「impurity diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The impurity concentration of the deeply doped impurity diffusion layer 8b is made not smaller than 1.00 × 10^19 cm^-3 and preferably not smaller than 1.00 × 10^20 cm^-3.例文帳に追加

高濃度不純物拡散層８ｂの不純物濃度は１．００×１０^19ｃｍ^-3以上、好ましくは１．００×１０^20ｃｍ^-3以上である。 - 特許庁

In the p-type semiconductor region 45, the position of an impurity concentration peak is located separate from the forming position of a low-concentration n-type impurity diffusion region 44.例文帳に追加

このｐ型半導体領域４５において、不純物濃度のピーク位置は、低濃度ｎ型不純物拡散領域４４の形成位置から離れている。 - 特許庁

IMPURITY DIFFUSION METHOD IN SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURING PROCESS, IMPURITY DIFFUSING DEVICE FOR USE THEREIN AND SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURED THEREFROM例文帳に追加

半導体素子製造工程における不純物拡散方法、同方法に用いる不純物拡散装置および同方法から製造された半導体素子 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method for suppressing impurity diffusion to a silicide layer, and for sufficiently transferring impurity in a silicon layer.例文帳に追加

シリサイド層への不純物拡散を抑制し、シリコン層中に不純物を十分行き渡ることのできる半導体装置、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the element of a larger atomic radius compared to Si of In can be set to impurity forming the impurity diffusion region in the semiconductor substrate.例文帳に追加

Ｉｎ等のＳｉに比較して原子半径の大きい元素を半導体基板中の不純物拡散領域を形成する不純物とすることができる。 - 特許庁

Thus, even if the diffusion coefficient of the impurity is small, the substitution of the impurity to the lattice position at the hole can be carried out sufficiently, so that the activation factor of the impurity can be improved.例文帳に追加

これにより、不純物の拡散係数が小さくても、空孔において不純物の格子位置への置換を充分に行うことができ、不純物の活性化率を向上させることができる。 - 特許庁

The n-type impurity region has an impurity concentration higher than that of the channel region and back gate region and receives little influence of diffusion of a p-type impurity from the gate region and back gate region.例文帳に追加

ｎ型不純物領域はチャネル領域およびバックゲート領域より不純物濃度が高く、ゲート領域およびバックゲート領域からのｐ型不純物の拡散の影響をほとんど受けない。 - 特許庁

The reconnection region 7 is formed at the surface side of the base region 4, by doping impurity through thermal diffusion of the impurity or the ion asymmetric implantation of the impurity and annealing, after ion implantation.例文帳に追加

再結合領域７は、ベース領域４の表面側に、不純物の熱拡散、もしくは、不純物のイオン注入とイオン注入後のアニールとにより不純物をドーピングすることで形成してある。 - 特許庁

Consequently, any position displacement between the impurity diffusion region for charge storage and the second transfer electrode is prevented from happening.例文帳に追加

従って、電荷蓄積用不純物拡散領域と第２転送電極との位置ずれは生じない。 - 特許庁

Moreover, on the single crystal layers 13 on the both sides of the floating gate 20 extending on a tunnel oxidized film 19, a pair of impurity diffusion layers 21 and 22 are formed, and an aluminum electrode 198 is connected for stabilizing a threshold value to a p-type impurity diffusion layer 195 neighboring the impurity diffusion layers 21 and 22.例文帳に追加

また、トンネル酸化膜１９上に延在した浮遊ゲート２０の両側の単結晶シリコン層１３には一対の不純物拡散層２１，２２が形成されており、不純物拡散層２１，２２と近接するｐ型不純物拡散層１９５には、しきい値を安定させるためのアルミニウム電極１９８が接続されている。 - 特許庁

The second diffusion layer 16 is formed by implanting an impurity having a relatively small mass number.例文帳に追加

また、第２拡散層１６は、質量数の比較的小さい不純物の注入により形成される。 - 特許庁

The photoelectric conversion part has an impurity diffusion region and generates signal charges depending on the quantity of received light.例文帳に追加

