「ion gradient」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ISOELECTRIC POINT SEPARATION METHOD, AND DETERMINATION METHOD OF HYDROGEN ION CONCENTRATION GRADIENT IN SEPARATION FIELD例文帳に追加

等電点分離方法およびその分離場における水素イオン濃度勾配決定方法 - 特許庁

The negative electrode active material for the lithium ion secondary battery contains alloy particles having a metal concentration gradient.例文帳に追加

金属濃度勾配を有する合金粒子を含むリチウムイオン二次電池用負極活物質。 - 特許庁

To provide an ion concentration gradient measuring device which is suitable for measuring the ion concentration such as the pH or the like of e.g. an isoelectric focusing medium.例文帳に追加

例えば等電点電気泳動媒質のｐＨなどイオン濃度の勾配測定に好適なイオン濃度勾配測定装置を提供すること。 - 特許庁

A bypass passage 46a between the radiator 50 and the ion exchanger 47 is formed in a descending gradient.例文帳に追加

ラジエータ５０とイオン交換器４７との間のバイパス流路４６ａは、下り勾配で形成されている。 - 特許庁

The ion plating method is pref. a method using a pressure gradient type DC discharge system as a plasma source.例文帳に追加

また前記イオンプレーティング法が、プラズマ源に圧力勾配型直流放電方式を用いた方法であることが好ましい。 - 特許庁

To provide an easily operable method for producing a functionally gradient material having a metal ion concentration gradient in cross-linked polyolefins without formation of joint interface in a short period of time.例文帳に追加

架橋ポリオレフィン中に金属イオンの濃度勾配を有する傾斜材料を、接合界面を形成することなく容易にかつ短時間に製造することができる方法を提供する。 - 特許庁

Ionophores are utilized with liposomes having a metal ion gradient to facilitate the exchange of metal ions for protons.例文帳に追加

プロトンと金属イオンとの交換を促進するために金属イオングラジエントを有するリポゾームと共にイオン運搬体(ionophore) が使用される。 - 特許庁

Since ion is incident to the machined plate along the electric field gradient, etching progresses in an inclined direction to the machined plate.例文帳に追加

イオンは、この電場勾配に沿って被加工プレートに入射されるため、被加工プレートに対して傾いた方向にエッチングが進む。 - 特許庁

An anodized aluminum film 11 formed by anodized aluminum film treatment, a gradient layer 12 formed with a specific element in a gradient form by plasma ion implantation treatment on a surface layer side of the anodized aluminum film 11, and a DLC layer 13 formed by plasma ion deposition treatment on the surface layer side of the gradient layer 12 are formed on the surface of the main body 10 of the parts made of an aluminum alloy.例文帳に追加

アルミニウム合金製の部品本体１０表面には、アルマイト処理により形成されたアルマイト１１と、アルマイト１１の表層側にプラズマイオン注入処理により特定の元素が傾斜状に形成された傾斜層１２と、傾斜層１２の表層側にプラズマイオン成膜処理により形成されたＤＬＣ層１３とが形成されている。 - 特許庁

A biodegradable polymeric material is dipped in a calcium ion-containing solution and a phosphate ion-containing solution to add calcium phosphate to the interior of the biodegradable polymeric material in a gradient state.例文帳に追加

生分解性高分子材料をカルシウムイオン含有溶液およびリン酸イオン含有溶液に今後浸漬することにより、生分解性高分子材料内にリン酸カルシウムが傾斜化して含有させる。 - 特許庁

After forming an insulating film 2 on a substrate 1, a non-single-crystal film 4 is formed by introducing an impurity element 3 by providing a concentration gradient in a crystallization region by an ion implantation or an ion doping.例文帳に追加

基板１上に絶縁膜２を形成した後、不純物物元素３をイオン注入またはイオンドーピングによって結晶化領域において濃度勾配を設けて導入し、その上に非単結晶膜４を形成する。 - 特許庁

The introduced ions lose energy due to collision cooling, become converged to an ion-beam axis C due to the ion-confining effect of a high-frequency electric field, and efficiently move toward the exit aperture along a potential gradient of a direct-current electric field.例文帳に追加

