「gettering」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To highly cleanly and inexpensively manufacture an SOI semiconductor substrate having a gettering site.例文帳に追加

ゲッタリングサイトを有するSOI半導体基板を高清浄かつ安価に製造すること。 - 特許庁

Oxygen and water vapor are absorbed into the absorbing layer 17 by its gettering action.例文帳に追加

この吸着層１７のゲッタリング作用により酸素や水蒸気が吸着される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductor device suitable for mass production, without having to increase crystal defects and which is capable of carrying out gettering with better gettering effect.例文帳に追加

結晶欠陥を増大させること無く量産に適し、且つ、ゲッタリング効果の優れたゲッタリングを行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer and a method of manufacturing the same capable of easily manufacturing an epitaxial wafer with a gettering layer contacting an epitaxial film, and providing a high gettering effect.例文帳に追加

エピタキシャル膜にゲッタリング層が接したエピタキシャルウェーハを容易に作製することができ、高いゲッタリング効果が得られるエピタキシャルウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A gettering agent can be arranged simply and surely and manufacture with high productivity is realized, by carrying out tapering processing of a gettering-agent to the inserting part of a semiconductor.例文帳に追加

ゲッター剤を挿入箇所の半導体にテーパー加工を施すことで、簡単、かつ、確実にゲッター剤を配置する事が可能となり生産性高く作製できるようになった。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which allows the gettering efficiency to be enhanced and allows the heat treatment time to be shortened.例文帳に追加

ゲッタリングの効率を上げ、熱処理時間を短縮させた半導体装置の提供。 - 特許庁

To add a gettering layer to a silicon wafer and also prevent a reduction in flexural strength.例文帳に追加

シリコンウェーハにゲッタリング層を付与し且つ抗折強度の低下も防止できるようにする。 - 特許庁

Furthermore, a gettering agent that has adsorbability with respect to CO2 gas is filled in the airtight space.例文帳に追加

さらに、気密空間内に、ＣＯ_2ガス吸着能を有するゲッター剤が装填されている。 - 特許庁

Next, the heating treatment is performed in the atmosphere containing the halogen to perform gettering on the catalytic element.例文帳に追加

次に、ハロゲン元素を含む雰囲気で加熱処理を行い触媒元素をゲッタリングする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an annealed wafer improved in a gettering effect to Cu.例文帳に追加

Ｃｕに対するゲッタリング効果を向上してなるアニールウェハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The stuck surfaces S1 function as gettering sites in the SOI substrate 1.例文帳に追加

この貼り合わせ面Ｓ１は、ＳＯＩ基板１においてゲッタリングサイトとして機能するものである。 - 特許庁

To provide an SOI wafer which includes a high gettering ability for metal impurities.例文帳に追加

金属不純物に対して高いゲッタリング能力を有するＳＯＩウェーハを提供する。 - 特許庁

Thus, the crystal structure of the semiconductor wafer is modified and the gettering sink is formed.例文帳に追加

これにより、半導体ウェーハの結晶構造が改質され、ゲッタリングシンクが形成される。 - 特許庁

After a polysilicon film containing gettering impurities at a specified concentration is formed on the second face of the semiconductor substrate, the polysilicon film containing gettering impurities is oxidized by a specified thickness and the gettering impurities are aggregated densely in the remaining polysilicon film.例文帳に追加

次に、半導体基板の第２面に所定濃度のゲッタリング用不純物を含むポリシリコン膜を形成した後、ゲッタリング用不純物を含むポリシリコン膜を所定の厚さだけ酸化させて、前記残留するポリシリコン膜の内部にゲッタリング用不純物を密集させる。 - 特許庁

Thus, the crystal structure of the semiconductor substrate is modified and the gettering sink is formed.例文帳に追加

これにより、半導体基板の結晶構造が改質され、ゲッタリングシンクが形成される。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND GETTERING DEVICE例文帳に追加

半導体膜及びその作製方法、半導体装置及びその作製方法、ゲッタリング装置 - 特許庁

By removing the gettering site layer by etching, thinning of the semiconductor layer can be performed.例文帳に追加

エッチングにより、ゲッタリングサイト層を除去することで、半導体層の薄膜化を行う。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an epitaxial wafer for a solid-state imaging element, the method easily forming a gettering sink in a short time and never causing a concern for heavy-metal contamination in forming the gettering sink.例文帳に追加

