「impurity diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

An emitter region 14 is formed by impurity diffusion from the polycrystalline silicon film 20.例文帳に追加

多結晶シリコン膜２０からの不純物拡散によってエミッタ領域１４を形成する。 - 特許庁

A pair of impurity diffusion layers is formed on both sides of the gate electrode inside the pin pattern.例文帳に追加

ゲート電極の両側のピンパターン内に一対の不純物拡散層が形成される。 - 特許庁

The floating diffusion layer 43 is a doped first impurity type for receiving signal charge.例文帳に追加

浮遊拡散層４３は第１不純物型でドーピングされ、信号電荷を受信する。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor device which suppresses unnecessary diffusion of an impurity to have fine characteristics.例文帳に追加

不純物の不要な拡散を抑制し、特性の良い光半導体装置を提供する。 - 特許庁

The first impurity diffusion region 13 does not reach a surface of the underlying substrate.例文帳に追加

第１の不純物拡散領域１３は、下地基板の表面までは達していない。 - 特許庁

A first conductive plug 14a is positioned on the first impurity diffusion region.例文帳に追加

導電性の第１プラグ１４ａは、第１不純物拡散領域上に設けられる。 - 特許庁

The pixel includes an impurity diffusion region FD of a floating diffusion configuration part and a gate electrode 34 of the pixel transistor having a recess 45 where part of the impurity diffusion region FD enters when viewed from the upper surface.例文帳に追加

画素において、フローティングディフージョン構成部の不純物拡散領域ＦＤと、上面から見て不純物拡散領域ＦＤの一部が入り込む凹み部４５を有する画素トランジスタのゲート電極３４とを有する。 - 特許庁

To provide a calculation method of the diffusion coefficient of a metal impurity by measuring metal impurity concentration distribution along a few cm in the depth direction in quartz glass, regarding the diffusion of the metal impurity having an extremely fast diffusion rate in quartz glass in such a way that the diffusion distance reaches a few cm in a short diffusion time, for which heretofore the analysis has been difficult.例文帳に追加

従来分析が困難であった、短時間の拡散で拡散距離が数ｃｍにも及ぶ石英ガラス中の非常に速い拡散速度を持つ金属不純物の拡散について、石英ガラス中の、深さ方向に数ｃｍに渡る金属不純物濃度分布を測定し、金属不純物の拡散係数を算出する方法を提供する。 - 特許庁

To obtain an impurity diffusion processing method in a semiconductor element manufacturing process which forms a uniform impurity diffusion layer and can carry on an impurity diffusion process high in performance and a yield, an impurity diffusing device for use in the same method, and a semiconductor element containing a solar cell, etc., high in a yield.例文帳に追加

均一な不純物拡散層を形成し、性能や歩留まりの高い不純物拡散処理が可能な半導体素子製造工程における不純物拡散処理方法および同方法に用いる不純物拡散装置、並びに、歩留まりの高い太陽電池等を含む半導体素子を得ること。 - 特許庁

Further, the device has a transfer path for transferring a charge from the first impurity diffusion region of the first conductivity type to the second impurity of the first conductivity type and an impurity diffusion region of a second conductivity type formed on a semiconductor substrate so as to contain the first impurity diffusion region of the first conductivity type.例文帳に追加

さらに、第１の第１導電型不純物拡散領域から第２の第１導電型不純物拡散領域へ電荷を転送する転送経路と、半導体基板上に第１の第１導電型不純物拡散領域を包含するように形成された第２導電型不純物拡散領域を有する。 - 特許庁

The P-type second low-concentration diffusion region 9 has a lower P-type impurity concentration than the P-type low-concentration diffusion region 7.例文帳に追加

Ｐ型第２低濃度拡散領域９はＰ型低濃度拡散領域７よりも薄いＰ型不純物濃度をもつ。 - 特許庁

The p-type diffusion layer 5 is formed to have an impurity concentration peak at a deeper part than the n-type diffusion layers 7, 8.例文帳に追加

