「is -N」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The symbol "n" is the equivalent of only one unknown or modified nucleotide. 例文帳に追加

記号｢n｣は唯一の未知の又は修飾されたヌクレオチドの同義語である。 - 特許庁

Each group includes N memory segments as N is an integer.例文帳に追加

各グループは、Ｎを整数としてＮ個のメモリセグメントを含む。 - 特許庁

-Ar_1-(CR_1=CR_2)n- (1) [Ar_1 is an arylene group or the like.例文帳に追加

−Ａｒ_1−（ＣＲ_1＝ＣＲ_2）_n− （１） 〔Ａｒ_1は、アリーレン基等。 - 特許庁

The energizing force is set to a range of 0.8 N (Newton) to 3.5 N.例文帳に追加

前記付勢力は、０．８Ｎ（ニュートン）〜３．５Ｎの範囲に設定される。 - 特許庁

An n-type dopant is added to the second n-type semiconductor layer 19.例文帳に追加

第２のｎ型半導体層１９には、ｎ型ドーパントが添加されている。 - 特許庁

The N-vinylcarboxylic acid amide is preferably N-vinylacetamide.例文帳に追加

また、Ｎ−ビニルカルボン酸アミドとしてはＮ−ビニルアセトアミドが好ましい。 - 特許庁

A deep N well 12 of n-type silicon is formed beneath the P well.例文帳に追加

Ｐウェルの下に、ｎ型シリコンの深いＮ型ウェル１２を形成する。 - 特許庁

As the vinyl lactam, N-vinyl pyrrolidone is especially favorable.例文帳に追加

ビニルラクタムとしては特にN−ビニルピロリドンが好ましい。 - 特許庁

The n-side electrode 17n is provided on the n-type region.例文帳に追加

ｎ側電極１７ｎは、ｎ型領域の上に設けられている。 - 特許庁

An insulating film N+1 is thereafter formed on the insulating film N.例文帳に追加

その後、絶縁膜Ｎの上に絶縁膜Ｎ＋１を形成する。 - 特許庁

Thus, image data IMG (n) is associated with voice data VOI (n).例文帳に追加

こうして、画像データＩＭＧ（ｎ）と音声データＶＯＩ（ｎ）が対応づけられる。 - 特許庁

An n-type cladding layer 103 is formed over an n-type substrate 101.例文帳に追加

ｎ型クラッド層１０３はｎ型基板１０１の上方に形成される。 - 特許庁

A speed reduction is performed so as to stop a carriage at this target stopping position Pstp(N).例文帳に追加

この目標停止位置Pstp(N)でキャリッジが停止するように、減速を行う。 - 特許庁

Subsequently, the operation expression P2 (i)=P2 (n)-dP×(n-i) is calculated.例文帳に追加

次に、演算式Ｐ２（ｉ）＝Ｐ２（ｎ）−ｄＰ×（ｎ−ｉ）を演算する。 - 特許庁

The substitution factor for the N atom is 1% or less, preferably with 0.5% or less.例文帳に追加

また、そのN原子に対する置換率は1%以下、望ましくは0.5%以下とする。 - 特許庁

The N-point signal bandwidth is widened to P×N points.例文帳に追加

Ｎポイントの信号に対し、Ｐ×Ｎポイントに帯域を拡張する。 - 特許庁

The information code is a N-th column (N=2, 3, 4, etc).例文帳に追加

その位置コードは、Ｎ桁（Ｎ＝２，３，４，…）から形成されている。 - 特許庁

In such a case, T+TGI-(M'T/N) is greater than the time difference from the latest delayed wave.例文帳に追加

ここでT+T_GI-(M'T/N)は最も遅い遅延波との時間差よりも大きい。 - 特許庁

A band movement amount B(n) is increased with an increase in the value of n.例文帳に追加

帯域移動量Ｂ（ｎ）は、ｎの値の増加に伴い、増加する。 - 特許庁

An armature core includes N (N is a fraction) slots in each pole and each phase.例文帳に追加

電機子鉄心は毎極毎相Ｎ個（Ｎは分数）のスロットを有する。 - 特許庁

The piezoelectric constant d_33 of the ceramics is preferably not less than 600 pC/N.例文帳に追加

また、セラミックスの圧電定数d_33が、600 pC/N以上であることが好ましい。 - 特許庁

N is preferably a value within a range satisfying 0.10≤n≤0.30.例文帳に追加

ｎは０．１０≦ｎ≦０．３０を満たす範囲内の値であることが好ましい。 - 特許庁

An n-type ZnMgO layer is formed on the surface of the n-type ZnO layer (c).例文帳に追加

