gap forming material is disposed in the recesses of the color layer, the other substrate is disposed thereon to form a liquid crystal, and then the liquid crystal is injected into the liquid crystal cell.例文帳に追加

液晶表示装置を製造するにあたり、一枚の透明基板の上に深さ数μｍの凹みを有する着色層を設け、着色層この凹みに隙間形成材を配置し、この上に他の基板を配置して液晶セルを形成し、この液晶セルに液晶を注入することを特徴とする。 - 特許庁

Additionally, the wind and the rain getting over the intermediate elongated piece portion 32, and the wind and the rain passing through a gap 12 collide with an indoor-side elongated piece portion 34 on the depth-direction indoor side of the louver blade 10, so that the rainwater can be further separated and so that the wind having the moisture reduced can flow into the indoor side.例文帳に追加

さらに、ガラリ羽根１０の見込み方向室内側において、中間延出片部３２を超えた風雨および隙間１２を通過した風雨が、室内側延出片部３４に衝突することで、さらに雨水を分離することができ、水分の減少した風が室内側に流れ込むようにできる。 - 特許庁

An HIS 101 increased in parallel inductance is constituted by electrically connecting first-layer conductor small pieces 102 which are periodically arrayed to a ground plane 5 by a pleated conductor column 103 having conductor pleats 123 whose thickness is more than twice as large as a skin depth in a desired band-gap frequency band.例文帳に追加

厚みが所望のバンドギャップ周波数帯における表皮深さの２倍以上である導体ヒダ１２３を持つヒダ付き導体柱１０３により、周期配列されている第１層導体小片１０２の各々とグランドプレーン５を電気的に接続して、並列インダクタンスが増大したＨＩＳ１０１を構成する。 - 特許庁

A second runner part C provided with a hollow part having sufficient depth to the height direction of a gate 21 having a gap of about 1 mm height and extended along the longitudinal direction of a cavity D together with the gate 21, plays a part, in which the molten metal made to flow in from a first runner part B is temporarily stored.例文帳に追加

高さ１ｍｍほどの隙間を有するゲート２１に対してこの高さ方向に対して十分な深さを有する空洞を有し、ゲート２１と共にキャビティＤの長手方向に沿って延設される第２のランナ部Ｃは、第１のランナ部Ｂから流入する溶湯を一時的に貯留する役割を負う。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor layer; an element isolation film formed in the semiconductor layer; a semiconductor layer in an active region surrounded by the element isolation film; and a gap, formed on a sidewall portion of the semiconductor layer in the active region which extends in a depth direction, and at boundary between the element isolation film and the active region.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、半導体層と；前記半導体層中に形成された素子分離膜と；前記素子分離膜によって囲まれたアクティブ領域の半導体層と；前記アクティブ領域の半導体層の深さ方向における側壁部であり、前記素子分離膜との境界部分に形成された空隙部とを備える。 - 特許庁

In this heterojunction bipolar transistor, where a base layer constituted of an Mg-doped p-type INGaN is made between an emitter layer and a collector layer, In composition of that base layer is changed, according to the distance from that emitter layer to that base layer, and the depth of the acceptor level within that base layer is changed together with a band gap.例文帳に追加

Ｍｇドープｐ型ＩｎＧａＮで構成されるベース層をエミッタ層とコレクタ層とで挟んで形成したヘテロ接合バイポーラトランジスタであって、該ベース層のＩｎ組成を該エミッタ層から該ベース層に至る間の距離に応じて変化させて、該ベース層中のアクセプタ準位の深さをバンドギャップと共に変化させたことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成する。 - 特許庁

The fishing line is a twisted yarn or braided yarn composed of polyarylate multifilament yarns in which the outer surfaces of the multifilament yarns are plated with a metal, gap parts of single yarns each other constituting the multifilament yarns are also plated with a metal, depth of plating area from the outer surface of the multifilament yarn is larger than the circle equivalent diameter of the single yarn and the central part of the multifilament yarn is not plated.例文帳に追加

ポリアリレートのマルチフィラメント糸からなる撚糸又は製紐糸である釣糸であって、マルチフィラメント糸の外表面に金属メッキが施されるとともに、マルチフィラメント糸を構成する単糸同士の間隙部においても金属メッキが施され、マルチフィラメント糸の外表面からのメッキ領域の深さが単糸の円相当直径よりも大きく、かつマルチフィラメント糸の中心部はメッキされていないことを特徴とする釣糸とする。 - 特許庁

A multilayered structure of a buffer layer 41, an internal-electrode conducting layer 42, a dielectric layer 43, and an external-electrode conducting layer 44 is formed on a ceramic substrate, with a gap 5 of an appropriate depth to intersect the ceramic substrate in a cutting process after completion of overall structure.例文帳に追加

セラミック製基板上にバッファ層４１、内側の電極導体層４２、誘電体層４３、および外側の電極導体層４４からなる多層構造を形成し、全体の構造が出来上がった後に切削工程で適切な深さの間隙５をセラミック製基板を横断する形で形成することで、２つの重なり合った電極層４２、４４が横断的な間隙に相対する２つの部分に分けられ、かつ誘電体層４３によっても内側の電極導体層４２および外側の電極導体層４４に隔てられる。 - 特許庁