「gettering」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The contamination gettering topcoat layer includes one or more polymers, one or more cation complexing agents, and a casting solvent.例文帳に追加

前記汚染ゲッタリング上塗り層は、１種または複数種のポリマーと、１種または複数種のカチオン錯化剤と、キャスティング溶媒とを含む。 - 特許庁

The semiconductor substrate comprises a region 32, which comprises voids functioning as a gettering site at a density of 108 pieces/cm3 or more.例文帳に追加

ゲッタリングサイトとして機能する空洞が１０^8 個／ｃｍ^3 以上の密度で含まれる領域３２を半導体基板内に有する。 - 特許庁

A silicon wafer 1' is subjected to a step for doping nitrogen, an extrinsic gettering (EG) step, and a step for forming a polysilicon wafer 3, for example.例文帳に追加

窒素をドーピングする処理と、エクストリンシックゲッタリング（ＥＧ）処理、たとえばポリシリコン層３を形成する処理を、シリコンウェーハ１′に施す。 - 特許庁

To improve the gettering capability of an epitaxial silicon wafer and to provide an epitaxial silicon wafer in which shortening of the carrier diffusion length is suppressed.例文帳に追加

エピタキシャルウエーハのゲッタリング能力を向上させ、ウエーハ中のキャリアの拡散長の低下が抑制されたエピタキシャルウエーハを提供する。 - 特許庁

A film for forming a protective film of the present invention contains an energy beam polymerizable compound (A) and a gettering agent (B).例文帳に追加

本発明に係る保護膜形成用フィルムは、エネルギー線重合性化合物（Ａ）およびゲッタリング剤（Ｂ）を含有することを特徴とする。 - 特許庁

According to the present invention, the semiconductor device that can suppress current collapse by gettering oxygen can be provided.例文帳に追加

本発明によれば、酸素をゲッタリングすることで、電流コラプスを抑制することが可能な半導体装置を提供することができる。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR WATER HAVING CAVITATION GUTTERING SITE ON THE REAR, MANUFACTURE THEREOF, AND GETTERING METHOD THEREWITH例文帳に追加

裏面にキャビテーションゲッタリングサイトを有する半導体ウエーハと、当該半導体ウエーハの製造方法と、当該半導体ウエーハによるゲッタリング方法。 - 特許庁

To realize the part which assumes the role of a gettering site in a semiconductor device formed using a substrate having an insulating surface.例文帳に追加

絶縁表面を有する基板を用いて形成される半導体装置において、ゲッタリングサイトの役割を担う部分を実現する。 - 特許庁

A method for forming a gettering site comprises; a step for forming the semiconductor film having an amorphous structure such as, typically, an amorphous silicon film; a step for adding compound ions such as, typically, a fluorine compound, carbon compound, nitrogen compound or oxygen compound; and a step for performing heat treatment for gettering.例文帳に追加

ゲッタリングサイトを形成する工程として、非晶質構造を有する半導体膜、代表的にはアモルファスシリコン膜を形成した後、化合物イオン、代表的にはフッ素化合物、炭素化合物、窒素化合物、または酸素化合物を添加した後、加熱処理してゲッタリングを行うものである。 - 特許庁

A gettering layer 102a is formed in a collector layer 102 for constituting the semiconductor substrate 101, a semiconductor device is formed on the semiconductor substrate 101, and the gettering layer 102a and the semiconductor substrate 101 with the semiconductor device formed thereon are heat-treated for a long time at a low temperature.例文帳に追加

半導体基板１０１を構成するコレクタ層１０２にゲッタリング層１０２ａを形成するとともに、半導体基板１０１に半導体素子を形成し、ゲッタリング層１０２ａと半導体素子の形成された半導体基板１０１を、低温で長時間熱処理する。 - 特許庁

A catalyst element is doped into an amorphous semiconductor film to perform a first heating treatment and after a crystalline semiconductor film is formed, an impurity element having a gettering action is doped into the crystalline semiconductor film and after that, hydrogen is further doped into the crystalline semiconductor film to form a gettering region.例文帳に追加

