1016万例文収録!

「is -N」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定


セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

is -Nの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 24020



例文

For GrayScale and PseudoColor,the effect is as if an XAllocColorCells call returned all pixel valuesfrom zero to N - 1, where N is the colormap entries value in the specifiedvisual. 例文帳に追加

GrayScaleとPseudoColorを指定すると、XAllocColorCellsの呼び出しが 0 から N \\- 1 までの全てのピクセル値返した場合と同じ効果になる。 - XFree86

An n+ cathode layer 32 is formed on one surface of an n-layer 31, and a cathode electrode 33 is formed on the n+cathode layer 32.例文帳に追加

n- 層31の一方の表面にn+ カソード層32が形成され、n+ カソード層32上にカソード電極33が形成されている。 - 特許庁

The method for producing the de-N-acetylated substance can be applied when chitosan is produced from chitin, glucosamine is produced from N-acetyl glucosamine or oligosaccharides are produced from polysaccharides.例文帳に追加

キチンからキトサンの生成、N-アセチルグルコサミンからグルコサミンの生成、多糖類から少糖類の生成に適用できる。 - 特許庁

The divided content N+1 in which the watermark data N is embedded is used for generating the next watermark data N+1 in the watermark data generation processing 12.例文帳に追加

透かしデータNを埋め込んだこの分割コンテンツN+1は、透かしデータ生成処置12で次の透かしデータN+1の生成に用いられる。 - 特許庁

例文

An n-type semiconductor is epitaxially grown on an n-type low resistance substrate 1 and a trench is formed on the n-type semiconductor.例文帳に追加

n型低抵抗基板1の上にn型半導体をエピタキシャル成長させ、そのn型半導体にトレンチを形成する。 - 特許庁


例文

An n type buffer layer 3 is formed on an n^+ type substrate 2, and an n^- type buffer layer is formed on this.例文帳に追加

n^+型基板2上にn型バッファー層3を形成し、その上にn^−型バッファー層を形成する。 - 特許庁

Then, an n-type semiconductor region 8C is formed by introducing an n-type impurity ion into a region that is adjacent to the n-type semiconductor region 8B.例文帳に追加

続いて、n型半導体領域8Bと隣接する領域にn型の不純物イオンの導入によりn型半導体領域8Cを形成する。 - 特許庁

The symbol string transforming means 1 rearranges m (m is an integer) kinds of and n (n is an integer) complex symbol strings T (m and n) in each complex symbol.例文帳に追加

m(mは整数)種類、n(nは整数)個の複素シンボル列T(m、n)がシンボル列変換手段1により複素シンボル毎に並べ替えられる。 - 特許庁

Electrodes 1, 2, 3 for applying n-phase AC voltage, where n is at least 2, are arranged on a specimen table 9, and a circuit for applying the n-phase AC voltage is arranged.例文帳に追加

試料台9に、n=2以上のn相交流電圧を印加する電極1、2、3を設け、n相交流電圧を印加する回路を設ける。 - 特許庁

例文

The n-side wiring layer is provided on the insulating film, and is connected to the n-side electrode via the n-side contact.例文帳に追加

n側配線層は、絶縁膜上に設けられ、n側コンタクト部を介してn側電極と接続されている。 - 特許庁

例文

A diode is formed by the p+ area 2, the n+ area 3, an n- substrate area 1 which is between the p+ area 2 and the n+ area 3.例文帳に追加

このp^+ 領域2とn^+ 領域3およびp^+ 領域2とn^+ 領域3に挟まれたn^- 基板領域1で、ダイオードが形成される。 - 特許庁

An n-type semiconductor 22 is formed on the surface of an n-type silicon substrate 21, and a mask oxide film is formed on the surface of the n-type semiconductor 22.例文帳に追加

n型シリコン基板21の表面にn型半導体22を形成し、n型半導体22の表面にマスク酸化膜を形成する。 - 特許庁

This storage device 101 is provided with n pieces of (n>2, n is an integer) disk controller parts 1041 to 104n.例文帳に追加

