「impurity diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

An impurity diffusion region (64) of the reverse conductivity to the second well is formed in the second well (63).例文帳に追加

第２のウェル（６３）内に、第２のウェルとは逆導電型の不純物拡散領域（６４）が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that suppresses variance in resistance value of an impurity diffusion region.例文帳に追加

不純物拡散領域の抵抗値のばらつきを抑制しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing narrow channel effect due to diffusion of an impurity.例文帳に追加

不純物の拡散によるナローチャネル効果の発生を抑制することを可能にする半導体装置を提供する。 - 特許庁

Thus, it is possible to properly form the n-type diffusion region by using the liquid form impurity source.例文帳に追加

これにより、液状不純物源を使用してｎ形拡散領域を良好に形成することができる。 - 特許庁

An N type impurity diffusion region 5 is formed in an element formation region surrounded with a field insulating film 2.例文帳に追加

フィールド絶縁膜２によって囲まれた素子形成領域内にＮ型不純物拡散領域５を形成する。 - 特許庁

A second impurity diffusion layer 70 is provided in the semiconductor substrate 20 to overlap with the floating gate 40.例文帳に追加

第２の不純物拡散層７０は、半導体基板２０内に設けられ、フローティングゲート４０とオーバーラップしている。 - 特許庁

Thereafter, by performing annealing treatment, the extremely shallow impurity diffusion region is activated to form extremely shallow junction.例文帳に追加

その後、アニール処理を行って、前記極浅不純物拡散領域を活性化して極浅接合を形成する。 - 特許庁

Further, the circumference of the flank of a superlattice multiplication layer exposed by impurity diffusion is made of uniform alloy.例文帳に追加

さらに、不純物拡散などにより露出した超格子増倍層の側面近傍を均一合金とする。 - 特許庁

The impurity diffusion region 17 is not arranged between the drain region 16 and the element isolation film 12.例文帳に追加

不純物拡散領域１７は、ドレイン領域１６と素子分離膜１２との間には配置されていない。 - 特許庁

The impurity diffusion region consists of a pair of regions formed at the location sandwiching the gate electrode formed on the semiconductor layer.例文帳に追加

不純物拡散領域は、半導体層のゲート電極を挟む位置に形成された、一対の領域である。 - 特許庁

The p-type cladding layer contains a p-type impurity with a diffusion coefficient lower than that of zinc, for example, beryllium.例文帳に追加

上記ｐ型クラッド層は、亜鉛より拡散係数が低いｐ型不純物、例えば、ベリリウムを含有する。 - 特許庁

To form an impurity diffusion region in an SiC substrate at a low cost, without generating damages on the surface of the substrate.例文帳に追加

基板表面にダメージを生じることなく、低コストでＳｉＣ基板に不純物拡散領域を形成する。 - 特許庁

A concentration distribution of the impurity varies in the vicinity of the surface of the substrate at the time of oxidation according to a size of a segregation coefficient of the impurity, a diffusion speed in an Si and an SiO_2 of the impurity, or the like, in an Si-SiO_2 interface.例文帳に追加

Ｓｉ−ＳｉＯ_2界面においては、不純物の偏析係数、不純物のＳｉ及びＳｉＯ_2中の拡散速度の大小等によって、酸化時に基板表面近くで不純物の濃度分布が変化する。 - 特許庁

A first conductivity type first impurity diffusion region 16 is formed along a plane facing the channel region of the source region and the drain region and has a second impurity concentration higher than the first impurity concentration.例文帳に追加

第１導電型の第１不純物拡散領域１６は、ソース領域およびドレイン領域のそれぞれのチャネル領域と面する面に沿って形成され、第１不純物濃度より高い第２不純物濃度を有する。 - 特許庁

There is a zone where a P channel doped impurity zone 6 and a P^- punch through stopper impurity zone 11 are not formed in the channel area between a N^- photodiode impurity zone 10 and the N^+ floating diffusion impurity zone 9.例文帳に追加

Ｎ^−型フォトダイオード不純物領域１０とＮ^＋型フローティングディフュージョン不純物領域９との間のチャネル領域には、Ｐ型チャネルドープ不純物領域６およびＰ^−型パンチスルーストッパ不純物領域１１が形成されていない領域がある。 - 特許庁