Ｐ型の拡散層５は、Ｎ型の拡散層７、８よりも深部に不純物濃度ピークを有するように形成されている。 - 特許庁

Thereby, p^+ diffusion layer 4 and an n^+ diffusion layer 3 can be formed shallow, making a steep distribution profile of impurity concentration.例文帳に追加

そのため、Ｐ^+拡散層４及びＮ^+拡散層３を浅く形成でき、不純物濃度の分布を急峻にすることができる。 - 特許庁

Only the deeply doped impurity diffusion layer 8b of the diffusion layers overlaps with a gate electrode 4 when observing them in a plan view of them.例文帳に追加

これらの拡散層のうち、高濃度不純物拡散層８ｂのみが、平面視でゲート電極４と重なり合っている。 - 特許庁

In the first impurity diffusion region 33, a band gap is expanded by impurity diffusion to suppress heat generation by light absorption and to prevent the deterioration caused from the side of the ridge 20.例文帳に追加

第１不純物拡散領域３３では、不純物拡散によりバンドギャップが拡大し、光吸収による発熱が抑えられ、リッジ部２０の側面からの劣化が抑制される。 - 特許庁

The gate G_ST of the selection transistor ST is formed with a MOS structure so as to straddle the first impurity diffusion layer 104, the first body region 100, and the first impurity diffusion layer 124.例文帳に追加

第１不純物拡散層１０４、第１ボディ領域１００、第１不純物拡散層１２４に跨るように選択トランジスタSTのゲート部G_STをＭＯＳ型構造で形成する。 - 特許庁

A first conductive type of second impurity diffusion region 5 is disposed in the first layer 12 at an interval in an in-plane direction from the first impurity diffusion region 13.例文帳に追加

第１の不純物拡散領域１３から、面内方向にある間隔を隔てて、第１の層１２内に第１導電型の第２の不純物拡散領域５が配置されている。 - 特許庁

The second transistor 3-1 is disposed on a third impurity diffusion layer 210 provided on the second impurity diffusion layer 206-12, so as to constitute a portion of the pixels, and is connected to the first transistor 2-1.例文帳に追加

第２トランジスタ3-1は、第２不純物拡散層206-12上の第３不純物拡散層210上に設けられ、画素の一部を構成すると共に、第１トランジスタ2-1に接続される。 - 特許庁

The first impurity diffusion layer 104 constitutes the drain region of a memory transistor MT and the source region of a selection transistor ST, and the first impurity diffusion layer 124 constitutes the drain region of the selection transistor ST.例文帳に追加

第１不純物拡散層１０４はメモリトランジスタMTのドレイン領域と選択トランジスタSTのソース領域、第１不純物拡散層１２４は選択トランジスタSTのドレイン領域をなす。 - 特許庁

The impurity density of a second diffusion region constituting the first ballast resistance 4 is lower than the impurity density of a fourth diffusion region constituting the second ballast resistance 6.例文帳に追加

第１バラスト抵抗４を構成する第２拡散領域の不純物濃度は、第２バラスト抵抗６を構成する第４拡散領域の不純物濃度よりも低濃度にされている。 - 特許庁

A P-type impurity diffusion region 13 is formed below the gate electrodes 11 and 12 and an N-type impurity diffusion region 16 is formed below the gate electrodes 14 and 15.例文帳に追加

ゲート電極１１，１２の下部にはＰ型不純物拡散領域１３が形成され、ゲート電極１４，１５の下部にはＮ型不純物拡散領域１６が形成されている。 - 特許庁

An N-type impurity is applied through ion implantation by using the gate electrode 602 as a mask, and the entire substrate is heated so as to form an N-type second impurity diffusion layer 608 in a shallower area than the first impurity diffusion layer 605.例文帳に追加

ゲート電極６０２をマスクとしてＮ型の不純物をイオン注入した後、熱処理を行なうことにより第１の不純物拡散層６０５よりも浅い領域にＮ型の第２の不純物拡散層６０８を形成する。 - 特許庁

The surface-mounted diode 100d having the above structure can be designed such that it has large ESD resistance by suitably setting the diffusion depth and the surface impurity concentration of the n conduction type impurity diffusion region 12 and the p conduction type impurity diffusion region 13.例文帳に追加