光電変換部は、不純物拡散領域を有し、受光量に応じた信号電荷を生成する。 - 特許庁

As for the high-voltage transistor, because the ion implantation is performed through the gate insulating film 11a, the high concentration impurity diffusion region is formed shallower.例文帳に追加

高電圧トランジスタについてはゲート絶縁膜１１ａを介して行うので、浅く形成される。 - 特許庁

Then the liquid impurity source layer 2 is heated at temperature lower than a phosphorous diffusion temperature to form a silicon oxide film containing phosphorus.例文帳に追加

次にリン拡散温度よりも低い温度で加熱しリンを含むシリコン酸化膜を形成する。 - 特許庁

Then, impurity diffusion is conducted on the polycrystalline silicon substrate 1, and p-n junction part is formed after etching.例文帳に追加

エッチング後、多結晶シリコン基板１に対して不純物拡散を行ってｐｎ接合部を形成する。 - 特許庁

To increase the parastic resistance of an impurity diffusion layer and reduce the depth thereof.例文帳に追加

不純物拡散層の寄生抵抗の増大を抑制しつつ不純物拡散層の深さを浅くする。 - 特許庁

The surface of the n-type silicon well region 11 wherein the impurity diffusion regions 12, 13 are formed is covered with a layer insulation film 15, and a metallic wiring layer 21 extended to a boundary line of the n-type impurity diffusion region 13 is formed thereon and is electrically connected to the p-type impurity diffusion region 12.例文帳に追加

不純物拡散領域１２，１３が形成されたＮ型シリコンウエル領域１１の表面を層間絶縁膜１５で覆い、この上にＮ型不純物拡散領域１３の境界線まで広げたメタル配線層２１を形成し、これをＰ型不純物拡散領域１２に電気的に接続する。 - 特許庁

Thus, it is possible to properly form the n-type diffusion region using the liquid form impurity source.例文帳に追加

これにより、液状不純物源を使用してｎ形拡散領域を良好に形成することができる。 - 特許庁

A channel region 35 is formed between the first and second N-type impurity diffusion layers 41, 42.例文帳に追加

第１および第２Ｎ型不純物拡散層４１，４２の間にチャネル領域３５が形成されている。 - 特許庁

An N type impurity diffusion layer 41 is formed in a region between adjacent P type wells 23.例文帳に追加

隣り合うＰ型ウエル２３の間の領域には、Ｎ型不純物拡散層４１が形成されている。 - 特許庁

Thus, the gate insulation film is formed first, and then the buried type impurity diffusion layer is formed.例文帳に追加

上記のようにしてゲート絶縁膜を形成してから埋め込み型不純物拡散領域を形成する。 - 特許庁

A first impurity diffusion region 11a is formed in the semiconductor substrate at the bottom of the first groove.例文帳に追加

第１不純物拡散領域１１ａは、第１溝の底部の半導体基板内に形成される。 - 特許庁

An impurity diffusion region 15 is formed in high accuracy by using the correct injection mask 11a.例文帳に追加

正確な注入マスク１１ａを用いて、高い精度で不純物拡散領域１５を形成する。 - 特許庁

A first impurity region 22 constituting the floating diffusion layer 60 is formed by ion implantation.例文帳に追加

浮遊拡散層６０を構成する第１の不純物領域２２をイオン注入により形成する。 - 特許庁

To uniformly diffuse impurities to a semiconductor substrate from a solid impurity source in a diffusion batch.例文帳に追加

拡散バッチ内における固体不純物源から半導体基板への不純物拡散の均等化を図る。 - 特許庁

A p-type impurity diffusion layer 10 is formed on the periphery of a sidewall of the element separation area 16.例文帳に追加

また、素子分離領域１６の側壁周囲には、Ｐ型不純物拡散層１０が設けられている。 - 特許庁

To provide a method which further enhances an activation rate without increasing an impurity diffusion length.例文帳に追加

不純物拡散長を増大させることなく、活性化率をさらに向上させる方法の提供。 - 特許庁

The P-type isolation region 2 has the bottom face, reaching the upper face of the P-type impurity diffusion layer 3.例文帳に追加