導入されたイオンは衝突冷却によりエネルギーを減じ、高周波電場の閉じ込め作用によりイオン光軸Ｃ近傍に収束し、直流電場の電位勾配に従って出口開口に向かって効率良く移動する。 - 特許庁

The concentration gradient of the metal ion in the thickness direction is intently generated by controlling the acceleration voltage and injection amount of the metal ion so that the thin film has a structure in which a band gap or potential gradation is changed in the thickness direction.例文帳に追加

その際、厚さ方向に金属イオンの濃度勾配を加速電圧及び注入量を制御することにより意図的にもうけて、バンドギャップもしくは電位勾配を厚さ方向に変化させた構造を有する薄膜を提供する。 - 特許庁

Thus, the concentration of the boron ions in the center part of the opening 13b increases in the substrate 3 to form a gradient index lens 5 made of the hemispheric distribution of the boron ion concentration.例文帳に追加

基板３において開口部１３ｂの中心部分のボロンイオン濃度が高くなり、半球状のボロンイオン濃度分布からなる屈折率勾配レンズ５が形成される。 - 特許庁

The method comprises a process for forming a gradient concentration type SiGe film having concentration inclination of Ge on a substrate whose surface is formed of silicon, a process for forming a cap semiconductor film on the gradient concentration type SiGe film, a process for performing ion implantation for the substrate and a process for annealing the substrate.例文帳に追加

表面がシリコンからなる基板上にGeの濃度勾配をもつ傾斜濃度型SiGe膜を形成する工程と、傾斜濃度型SiGe膜上にキャップ半導体膜を形成する工程と、基板にイオン注入する工程と、基板をアニールする工程を備える。 - 特許庁

This method for purifying the miraculin comprises processes of bringing miraculin-containing liquid in contact with a carrier chelate-bonded with a metal ion, and eluting an adsorbed substance on the carrier by pH gradient elution.例文帳に追加

ミラクリン含有液を、金属イオンをキレート結合させた担体に接触させ、該担体への吸着物をpHグラディエント溶出により溶出させることを含む、ミラクリンの精製方法。 - 特許庁

Finally, a drain region 8 and a source region 9 having an impurity concentration gradient in the lateral direction are formed by conducting ion implantation and annealing, using the insulating gate 6 as a mask.例文帳に追加

次に、絶縁ゲート６をマスクとしてイオン注入及びアニール処理を行うことにより、横方向に不純物濃度勾配を持つドレイン領域８及びソース領域９を形成する。 - 特許庁

To generate a high-density plasma by suppressing the intrusion of impurities in making thin films of dielectric substances and semiconductors by an ion plating method which performs a pressure gradient type arc discharge.例文帳に追加

圧力勾配型アーク放電を行うイオンプレーティング法により誘電体や半導体の薄膜を作製する際に、不純物の混入を抑制できるようにし、高密度のプラズマの発生を可能にする。 - 特許庁

With this structure, the time average potential of the rectangular waveform voltage to be applied to each end cap electrode 22 and 24 become zero together, and a direct current potential gradient in a direction along the central axis inside of an ion trap 2 space is eliminated.例文帳に追加

それにより、各エンドキャップ電極２２、２４に印加される矩形波電圧の時間平均電位はともにゼロとなり、イオントラップ２空間内で中心軸に沿った方向の直流的な電位勾配がなくなる。 - 特許庁

The high resistance layer 3A includes an oxygen concentration gradient in the thickness direction, and the oxygen concentration at a part of the high resistance layer 3A touching the ion source layer 3B is below the oxygen concentration in the center of the high resistance layer 3A.例文帳に追加

高抵抗層３Ａには、厚さ方向に酸素濃度勾配が設けられ、高抵抗層３Ａのイオン源層３Ｂに接する部分の酸素濃度が高抵抗層３Ａの中心部分の酸素濃度以下となっている。 - 特許庁