The n-type FET 10 includes n-type impurity diffusion layers 12, 13, a p-type impurity implantation region 14, a gate insulation film 15, and a gate electrode 16.例文帳に追加

Ｎ型ＦＥＴ１０は、Ｎ型不純物拡散層１２，１３、Ｐ型不純物注入領域１４、ゲート絶縁膜１５、およびゲート電極１６を含んでいる。 - 特許庁

The impurity diffusion regions facing each other across the element isolation region among the impurity regions of the plurality of active regions are electrically connected.例文帳に追加

前記複数の活性領域の前記不純物拡散領域のうち、前記素子分離領域を挟んで向かい合う不純物拡散領域は、電気的に接続される。 - 特許庁

The impurity concentration of an adjacent part of the P-type impurity diffusion layer 14 to the element isolation insulating film 12 is selected lower than that of the remaining part.例文帳に追加

Ｐ型不純物拡散層１４における素子分離絶縁膜１２との隣接部分の不純物濃度は、その残りの部分よりも低くなるように設定されている。 - 特許庁

Injecting ions of impurity elements through the reflection preventing film 12 form N type and P type impurity diffusion layers 32, 33 in the light receiving region.例文帳に追加

前記受光領域のＮ型およびＰ型不純物拡散層３２，３３は、反射防止膜１２を通して不純物元素をイオン注入することによって形成される。 - 特許庁

The third activation treatment is carried out under the condition that the impurity concentration distribution gradient of the P-N junction be steeper than that of the first impurity diffusion region.例文帳に追加

そのｐｎ接合部における不純物濃度分布勾配が、第１の不純物拡散領域よりも急峻になる条件で第３の活性化処理を行う。 - 特許庁

The P-type second low-concentration diffusion region 9 is formed by implanting N-type impurity ions for forming the N-type low-concentration diffusion region 11 and P-type impurity ions for forming the P-type low-concentration diffusion region 7 repeatedly into a semiconductor substrate, and thermally diffusing them.例文帳に追加

Ｐ型第２低濃度拡散領域９は、Ｎ型低濃度拡散領域１１を形成するためのＮ型不純物イオンとＰ型低濃度拡散領域７を形成するためのＰ型不純物イオンが半導体基板に重複して注入され、かつ熱拡散されて形成されたものである。 - 特許庁

The diffusion agent composition includes an impurity diffusion component (A); a binder resin (B), which thermally decomposes and disappears, at a temperature lower than the temperature at which the impurity diffusion component (A) begins to thermally diffuse; SiO_2 microparticles (C); and an organic solvent (D), which contains an organic solvent (D1) having a boiling point of 100°C or greater.例文帳に追加

拡散剤組成物は、不純物拡散成分（Ａ）と、不純物拡散成分（Ａ）が熱拡散を開始する温度未満の温度で熱分解して消失するバインダー樹脂（Ｂ）と、ＳｉＯ_２微粒子（Ｃ）と、沸点が１００℃以上の有機溶剤（Ｄ１）を含む有機溶剤（Ｄ）と、を含有する。 - 特許庁

Since the impurity diffusion prevention layer 8 composed of In_yGa_1-yN is formed in proximity to the active layer 5; p-type impurities existing in the p-type clad layer 10, the p-type second guide layer 9, etc. is accumulated in the impurity diffusion prevention layer 8, thereby preventing the diffusion of the p-type impurities into the active layer 5.例文帳に追加

活性層５に近接してＩｎ_yＧａ_1-yＮからなる不純物拡散防止層８を設けるため、ｐ型クラッド層１０やｐ型第２ガイド層９などの内部に存在するｐ型不純物を不純物拡散防止層８に蓄積でき、ｐ型不純物が活性層５に拡散しなくなる。 - 特許庁

A P-type high-concentration impurity diffusion layer 130 is provided in the region jointing to the ground wiring 130 of the silicon substrate 10, and a P-type semiconductor diffusion region 160 is provided in the region between the P-type high-concentration impurity diffusion layer 140 and the P-type well region 120.例文帳に追加

シリコン基板１０のグランド配線１３０を接合する領域には、Ｐ型高濃度不純物拡散層１４０が設けられ、このＰ型高濃度不純物拡散層１４０とＰ型ウエル領域１２０との間の領域には、Ｐ型半導体拡散領域１６０が設けられている。 - 特許庁