非晶質半導体膜に触媒元素を添加して、第１加熱処理を行い、結晶質半導体膜を形成した後、前記結晶質半導体膜にゲッタリング作用を有する不純物元素を添加した後、さらに水素を添加してゲッタリング領域を形成する。 - 特許庁

A gettering layer 3 made of silicon with either of combinations of oxygen, oxygen and carbon, oxygen and nitrogen, oxygen, carbon and nitrogen is formed right above the BOX layer 2, and an S layer 4 made of single crystal silicon is formed right above the gettering layer 3 to form semiconductor elements thereon.例文帳に追加

ＢＯＸ層２の直上に、酸素、酸素と炭素、酸素と窒素、酸素と炭素と窒素のいずれかの組み合わせを含むシリコンからなるゲッタリング層３が形成され、ゲッタリング層３の直上に、半導体素子を形成するための単結晶シリコンからなるＳ層４が形成されている。 - 特許庁

A region 14a in a CGS film 14, subjected to gettering with phosphorus element, is defined by an opening pattern 16a of a photoresist 16 and a region 14b in the CGS film 14 subjected to silicon etching is defined by an opening 15a of a gettering mask film 15.例文帳に追加

ＣＧＳ膜１４中のリン元素がゲッタリングされるゲッタリング領域１４ａは、フォトレジスト１６の開口部１６ａのパターンにより規定され、ＣＧＳ膜１４中のシリコンエッチングを行うエッチング領域１４ｂは、ゲッタリングマスク膜１５の開口部１５ａにより規定される。 - 特許庁

By extending an element separation region 4 along the gate electrode 2, occurrence of failure is prevented at a gate insulating film by the gettering effect.例文帳に追加

また、ゲート電極２に沿って素子分離領域４を延在させることで、ゲッタリング効果によりゲート絶縁膜における欠陥の発生を防ぐ。 - 特許庁

To provide a silicon wafer evaluation method for properly grasping a gettering capability of BSD made on a silicon wafer and an epitaxial wafer.例文帳に追加

シリコンウェーハ及びエピウェーハに施されたＢＳＤのゲッタリング能力を正しく把握することのできるシリコンウェーハの評価方法を提供する。 - 特許庁

Techniques such as thermal spraying, angle-forming physical deposition, and maskless electrophoretic/dielectrophoretic deposition can be utilized for depositing the gettering material.例文帳に追加

溶射、角を形成する物理析出、マスクレス電気泳動析出／誘電泳動析出のような技術が、ゲッタ物質を析出するために使用される。 - 特許庁

After the wiring layer 36 is formed, a supporting substrate 40 is formed on the wiring layer 36, and the substrate 20 is removed including the gettering layer 21.例文帳に追加

配線層３６を形成した後、配線層３６上に支持基板４０を形成し、ゲッタリング層２１を含めて基板２０を除去する。 - 特許庁

For example, after forming dummy electrodes 16 by filling gate trenches 12 with polysilicon, a high temperature heat treatment such as gettering is conducted.例文帳に追加

たとえば、ゲートトレンチ１２内にポリシリコンを埋め込んでダミー電極１６を形成した後、ゲッター処理などの高温熱処理工程を実施する。 - 特許庁

Thereby, the crystal defects can be formed in the substrate of SOI ones at the side where the devices are formed, and the sufficient gettering effect can be obtained.例文帳に追加

このため、ＳＯＩ基板のうちデバイスが形成される側の基板に結晶欠陥を形成でき、十分なゲッタリング効果を得ることができる。 - 特許庁

A gettering sink 4 is formed by a multiphoton absorption step, and thereafter a silicon wafer 2 is subjected to mirror-surface polishing (a polishing step as shown in Fig.4(b)).例文帳に追加