ゲッタリングシンクを短時間で容易に形成できるとともに、ゲッタリングシンクの形成時に重金属汚染の懸念がない固体撮像素子用エピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an epitaxial substrate for a solid-state image pickup element, for easily forming a gettering sink in short time and having no possibility that contamination of heavy metal occurs in forming the gettering sink.例文帳に追加

ゲッタリングシンクを短時間で容易に形成できるとともに、ゲッタリングシンクの形成時に重金属汚染の懸念がない固体撮像素子用エピタキシャル基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the gettering region 19 is thicker than the element formation region 20 and has high gettering ability, the Ni is surely removed from the element formation region 20, even with a small area.例文帳に追加

ゲッタリング領域１９は素子形成領域２０よりも厚みが厚くて高いゲッタリング能力を有するので、面積が小さくても確実に素子形成領域２０からＮｉを除去する。 - 特許庁

To provide a wafer grinding method capable of maintaining a gettering sink effect and decreasing a metal atom such as copper (Cu) contained in a wafer, assuring flexural strength.例文帳に追加

ゲッタリングシンク(gettering sink)効果を維持するとともに抗折強度を確保しつつウエーハの内部に含有している銅（Cu）等の金属原子を減少させることができるウエーハの研削方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for evaluating internal gettering capability accurately in a short time at low cost by evaluating an internal gettering action accurately without actual measurement.例文帳に追加

インターナルゲッタリングの挙動を正確に、かつ実際の測定を行うことなく、予測できるようにし、インターナルゲッタリング能の評価を正確に、かつ短時間、低コストで行える方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method includes a process of forming a gettering layer 19 in the SOI layer 16 surfaced by etching and removing the metal layer 18, and gettering a metal in the SOI layer 16; and a process of removing the gettering layer 19, and making the SOI layer 16 from which the metal is removed surface.例文帳に追加

金属層１８をエッチング除去することにより表出したＳＯＩ層１６にゲッタリング層１９を形成してＳＯＩ層１６中における金属をゲッタリングさせる工程と、ゲッタリング層１９を除去して金属が除去されたＳＯＩ層１６を表出させる工程とを備える。 - 特許庁

One of the semiconductor manufacturing methods comprises, heating an amorphous silicon film partly doped with platinum, crystallizing the amorphous silicon film, forming a crystalline silicon film, forming a gettering sink on the crystalline silicon film, gettering the platinum from the crystalline silicon film by heating the crystalline silicon film and the gettering sink, and removing the gettering sink.例文帳に追加

本発明の半導体装置の作製方法の一は、一部に白金が添加された非晶質珪素膜を加熱し、非晶質珪素膜を結晶化させ、結晶性珪素膜を形成し、結晶性珪素膜上にゲッタリングシンクを形成し、結晶性珪素膜及びゲッタリングシンクを加熱することにより、白金を結晶性珪素膜からゲッタリングし、ゲッタリングシンクを除去するものである。 - 特許庁

In one embodiment of the method of manufacturing an epitaxial semiconductor substrate, a gettering layer grows on the semiconductor substrate.例文帳に追加

また、本発明は、動作特性が向上した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The generation of an oxygen deposit(BMD) is suppressed, and gettering performance is ensured without depending on this.例文帳に追加

酸素析出物（ＢＭＤ）の生成が抑制され、これに依存せずにゲッタリング能が確保される。 - 特許庁

A part other than the gettering region 19 of the CGS film 16 is an element forming region 20.例文帳に追加

ＣＧＳ膜１６のゲッタリング領域１９以外の部分は素子形成領域２０である。 - 特許庁

To provide a gettering layer and to inhibit a contamination on metal films in a semiconductor device of an SOI(Silicon-On-Insulator) structure.例文帳に追加

ＳＯＩ構造の半導体装置において、ゲッタリング層を設け、金属汚染を抑えること。 - 特許庁

The polysilicon layer 11 of a gettering layer is removed from the surface of the bonding wafer 30.例文帳に追加

ゲッタリング層であるポリシリコン層１１は張り合わせウェーハ３０の表面から除去される。 - 特許庁

Recovery of crystallinity and gettering can be efficiently performed by subsequent heat treatment.例文帳に追加