A semiconductor storage apparatus has: impurity diffusion layers 103 and 104 that are a part of a semiconductor substrate 100, and function as one of and the other of an anode and a cathode of a pn junction diode, respectively; a recording layer PC connected to the impurity diffusion layer 104; and a cylindrical side wall insulating film 106 provided on the impurity diffusion layer 103.例文帳に追加

半導体基板１００の一部であり、それぞれｐｎ接合ダイオードのアノード及びカソードの一方及び他方として機能する不純物拡散層１０３，１０４と、不純物拡散層１０４に接続された記録層ＰＣと、不純物拡散層１０３上に設けられた筒状のサイドウォール絶縁膜１０６とを備える。 - 特許庁

In the region between an end of the N type impurity diffusion region 5 and an end of a field oxide film 2, a P type impurity diffusion region 4 is formed including an interfacial potential generation part below a bird's beak part 2a.例文帳に追加

また、Ｎ型不純物拡散領域５の端部とフィールド酸化膜２の端部との間の領域において、バーズビーク部２ａの下側の界面準位発生部を含むようにＰ型不純物拡散領域４を形成する。 - 特許庁

A first element has a first impurity diffusion layer 9 which is formed in the element forming film and reaches the insulating film, and a second impurity diffusion layer 7 which is formed in the element forming film and does not reach the insulating film.例文帳に追加

第１の素子は、素子形成膜に形成され絶縁膜に到達した第１の不純物拡散層９と、素子形成膜に形成され絶縁膜に到達していない第２の不純物拡散層７とを有している。 - 特許庁

To provide a technique for manufacturing a deep impurity diffusion region 8 in a short period of time in a technique for securing a required withstanding voltage by forming the deep impurity diffusion region reaching the depth along a dicing line.例文帳に追加

ダイシングラインに沿って深部に至る深い不純物拡散領域を形成することによって必要な耐圧を確保する技術において、深い不純物拡散領域８を短時間の熱処理で製造可能な技術を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a shared contact 111 that electrically connects an n-type impurity diffusion layer 106 formed on a p well 103 with a p-type impurity diffusion layer 108 formed on an n well 104.例文帳に追加

半導体装置は、Ｐウェル１０３上に形成されたＮ型不純物拡散層１０６とＮウェル１０４上に形成されたＰ型不純物拡散層１０８とを電気的に接続するシェアードコンタクト１１１を備えている。 - 特許庁

A gate wiring 105 has a contact 105a with a width in the gate-length direction larger than gate electrodes 103 and 104, between a p-type impurity diffusion region 101 and an n-type impurity diffusion region 102.例文帳に追加

ゲート配線１０５は、Ｐ型不純物拡散領域１０１とＮ型不純物拡散領域１０２との間に、ゲート電極１０３及び１０４よりもゲート長方向の幅が大きいコンタクト部１０５ａを有している。 - 特許庁

An impurity diffusion region 197A has a function of horizontally separating the electric charge discharge drain 205, which is formed in the deep part of a substrate and is formed to have a smaller width, as compared with the impurity diffusion region 197A of a pixel part.例文帳に追加

また不純物拡散領域１９７Ａは、基板深くに形成されている電荷排出ドレイン２０５を水平方向に分離する機能を有し、画素部の不純物拡散領域１９７Ａと比べて幅を狭く形成する。 - 特許庁

A first wiring layer is composed of a storage wiring 20 which connects the upper electrode TE to the one impurity diffusion layer of the memory cell transistor and a bit line BL connected to the other impurity diffusion layer of the memory cell transistor.例文帳に追加

上部電極ＴＥとメモリセルトランジスタの一方の不純物拡散層とを接続するストレージ配線２０と、他方の不純物拡散層に接続されるビット線ＢＬとにより第１の配線層が構成されている。 - 特許庁

The semiconductor device is formed on a semiconductor substrate; and comprises the semiconductor substrate, an impurity diffusion layer formed on one main surface of the semiconductor substrate, an insulating film formed on the impurity diffusion layer, and a silicon nitride film which is formed on the insulating film and in which the amount of positive charges is changed by a given heat treatment to control impurity concentration near the surface of the impurity diffusion layer.例文帳に追加

半導体基板上に形成される半導体素子であって、半導体基板と、半導体基板の一主面に形成される不純物拡散層と、不純物拡散層上に形成される絶縁膜と、絶縁膜上に形成され所定の熱処理により正電荷の量が変動して不純物拡散層の表面近傍の不純物濃度を制御するシリコン窒化膜と、を備えることを特徴とする半導体素子。 - 特許庁

At this time, the p-type diffusion layers 31, 32 are formed in double diffusion construction, and impurity concentrations of front surface of the base region and its neighboring region become high.例文帳に追加

このとき、Ｐ型の拡散層３１、３２は二重拡散構造となり、ベース領域の表面及びその近傍領域の不純物濃度が高濃度となっている。 - 特許庁

Moreover, a drift area 80 having lower impurity concentration than that of the diffusion area 100 is formed between the diffusion area 100 and the lower area of the gate electrode 60.例文帳に追加

また拡散領域１００とゲート電極６０の下方領域との間に拡散領域１００より不純物濃度が低いドリフト領域８０が形成されている。 - 特許庁

Consequently, a crystal defect due to re-crystallization can be prevented at a border part between a lightly-doped impurity diffusion region and a heavily-doped diffusion region.例文帳に追加

これにより、低濃度不純物拡散領域と高濃度不純物拡散領域との境界部において、再結晶化による結晶欠陥の発生を防ぐことができる。 - 特許庁

An impurity diffusion region 24F in an outermost end is cut to a plurality of division diffusion regions 26A, 26B, 26C in a gate width wise direction 40 of a gate electrode.例文帳に追加

最端部の不純物拡散領域２４Ｆは、ゲート電極のゲート幅方向４０で複数の分割拡散領域２６Ａ，２６Ｂ，２６Ｃに分断されている。 - 特許庁

The interlattice atoms, which may cause the crystal defect, can be diffused by the above mentioned RTA treatment, but the diffusion of the impurity diffusion layer are not diffused.例文帳に追加

このＲＴＡ処理は、結晶欠陥の原因となる格子間原子を拡散させるが、不純物拡散層の不純物は拡散させないように設定されている。 - 特許庁

After implanting impurity ions for forming the N type diffusion region 25, the N type diffusion region 25 is diffused in a γ-shape under a gate electrode 22 by heat treatment.例文帳に追加

そして、Ｎ型の拡散層２５を形成する不純物をイオン注入した後、熱処理により、Ｎ型の拡散層２５をゲート電極２２下方で、γ形状に拡散する。 - 特許庁

Since the diffusion factor of arsenic (As) is small when compared with that of phosphorus (P), impurity diffusion (profile diffusion) by heat treatment in the manufacturing process is suppressed significantly when compared with a phosphorus-doped substrate by prior art.例文帳に追加

これによって、砒素（Ａｓ）の拡散係数がリン（Ｐ）に比べて小さいことから、従来手法によるリンドープ基板に比べて製造工程における熱処理による不純物拡散（プロファイル拡散）を大幅に抑制する。 - 特許庁

An emitter diffusion layer 5 is formed with a polycrystal silicon emitter layer 4 as a diffusion source, and the impurity concentration of the polycrystal silicon emitter layer 4 is higher than that on the surface of the emitter diffusion layer 5.例文帳に追加

多結晶シリコンエミッタ層４を拡散源としてエミッタ拡散層５が形成されており、多結晶シリコンエミッタ層４の不純物濃度がエミッタ拡散層５の表面の不純物濃度より高い構造となっている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which allows efficient diffusion of only a specified impurity element.例文帳に追加

特定の不純物元素だけを効率よく拡散させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a junction field-effect transistor(JFET) formed so that the diffusion depth of the impurity in a gate region does not vary.例文帳に追加

ゲート領域での不純物の拡散深さがばらつかないようにした接合型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide an impurity diffusion depth measuring method for easily producing test pieces and requiring no expensive measuring apparatus.例文帳に追加

試料の作製が容易であり、高価な装置を必要としない不純物の拡散深さ測定方法を提供する。 - 特許庁

Accordingly, the concentration of the N^+-type impurity in the N^+-type embedded diffusion layer 11 can be freely controlled.例文帳に追加

これにより、Ｎ^+型埋め込み拡散層１１におけるＮ^＋型不純物の濃度を自在に制御することができる。 - 特許庁