多光子吸収工程によってゲッタリングシンク４を形成した後で、シリコンウェーハ２を鏡面研磨する（ポリッシング工程：図４（ｂ）参照）。 - 特許庁

To obtain a sufficient gettering effect in the surface of a substrate in which devices are formed in a plurality of substrates by treating the surface so as to form crystal defects therein.例文帳に追加

基板のうちデバイスが形成される側の表面に結晶欠陥形成されるようにし、十分なゲッタリング効果が得られるようにすること。 - 特許庁

Thus, gettering is easily applied to a metal impurity, the defect of the epitaxial substrate can easily be cured, and the annealing step can be achieved in a short time.例文帳に追加

これにより、金属不純物を容易にゲッタリングでき、エピタキシャル半導体基板の欠陥が容易に治癒でき、アニーリング工程を短時間に遂行できる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon wafer, for suppressing the variation in density of vacancy inside a wafer and improving gettering performance.例文帳に追加

ウェーハ内部における空孔濃度のバラつきを抑制し、イントリンシック・ゲッタリング能力を高めることが可能なシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The gettering layer 7 is in contact with a surface 6U of the second electrode 6 which is opposed to the first electrode 2 and can adsorb oxygen and water.例文帳に追加

ゲッター層７は第二の電極６の第一の電極２とは反対側の表面６Ｕに接して、酸素及び水を吸着しうる層にする。 - 特許庁

A gettering site 30 is formed on at least the first surface 1a side of the semiconductor substrate 1 at a portion located around the through-hole 20.例文帳に追加

貫通孔２０の周辺に位置する部分の半導体基板１における少なくとも第１の面１ａ側にゲッタリングサイト３０が形成されている。 - 特許庁

To provide a laminating SOI substrate, capable of treating a metal dopant of SOI layer in gettering at heat treatment time in device process, and its manufacturing method.例文帳に追加

デバイス工程での熱処理時に、ＳＯＩ層の金属不純物をゲッタリング可能な貼合わせＳＯＩ基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Preferably, the silicon layer 3 includes a main region that becomes an active element region, and the gettering region is included in a part other than the main region within the silicon layer 3.例文帳に追加

好ましくは、シリコン層３は、能動素子領域となる主領域を含み、ゲッタリング領域は、シリコン層３のうち、主領域以外の部分に含まれる。 - 特許庁

The grinding and polishing can form the affected layer remaining on the back face of the silicon wafer into the gettering sink layer having a good deflective strength.例文帳に追加

以上の研削及び研磨により、シリコンウェーハ裏面に残存している加工変質層が、良好な抗折強度をもつゲッタリングシンク層として形成させる。 - 特許庁

To provide a silicon wafer which eliminates crystal defects in a wafer surface layer and further improves gettering performance, and to provide a method for manufacturing the silicon wafer.例文帳に追加

ウェーハの表層部には結晶欠陥が存在せず、しかもゲッタリング能力をより向上させたシリコンウェーハ、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor substrate dedicated to a semiconductor device, for easily forming a gettering site for capturing heavy metal in a short time.例文帳に追加

重金属を捕捉するゲッタリングサイトを短時間で容易に形成することが可能な半導体デバイス向け半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

At least one gettering region 165, 165' is formed in at least one of the first insulating layer 150 and a second semiconductor layer 150'.例文帳に追加

第１層間絶縁層１５０及び第２層間半導体層１５０´のうち少なくとも一つに少なくとも一つのゲッタリング領域１６５，１６５´が形成される。 - 特許庁

After that, it is heated at 500-850°C, thus allowing the crystallization acceleration element remaining at a region 15b to be subjected to gettering to be sucked by the 15-family element doped region 15a.例文帳に追加

次に５００〜８５０℃で加熱して、被ゲッタリング領域１５ｂに残存した結晶化促進元素を１５族元素添加領域１５ａに吸い取らせる。 - 特許庁

The gettering site comprising the fluorine compound, carbon compound, nitrogen compound or oxygen compound may be formed in the film forming step of a plasma CVD method.例文帳に追加