（ｃ）ｎ型ＺｎＯ層表面上に、ｎ型ＺｎＭｇＯ層を形成する。 - 特許庁

In addition, an N^--type area 5b is formed within the N-type area 5.例文帳に追加

また、Ｎ型領域５内には、Ｎ^−型領域５ｂを形成する。 - 特許庁

An n-type electrode 5 is bonded to the n-type contact layer 21.例文帳に追加

ｎ型コンタクト層２１には、ｎ型電極５が接合されている。 - 特許庁

Furthermore, an N+ collector diffusion layer 16 is formed to surround them.例文帳に追加

更にそれらを囲むように、N+コレクタ拡散層１６を形成する。 - 特許庁

An n-side electrode 12 is arranged on the lower face of the n-type substrate 1.例文帳に追加

ｎ型基板１の下面には、ｎ側電極１２が配置されている。 - 特許庁

An n side electrode 18 is formed on the lower face of the n-type GaN layer 11.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ層１１の下面にｎ側電極１８を形成する。 - 特許庁

The n-side electrode 14 is connected to the n-type surface 20an.例文帳に追加

ｎ側電極１４は、ｎ型表面２０ａｎに接続されている。 - 特許庁

Moving average N^ of the engine speed N is calculated (step S3).例文帳に追加

上記エンジン回転数Ｎの移動平均Ｎ＾を算出する（ステップＳ３）。 - 特許庁

To attain frame synchronization without executing carrier reproduction even when C/N is low.例文帳に追加

低C/N時においても、キャリア再生せずに、フレーム同期できるようにする。 - 特許庁

A P-type well region 2 is formed on the surface of an N-type Si substrate 1.例文帳に追加

n型Si基板1の表面に、p型ウェル領域2が形成されている。 - 特許庁

Furthermore, an N-well 6 is formed in a peripheral PMOS Tr 53 region.例文帳に追加

さらに、周辺PMOSTr53領域には、Nウェル6が形成されている。 - 特許庁

An n-side electrode 7 is formed on the exposed n-type GaN layer 2.例文帳に追加

露出したｎ型GaN層２上にｎ側電極７を形成する。 - 特許庁

An n-electrode is connected to the undersurface of the n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型半導体基板の下面にｎ電極が接続されている。 - 特許庁

The n-side metal pillar is prepared on the n-side wiring layer.例文帳に追加

ｎ側金属ピラーは、ｎ側配線層上に設けられている。 - 特許庁

To provide a signal transmission device for transmitting signals of N channels (N is an integer equal to or greater than 3).例文帳に追加

Ｎ（Ｎは３以上の整数）チャネルの信号を伝送すること。 - 特許庁

The classes C1-Cn are ordinary classes, and class Cn+1 is 'the others' class.例文帳に追加

なお、クラスＣ_1〜Ｃ_nは通常クラスであり、クラスＣ_n+1は「その他」クラスである。 - 特許庁

The deep n-type well is provided with a first deep n-type well 105.例文帳に追加

ディープｎ型ウェルは、第一のディープｎ型ウェル１０５を備える。 - 特許庁

A known (k, n) threshold method is applied.例文帳に追加

公知の(k,n)しきい値法の手法を上記課題解決の為に新たに適用する。 - 特許庁

As a result, an N-/N+ type laminated substrate is manufactured with a high yield.例文帳に追加

その結果、Ｎ^−／Ｎ^＋型の張り合わせ基板を高歩留まりで作製できる。 - 特許庁

On and after the N+2-th operation, the same injection quantity control as the N+1-th is performed.例文帳に追加

Ｎ＋２回目からもＮ＋１回目と同様の噴射量制御を行う。 - 特許庁

Aspartic acid N,N-diacetate or its salt is formulated into the objective skin care preparation.例文帳に追加

アスパラギン酸−Ｎ，Ｎ−二酢酸またはその塩を配合する。 - 特許庁

A multiple speed part 104 multiplies image data by N (where N is a natural number).例文帳に追加

倍速部１０４は、画像データをＮ倍速（Ｎ：自然数）する。 - 特許庁

Then, each quantum state of QA_0 to QA_n-1, QB_0 to QB_n-1, QC_0 is defined as |a_0> to |a_n-1>, |s_0> to |s_n-1>, |s_n>.例文帳に追加

そして、QA_0,…,QA_n-1,QB_0,…,QB_n-1,QC_0の各量子状態を|a_0>,…,|a_n-1>,|s_0>,…,|s_n-1>,|s_n>とする。 - 特許庁