「impurity diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

DIFFUSING AGENT COMPOSITION, METHOD FOR FORMING IMPURITY DIFFUSION LAYER, AND SOLAR CELL例文帳に追加

拡散剤組成物、不純物拡散層の形成方法、および太陽電池 - 特許庁

After the impurity diffusion layer is formed, the second silicon oxide film is removed.例文帳に追加

不純物拡散層を形成した後、第２シリコン酸化膜を除去する。 - 特許庁

An impurity diffusion layer 122 is formed in the substrate 120.例文帳に追加

半導体基板１２０において、不純物拡散層１２２が設けられている。 - 特許庁

The second impurity diffusion region 5 reaches the surface of the underlying substrate.例文帳に追加

第２の不純物拡散領域５は、下地基板の表面まで達する。 - 特許庁

To provide an impurity diffusion method in which an impurity peak concentration is high or a control of a diffusion profile is easy, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

不純物ピーク濃度が高くまたは拡散プロファイルの制御が容易な不純物拡散方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Impurity diffusion layers 104, 124 are formed on a first body region 100, and a second body region 106 is formed on the first impurity diffusion layer 104.例文帳に追加

第１ボディ領域１００上に不純物拡散層１０４，１２４を、第１不純物拡散層１０４上に第２ボディ領域１０６を形成する。 - 特許庁

A high-concentration P-type impurity diffusion layer 3 is formed over the whole surface by the diffusion of the P-type impurity in the bottom face of the N^- type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｎ^-型シリコン基板１の底面内には、Ｐ型不純物の拡散によって、高濃度のＰ型不純物拡散層３が全面的に形成されている。 - 特許庁

A p^+-type impurity diffusion region 12, an n^+-type impurity diffusion region 14 and a p^+-type impurity diffusion region 16 connected to the source electrode V_dd are shared in field PMOS1 and field PMOS2.例文帳に追加

このソース電極Ｖ_ｄｄに接続されたＰ^＋型不純物拡散領域１２、Ｎ^＋型不純物拡散領域１４およびＰ^＋型不純物拡散領域１６が、フィールドＰＭＯＳ１とフィールドＰＭＯＳ２とで共用されている。 - 特許庁

A semiconductor device has impurity diffusion regions formed on a substrate 11, the impurity diffusion mask 12 which is provided with cutouts and formed on the substrate 11, and electrodes formed on the impurity diffusion regions.例文帳に追加

基板１１に形成された複数の不純物拡散領域と、前記基板１１上に形成され、部分的に欠けた形状を有する不純物拡散用マスク１２と、前記不純物拡散領域上に形成された電極とを有する。 - 特許庁

This semiconductor device for protection against static electricity contains a P type well 11 containing a P type impurity diffusion layer 90, and an N type impurity diffusion layer 20, and an N type well 13 which is formed in the P type well 11, and contains a P type impurity diffusion layer 30 and an N type impurity diffusion layer 40.例文帳に追加

本発明の静電気保護用半導体装置は、Ｐ型不純物拡散層９０およびＮ型不純物拡散層２０を含むＰ型ウエル１１と、Ｐ型ウエル１１に形成され、Ｐ型不純物拡散層３０およびＮ型不純物拡散層４０を含むＮ型ウエル１３とを含む。 - 特許庁

To form three or more different impurity diffusion regions on an identical substrate.例文帳に追加

３以上の異なる不純物拡散領域を同一基板上に形成する。 - 特許庁

On the semiconductor substrate 120, there is an impurity diffusion layer 122.例文帳に追加

半導体基板１２０において、不純物拡散層１２２が設けられている。 - 特許庁

IMPURITY DIFFUSION METHOD, MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS例文帳に追加

不純物拡散方法、電子デバイスの製造方法、電子デバイス、および電子機器 - 特許庁

The impurity diffusion region has a metal silicide film 46 on the major surface side.例文帳に追加

不純物拡散領域は、主表面側に金属シリサイド膜46を有している。 - 特許庁

To facilitate impurity diffusion or doping into diamond and to increase a doping effect.例文帳に追加

ダイヤモンドへの不純物拡散あるいはドーピングを容易し、ドーピング効果を高める。 - 特許庁

The method for forming an impurity diffusion layer includes a pattern formation step, whereby a pattern is formed by printing the diffusion agent composition onto a semiconductor substrate, and a diffusion step, whereby the impurity diffusion component (A) in the diffusion agent composition is diffused onto the semiconductor substrate.例文帳に追加