上記の構造を有する表面型ダイオード１００ｄは、ｎ導電型不純物拡散領域１２およびｐ導電型不純物拡散領域１３の拡散深さや表面不純物濃度を適宜設定することで、大きなＥＳＤ耐量を持つように設計することができる。 - 特許庁

An impurity doped polysilicon film 31 is formed, and an impurity is diffused from the film 31 to the semiconductor substrate 30 side so that the impurity diffusion region for contact can be formed on the surface.例文帳に追加

不純物ドープトポリシリコン膜３１を形成するとともに、膜３１から半導体基板３０側に不純物を拡散させて表層部にコンタクト用不純物拡散領域を形成する。 - 特許庁

To minimize channeling of impurity and diffusion of a gate impurity which arise in the process for activation and implantation of impurity ion.例文帳に追加

不純物イオンの注入及び活性化の過程で生じる不純物のチャネリング及びゲート不純物の拡散現象を最小化するに適したデュアルゲートMOSトランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD, DEVICE, AND PROGRAM FOR IMPURITY DIFFUSION SIMULATION例文帳に追加

不純物拡散シミュレーション方法、不純物拡散シミュレーション装置、及び、不純物拡散シミュレーションプログラム - 特許庁

The multistage element isolation layer 31 is formed by including a plurality of stages of impurity diffusion layers.例文帳に追加

多段素子分離層３１は、複数段の不純物拡散層を有して構成されている。 - 特許庁

Thereby the occurrence of the process damage can be prevented, while suppressing diffusion of the impurity.例文帳に追加

これにより、不純物の拡散を抑制しつつプロセスダメージの発生を防止することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can eliminate the adverse effect due to impurity diffusion from a buffer layer to a carrier layer.例文帳に追加

バッファ層からキャリア層への不純物拡散による悪影響を排除することができる。 - 特許庁

To form a silicon nitride film having high uniformity in a coating thickness and a high impurity diffusion prevention function.例文帳に追加

膜厚均一性に優れ且つ不純物拡散防止機能の高いシリコン窒化膜を形成する。 - 特許庁

An impurity diffusion layer 22 is formed in the semiconductor substrate 11 around a lower part of the trench 21.例文帳に追加

不純物拡散層２２は、トレンチの下部の周囲において半導体基板内に形成される。 - 特許庁

The gate electrode of the transistor (65) and the impurity diffusion region (64) are connected through wiring (66).例文帳に追加

トランジスタ（６５）のゲート電極と不純物拡散領域（６４）とを配線（６６）が接続する。 - 特許庁

An impurity diffusion preventing film 36 is provided on a part of the surface of a first group III nitride semiconductor region 28 containing a p-type impurity.例文帳に追加

ｐ型の不純物を含む第１のIII族窒化物半導体領域２８の表面の一部に不純物拡散防止膜３６を備えている。 - 特許庁

In parts of the base region 5, impurity diffusion regions 9 having a lower impurity concentration than the other part of the base region are formed in the vertical direction.例文帳に追加

ベース領域５の一部に縦方向にベース領域の他の部分より不純物濃度の低い不純物拡散領域９を形成する。 - 特許庁

An impurity diffusion silicon layer 4 which includes phosphorous element (P) as impurity is formed along the wall face inside the hole 2 of the porous silicon layer 3.例文帳に追加

多孔質シリコン層３の孔２内の壁面に沿って、不純物となるリン元素（Ｐ）を含む不純物拡散シリコン層４が形成されている。 - 特許庁

A first conductivity type impurity in the first impurity diffusion region of the first conductivity type has a concentration peak at the position near a junction part of the first impurity diffusion region of the first conductivity type and the impurity diffusion region of the second conductivity type on the front surface of the semiconductor substrate in a concentration distribution in the depth direction of the semiconductor substrate.例文帳に追加

第１の第１導電型不純物拡散領域における第1導電型不純物は、半導体基板の深さ方向における濃度分布において、半導体基板の表面側の、第１の第１導電型不純物拡散領域と第２導電型不純物拡散領域とのジャンクション部分の近傍位置に、濃度ピークを有する。 - 特許庁