ストレージ装置101は、n個(n>2、nは整数)のディスクコントローラ部1041、…、104nを備える。 - 特許庁

R-O-(C_3H_6O_2)_n-H (I) [wherein, R is a 6-22C hydrocarbon group; and (n) is a number of 1 to 7].例文帳に追加

R−O−(C_3H_6O_2)_n−H (I)(式中、Rは炭素数6〜22の炭化水素基を、nは1〜7の数を示す。) - 特許庁

An n+-type source layer 4 is formed on the surface of the p-type well layer 2, and an n+-type drain layer 6 is formed on the surface of the n-type drift layer 3.例文帳に追加

p型ウエル層2の表面にn^+ 型ソース層4が形成され、n型ドリフト層3の表面にn^+ 型ドレイン層6が形成される。 - 特許庁

When sound recording mode is selected, the sound is picked up by microphones MICh1, MICh2, MICh3, and sound data Shm1(n), Shm2(n), Shm3(n) are stored in a storage part 3.例文帳に追加

録音モードが選択されると、マイクロホンMICh1,MICh2,MICh3による収音が行われ、音声データShm1(n),Shm2(n),Shm3(n)が記憶部3に記憶される。 - 特許庁

When Y(n) is determined to be zero, the equalizer adjusts the stored correction value D(n) by a predetermined value Δ based on whether X'(n) is positive or negative.例文帳に追加

Y(n)が0であると判定された時、等化器は、X’(n)が正か負かに基づいて、記憶されている補正値D(n)を所定値Δだけ調節する。 - 特許庁

The n-side metal pillar has an n-side external terminal that is exposed from the insulating material on a surface different from the surface onto which the n-side electrode is connected.例文帳に追加

n側金属ピラーは、n側電極と接続された面とは異なる面で絶縁材から露出されたn側外部端子を有する。 - 特許庁

This self-luminous display device 10 is provided with a display panel 20 comprising N lines (N is a natural number) of scanning lines X_1 to X_N.例文帳に追加

この自己発光型表示装置10は、N本(Nは自然数)の走査線X_1〜X_Nを有する表示パネル20を備える。 - 特許庁

The tuning circuit is composed of a serial circuit Ai (i=1 to n, n is an integer of ≥2) including a capacitor Ci and a switch element Qi and a coil.例文帳に追加

コンデンサCiとスイッチ素子Qiとの直列回路Ai(i=1〜n、nは2以上の整数)と、コイルとを並列接続して同調回路を構成する。 - 特許庁

The integer number M is preferably set to be a value except a value of (N×n+1) ('n' is an integer number not less than 1).例文帳に追加

この整数Mは、(N×n+1)以外の値(nは1以上の任意の整数)に設定されていることが好ましい。 - 特許庁

When the character on which the mouse cursor 40 is n-th from the left, the angle θ(°) of rotating the image is determined by θ=90×n/N.例文帳に追加

マウスカーソル40が置かれた文字が左から数えてn番目であるとき、画像を回転する角度θ(度)はθ=90×n/Nにより求められる。 - 特許庁

Data on a plurality of positions (node points) Nd[n] on a road is acquired, and the degree of curvature Rc[n] of the road in each node point Nd[n] is calculated.例文帳に追加

道路上の複数の位置データ(ノード点)Nd[n]が取得され、各ノード点Nd[n]における道路の屈曲度Rc[n]が演算される。 - 特許庁

And, an estimated error e (n) which is a difference between the estimated current value x (n) and a current feedback value i (n) FB is calculated.例文帳に追加

そして、推定電流値x(n)と電流フィードバック値i(n)FBとの差である推定誤差e(n)を求める。 - 特許庁

To improve the S/N ratio by overcoming the problem, wherein the S/N ratio gain becomes smaller if the noise intensity is smaller than an appropriate value, when the S/N ratio is improved by using a probability resonance phenomenon.例文帳に追加

確率共鳴現象を用いてS/N比を改善する際、適切なノイズ強度より小さいとS/N比ゲインが小さくなる。 - 特許庁

In step S106, the change amount Δη_n of the charging efficiency is calculated, and the change amount of atmospheric pressure is then calculated, depending on this change amount Δη_n in step S107.例文帳に追加

ステップS107では、この充填効率の変化量Δη_nに応じた大気圧の変化量を算出する。 - 特許庁

The n^+-embedded layer 20 is in contact with the bottom face of the n-type dopant region 121 and is formed deeper than the n-type dopant region 121.例文帳に追加

n^+埋め込み層20は、n型不純物領域121の底面に接して、n型不純物領域121よりも深く形成されている。 - 特許庁

When a lens group, including the air negative lens L_n, is denoted as a lens group G_n and the nearest moving group on the enlargement side of the air negative lens L_n is denoted as a lens group G_p, (1): -2.0<Fn/Fw<-0.5,例文帳に追加

ただし、Fw、Fn、Fpは各々、ワイド端でのズームレンズ全体、ワイド端での空気負レンズL_n、レンズ群G_p、の焦点距離。 - 特許庁

In such a case, a state of N-bit data transmitted just before is kept as it is for invalid data (N-N/m bits).例文帳に追加

この際、無効データ(N-N/Mビット)は、直前に送信したNビットデータの状態をそのまま保持する。 - 特許庁

On the porous n-type region 11n, an n-side electrode 13 is formed, and on the n-side electrode 13, a passivation film 14 made of silicon nitride is formed.例文帳に追加

n側電極13上には窒化シリコンからなるパッシベーション膜14が形成されている。 - 特許庁

The positions at which slits 15 are disposed in open state are set to the positions distant from the closed end of the antenna 12 by n×λg/2 (n is integer, n≥0 and λg is a wave length of a microwave propagating in antenna).例文帳に追加

また、スリット15,15,…の開設位置は、導波管型アンテナ部12の閉塞した端部からn・λg/2の位置に定めてある。 - 特許庁

In a step S17, an SOH^n is calculated by using the updated F^n(t); and in a step S19, an SOC^n is calculated.例文帳に追加

更新されたF^n(t)を用いてステップS17でSOH^nを算出し、ステップS19でSOC^nを算出する。 - 特許庁

This number N is subtracted from a maximum number of available sheets of recording mediums to predict a number N' of remaining available sheets of recording mediums where pictures can be recorded by remaining toner, and this number N' is displayed on a display device.例文帳に追加

これを最大使用可能枚数から差し引いて、残存トナーによる残存使用可能枚数N’を予測し、ディスプレイに表示する。 - 特許庁

Digital image data of n-bit is converted to n+m-bit by a γ compensation table and is displayed by using the D/A converter of n+m-bit.例文帳に追加

nビットのデジタル画像データをγ補正テーブルでn+mビットに変換し、n+mビットのD/Aコンバータを用いて表示する。 - 特許庁

YmSiXn (1) wherein Y is an organic functional group, X is a hydrolyzed group, m and n are each an integer of 1-3, and they satisfy n+m=4.例文帳に追加

Y_m SiX_n (1) (但し、Yは有機官能基、Xは加水分解基、mおよびnはそれぞれ1〜3の整数であって、m+n=4を満足する。) - 特許庁

The n well 16 is positioned under the p well 12 and the n well 14, and is in contact with the n well 14.例文帳に追加

nウェル16は、pウェル12およびnウェル14の下に位置し、nウェル14に接触している。 - 特許庁

The formula (1) is -[C(H,F)_2]_n-X-(CF_2)_m-SO_3H when X is O or a direct bond and n, m are respectively integers of 1 or more and 3 or less.例文帳に追加

−[C(H、F)_2]_n−X−(CF_2)_m−SO_3H ・・・(1) 但し、Xは、O又は直接結合、n、mは、それぞれ、1以上3以下の整数。 - 特許庁

When the HDMI key of a remote controller is depressed (YES at #2), n is incremented by 1 (n=n+1) (#3).例文帳に追加

そして、リモコン装置のHDMIキーが押下されると(#2においてYES)、nを1インクリメント(n=n+1)する(#3)。 - 特許庁

R-CONH-(CH_2)_n-NHCO-R [1] (wherein n is an integer of 1-6; and R is a straight-chain aliphatic group).例文帳に追加

R−CONH−(CH_2)_n−NHCO−R [1](式中、nは1〜6の整数を表す。Rは直鎖の脂肪族基を表す。) - 特許庁

Wherein, n is a range constant for expressing a noticeable domain -n≤20log_10(P/P_0)≤n, and m is a highlighting factor.例文帳に追加

nは注目領域−n≦20log_10(P/P_0)≦nを表すための範囲定数、mは強調係数を表している。 - 特許庁

The n-type base region 10 is formed of the n^--type first region 10a and the n-type second region 10b whose impurity concentration is higher than the first region 10a.例文帳に追加

N型ベース領域10はN^-型の第1の領域10aとこれよりも不純物濃度の高いN型の第2の領域10bとから成る。 - 特許庁

The information of n! types (n is an integer equal to or greater than 3) is encoded according to the arrangement of n pieces of cells constituted of different colors or gradations.例文帳に追加

n!種類(nは3以上の整数)の情報を、互いに異なる色又は階調からなるn個のセルの配置によって符号化するようにした。 - 特許庁

Thereafter, N-frame average value (N is a natural number of ≥2) of the one-frame average values is calculated for each N-frame period.例文帳に追加

この後、1フレーム平均値のN(Nは2以上の自然数)フレーム平均値をNフレーム期間毎に算出する。 - 特許庁

Next, it is decided whether each the obtained regression coefficient β_i is within a proper range or not.例文帳に追加

y_1 =β_1 x+ α_1 y_2 =β_2 x+ α_2 ・・・ y_n =β_n x+ α_n 次に、得られた各回帰係数β_i が、適正範囲内であるか判断する。 - 特許庁

The control command of the program access (PGN#n) is issued in a step (13) or the control command of the program access (PGN#n) is issued in a step (14).例文帳に追加

そしてステップ〔13〕でプログラムアクセス(PGN #n)の制御指令が発行されるか、ステップ〔14〕でプログラムアクセス(PGN #1)の制御指令が発行される。 - 特許庁

(1) 1≤Mn≤MT1/N×1.5 [MT is total draw ratio (MT=M1×M2×...×MN], N is drawing stage number (N≥2).例文帳に追加

(1) 1≦Mn≦M_T^1/N×1.5 ただし、M_Tは総延伸倍率(M_T=M_1×M_2×・・・×M_N)、Nは延伸段数(N≧2)とする。 - 特許庁

If n is not specified, the standard input (file descriptor 0) is used. 例文帳に追加

nが指定されていない場合、標準入力(ファイル・ディスクリプター 0) が使われます。 - JM

If n is not specified, the standard output (file descriptor 1) is used. 例文帳に追加

nが指定されていない場合は、標準出力(ファイル・ディスクリプター 1) が使われます。 - JM

Otherwise, numbers take the form [base#]n, where base is a decimal number between 2 and 64 representing the arithmetic base, and n is a number in that base. 例文帳に追加

ここで base は 2 から 64 の間の10 進数であり、算術的な意味での基数を表します。 - JM

例文

If n is greater than the number of enclosing loops, the last enclosing loop (the ``top-level'' loop) is resumed. 例文帳に追加

nがループの深さよりも大きい場合、最後のループ (「トップレベル」のループ) で実行が継続されます。 - JM

索引トップ用語の索引



  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
  
この対訳コーパスは独立行政法人情報通信研究機構の研究成果であり、Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0 Unportedでライセンスされています。
  
Copyright (C) 1994-2004 The XFree86®Project, Inc. All rights reserved. licence
Copyright (C) 1995-1998 The X Japanese Documentation Project. lisence
  
Copyright (c) 2001 Robert Kiesling. Copyright (c) 2002, 2003 David Merrill.
The contents of this document are licensed under the GNU Free Documentation License.
Copyright (C) 1999 JM Project All rights reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2024 GRAS Group, Inc.RSS