また、不純物拡散層の形成方法は、半導体基板に、上述の拡散剤組成物を印刷してパターンを形成するパターン形成工程と、拡散剤組成物の不純物拡散成分（Ａ）を半導体基板に拡散させる拡散工程と、を含む。 - 特許庁

The drain diffusion layer 8 comprises an N-type lightly doped impurity diffusion layer 8a formed on the buried oxide film 2 and an N-type deeply doped impurity diffusion layer 8b formed thereon.例文帳に追加

ドレイン拡散層８は、埋込酸化膜２上に形成されたＮ型低濃度不純物拡散層８ａと、その上に形成されたＮ型高濃度不純物拡散層８ｂとから構成されている。 - 特許庁

Furthermore, in the top layer of the semiconductor substrate 2, an N-type second impurity diffusion area 4 is formed while being spaced apart from the first impurity diffusion area 3 at one side of a predetermined direction with respect to the first impurity diffusion area 3.例文帳に追加

また、半導体基板２の表層部には、第１不純物拡散領域３に対して所定方向の一方側に、第１不純物拡散領域３と間隔を空けて、Ｎ型の第２不純物拡散領域４が形成されている。 - 特許庁

Indium ions and arsenic ions which are implanted are activated, by which an extension high-concentration impurity diffusion layer 105 possessed of a shallow junction, a pocket impurity diffusion layer 106, and a high- concentration impurity diffusion layer 104 possessed of a deep junction are formed.例文帳に追加

注入されたインジウムイオン及びヒ素イオンを活性化することにより、浅い接合を持つエクステンション高濃度不純物拡散層１０５、ポケット不純物拡散層１０６及び深い接合を持つ高濃度不純物拡散層１０４を形成する。 - 特許庁

A p-type impurity diffusion region 12 of high concentration which becomes an anode and an n-type impurity diffusion region 13 of high concentration which becomes a cathode enclosing the p-type impurity diffusion region 12 are formed on the surface of an n-type silicon well region 11.例文帳に追加

Ｎ型シリコンウエル領域１１の表面に、アノードとなる高濃度のＰ型不純物拡散領域１２と、このＰ型不純物拡散領域１２を囲んでカソードとなる高濃度のＮ型不純物拡散領域１３を形成する。 - 特許庁

A solid-state image pickup device has a first impurity diffusion region and a second impurity diffusion region of a first conductivity type.例文帳に追加

固体撮像装置は、半導体基板上に設けられた第１の第１導電型不純物拡散領域と第２の第１導電型不純物拡散領域とを有する。 - 特許庁

Consequently, a the occurrence of crystal defect resulting from re-crystallization is prevented at a boundary portion between a low-concentration impurity diffusion region and a high-concentration impurity diffusion region.例文帳に追加

これにより、低濃度不純物拡散領域と高濃度不純物拡散領域との境界部において、再結晶化による結晶欠陥の発生を防ぐことができる。 - 特許庁

A thin impurity diffusion inhibition layer with an approximately 1 nm thickness is buried into a semiconductor region for forming such impurity diffusion layer as source/drain regions in advance.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域等の不純物拡散層を形成する半導体領域に予め、膜厚１ｎｍ程度の薄い不純物拡散抑制層を埋め込み形成しておく。 - 特許庁

Then, after forming a Hf film 110 on the impurity diffusion layers 109, heat processing is performed and Hf silicide layers 111 are formed on the impurity diffusion layers 109.例文帳に追加

その後、不純物拡散層１０９上にＨｆ膜１１０を形成した後、熱処理を行って、不純物拡散層１０９上にＨｆシリサイド層１１１を形成する。 - 特許庁

LIQUID FORM IMPURITY SOURCE MATERIAL AND METHOD OF FORMING DIFFUSION REGION USING THE MATERIAL例文帳に追加

液状不純物源材料及びこれを使用した拡散領域形成方法 - 特許庁

An n^- impurity diffusion region 4 is formed to cover a source region 3.例文帳に追加

ｎ^-不純物拡散領域４がソース領域３を覆うように形成されている。 - 特許庁

A semiconductor device uses a source-drain impurity diffusion layer as the resistance zone.例文帳に追加

ソース・ドレイン不純物拡散層を抵抗帯として用いた半導体装置に係る。 - 特許庁

A lamination silicide layer 114 is formed on the impurity diffusion layer 109.例文帳に追加

不純物拡散層１０９上に積層シリサイド層１１４が形成されている。 - 特許庁

Each memory cell has a gate electrode 34 and a pair of impurity diffusion regions 40.例文帳に追加

