「haze level」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a polishing composition that can improve polishing speed of a silicon wafer and enhance COP and haze level.例文帳に追加

シリコンウエハに対する研磨速度を向上させるとともにＣＯＰ及びヘイズレベルを改善することができる研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method of polishing semiconductor crystal wafer by which a semiconductor wafer having a low haze level can be obtained stably, and to provide a semiconductor crystal wafer.例文帳に追加

ヘイズレベルの低いウェハを安定に得るための半導体結晶ウェハの研磨方法及び半導体結晶ウェハを提供する。 - 特許庁

To provide a method of polishing a semiconductor crystal wafer for stably obtaining a wafer having a low haze level, as well as a wafer obtained by the method.例文帳に追加

ヘイズレベルの低いウェハを安定に得るための半導体結晶ウェハの研磨方法及びその方法で得られるウェハを提供する。 - 特許庁

To provide a grinder composition capable of remarkably reducing a haze level on the surface of a semiconductor wafer, and a grinding method using the composition.例文帳に追加

半導体ウエハ表面のヘイズレベルを顕著に低減することができる研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法を提供する。 - 特許庁

Just after the completion of polishing, a semiconductor crystal wafer is rinsed with ultrapure water at a water temperature of 15°C or lower, to obtain a semiconductor crystal wafer having a low haze level.例文帳に追加

研磨終了直後に、水温１５℃以下の超純水で洗浄することにより、ヘイズレベルの低い半導体結晶ウェハが得られる。 - 特許庁

A haze region is formed at least in a part of the main surface of the semiconductor wafer, and when the defect measurement is carried out in the haze region, the threshold value Vref2 of the scattered light intensity for distinguishing the crystal defect measurement point is set higher than the average scattered light intensity level of the entire haze region.例文帳に追加

半導体ウェーハは、主表面の少なくとも一部にヘイズ領域が形成されているものであり、該ヘイズ領域における欠陥測定を行なう際に、結晶欠陥測定点を識別するための散乱光強度の閾値Ｖref２を、ヘイズ領域全体の平均的な散乱光強度レベルよりも高く設定する。 - 特許庁

To provide a cleaning solution for silicon wafer that can suppress a fall in a Haze level, and a cleaning method using the same.例文帳に追加

Ｈａｚｅレベルの悪化を抑制することができるシリコンウェーハの洗浄溶液、およびそれを使用したシリコンウェーハの洗浄方法を提供する。 - 特許庁

It is used to polish the surface of a silicon wafer mechanically by its component (B) and chemically by its component (C), and to improve haze level by its component (D).例文帳に追加

研磨用組成物は、シリコンウエハ表面を成分（Ｂ）により機械的に研磨し成分（Ｃ）により化学的に研磨するとともに、成分（Ｄ）によりヘイズレベルを改善する。 - 特許庁

Thus, by cleaning the semiconductor crystal wafer with an acidic solution whose pH ranges from 3 to 5 immediately after the completion of the polishing, a semiconductor crystal wafer having a low haze level can be obtained.例文帳に追加

このため研磨終了直後にｐＨ３〜５の酸水溶液で半導体結晶ウェハを洗浄することにより、ヘイズレベルの低い半導体結晶ウェハが得られる。 - 特許庁

When setting the concentration of the ammonium salt to 0.01 to 4 mass% and the concentration of the hydrogen peroxide to 0.1 to 8 mass%, the cleaning effect is obtained and the fall in the Haze level is suppressed.例文帳に追加

アンモニウム塩の濃度を０．０１〜４質量％、過酸化水素の濃度を０．１〜８質量％とすれば、洗浄効果が得られるとともに、Ｈａｚｅレベルの悪化が抑制される。 - 特許庁

The Haze level is low, so that the method can handle high integration of a semiconductor device, and also the low edge roll-off can enhance the range of manufacturing capability of a device, thereby the yield can be maintained high in the device manufacture.例文帳に追加

ヘイズレベルが低いので、半導体デバイスの高集積化に対応することができ、また、エッジロールオフが低いのでデバイスの製造可能領域が広く、デバイス製造における高歩留りを維持できる。 - 特許庁

To provide a grinding composition and a silicon wafer grinding method employing the same which improves a haze level much more, as well as a rinsing composition and a silicon wafer rinsing method employing the same.例文帳に追加

ヘイズレベルをさらに改善することができる研磨用組成物及びそれを用いたシリコンウエハの研磨方法、並びにリンス用組成物及びそれを用いたシリコンウエハのリンス方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a cellulose acylate film which is free from a foaming phenomenon on a casting belt or drum and shows good haze and high durability to tear with the minimum level of the foreign substance content and stain, a cellulose acylate film obtained by this method and a polarizing plate.例文帳に追加

流延用バンドまたはドラム上の発泡現象がなく、ヘイズが良好で、かつ異物・汚れが少ない、引き裂きに強い耐久性に優れたセルロースアシレートフィルムの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a cellulose acylate film, of which the retardation each in the in-plane direction and in the thickness direction is within a specific range, which is excellent in the wet heat durability of the retardation in the in-plane direction and in the thickness direction thereof and of which the haze level is sufficiently low.例文帳に追加