Ｐ型分離領域２は、Ｐ型不純物拡散層３の上面に達する底面を有している。 - 特許庁

An impurity diffusion region 12 of an end face window structure is then formed by diffusing Zn.例文帳に追加

Ｚｎを拡散することにより、端面窓構造である不純物拡散領域１２が形成される。 - 特許庁

The semiconductor device further comprises: a second-conductivity-type high-concentration impurity region 111 in the impurity region 104 between the adjacent trenches; and a diffusion suppressing element (for example, carbon) doped region 106 that includes the high-concentration impurity region 111 and prevents the diffusion of a second-conductivity-type impurity.例文帳に追加

さらに隣接するトレンチ間における不純物領域１０４中に、第２導電型高濃度不純物領域１１１と、高濃度不純物領域１１１を包含すると共に第２導電型不純物の拡散を抑制する拡散抑制元素（例えば炭素）ドープ領域１０６とが形成されている。 - 特許庁

Furthermore, the impurity concentration of the low-concentration n-type impurity diffusion region 44 formed in the memory cell forming region is set lower than that of a low-concentration n-type impurity diffusion region 50 formed in a high-dielectric strength MISFET forming region.例文帳に追加

さらに、メモリセル形成領域に形成されている低濃度ｎ型不純物拡散領域４４の不純物濃度を、高耐圧ＭＩＳＦＥＴ形成領域に形成されている低濃度ｎ型不純物拡散領域５０の不純物濃度よりも薄くする。 - 特許庁

With this structure, the impurity concentration of the n-type diffusion layer 8 near the p-type diffusion layers 10, 11 as source regions can be increased.例文帳に追加

この構造により、ソース領域としてのＰ型の拡散層１０、１１近傍のＮ型の拡散層８の不純物濃度を高濃度とすることができる。 - 特許庁

To provide a MOS transistor having a low-resistant, shallow impurity diffusion layer which can prevent depletion owing to the short diffusion of impurities in the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極中の不純物拡散不足による空乏化を防止し、かつ低抵抗で浅い不純物拡散層を持つＭＯＳトランジスタを提供する。 - 特許庁

There are formed a source diffusion layer 22 connected to the ion implantation region 18 for connection, and a drain diffusion layer 23 on the n-type impurity region 14.例文帳に追加

接続用イオン注入領域１８につながるソース拡散層２２及びＮ型不純物領域１４上のドレイン拡散層２３を形成する。 - 特許庁

The channel region having the region of high impurity concentration and the region of low impurity concentration is formed in terms of self-matching by ion implantation through an implantation mask of two kinds of second conductivity impurities different in diffusion coefficients, extension of the implantation mask, ion implantation of the first conductivity impurity and diffusion of the second conductivity impurity with the large diffusion coefficient owing to activation annealing.例文帳に追加

拡散係数の異なる２種の第２導電型不純物の注入マスクを介したイオン注入、注入マスクの拡幅、第１導電型不純物のイオン注入、活性化アニールによる拡散係数の大きな第２導電型不純物の拡散により、不純物濃度が高い領域と低い領域とを有したチャネル領域を自己整合的に形成する。 - 特許庁

A gate oxide film 12, a gate electrode 13, and a protective insulating film 14 are sequentially formed on a semiconductor substrate surface 11 and impurity injection is conducted, and after the formation of an extremely shallow impurity diffusion region 18, a semiconductor material film 21 having an impurity diffusion rate higher than that of the semiconductor substrate 11 is deposited on the extremely shallow impurity diffusion region 18.例文帳に追加

半導体基板面１１にゲート酸化膜１２、ゲート電極１３、保護絶縁膜１４を順次形成した後、不純物注入を行い、極浅不純物拡散領域１８を形成後、極浅不純物拡散領域１８上に、半導体基板１１の不純物拡散係数以上の不純物拡散係数を有する半導体材料膜２１を成膜する。 - 特許庁