また、プラズマＣＶＤ法を用い、成膜段階でフッ素化合物、炭素化合物、窒素化合物、または酸素化合物を含むゲッタリングサイトを形成してもよい。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor epitaxial wafer of high quality which is curved small and has a polysilicon film with gettering capability at low cost with high productivity.例文帳に追加

ウエーハの反りが小さく、ゲッタリング能力の高いポリシリコン膜を有する高品質な半導体エピタキシャルウエーハを安価に高生産性で製造する。 - 特許庁

An interface layer 16 is added to a light emitting diode or a laser diode structure so as to act as distortion treatment and impurity gettering.例文帳に追加

本発明の一実施例によれば、ひずみ処理および不純物ゲッタリングの役目を果たすよう、界面層が発光ダイオードまたはレーザ・ダイオード構造に加えられる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element including a formation of a gettering layer for capturing and fixing an impurity element of an SiC semiconductor substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体基板の不純物元素を捕捉・固定するためのゲッタリング層の形成を含む半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The shortest distance between an end of the transistor-manufacturing region and an end of the gettering material adding region is set to be within the range of 1-50 μm.例文帳に追加

トランジスタ作製領域の端と、ゲッタリング物質添加領域の端との間の最短距離は、１μｍ以上５０μｍ以下の範囲内に設定する。 - 特許庁

A heavy metal which may be introduced in the device post-process by a contamination protection layer 11x formed by the ion implantation is subjected to gettering.例文帳に追加

イオン注入によって形成される汚染保護層１１ｘによってデバイス後工程で導入されうる重金属をゲッタリングすることができる。 - 特許庁

To reduce crystal defects in an SOI region and to facilitate mounting of a power device by gettering impurities even in a region surrounded by an insulating film.例文帳に追加

絶縁膜に囲まれた領域でも不純物をゲッタリングし、ＳＯＩ領域の結晶欠陥を少なくし、また、パワーデバイスの搭載を容易にする。 - 特許庁

A gettering layer 31 is formed in the main surface of a silicon substrate 21 and thereafter, a silicon dioxide layer 22 is formed on the whole surface of the substrate 21.例文帳に追加

シリコン基板２１の主面にゲッタリング層３１を形成した後、そのシリコン基板２１の表面全体に二酸化シリコン層２２を形成する。 - 特許庁

To provide an evaluation method of silicon substrate, for more accurately detecting the gettering capability than the existing capability, and to provide a manufacturing method of semiconductor device.例文帳に追加

従来よりもゲッタリング能力を正確に把握することができるシリコン基板の評価方法、及び半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the second or subsequent heating process, the catalyst material is gettered under a temperature condition suitable for gettering, which is higher than the crystallization process temperature.例文帳に追加

また、２回目以降の加熱工程では、結晶化処理温度よりも高い、ゲッタリングに適した温度条件によって、触媒物質をゲッタリングする。 - 特許庁

The porous silicon layer 4 is located above the oxide film 2, so that the silicon layer 4 is not prevented by the oxide film 2 from gettering impurities from the silicon layer 1.例文帳に追加

多孔質シリコン層４は、酸化膜２の上方にあるため、シリコン層１からの不純物のゲッタリングが酸化膜２によって妨げられる事はない。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an SIMOX substrate for sufficiently performing gettering in each heat treatment of ion implantation, high- temperature annealing, and device formation.例文帳に追加

イオン注入、高温アニールおよびデバイス形成の各熱処理時に、金属不純物を十分にゲッタリングするＳＩＭＯＸ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, a silicon wafer having enhanced quality in the region of the wafer surface layer and exhibiting the gettering function which is equivalent to or better than before in the vicinity of the wafer surface layer is obtained.例文帳に追加

これにより、ウェーハ表層領域の品質を高め、かつ従来と同等のウェーハ表層近傍のゲッタリング機能とを備えたシリコンウェーハが得られた。 - 特許庁