その後、加熱処理を行なうと、効率良く、結晶性の回復およびゲッタリングを行なうことが出来る。 - 特許庁

To produce an epitaxial wafer having a certain level gettering capacity regardless of the position of an ingot.例文帳に追加

インゴットの位置に拘わらず、一定水準のゲッタリング能力を有するエビタキシャルウェーハを製造する。 - 特許庁

To provide an effective gettering area that is hard to affect the elements of semiconductor devices.例文帳に追加

半導体装置において、素子に影響を及ぼしにくく、効率的なゲッタリング領域を設ける。 - 特許庁

To form an IG layer which has no aggregate of point defects, and at the same time, has a gettering capability.例文帳に追加

点欠陥の凝集体が存在せず、かつゲッタリング能力を有するＩＧ層を形成する。 - 特許庁

Heat treatment is performed to make a metal element in the semiconductor layer getter in the gettering site region.例文帳に追加

加熱処理を行って、半導体層中の金属元素をゲッタリングサイト領域にゲッタリングさせる。 - 特許庁

The main body 210 includes a source having amalgam substance and gettering alloy and a cover surrounding the source.例文帳に追加

本体２１０は、アマルガム物質とゲッタリング合金を含むソースと、ソースを囲むカバーと、を含む。 - 特許庁

Also, a metal element for promoting the crystallization by heating is subjected to gettering.例文帳に追加

また、加熱により前記結晶化を助長する金属元素をゲッタリングすることを特徴とする。 - 特許庁

Thus, a crystal structure of the semiconductor substrate 2 is modified and the gettering sink 4 is formed.例文帳に追加

これにより、半導体基板２の結晶構造が改質され、ゲッタリングシンク４が形成される。 - 特許庁

To attain a single-crystal silicon wafer having a high gettering ability independent of a device process.例文帳に追加

デバイス工程に依存せず、確実に高いゲッタリング能力を持つシリコン単結晶ウエーハを得る。 - 特許庁

To provide a technology favorable to enhance effectiveness of gettering to remove metallic impurities.例文帳に追加

金奥不純物を除去するゲッタリングの効果を高めるために有利な技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an epitaxial substrate for a solid-state imaging element by which a gettering sink can easily be formed in a short period of time without any risk of causing the contamination of heavy metal when forming the gettering sink.例文帳に追加

ゲッタリングシンクを短時間で容易に形成できるとともに、ゲッタリングシンクの形成時に重金属汚染の懸念がない固体撮像素子用エピタキシャル基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A channel region, a source region and a drain region of a transistor are covered with a resist mask 3, and a gettering material gettering the catalyst material is added to a region other than the transistor-manufacturing region.例文帳に追加

また、レジストマスク３によってトランジスタのチャンネル領域、ソース領域およびドレイン領域を覆い、トランジスタ作製領域以外の領域に、触媒物質をゲッタリングするゲッタリング物質を添加する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a back surface irradiation type solid-state imaging elementse by which a gettering sink can easily be formed in a short period of time without any risk of causing the contamination of heavy metal when forming the gettering sink.例文帳に追加

ゲッタリングシンクを短時間で容易に形成できるとともに、ゲッタリングシンクの形成時に重金属汚染の懸念がない裏面照射型固体撮像素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, after part of the gettering layer 102a is removed after the heat treatment, the collector electrode 110 as a back electrode is formed on the surface of the semiconductor substrate 101 from which the part of the gettering layer 102a has been removed.例文帳に追加

そして、熱処理後、ゲッタリング層１０２ａの一部を除去した後に、除去された半導体基板１０１の面に、裏面電極であるコレクタ電極１１０を形成するようにした。 - 特許庁

To provide an oxygen infused silicon wafer capable of stably forming a fine defect layer for gettering impurities and maintaining high gettering performance up to the end of manufacturing processes.例文帳に追加

不純物をゲッタリングする微小欠陥層を安定して形成することができ、さらに製造プロセスの最後まで高いゲッタリング能力を維持することができる酸素注入シリコンウェーハを提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state image pick-up device capable of suppressing noise caused owing to a gettering layer.例文帳に追加

ゲッタリング層に起因して発生するノイズを抑制することができる固体撮像装置を提供する。 - 特許庁