Next, in a second diffusion step, the impurities are thermally diffused from the diffusion layer source 12 to inside the wafer, and a heavily-doped impurity diffusion layer 19, which increases a diffusion depth in the diametric direction of the wafer 11, is formed.例文帳に追加

次に、第２の拡散工程において、上記拡散層源１２からウェーハ内部に不純物を熱拡散させ、ウェーハ１１の上記径方向に拡散深さが増大する高濃度不純物拡散層１９を形成する。 - 特許庁

The second impurity diffusion layer 31A and the third impurity diffusion layer 21B are formed adjacently to each other with an element separation region 15 provided across a boundary between the first well and the second well, therebetween.例文帳に追加

第２不純物拡散層３１Ａと第３不純物拡散層２１Ｂとは、第１ウェルと第２ウェルとの境界上に跨って設けられた素子分離領域１５を挟んで隣接して形成されている。 - 特許庁

In the P-type well 23, a second N-type impurity diffusion layer 42 is formed so as to protrude from the N^+-type source layer 26 to the first N-type impurity diffusion layer 41 side, while overlapping the N^+-type source layer 26.例文帳に追加

Ｐ型ウエル２３内には、Ｎ^＋型ソース層２６と重なり、かつＮ^＋型ソース層２６から第１Ｎ型不純物拡散層４１側にはみ出すように、第２Ｎ型不純物拡散層４２が形成されている。 - 特許庁

A gate electrode 20 is formed on part upward of the first impurity diffusion region on the upward channel region, and on part upward of the second impurity diffusion region, with a gate oxide film 6 therebetween.例文帳に追加

また、第一不純物拡散領域の一部上方、前記チャネル領域の上方、及び前記第二不純物拡散領域の一部上方にわたってゲート酸化膜６を介してゲート電極２０が形成されている。 - 特許庁

In the area on the lower side of the insulation film 11, a p-type channel diffusion layer 16 in which indium ions are main impurity and a second p-type channel diffusion layer 17 in which boron is a main impurity are formed.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１１の下側の領域には、インジウムイオンが主な不純物である第１のＰ型チャネル拡散層１６と、ボロンが主な不純物である第２のＰ型チャネル拡散層１７が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor apparatus comprises a first diffusion region 22 provided in the surface layer of a semiconductor substrate 10, having a first impurity and germanium, and a second diffusion region 24 provided more shallowly than the first diffusion region 22 from the surface of the first diffusion region 22, having a second impurity not contributing to conductivity.例文帳に追加

半導体基板１０の表面層に設けられ、導電性に寄与する第１の不純物及びゲルマニウムを含む第１の拡散領域２２と、第１の拡散領域２２の表面から第１の拡散領域２２より浅く設けられ、導電性に寄与しない第２の不純物を含む第２の拡散領域２４とを備える。 - 特許庁

The boundary of the diffusion region 16 and the passive region 14 is moved to the direction where the passive region 14 becomes smaller by diffusion, then the boundary is dissipated during the impurity diffusion calculation.例文帳に追加

そして、これらの拡散領域１６と不動領域１４との境界は、拡散によって不動領域１４が小さくなる方向に移動して、不純物拡散計算中に消失するものとする。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of introducing the impurity into a semiconductor substrate while depositing a layer to become an impurity diffusion source on a surface of the substrate, and then heat treating the substrate for a sufficient time to stabilize a quality of the deposited layer to become the impurity diffusion source.例文帳に追加

半導体基板表面に不純物拡散源となる層を堆積させながら半導体基板内に不純物を導入した後、堆積した不純物拡散源となる層の膜質を安定化させるのに十分な時間熱処理することからなる半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The second wells are formed in the first conductivity type region formed extensively over the surface layer region of the side face of the step from a region adjacent to the impurity diffusion region of a flat region between the first well and the impurity diffusion region and having an impurity concentration lower than that of the first well.例文帳に追加

第２ウェルは、第１ウェルと不純物拡散領域との間に、平坦領域の不純物拡散領域に隣接する領域からステップ部の側面の表層領域にわたって形成された第１ウェルよりも不純物濃度が低い第１導電型の領域である。 - 特許庁