「horizontal propagation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The upper region of the second compound semiconductor layer 32 epitaxially grown in horizontal directions can be a region where propagation of the through dislocations possessed by the first compound semiconductor layer 31 is suppressed.例文帳に追加

このとき第２のIII族窒化物系化合物半導体３２が横方向エピタキシャル成長した部分の上部は、第１のIII族窒化物系化合物半導体層３１が有する貫通転位の伝搬が抑制された領域とすることができる。 - 特許庁

Then, when the transmission efficiency TE_i, k is displayed on a graph using subcarrier numbers as a horizontal axis, in the case there is the problem on the propagation path, a low value is displayed.例文帳に追加

そして、サブキャリア番号を横軸とするグラフに伝達効率ＴＥ_ｉ，ｋを表示すれば、伝搬路に問題がある場合、低い値が示される。 - 特許庁

By epitaxially growing a GaN layer 32 in vertical and horizontal directions by utilizing the top parts T, which are exposed from the mask 4, of the GaN layer 31 for the nuclei, propagation of through dislocations from the GaN layer 31 is remarkably suppressed.例文帳に追加

マスク４から露出したGaN層３１の頂上部Ｔを核として、GaN層３２を縦及び横方向エピタキシャル成長させれば、GaN層３１からの貫通転位の伝播が著しく抑えられる。 - 特許庁

To provide an antenna which is capable of excellently communicating with the outside of a vehicle by suppressing a radio wave from being attenuated by shielding a direct wave propagation path, and by being non-directional on a horizontal plane.例文帳に追加

直接波の伝搬路が遮蔽されて電波が減衰することを抑制すると同時に、水平面無指向の指向性とすることにより、車両外との通信を良好に行うことができるアンテナを提供する。 - 特許庁

According to waveform data indicating frequency variations in the laser beams L3 detected by interferometers 50a and 50b, a computer 70 computes a propagation time of each ultrasonic wave generated in each progress direction, and computes a horizontal distance between the generation position and detection position of each ultrasonic wave.例文帳に追加

コンピュータ７０は干渉計５０ａ，５０ｂで検出されたレーザビームＬ３の周波数変化を表す波形データに基づき各進行方向に発生した各超音波の伝播時間を求めると共に、各超音波について発生位置・検出位置の間の水平距離を求める。 - 特許庁

With respect to the terahertz wave corresponding to a pixel of the object in the horizontal direction, the modulation unit spatially modulates propagation distances to the detection unit for each pixel with multiple kinds of modulation patterns sequentially, to emit a plurality of terahertz waves 110 and 111.例文帳に追加

変調部は、水平方向の物体の画素に対応するテラヘルツ波に関し、検出部に至るまでの画素毎の伝搬距離を複数種の変調パターンで逐次空間変調し、複数のテラヘルツ波１１０、１１１を出射する。 - 特許庁

One embodiment of this surface acoustic wave go-around element is a part of a spherical shape and has at least one annular surface acoustic wave propagation route 12a allowing a surface acoustic wave to go around therealong and rising from a horizontal plane HL on the surface of a base material 12.例文帳に追加

この発明の１つの弾性表面波周回素子は：球形状の一部であり弾性表面波が周回可能な少なくとも１つの環状弾性表面波伝搬経路１２ａが基材１２の表面で水平面ＨＬから立ち上がっている。 - 特許庁

Thus, acoustic waves in a horizontal mode emitted from a certain point on the end faces of the approximate saw-tooth shape are propagated in irregular directions, directions of the acoustic waves to be reflected also become irregular since the end face of the opposite side is also in the approximate saw-tooth shape and propagation paths having resonation paths with the same length hardly exist.例文帳に追加

これにより、略鋸歯形状の端面のある一点から出た横モードの音波は不規則な方向に伝搬され、対向する辺の端面も略鋸歯形状であるために反射される音波の方向も不規則になり、同じ長さの共振経路を有する伝搬経路はほとんど存在しない。 - 特許庁

After the sonic speed of each ultrasonic wave in each layer of the object 2 divided in a thickness direction is computed according to the propagation time and the horizontal distance, according to the longitudinal wave sonic speed in each layer, an internal temperature of each layer is obtained, and according to the sonic speed of each ultrasonic wave and the internal temperature, a residual stress in each layer is computed.例文帳に追加

伝播時間と水平距離とに基づき厚さ方向に沿って区分された対象物２の各層での各超音波の音速を算出した後、各層の縦波音速に基づき各層の内部温度を求め、各超音波の音速と内部温度とに基づき各層の残留応力を算出する。 - 特許庁

A phase calculating section 202 calculates the phase of an antenna element from a parameter such as a reference phase outputted from a propagation model generating device 100, a horizontal direction arriving angle and a vertical direction arriving angle, and the spatial position of the antenna element stored in a phase information storage section 201.例文帳に追加

位相算出部２０２は、伝搬モデル生成装置１００から出力された基準位相、水平方向到来角度、垂直方向到来角度の各パラメータと位相情報記憶部２０１に記憶されたアンテナ素子の空間位置から各アンテナ素子の位相を算出する。 - 特許庁

A light reflected back from the object is vertically reflected by the reflector 16 and received by the distance meter 11, and an arithmetic and control unit 13 computes the horizontal distance from the object, based on the propagation time of the light beam.例文帳に追加

そして被測定対象物に反射して戻ってくる水平方向の反射光を反射体16によって垂直方向に反射させて水平距離計11に受光させ、演算制御装置13によって光波の伝播時間から被測定対象物までの水平距離を算出させる。 - 特許庁

A horizontal plane direction estimate section 14 estimates a direction of mobile stations on the basis of the correlation matrix obtained by the correlation matrix summation section 133, and a space angle spread estimate section 15 estimates a space angle spread of a propagation path corresponding to each mobile station.例文帳に追加

受信相関行列演算部１３で求めた相関行列に基づいて、水平面方向推定部１４では移動局の方向を推定し、空間角度広がり推定部１５では各移動局に対応する伝搬路の空間角度広がりを推定する。 - 特許庁

The sample having a substrate surface vertical to a striated surface is prepared, and a bulk wave sonic speed [longitudinal wave sonic speed, horizontal wave sonic speed (a polarized wave direction is parallel to the striated surface)] in the propagation direction, which is parallel to the striated surface with respect to the sample, and density are measured to determine a sound related physical constant to form the standard sample.例文帳に追加

脈理面に対して垂直な基板面を有する試料を準備し、この試料に対して脈理面に平行な伝搬方向のバルク波音速（縦波音速、横波音速(偏波方向は脈理面に平行)）および、密度を測定することで、音響関連物理定数を決定して標準試料とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing crosstalk relating to the propagation in a horizontal direction of noise whose generation source is an element formed at a prescribed part of a semiconductor substrate, preventing the decline of a Q value of a Q factor, reducing signal loss and being suitable for forming an LSI integrated circuit even by a substrate with bad crystallinity such as a silicon substrate, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

半導体基板の所定の部分に形成された素子を発生源とするノイズの横方向への伝搬に係るクロストークの発生を抑制でき、ＱファクターのＱ値の低下を防止して信号損失を小さくでき、シリコン基板のような結晶性の良くない基板でもＬＳＩ集積回路を形成するのに好適な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