「gettering」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for activating an impurity element added to a semiconductor film in heat treatment for short time and performing a gettering processing on the semiconductor film without deforming a substrate in the manufacturing processor of a semiconductor device where the substrate having low heat resistance such as glass is used, and to provide a heat treatment device where such heat treatment is realized.例文帳に追加

ガラスなど耐熱性の低い基板を用いた半導体装置の製造工程において、基板を変形させることなく、短時間の熱処理で半導体膜に添加した不純物元素の活性化や、半導体膜のゲッタリング処理をする方法と、そのような熱処理を可能とする熱処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a production method of a silicon single crystal, by which a silicon single crystal having uniform carbon concentration and BMD (bulk micro-defects) uniformly formed therein can be produced, and to provide a silicon single crystal wafer produced from a silicon single crystal produced by the method, the wafer having BMD uniformly formed within the wafer plane and having a uniform gettering ability.例文帳に追加

炭素濃度が均一化され、ＢＭＤが均一に形成されたシリコン単結晶を製造することができるシリコン単結晶製造方法、およびその方法で製造したシリコン単結晶から製造されるウェーハ面内でＢＭＤが均一に形成され、均一なゲッタリング能力を有するリコン単結晶ウェーハを提供する。 - 特許庁

A resin film gettering capability evaluation method according to the present invention comprises: a process of forming the resin film on one surface of a silicon wafer; a process of heating a laminate of the resin film and the silicon wafer to a temperature of 200°C and over; and a process of determining a quantity of a heavy-metal element in a surface layer on the other surface side of the silicon wafer.例文帳に追加

本発明に係る樹脂膜のゲッタリング性能の評価方法は、 該樹脂膜をシリコンウエハの片面に形成する工程、 該樹脂膜とシリコンウエハとの積層体を２００℃以上に加熱する工程、および 該シリコンウエハの他面側の表面層における重金属元素量を定量する工程を含むことを特徴としている。 - 特許庁

The method includes subjecting a surface region of a semiconductor substrate to first multiple high energy particles generated using a linear accelerator and provided at a first implant angle to form a region of multiple gettering sites within a cleave region, the cleave region being provided beneath the surface region to define a material layer to be detached, and the semiconductor substrate being maintained at a first temperature.例文帳に追加

劈開領域内に複数のゲッタリングサイト領域を形成するために線形加速器を用いて生成され第１の注入角度で提供される第１の複数の高エネルギー粒子に半導体基板の表面領域をさらすことを含み、劈開領域は分離される材料の層を画定するよう表面領域の下に設けられ、半導体基板は第１の温度に維持される。 - 特許庁

In the piezoelectric device wherein a piezoelectric vibration chip 32 is housed inside a package 36 and a cover 39 hermetically seals the package 36, a configuration member 40 comprising a material such as a brazing member and a substrate used for sealing the package 36 with the cover 39 is characterized in to adopt a member 44 with a gettering effect such as Ti (titanium).例文帳に追加

パッケージ３６の内側に圧電振動片３２を収容して、蓋体３９により前記パッケージ３６を気密に封止するようにした圧電デバイスであって、前記蓋体３９で前記パッケージ３６を封止するための例えばロウ材や下地などでなる構成部材４０に、Ｔｉ（チタン）等のゲッタリング効果を有する部材４４が用いられていることを特徴とする圧電デバイス。 - 特許庁

A single crystal silicon wafer is manufactured by Czochralski method and treated by gettering treatment using oxygen precipitation in the silicon crystal wafer; where the single crystal silicon wafer contains the oxygen precipitation at a total volume of 8.8×10-8 cm3 or more per unit volume of an inner layer region except a denuded surface region of the wafer, after heat treatment.例文帳に追加

チョクラルスキー法より作製され、その酸素析出を利用したゲッタリング処理が施されたシリコン単結晶ウエハであって、前記シリコン単結晶ウエハが、熱処理を受けた後の状態において、該ウエハの無欠陥化表層部を除いた内層部の単位体積当たりに存在する酸素析出物の体積合計量が８．８×１０^-8cm^^3 以上であことを特徴とする。 - 特許庁

The method for removing the metal element comprises the steps of forming a barrier layer 105 on a first semiconductor film 104 having a crystal structure provided on a substrate and a second semiconductor film 106 including a rare gas element, passing the metal element included in the film 104 through the layer 105 by heat treating, and conducting gettering for moving the element to the film 106.例文帳に追加

本発明は基板上に設けられた結晶構造を有する第１の半導体膜１０４上にバリア層１０５と、希ガス元素を含む第２の半導体膜１０６とを形成し、第１の半導体膜１０４に含まれる金属元素を加熱処理によりバリア層１０５を通過させて前記第２の半導体膜１０６に移動させるゲッタリングを行う。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of forming an impurity region 18 in which a rare gas element (also called rare gas) is added by using a mask 17 for a semiconductor film having a crystal structure, gettering to segregate a metal element contained in the semiconductor film to the impurity region 18 by heat treating, and then forming a source region or a drain region of the impurity region 18.例文帳に追加

本発明は結晶構造を有する半導体膜へマスク１７を用いて希ガス元素（希ガスとも呼ばれる）を添加した不純物領域１８を形成し、半導体膜に含まれる金属元素を加熱処理により前記不純物領域１８に偏析させるゲッタリングを行った後、前記不純物領域１８をソース領域またはドレイン領域とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon wafer by which an oxygen concentration at the surface layer of the silicon wafer is reduced to make an oxygen deposit disappear from the surface layer in a wafer step and to prevent oxygen transformation into donors in a device step, a hole concentration inside the silicon wafer is increased to improve gettering performance inside the wafer, and polishing damage to the wafer is eliminated.例文帳に追加

シリコンウェーハの表層の酸素濃度を低減し、ウェーハ工程で表層の酸素析出物を消滅させるとともに、デバイス工程で酸素のドナー化を防止でき、また、シリコンウェーハの内部の空孔濃度を増加し、ウェーハ内部のゲッタリング能力を向上でき、更に、研磨時のダメージを除去できる、シリコンウェーハの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a heat treatment method, which can prevent occurrence of slip dislocation and sufficiently eliminate grown-in defects in the vicinity of the surface even when a CZ silicon monocrystal wafer having a diameter of 300 mm or larger is mainly subjected to a high heat treatment, and an annealed wafer having a DZ layer in the wafer surface layer and containing high-density oxygen precipitates capable of achieving a high gettering effect in a bulk.例文帳に追加

主に直径が３００ｍｍ以上のＣＺシリコン単結晶ウェーハに高温熱処理を行なってもスリップ転位の発生を抑制し、表面近傍のGrown-in欠陥を十分に消滅させることのできる熱処理方法を提供し、及びウェーハ表層部にＤＺ層を有し、かつバルク中に高いゲッタリング効果が得られる高密度の酸素析出物を有するアニールウェーハを提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing the substrate includes the stages of preparing a bonded substrate formed by bonding a 1st substrate 1 and a 2nd substrate 3 having insulators 2 at least on surfaces, forming a compound substrate 5' by forming a gettering layer 4 for capturing metal impurities on the surface of the bonded substrate 5, heat-treating the compound substrate 5', and removing the getternig layer 4 from the compound substrate 5'.例文帳に追加

基板の製造方法は、少なくとも表面に絶縁体２を有する第１の基板１に第２の基板３を結合した結合基板５を準備する工程と、結合基板５の表面に金属不純物を捕獲するためのゲッタリング層４を形成し複合基板５’を作製する工程と、複合基板５’を熱処理する工程と、複合基板５’からゲッタリング層４を除去する工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

Impurity regions 108 containing a rare gas element (called rare gas) are formed on a semiconductor film having a crystal structure, using a mask 106b, and the semiconductor film is patterned using the mask after gettering of segregating a metal element contained in the semiconductor film into the impurity regions 108 by heat treatment, whereby a semiconductor layer 109 comprising the semiconductor film having a crystal structure is formed.例文帳に追加

本発明は結晶構造を有する半導体膜へマスク１０６ｂを用いて希ガス元素（希ガスとも呼ばれる）を添加した不純物領域１０８を形成し、加熱処理により前記不純物領域１０８に半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタリングを行った後、前記マスクを用いてパターニングを行い、結晶構造を有する半導体膜からなる半導体層１０９を形成する。 - 特許庁

To provide a high-resistivity silicon wafer that has high resistance optimum for manufacturing a diode for high frequencies, secures defect density caused by the deposition of oxygen required for gettering, can effectively suppress the generation of oxygen donors in a device heat-treatment process, has sufficient mechanical strength, and dispenses with the formation of a recombination center in a high specific-resistance layer when manufacturing the diode for high frequencies.例文帳に追加

高周波用ダイオードの作製に最適な高抵抗なものであり、ゲッタリングに必要な酸素析出起因欠陥密度が確保され、デバイス熱処理工程での酸素ドナーの発生を効果的に抑制でき、十分な機械的強度を有し、高周波用ダイオードを作製する場合に高比抵抗層における再結合中心を形成する必要がない高抵抗率シリコンウェーハを提供する。 - 特許庁