各メモリセルは、ゲート電極34と、一対の不純物拡散領域40を備えている。 - 特許庁

A main electrode is provided on the impurity diffusion region of the semiconductor substrate.例文帳に追加

主電極は、半導体基板の不純物拡散領域上に設けられている。 - 特許庁

LIQUID FORM IMPURITY SOURCE MATERIAL AND METHOD OF FORMING DIFFUSION REGION USING THE SAME例文帳に追加

液状不純物源材料及びこれを使用した拡散領域形成方法 - 特許庁

External diffusion of the boron 6, which is additive impurity from an isolation region, is restrained.例文帳に追加

分離領域からの添加不純物であるボロン６の外方拡散を抑制する。 - 特許庁

HIGH BREAKDOWN VOLTAGE DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND METHOD FOR FORMING IMPURITY DIFFUSION REGION例文帳に追加

高耐圧デバイスおよびその製造方法、不純物拡散領域の形成方法 - 特許庁

The second diffusion region 6 of a higher impurity concentration is formed shallowly from the surface of a P type diffusion region 4.例文帳に追加

そして、不純物濃度の高い第２の拡散領域６は、Ｐ型の拡散領域４表面から浅く形成する。 - 特許庁

To easily and freely adjust dislocation density in a non-diffusion layer to a required level, in manufacturing of a diffusion wafer having a double structure of a heavily-doped impurity diffusion layer and the non-diffusion layer.例文帳に追加

高濃度不純物拡散層と非拡散層の２層構造の拡散ウェーハ製造において、非拡散層内の転位密度を所要レベルに簡便にしかも自在に調節する。 - 特許庁

Next, by using the gate electrode layer 115 as a mask, the impurity is introduced and thus a low concentration impurity diffusion layer of an N type is formed.例文帳に追加

次に、ゲート電極層１１５をマスクにして不純物を導入し、Ｎ型の低濃度不純物拡散層を形成する。 - 特許庁

A p-type impurity in the semiconductor upper layer 26 is thin on the first impurity diffusion control film 24a and the third impurity diffusion control film 24c, but thick on the second region 22b of the semiconductor lower layer 22.例文帳に追加

半導体上層２６内のｐ型不純物の濃度は、第１不純物拡散抑制膜２４ａ及び第３不純物拡散抑制膜２４ｃ上で薄く、半導体下層２２の第２領域２２ｂ上で濃い。 - 特許庁

By interposing the P-type second embedded diffusion layer having a low impurity concentration in the bonding surface between the N-type embedded diffusion layer and the P-type diffusion layer and the bonding surface between the N-type embedded diffusion layer and the P-type embedded diffusion layer having the high impurity concentration, a C-EPI capacitance is reduced.例文帳に追加

Ｎ型埋込み拡散層とＰ型拡散層との接合面、およびＮ型埋込み拡散層と高不純物濃度のＰ型埋込み拡散層との接合面に低不純物濃度のＰ型第二埋込み拡散層を介在させることにより、Ｃ−ＥＰＩ容量が減少する。 - 特許庁

Impurity is poured to form the diffusion layer employing at least the gate electrode as a mask.例文帳に追加

少なくともゲート電極をマスクとして、不純物を注入し、拡散層を形成する。 - 特許庁

A diffusion region 7, where p-type impurity is diffused, is formed in the window layer 6.例文帳に追加

窓層６にはｐ型不純物が拡散された拡散領域７が形成されている。 - 特許庁

Furthermore, the impurity concentration can be kept low with a diffusion potential kept low.例文帳に追加

また、不純物濃度を低く抑えることができ、拡散電位を低く抑えることができる。 - 特許庁

The diffusion region 14 is of an n-type, and high in impurity concentration relative to the drift region 22.例文帳に追加

拡散領域１４は、ｎ型であり、ドリフト領域２２よりも不純物濃度が高い。 - 特許庁

A silicide layer 108 is formed to be limited within the high-concentration impurity diffusion layer 106.例文帳に追加

シリサイド層１０８は、高濃度不純物拡散層１０６内に限って形成される。 - 特許庁

The second conductivity-type diffusion layer 116 has a higher impurity concentration than the sinker layer 115.例文帳に追加

第２導電型拡散層１１６はシンカー層１１５より不純物濃度が高い。 - 特許庁

SILICON-CONTAINING FILM FORMING COMPOSITION, FORMING METHOD OF IMPURITY DIFFUSION LAYER AND SOLAR CELL例文帳に追加

ケイ素含有膜形成組成物、不純物拡散層の形成方法および太陽電池 - 特許庁