The EEPROM is equipped with a common source region, a floating diffusion region, and a bit line diffusion region, and the common source region is composed of only a high-concentration impurity region which is shallow in the diffusion depth and is shallower than the diffusion depth of the floating diffusion region and the bit line diffusion region.例文帳に追加

半導体基板内に共通ソース領域、フローティング接合領域およびビットライン接合領域を具備し、前記共通ソース領域は接合深さが浅い高濃度不純物領域だけで構成され、フローティング接合領域およびビットライン接合領域の接合深さより浅い。 - 特許庁

An impurity region 19 having the same impurity concentration with that of the impurity region 17 is formed at the same depth of that of the impurity region 17 from the surface of the semiconductor substrate 11 in the semiconductor substrate 11 under the diffusion layer 18.例文帳に追加

拡散層１８下で半導体基板１１の表面から不純物領域１７と同じ深さの半導体基板１１内に、不純物領域１７と同じ不純物濃度を持つ不純物領域１９が形成されている。 - 特許庁

In a photodiode PD1, a resistor 15 consisting of a P diffusion layer (impurity diffusion layer) and a cathode 13 consisting of a N diffusion layer 12 are formed on the surface (light receiving surface) of the N diffusion layer 12 formed on a P substrate 1.例文帳に追加

フォトダイオードＰＤ１は、Ｐ基板１上に形成されたＮ拡散層１２の表面（受光面）に、Ｐ拡散層（不純物拡散層）からなる抵抗１５とＮ拡散層からなるカソード１３とを形成する。 - 特許庁

In Fig. 2 (a), an impurity diffusion area 2 is formed as a lower electrode on the surface of a Si substrate, then a plurality of trenches are formed in the impurity diffusion area 2 by a dry etching method.例文帳に追加

図２の（ａ）ではＳｉ基板１の表面に下部電極となる不純物拡散領域２を形成した後、不純物拡散領域２に複数のトレンチをドライエッチング法により形成する。 - 特許庁

To improve oxygen plasma resistance, mechanical strength, heat diffusion efficiency, hygroscopicity/moisture permeability, heat resistance and barrier effects with respect to impurity diffusion.例文帳に追加

酸素プラズマ耐性、力学的強度、熱拡散効率、吸湿性・透湿性、耐熱性、不純物拡散に対するバリア効果を向上させること。 - 特許庁

An N-type impurity diffusion region 124 is provided adjacent to the surface-layer P-type impurity diffusion region 122, and the diffusion regions 122 and 124 are connected to a signal terminal 140, via a silicide layer 130 that is formed on the surface.例文帳に追加

表層のＰ型不純物拡散領域１２２と隣接してＮ型不純物拡散領域１２４が設けられ、これらの拡散領域１２２，１２４は、その表面に形成したシリサイド層１３０を介して信号端子１４０に接続される。 - 特許庁

An N-type embedded diffusion layer 12 is embedded and formed in a P-type substrate 11, and a P-type first embedded diffusion layer 13 having a high impurity concentration is embedded and formed in the N-type embedded diffusion layer.例文帳に追加

Ｐ型基板１１にＮ型埋込み拡散層１２を埋込み形成し、高不純物濃度のＰ型第一埋込み拡散層１３をＮ型埋込み拡散層に埋込み形成する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises a surface-mounted diode 100d which has an n conduction type impurity diffusion region 12 and a p conduction type impurity diffusion region 13 arranged adjacently to each other in the surface layer of a semiconductor substrate 11, and which is structured by forming a pn junction S at the interface between the n conduction type impurity diffusion region 12 and p conduction type impurity diffusion region 13.例文帳に追加

半導体基板１１の表層部において、隣接して配置されるｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３とを有し、ｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３の界面でＰＮ接合部Ｓが形成されてなる表面型ダイオード１００ｄを備える半導体装置１００とする。 - 特許庁

Impurity diffusion regions 4-1, 4-2 of the same conductivity and different impurity concentration with respect to one another are formed on the surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の表面に互いに同じ導電型で不純物濃度が異なる不純物拡散領域４−１、４−２を形成する。 - 特許庁