Since the tip end of the needle electrode 70 has a very large gradient of an electric potential, electrons are emitted into the atmosphere from the needle electrode to which high voltage is applied, and adhere to neutral molecules in the air to produce minus ion.例文帳に追加

針電極７０の先端は電位傾度が非常に大きいため、高電圧が印加された針電極から電子が周囲の空中に放出され、その電子が空気中の中性分子に付着してマイナスイオンになる。 - 特許庁

An oxide having an oxygen ion conduction power is employed as a gate insulation film 2 and a positive potential gradient is provided from a semiconductor substrate 1 to the surface of the gate insulation film 2 at the time of depositing the gate insulation film 2.例文帳に追加

ゲート絶縁膜２として酸素イオン導電能力を有する酸化物を用いるとともに、前記ゲート絶縁膜２の堆積時に、半導体基板１から前記ゲート絶縁膜２の表面にかけて正の電位勾配を設ける。 - 特許庁

A transparent conductive film consists of a transparent conductive layer with a thickness of 10-500 nm formed by an ion plating method due to pressure gradient type discharge and the polythiophene type transparent conductive polymeric layer provided thereon.例文帳に追加

透明導電性フィルムの一面上に、透明導電層を圧力勾配型放電によるイオンプレーティング法により１０〜５００ｎｍの厚さに形成した後、その透明導電層上にポリチオフェン系透明導電性高分子層を設けたことを特徴とする透明導電性フィルム。 - 特許庁

To provide a vacuum-film deposition apparatus and a vacuum film deposition method each using a pressure-gradient type ion-plating process which are adaptive even to film-deposition of an electrically conductive insulating material, achieve fully stable film deposition and continuous film-deposition on a target base material and stably provide a film-deposited base material.例文帳に追加

電気的絶縁性物質を成膜する場合にも対応でき、対象とする基材上に充分安定的に成膜することができ、且つ、連続的に成膜ができ、安定的に、成膜された基材を得ることができる、圧力勾配型イオンプレーティング方法を用いた真空成膜装置、真空成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vacuum film deposition system and a vacuum film deposition method using a pressure gradient ion plating process capable of corresponding even to the case that an electrically insulating substance is film-deposited, capable of sufficiently stably depositing a film on a base material as an object, and also capable of obtaining a stably film-deposited base material.例文帳に追加

電気的絶縁性物質を成膜する場合にも対応でき、対象とする基材上に充分安定的に成膜することができ、且つ、安定的に、成膜された基材を得ることができる、圧力勾配型イオンプレーティング方法を用いた真空成膜装置、真空成膜方法を提供する。 - 特許庁

As a transparent film substrate, the one in which thermal conductivity at 30°C is ≤1.5×10-3 [cal/cm.sec.K] is used, furthermore, a pressure gradient type plasma gun is used in a reaction ion plating method, and an ITO conductive layer crystallized by controlling the voltage and electric current to be applied is formed on the transparent film substrate.例文帳に追加

透明フィルム基板の３０℃における熱伝導率を１．５×１０^-3［ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・Ｋ］以下のものを用い、さらに反応性イオンプレーティング法に圧力勾配型プラズマガンを用いて、投入電圧、投入電流を制御することで結晶化したＩＴＯ導電層を透明フィルム基板上に形成する。 - 特許庁

The invention relates to a method for producing an ion exchanger of large porous and strong-acid, or strong-acid and monodisperse gel type, especially the exchanger of large porous and monodisperse, large porous and heterodisperse, or monodisperse gel type by effecting each polymer with a sulfuric acid stepwise through cycles with making the concentration gradient, a cation exchanger produced by the method and use of the same.例文帳に追加

本発明は、大孔性で強酸性の、または強酸性単分散性ゲル型のイオン交換体、特に大孔性で単分散性、大孔性でヘテロ分散性のまたは単分散性ゲル型のイオン交換体を、濃度を傾斜させてサイクルにより段階的に各ポリマーに硫酸を作用させることにより製造する方法、この方法で製造されるカチオン交換体、並びにその使用法に関する。 - 特許庁