面内方向および膜厚方向のレターデーションが特定の範囲であり、面内方向および膜厚方向のレターデーションの湿熱耐久性に優れ、十分ヘイズが小さいセルロースアシレートフィルムの提供。 - 特許庁

In this case, the grinding composition is constituted so as to be used in a grinding process for the purpose of improving the haze level of surface of the silicon wafer when the grinding is applied on the surface of the silicon wafer by dividing it into a plurality of stages.例文帳に追加

そして、研磨用組成物は、シリコンウエハ表面に複数段階に分けて研磨を施すときに、シリコンウエハ表面のヘイズレベルを改善する目的で行われる研磨工程に用いられるように構成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a silicon epitaxial wafer with fewer surface defects, excellent layer thickness uniformity of a silicon single-crystal epitaxial layer, and excellent haze level even at a small inclination angle from {110} plane.例文帳に追加

｛１１０｝面からの傾斜角度が小さくてもヘイズレベルが良好で、かつシリコン単結晶エピタキシャル層の層厚均一性も良好であり、更に表面欠陥の少ないシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon epitaxial layer where the haze of an epitaxial layer and the defect level of LPD, etc., are reduced and also oxygen precipitation is controlled under the condition that it be put into a temperature-lowered and time-shortened device process, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

低温・短時間化されたデバイスプロセスに投入する前の状態で、エピ層のヘイズ、ＬＰＤ等の欠陥レベルが低減され、かつ酸素析出が制御されたシリコンエピタキシャルウエーハならびにその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon epitaxial wafer which has a low haze level, excellent flatness (edge roll-off), and an epitaxial growth rate with reduced orientation direction dependency, thereby meeting the need for high integration for semiconductor devices, and to provide a method of producing the same.例文帳に追加

ヘイズレベルが低く、平坦度（エッジロールオフ）に優れ、また、さらには、エピタキシャル成長速度の方位依存性が低減された、半導体デバイスの高集積化に対応できるシリコンエピタキシャルウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon epitaxial wafer and a production method therefor, with which the defect level of haze or LPD of an expitaxial layer is reduced and oxygen deposition is controlled in a state before putting into the device process of low temperature and short time.例文帳に追加

低温・短時間化されたデバイスプロセスに投入する前の状態で、エピ層のヘイズ、ＬＰＤ等の欠陥レベルが低減され、かつ酸素析出が制御されたシリコンエピタキシャルウエーハならびにその製造方法を提供する。 - 特許庁

A silicon epitaxial layer having a haze level of 0.18 ppm or less is formed by vapor phase growth on the main surface of a silicon single crystalline substrate having an off-angle inclined by an angle not smaller than 0.5° and not larger than 3° in a <100> axial direction nearest from a {110} face.例文帳に追加

｛１１０｝面から最近接の＜１００＞軸方向へ０．５°以上３°以下傾斜させたオフアングルを有するシリコン単結晶基板の主表面上に、ヘイズレベルが０．１８ｐｐｍ以下のシリコンエピタキシャル層を気相成長させる。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer that has small surface roughness and low haze level of a surface of an epitaxial film, thereby enabling detection of LPDs of smaller sizes, to provide an epitaxial wafer wherein formation of pit-like defects is reduced, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

表面ラフネスが小さく、エピタキシャル膜の表面上のヘイズレベルが小さく、より微小サイズのＬＰＤについても検出可能であるエピタキシャルウェーハを提供することができ、さらに、ピット状欠陥の発生が低減されたエピタキシャルウェーハを提供を提供することにある。 - 特許庁

Preferably, the transparent or translucent surface resin layer and the transparent or translucent resin layer containing the spherical bodies have a haze level of 1-8% and a light transmittance of ≥70% in a wavelength of 400-800 nm, and the spherical body is a glass bead with a maximum particle size of 5-1,000 μm.例文帳に追加

透明または半透明表面樹脂層および、球状体を含有した透明または半透明樹脂層のヘイズ度が、１〜８％の範囲で、かつ光透過率が波長４００〜８００ｎｍの範囲で７０％、球状体の最大粒径が５〜１０００μｍのガラスビーズであることが好ましい。 - 特許庁

Based on this, it is believed that the lake was formed through a process whereby the southward flow stopped due to topographic subsidence, causing the water level of the lake to fall when flow channels to the Japan Sea were created due to further changes, resulting in the lake disappearing; the flow channels then turned into the present-day Yura-gawa River, the Haze-gawa River and the Maki-gawa River running in the city. 例文帳に追加

これらから、地形の沈降により南下の流れが止まったことで盆地一帯は湖沼を形成、さらなる変化により日本海側への流路ができると湖沼の水位は下がりやがて消滅、現在の市内を流れる由良川、土師川、牧川などに変化していった、という経緯が考えられている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス